JP3063695B2 - 複数の水素ノズルを有する外部燃焼酸化装置 - Google Patents
複数の水素ノズルを有する外部燃焼酸化装置Info
- Publication number
- JP3063695B2 JP3063695B2 JP9220891A JP22089197A JP3063695B2 JP 3063695 B2 JP3063695 B2 JP 3063695B2 JP 9220891 A JP9220891 A JP 9220891A JP 22089197 A JP22089197 A JP 22089197A JP 3063695 B2 JP3063695 B2 JP 3063695B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- flow rate
- hydrogen gas
- nozzle
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Flow Control (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は外部燃焼酸化装置に
関し、特に、半導体製造に用いて好適とされる、水素ガ
スと酸素ガスを燃焼して水蒸気を発生させウエハーを熱
酸化させる外部燃焼酸化装置に関する。
関し、特に、半導体製造に用いて好適とされる、水素ガ
スと酸素ガスを燃焼して水蒸気を発生させウエハーを熱
酸化させる外部燃焼酸化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の複数の水素ノズルを有す
る外部燃焼酸化装置は、例えば特開平４−１９６５３６
号公報に記載されるように、水素と酸素を反応、燃焼さ
せる燃焼室への水素供給ノズルを２個以上備え、各々の
水素供給を独立に制御し、燃焼室及び水素ノズルの寿命
を損なうことなく、多量の水素を燃焼させることを目的
として用いられている。
る外部燃焼酸化装置は、例えば特開平４−１９６５３６
号公報に記載されるように、水素と酸素を反応、燃焼さ
せる燃焼室への水素供給ノズルを２個以上備え、各々の
水素供給を独立に制御し、燃焼室及び水素ノズルの寿命
を損なうことなく、多量の水素を燃焼させることを目的
として用いられている。
【０００３】図３は、従来の複数の水素ノズルを有する
外部燃焼酸化装置を示す断面図である。図３に示すよう
に、外部燃焼酸化装置は、水素ノズル１ａ，１ｂ、酸素
ノズル２、接続管３、水素の燃焼を行う燃焼室４、燃焼
室を加熱するヒーター５、ガス制御装置６、熱処理用ヒ
ーター７、石英管８、モーター９、ボールネジ１０、ガ
イド１１、半導体ウエハ用ボート１２、石英管キャップ
１４、断熱治具１５を備えており、１３は半導体ウエハ
１３。
外部燃焼酸化装置を示す断面図である。図３に示すよう
に、外部燃焼酸化装置は、水素ノズル１ａ，１ｂ、酸素
ノズル２、接続管３、水素の燃焼を行う燃焼室４、燃焼
室を加熱するヒーター５、ガス制御装置６、熱処理用ヒ
ーター７、石英管８、モーター９、ボールネジ１０、ガ
イド１１、半導体ウエハ用ボート１２、石英管キャップ
１４、断熱治具１５を備えており、１３は半導体ウエハ
１３。
【０００４】図４は、図３の外部燃焼酸化装置のガス系
統図である。図４を参照すると、まず、酸素を燃焼室４
に供給するため空気作動弁１６ｃを開けて、酸素の供給
量を数ＳＬＭとする。所定時間経過後、水素燃焼を開始
するため空気作動弁１６ａ、１６ｂを開き、空気作動弁
１６ｊは閉じる。水素用マスフローコントローラー１９
ｂで数ＳＬＭの水素を燃焼室４に供給させる。燃焼室４
で着火後、酸素供給量を所定量まで酸素用マスフローコ
ントローラー１８ｂで増量し、後に水素供給量を増量す
る。
統図である。図４を参照すると、まず、酸素を燃焼室４
に供給するため空気作動弁１６ｃを開けて、酸素の供給
量を数ＳＬＭとする。所定時間経過後、水素燃焼を開始
するため空気作動弁１６ａ、１６ｂを開き、空気作動弁
１６ｊは閉じる。水素用マスフローコントローラー１９
ｂで数ＳＬＭの水素を燃焼室４に供給させる。燃焼室４
で着火後、酸素供給量を所定量まで酸素用マスフローコ
ントローラー１８ｂで増量し、後に水素供給量を増量す
る。
【０００５】水素ノズル１ｂの許容水素流量以内での燃
焼は、この後、空気作動弁１６ｆを閉じ、許容水素流量
以上の燃焼の場合は、空気作動弁１６ｋを閉じ空気作動
弁１６ｊを開け、２つの水素ノズル１ａ、１ｂにて燃焼
室４内で水素と酸素の燃焼を行う。
焼は、この後、空気作動弁１６ｆを閉じ、許容水素流量
以上の燃焼の場合は、空気作動弁１６ｋを閉じ空気作動
弁１６ｊを開け、２つの水素ノズル１ａ、１ｂにて燃焼
室４内で水素と酸素の燃焼を行う。
【０００６】通常、酸素量は、水素量の１／２より多く
するため、図３の石英管８には水蒸気と酸素の混合気体
が供給され、半導体ウエハ１３の酸化を行う。
するため、図３の石英管８には水蒸気と酸素の混合気体
が供給され、半導体ウエハ１３の酸化を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術は下記記載の問題点を有している。
た従来技術は下記記載の問題点を有している。
【０００８】第１の問題点は、従来技術は、大量の水素
を流すことを目的としており、水素ガスを小流量精度良
く流すことができない、ということである。
を流すことを目的としており、水素ガスを小流量精度良
く流すことができない、ということである。
【０００９】その理由は、大流量用マスフローコントロ
ーラー１個のみで水素流量をコントローラしているから
である。通常、マスフローコントローラーは流量を精度
良く制御できる範囲が決まっており（たとえば最大流量
の５〜９５％）、大流量用マスフローコントローラー
（たとえば最大流量３０ＳＬＭ）では小流量（たとえば
０．１ＳＬＭ）を精度良く流すことができない。
ーラー１個のみで水素流量をコントローラしているから
である。通常、マスフローコントローラーは流量を精度
良く制御できる範囲が決まっており（たとえば最大流量
の５〜９５％）、大流量用マスフローコントローラー
（たとえば最大流量３０ＳＬＭ）では小流量（たとえば
０．１ＳＬＭ）を精度良く流すことができない。
【００１０】第２の問題点は、水素ノズルの形状にあ
る。通常水素を供給するノズルの形状は以下の理由で選
定している。 ・水素の燃焼によるノズルの消耗を少なくし、一定の寿
命を確保する。 ・水素燃焼炎による燃焼室の失透及び変形を防止する。
る。通常水素を供給するノズルの形状は以下の理由で選
定している。 ・水素の燃焼によるノズルの消耗を少なくし、一定の寿
命を確保する。 ・水素燃焼炎による燃焼室の失透及び変形を防止する。
【００１１】したがって、水蒸気を極少量必要とする酸
化処理には、水素ノズルの噴出径を小さくする必要があ
り、水蒸気を多量に必要とする酸化処理には、水素ノズ
ル本数を増やす必要があるが、燃焼管の大きさより一定
以上増やすことができないのが現状である。
化処理には、水素ノズルの噴出径を小さくする必要があ
り、水蒸気を多量に必要とする酸化処理には、水素ノズ
ル本数を増やす必要があるが、燃焼管の大きさより一定
以上増やすことができないのが現状である。
【００１２】このため、流すことのできる水素流量の範
囲は自ずと決まってくるので、大流量と小流量を併用す
ることはできない、という問題点があった。
囲は自ずと決まってくるので、大流量と小流量を併用す
ることはできない、という問題点があった。
【００１３】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その目的は、水素ガス流量の供
給範囲を広げることによって大流量を必要とする酸化処
理と小流量を必要とする酸化処理を併用することのでき
る外部燃焼酸化装置を提供することにある。
なされたものであって、その目的は、水素ガス流量の供
給範囲を広げることによって大流量を必要とする酸化処
理と小流量を必要とする酸化処理を併用することのでき
る外部燃焼酸化装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る外部燃焼酸化装置は、水素ガスと酸素
ガスを燃焼して水蒸気を発生させて半導体ウェハを酸化
させる外部燃焼酸化装置において、噴出径の異なる複数
の水素ガス供給ノズルを有し、前記複数の水素ガス供給
ノズルへのガス供給をそれぞれ独立に制御する複数の制
御装置を備えたことを特徴とする。
め、本発明に係る外部燃焼酸化装置は、水素ガスと酸素
ガスを燃焼して水蒸気を発生させて半導体ウェハを酸化
させる外部燃焼酸化装置において、噴出径の異なる複数
の水素ガス供給ノズルを有し、前記複数の水素ガス供給
ノズルへのガス供給をそれぞれ独立に制御する複数の制
御装置を備えたことを特徴とする。
【００１５】［発明の概要］本発明においては、小流量
の水蒸気を必要とする酸化処理の場合、水素ガス供給ノ
ズルの噴出径が小さいものを使用し、小流量用マスフロ
ーコントローラーにて流量を制御し、大流量の水蒸気を
必要とする酸化処理の場合、水素ガス供給ノズルの噴出
径が大きいものを使用し、大流量用マスフローコントロ
ーラーにて流量を制御する。ただし安全に着火するため
に、初期着火は上記極低流量用の水素ノズルと小流量用
マスフローコントローラーを用いて行い、次に大流量用
の水素ノズル及びマスフローコントローラーを用いて徐
々に所定の流量まで増加する。
の水蒸気を必要とする酸化処理の場合、水素ガス供給ノ
ズルの噴出径が小さいものを使用し、小流量用マスフロ
ーコントローラーにて流量を制御し、大流量の水蒸気を
必要とする酸化処理の場合、水素ガス供給ノズルの噴出
径が大きいものを使用し、大流量用マスフローコントロ
ーラーにて流量を制御する。ただし安全に着火するため
に、初期着火は上記極低流量用の水素ノズルと小流量用
マスフローコントローラーを用いて行い、次に大流量用
の水素ノズル及びマスフローコントローラーを用いて徐
々に所定の流量まで増加する。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明の外部燃焼酸化装置は、その好まし
い実施の形態において、半導体ウエハを加熱処理する処
理室と、該処理室に不活性ガス、酸素、水蒸気等の供給
を行うガス供給装置と、を有する半導体ウエハの外部燃
焼酸化において、水素の燃焼を行う燃焼室への水素ガス
供給ノズルの噴出径が異なるノズルを少なくとも２本以
上有し、その噴出径は供給流量に適したものであり、各
々のノズルからのガス供給は供給流量に適したマスフロ
ーコントローラーで独立に制御するものである。
に説明する。本発明の外部燃焼酸化装置は、その好まし
い実施の形態において、半導体ウエハを加熱処理する処
理室と、該処理室に不活性ガス、酸素、水蒸気等の供給
を行うガス供給装置と、を有する半導体ウエハの外部燃
焼酸化において、水素の燃焼を行う燃焼室への水素ガス
供給ノズルの噴出径が異なるノズルを少なくとも２本以
上有し、その噴出径は供給流量に適したものであり、各
々のノズルからのガス供給は供給流量に適したマスフロ
ーコントローラーで独立に制御するものである。
【００１７】すなわち、燃焼する水素の流量によって適
正な水素のノズル、すなわち、大流量にはノズルの噴出
径が大で、小流量にはノズルの噴出径が小のノズルを少
なくとも２本以上設置し、マスフローコントローラーも
各々のノズルに合せたものを用い、これにより燃焼可能
な水素流量の幅を広げることができ、その流量の精度も
向上する。これは大流量を必要とする酸化処理と小流量
を必要とする酸化処理を１台の装置で併用することがで
きる。
正な水素のノズル、すなわち、大流量にはノズルの噴出
径が大で、小流量にはノズルの噴出径が小のノズルを少
なくとも２本以上設置し、マスフローコントローラーも
各々のノズルに合せたものを用い、これにより燃焼可能
な水素流量の幅を広げることができ、その流量の精度も
向上する。これは大流量を必要とする酸化処理と小流量
を必要とする酸化処理を１台の装置で併用することがで
きる。
【００１８】本発明の実施の形態においては、特に小流
量の水素を精度良く燃焼することが可能となるため、窒
素等の希釈ガスで小量の水蒸気を希釈することによって
酸化速度を低減することができるようになる。その結
果、より高温下においても半導体ウエハ上の極薄膜の膜
厚の制御性が向上する。
量の水素を精度良く燃焼することが可能となるため、窒
素等の希釈ガスで小量の水蒸気を希釈することによって
酸化速度を低減することができるようになる。その結
果、より高温下においても半導体ウエハ上の極薄膜の膜
厚の制御性が向上する。
【００１９】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図１は、本発明の複数の水素ノズル
を有する外部燃焼酸化装置の一実施例を示す断面図、図
２は図１のガス系統図である。
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。図１は、本発明の複数の水素ノズル
を有する外部燃焼酸化装置の一実施例を示す断面図、図
２は図１のガス系統図である。
【００２０】図１を参照すると、本発明の一実施例の半
導体ウエハの外部燃焼酸化装置は、水素の燃焼を行う燃
焼室４と、燃焼室４を加熱するヒーター５と、燃焼室で
生成された水蒸気、余剰酸素及び希釈ガスを石英管８ま
で供給する接続管３と、燃焼室４に水素を供給する少な
くとも２本以上の水素ノズル１ａ，１ｂ，１ｃと酸素を
供給する酸素ノズル２と、各ノズルに供給するガスを制
御するガス供給装置６と、を備えている。
導体ウエハの外部燃焼酸化装置は、水素の燃焼を行う燃
焼室４と、燃焼室４を加熱するヒーター５と、燃焼室で
生成された水蒸気、余剰酸素及び希釈ガスを石英管８ま
で供給する接続管３と、燃焼室４に水素を供給する少な
くとも２本以上の水素ノズル１ａ，１ｂ，１ｃと酸素を
供給する酸素ノズル２と、各ノズルに供給するガスを制
御するガス供給装置６と、を備えている。
【００２１】また、７は熱処理用ヒーター、９はモータ
ー、１０はボールネジ、１１はガイド、１２は半導体ウ
エハ用ボート、１３は半導体ウエハ、１４は石英管キャ
ップ、１５は断熱治具である。
ー、１０はボールネジ、１１はガイド、１２は半導体ウ
エハ用ボート、１３は半導体ウエハ、１４は石英管キャ
ップ、１５は断熱治具である。
【００２２】図２のガス系統図において、１６ａ〜ｎは
空気作動弁、１７は窒素用マスフローコントローラー、
１８ａ，１８ｂは酸素用マスフローコントローラー、１
９ａ，１９ｂ，１９ｃは水素用マスフローコントローラ
ーである。
空気作動弁、１７は窒素用マスフローコントローラー、
１８ａ，１８ｂは酸素用マスフローコントローラー、１
９ａ，１９ｂ，１９ｃは水素用マスフローコントローラ
ーである。
【００２３】本実施例では、小流量の範囲を０．０５〜
０．９５ＳＬＭ、中流量の範囲を０．９５〜９．５ＳＬ
Ｍ、大流量の範囲を９．５〜２８．５ＳＬＭと仮に定義
すると、水素ノズル１ａは小流量用、１ｂは中流量用、
１ｃは大流量用であり、そのノズルの噴出径はそれぞれ
の流量を流すのに適した径をしている（順にノズルの噴
出径が小・中・大）。
０．９５ＳＬＭ、中流量の範囲を０．９５〜９．５ＳＬ
Ｍ、大流量の範囲を９．５〜２８．５ＳＬＭと仮に定義
すると、水素ノズル１ａは小流量用、１ｂは中流量用、
１ｃは大流量用であり、そのノズルの噴出径はそれぞれ
の流量を流すのに適した径をしている（順にノズルの噴
出径が小・中・大）。
【００２４】小流量用水素ノズル１ａは小流量用マスフ
ローコントローラー１９ａで、中流量用水素ノズル１ｂ
は中流量用マスフローコントローラー１９ｂで、大流量
用水素ノズル１ｃは大流量用マスフローコントローラー
１９ｃで、それぞれ独立に流量制御された水素ガスが供
給される。
ローコントローラー１９ａで、中流量用水素ノズル１ｂ
は中流量用マスフローコントローラー１９ｂで、大流量
用水素ノズル１ｃは大流量用マスフローコントローラー
１９ｃで、それぞれ独立に流量制御された水素ガスが供
給される。
【００２５】小流量用マスフローコントローラー１９ａ
の最大流量は１ＳＬＭであり、中流量用マスフローコン
トローラー１９ｂの最大流量は１０ＳＬＭであり、大流
量用マスフローコントローラー１９ｃの最大流量は３０
ＳＬＭである。
の最大流量は１ＳＬＭであり、中流量用マスフローコン
トローラー１９ｂの最大流量は１０ＳＬＭであり、大流
量用マスフローコントローラー１９ｃの最大流量は３０
ＳＬＭである。
【００２６】酸素用マスフローコントローラー１８ａの
最大流量は１ＳＬＭで、１８ｂの最大流量は２０ＳＬＭ
である。窒素用マスフローコントローラー１７の最大流
量は２０ＳＬＭで、希釈ガス用マスフローコントローラ
ー２０の最大流量は５０ＳＬＭである。
最大流量は１ＳＬＭで、１８ｂの最大流量は２０ＳＬＭ
である。窒素用マスフローコントローラー１７の最大流
量は２０ＳＬＭで、希釈ガス用マスフローコントローラ
ー２０の最大流量は５０ＳＬＭである。
【００２７】半導体ウエハ１３を積載した半導体ウエハ
用ボート１２は石英管８に挿入される。このとき、大気
雰囲気による酸化を低減するため、酸素と窒素の混合気
体を石英管８に供給する。半導体ウエハ１３が所定の処
理位置に達し、石英管８内の温度が安定した後、酸化処
理を行う。
用ボート１２は石英管８に挿入される。このとき、大気
雰囲気による酸化を低減するため、酸素と窒素の混合気
体を石英管８に供給する。半導体ウエハ１３が所定の処
理位置に達し、石英管８内の温度が安定した後、酸化処
理を行う。
【００２８】まず小流量の水蒸気を必要とする酸化処理
の場合を説明する。酸素を燃焼室４に供給するため空気
作動弁１６ｃと１６ｄを開けて、酸素の供給量を１ＳＬ
Ｍとする。燃焼室４内を酸素で充分満たした後に水素用
マスフローコントローラー１９ａで０．１ＳＬＭの水素
を燃焼室４に供給させる。
の場合を説明する。酸素を燃焼室４に供給するため空気
作動弁１６ｃと１６ｄを開けて、酸素の供給量を１ＳＬ
Ｍとする。燃焼室４内を酸素で充分満たした後に水素用
マスフローコントローラー１９ａで０．１ＳＬＭの水素
を燃焼室４に供給させる。
【００２９】燃焼室４で着火後、水素供給量を所定量ま
で水素用マスフローコントローラー１９ａで増減量し、
後に酸素供給量を所定量まで酸素用マスフローコントロ
ーラー１８ａで増減量する。
で水素用マスフローコントローラー１９ａで増減量し、
後に酸素供給量を所定量まで酸素用マスフローコントロ
ーラー１８ａで増減量する。
【００３０】希釈ガスで発生した水蒸気を希釈して石英
管８に供給する場合は空気作動弁１６ｎを開けて希釈ガ
スを導入し、その流量は希釈ガス用マスフローコントロ
ーラー２０で制御する。この場合石英管８にて水蒸気と
酸素と希釈ガスの混合気体が供給される。
管８に供給する場合は空気作動弁１６ｎを開けて希釈ガ
スを導入し、その流量は希釈ガス用マスフローコントロ
ーラー２０で制御する。この場合石英管８にて水蒸気と
酸素と希釈ガスの混合気体が供給される。
【００３１】次に中流量の水蒸気を必要とする酸化処理
の場合を説明する。酸素を燃焼室４に供給するため空気
作動弁１６ｃと１６ｄを開けて、酸素の供給量を１ＳＬ
Ｍとする。燃焼室４内を酸素で充分満たした後に水素用
マスフローコントローラー１９ａで０．１ＳＬＭの水素
を燃焼室４に供給させる。燃焼室４で着火後、空気作動
弁１６ｅを開けて、１６ｄを閉じる。酸素用マスフロー
コントローラー１８ｂで酸素の供給量を所定まで増量
し、後に空気作動弁１６ｆと１６ｇを開けて、水素用マ
スフローコントローラー１９ｂで水素の供給量を所定ま
で増量し、空気作動弁１６ａ、１６ｂを閉じる。
の場合を説明する。酸素を燃焼室４に供給するため空気
作動弁１６ｃと１６ｄを開けて、酸素の供給量を１ＳＬ
Ｍとする。燃焼室４内を酸素で充分満たした後に水素用
マスフローコントローラー１９ａで０．１ＳＬＭの水素
を燃焼室４に供給させる。燃焼室４で着火後、空気作動
弁１６ｅを開けて、１６ｄを閉じる。酸素用マスフロー
コントローラー１８ｂで酸素の供給量を所定まで増量
し、後に空気作動弁１６ｆと１６ｇを開けて、水素用マ
スフローコントローラー１９ｂで水素の供給量を所定ま
で増量し、空気作動弁１６ａ、１６ｂを閉じる。
【００３２】次に大流量の水蒸気を必要とする酸化処理
の場合を説明する。酸素を燃焼室４に供給するため空気
作動弁１６ｃと１６ｄを開けて、酸素の供給量を１ＳＬ
Ｍとする。燃焼室４内を酸素で充分満たした後に水素用
マスフローコントローラー１９ａで０．１ＳＬＭの水素
を燃焼室４に供給させる。燃焼室４で着火後、空気作動
弁１６ｅを開けて、１６ｄを閉じる。酸素用マスフロー
コントローラー１８ｂで酸素の供給量を所定まで増量
し、後に空気作動弁１６ｈと１６ｉを開けて、水素用マ
スフローコントローラー１９ｃで水素の供給量を所定ま
で増量し、空気作動弁１６ａ、１６ｂを閉じる。
の場合を説明する。酸素を燃焼室４に供給するため空気
作動弁１６ｃと１６ｄを開けて、酸素の供給量を１ＳＬ
Ｍとする。燃焼室４内を酸素で充分満たした後に水素用
マスフローコントローラー１９ａで０．１ＳＬＭの水素
を燃焼室４に供給させる。燃焼室４で着火後、空気作動
弁１６ｅを開けて、１６ｄを閉じる。酸素用マスフロー
コントローラー１８ｂで酸素の供給量を所定まで増量
し、後に空気作動弁１６ｈと１６ｉを開けて、水素用マ
スフローコントローラー１９ｃで水素の供給量を所定ま
で増量し、空気作動弁１６ａ、１６ｂを閉じる。
【００３３】酸化処理後、石英管８に窒素が供給されて
後、半導体ウエハ１３は出炉し所定のシーケンスが完了
する。
後、半導体ウエハ１３は出炉し所定のシーケンスが完了
する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
記記載の効果を奏する。
【００３５】本発明の第１の効果は、燃焼可能な水素流
量の幅を広げることができ、その流量の精度も向上す
る、ということである。その理由は、本発明において
は、燃焼する水素の流量によって適正な水素のノズルを
少なくとも２本以上設置し、マスフローコントローラー
もそれに合わせたものを用いているためである。このた
め、本発明によれば、これは大流量を必要とする酸化処
理と小流量を必要とする酸化処理を１台の装置で併用す
ることができる。
量の幅を広げることができ、その流量の精度も向上す
る、ということである。その理由は、本発明において
は、燃焼する水素の流量によって適正な水素のノズルを
少なくとも２本以上設置し、マスフローコントローラー
もそれに合わせたものを用いているためである。このた
め、本発明によれば、これは大流量を必要とする酸化処
理と小流量を必要とする酸化処理を１台の装置で併用す
ることができる。
【００３６】本発明の第２の効果は、小流量の水素を精
度良く燃焼することが可能となり、窒素等の希釈ガスで
小量の水蒸気を希釈することによって酸化速度を低減す
ることができる、ということである。その結果、より高
温下においても半導体ウエハ上の極薄膜の膜厚の制御性
が向上する。
度良く燃焼することが可能となり、窒素等の希釈ガスで
小量の水蒸気を希釈することによって酸化速度を低減す
ることができる、ということである。その結果、より高
温下においても半導体ウエハ上の極薄膜の膜厚の制御性
が向上する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１のガス系統図である。
【図３】従来の半導体ウエハの外部燃焼装置を示す断面
図である。
図である。
【図４】図３のガス系統図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ 水素ノズル ２ 酸素ノズル ３ 接続管 ４ 燃焼室 ５ ヒーター ６ ガス制御装置 ７ 熱処理用ヒーター ８ 石英管 ９ モーター １０ ボールネジ １１ ガイド １２ 半導体ウエハ用ボート １３ 半導体ウエハ １４ 石英管キャップ １５ 断熱治具 １６ａ〜ｎ 空気作動弁 １７ 窒素用マスフローコントローラー １９ａ，１９ｂ，１９ｃ 水素用マスフローコントロー
ラー １８ａ、１８ｂ 酸素用マスフローコントローラー ２０ 希釈ガス用マスフローコントローラー
ラー １８ａ、１８ｂ 酸素用マスフローコントローラー ２０ 希釈ガス用マスフローコントローラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 F23D 23/00 G05D 7/00 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】水素ガスと酸素ガスを燃焼して水蒸気を発
生させて半導体ウェハを酸化させる外部燃焼酸化装置に
おいて、 噴出径の異なる複数の水素ガス供給ノズルを有し、 前記複数の水素ガス供給ノズルへのガス供給をそれぞれ
独立に制御する複数の制御装置を備えたことを特徴とす
る外部燃焼酸化装置。 - 【請求項２】水素ガスと酸素ガスを燃焼して水蒸気を発
生させて半導体ウェハを酸化させる外部燃焼酸化装置に
おいて、 水素の燃焼を行う燃焼室への水素ガスを供給する水素ガ
ス供給ノズルとして噴出径の異なるノズルを少なくとも
２本以上備え、 前記各水素ガス供給ノズルの噴出径はそれぞれの水素ガ
ス供給流量に適した径とされ、前記各水素ガス供給ノズ
ルへの水素ガスの供給はそれぞれの水素ガス供給流量に
適した各マスフローコントローラにて独立して制御され
る、ことを特徴とする外部燃焼酸化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220891A JP3063695B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 複数の水素ノズルを有する外部燃焼酸化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220891A JP3063695B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 複数の水素ノズルを有する外部燃焼酸化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154495A JPH1154495A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3063695B2 true JP3063695B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=16758162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9220891A Expired - Lifetime JP3063695B2 (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | 複数の水素ノズルを有する外部燃焼酸化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3063695B2 (ja) |
-
1997
- 1997-08-01 JP JP9220891A patent/JP3063695B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1154495A (ja) | 1999-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2902012B2 (ja) | 低圧酸化装置 | |
| JP3063695B2 (ja) | 複数の水素ノズルを有する外部燃焼酸化装置 | |
| KR20030092091A (ko) | 공정 가스의 생성 방법 및 생성 장치 | |
| JPH07142460A (ja) | 酸化処理装置及び酸化処理方法 | |
| JP2002274806A (ja) | 改質器の加熱方法と加熱装置 | |
| US5445522A (en) | Combustion device | |
| US20010019902A1 (en) | Wet-oxidation apparatus and wet-oxidation method | |
| JP3462394B2 (ja) | 蓄熱式バーナ装置の燃焼制御方法およびバーナ装置 | |
| US5489446A (en) | Device for forming silicon oxide film | |
| JPH1167750A (ja) | 外部燃焼装置、外部燃焼方法、外部燃焼装置を備える処理装置および外部燃焼装置を用いた処理方法 | |
| JP2022507299A (ja) | 段階的無炎燃焼の方法及び装置 | |
| JP3074823B2 (ja) | 半導体ウェハー用熱処理装置 | |
| US5823763A (en) | Combustion device and method for use in a thermal oxidation furnace | |
| KR100266375B1 (ko) | 습식산화장치 | |
| US6726468B2 (en) | Pre-heating dilution gas before mixing with steam in diffusion furnace | |
| JPS63200536A (ja) | 酸化シリコン膜形成装置 | |
| JPH1026340A (ja) | 加熱炉およびその操業方法 | |
| JP3271679B2 (ja) | 酸化処理装置 | |
| JPH04196536A (ja) | 半導体ウェハの外部燃焼酸化装置 | |
| JPS61112329A (ja) | 半導体製造方法および製造装置 | |
| JP3003165B2 (ja) | 燃焼炉のバーナ間引き制御方法 | |
| JP2001131633A (ja) | 雰囲気ガスの加熱温度調整方法および加熱温度調整装置 | |
| JPH01257334A (ja) | 酸化装置 | |
| JP3529183B2 (ja) | 給湯器 | |
| KR0165383B1 (ko) | 산화장치 및 산화방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000404 |