JPS61207023A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPS61207023A JPS61207023A JP4880485A JP4880485A JPS61207023A JP S61207023 A JPS61207023 A JP S61207023A JP 4880485 A JP4880485 A JP 4880485A JP 4880485 A JP4880485 A JP 4880485A JP S61207023 A JPS61207023 A JP S61207023A
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- combustion chamber
- hydrogen
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に水素と酸素
の反応により生成する水蒸気を酸化剤とし、半導体基板
を熱酸化する酸化装置に関するものである。
の反応により生成する水蒸気を酸化剤とし、半導体基板
を熱酸化する酸化装置に関するものである。
従来、水素と酸素の反応により生成する、水蒸気な識化
剤とする、半導体基板の酸化装置、特にプロセスチュー
ブ内での水素と酸素との反応熱の影響を避けるために、
プロセスチューブとは分離した燃焼室と儂えている酸化
装置として以下のようなものが知られている。従来の酸
化装置の構成図を第２図に示す。ここでガスダイリ為−
シ目ン３より供給される水素と酸素は石英製燃焼室５に
導入される。ここで水素と酸素の反応をさせるために、
燃焼室の周囲にはヒーター４が巻かれておシ、燃焼室の
温度を６００℃以上に保つ。燃焼室で生成した水蒸気は
、ヒーター２により一定温度に保たれているプロセスチ
ューブ１へ導入され半導体基板の酸化が実行される。
剤とする、半導体基板の酸化装置、特にプロセスチュー
ブ内での水素と酸素との反応熱の影響を避けるために、
プロセスチューブとは分離した燃焼室と儂えている酸化
装置として以下のようなものが知られている。従来の酸
化装置の構成図を第２図に示す。ここでガスダイリ為−
シ目ン３より供給される水素と酸素は石英製燃焼室５に
導入される。ここで水素と酸素の反応をさせるために、
燃焼室の周囲にはヒーター４が巻かれておシ、燃焼室の
温度を６００℃以上に保つ。燃焼室で生成した水蒸気は
、ヒーター２により一定温度に保たれているプロセスチ
ューブ１へ導入され半導体基板の酸化が実行される。
このような従来の酸化装置では、水素と＃ｌ素の点火時
には、爆発的反応が起こシ、燃焼室の圧力が急激に上昇
する。ここで燃焼室は、６００℃以上の高温に耐え得る
素材であり、かつ半導体基板への汚染の危険性のない素
材で造られる必要性が有り、純度の高い、石英製である
ことが望ましい。
には、爆発的反応が起こシ、燃焼室の圧力が急激に上昇
する。ここで燃焼室は、６００℃以上の高温に耐え得る
素材であり、かつ半導体基板への汚染の危険性のない素
材で造られる必要性が有り、純度の高い、石英製である
ことが望ましい。
しかしながら石英は、機械的強度が弱く、水素と酸素の
点火時には、爆発的反応により石英が破損するという危
険性が有る。
点火時には、爆発的反応により石英が破損するという危
険性が有る。
このように、従来の酸化装置は、水素と酸素の点火時に
爆発的反応による燃焼室の破損の危険性を持つという欠
点を有する。
爆発的反応による燃焼室の破損の危険性を持つという欠
点を有する。
本発明の目的は、かかる従来装置の欠点を除去し、水素
と酸素の爆発的反応による燃焼室内の急激な圧力上昇を
緩和し、燃焼室破損の危険性のない酸化装置を提供する
ことである。
と酸素の爆発的反応による燃焼室内の急激な圧力上昇を
緩和し、燃焼室破損の危険性のない酸化装置を提供する
ことである。
本発明の＊ｔｉは、燃焼室に、プロセスチューブにつな
がる配管の配管径より径が大きく、かつ一定時間開閉す
るバルブを有する排気用の配管を付加することにある。
がる配管の配管径より径が大きく、かつ一定時間開閉す
るバルブを有する排気用の配管を付加することにある。
次に本発明の一実施例を図面を参照しつつ詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例を示す酸化装置の構成図で
ある。ここでプロセスチューブ１の周囲にはヒーター２
が巻かれており、プロセスチューブ内の温度を均一に保
つ。またガスダイリューシｌン３は、燃焼室５、または
、プロセスチューブ１に、窒素、ｒＲ素、水素などをガ
ス供給配管９゜１０．１１を通して供給する。
ある。ここでプロセスチューブ１の周囲にはヒーター２
が巻かれており、プロセスチューブ内の温度を均一に保
つ。またガスダイリューシｌン３は、燃焼室５、または
、プロセスチューブ１に、窒素、ｒＲ素、水素などをガ
ス供給配管９゜１０．１１を通して供給する。
燃焼室５には、プロセスチューブ１に接続されているガ
ス供給管８及び開閉バルブ７を通じ外気に開放されてい
る排気用配管６が接続されている。
ス供給管８及び開閉バルブ７を通じ外気に開放されてい
る排気用配管６が接続されている。
ここで排気用配管６は、燃焼室５内の急激な圧力上昇を
緩和するためのものであるため、配管抵抗が小さい必要
があり、配管径はガス供給配管８の配管径より大きい。
緩和するためのものであるため、配管抵抗が小さい必要
があり、配管径はガス供給配管８の配管径より大きい。
本装置での水蒸気酸化は次のように行なわれる。
即ち、ガスダイリューシｌン３より燃焼室に酸素を供給
し、燃焼室内が酸素で満たされると、開閉バルブ７が開
き、次に水素が燃焼室に供給される。
し、燃焼室内が酸素で満たされると、開閉バルブ７が開
き、次に水素が燃焼室に供給される。
水素の点火時に、燃焼室内の圧力は上昇するが、開閉バ
ルブが開かれているため、ガスは排気用配管６を通り外
気に押し出され燃焼室内の急激な圧力上昇は押えられる
。
ルブが開かれているため、ガスは排気用配管６を通り外
気に押し出され燃焼室内の急激な圧力上昇は押えられる
。
水素と酸素の反応が安定すると、開閉バルブは閉じられ
生成した水蒸気はすべてプロセスチューブヘ導入され、
プロセスチューブ内の半導体基板が酸化する。
生成した水蒸気はすべてプロセスチューブヘ導入され、
プロセスチューブ内の半導体基板が酸化する。
以上説明したように、燃焼室に排気用配管を接続するこ
とにより、水素と酸素の爆発的反応による、燃焼室内の
急激な圧力上昇が緩和され、燃゛焼室の破損等の危険か
解消され、酸化装置の安全性が高まる。
とにより、水素と酸素の爆発的反応による、燃焼室内の
急激な圧力上昇が緩和され、燃゛焼室の破損等の危険か
解消され、酸化装置の安全性が高まる。
第１図は本発明の一実施例を示す酸化装置の構成図であ
り、第２図は従来の酸化装置の構成図である。 １・・・・・・プロセスチューブ、２・・・・・・ヒー
ター、３・・・・・・ガスダイリエーシ層ン、４・・・
・・・ヒー９−１５・・・・・・燃焼室、６・・・・・
−排気用配管、７・・・・・・開閉バルブ、８，９，１
０．１１・・・・・・ガス供給配管。 篤Ｚ図
り、第２図は従来の酸化装置の構成図である。 １・・・・・・プロセスチューブ、２・・・・・・ヒー
ター、３・・・・・・ガスダイリエーシ層ン、４・・・
・・・ヒー９−１５・・・・・・燃焼室、６・・・・・
−排気用配管、７・・・・・・開閉バルブ、８，９，１
０．１１・・・・・・ガス供給配管。 篤Ｚ図
Claims (1)
- 水素と酸素をプロセスチューブとは分離した燃焼室で
反応させる半導体基板の酸化装置において、前記燃焼室
に、プロセスチューブにつながる配管の配管径より径が
大きく、かつ、一定時間開閉するバルブを有する排気用
の配管を付加することを特徴とする半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4880485A JPS61207023A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4880485A JPS61207023A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207023A true JPS61207023A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12813393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4880485A Pending JPS61207023A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207023A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710935U (ja) * | 1993-07-24 | 1995-02-14 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉 |
| JP2015230948A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体 |
| JP2016004866A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体 |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP4880485A patent/JPS61207023A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710935U (ja) * | 1993-07-24 | 1995-02-14 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉 |
| JP2015230948A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体 |
| JP2016004866A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体 |
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