JPS60227415A - 気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、半導体基板上へ膜形成を行う減圧式気相成長
装置に関するものである。

（従来技術） 減圧式気相成長装置は、半導体基板上へ膜形成を行うも
のであシ、半導体装置製造工程では欠くべからざる装置
である。ところで、半導体基板上へ形成される膜の一つ
である多結晶シリコン形成にも減圧式気相成長装置が広
く使用されておシ、それＫはシランガスが使用されてい
る。このシランガスは取扱に注意を要し、あるｆｌｋ度
以上で空気中へ放出されると自然発火し、危険で６る・
そとで、従来は安全確保のため、仮にシランガスが半導
体基板を収納する反応部で全く反応せず、そのまま真空
ポンプの排気部へ流れ出ても自然発火しない様に減圧式
気相成長装置の真空ポンプの排気部へ多量の窒素ｔ−流
していた。

しかしながら、半導体基板の径が大きくなるにつれ、流
すシランガスの量も増加し、真空ポンプの排気部へ流す
窒素の量も増加し、通常の配管径では供給できない程に
なりている。これは単に窒素の使用量の問題のみならず
、装置よシ出る廃ガス処理装置の大型化を紹くことにな
っている。

（発明の目的） 本発明の目的は半導体基板径が大きくな）、流すシラン
の量が増加しても、真空ポンプの排気部へ流す窒素の量
を増加させなくてすむ気相成長装置を提供することでめ
る。

（発明の構成） 本発明の要旨は、ガス導入口と、半導体基板を収納する
反応部と、ガス排気用真空ポンプを具備する減圧式気相
成長装置において半導体基板を収納する反応部とガス排
気用真空ポンプとの間に新たにガス反応機構を設けたこ
とでめる０（発明の作用） 上記新たに設けたガス反応機構部において、本来の反応
部である半導体基板の収納されている部分よシ流れてく
る残ガスを処理することによシ、ガス排気用真空ポンプ
へ送シ込まれる危険なガス濃度を低下させることが可能
となる。

（実施例） 以下図面を用いて本発明を具体的に説明する。

図１は本発明の一実施例を示す概略図であシ、多結晶シ
リコン成長炉について示す。図中１はシラン導入０．２
は半導体基板を収納する反応部、３は残ガス処理用反応
部、４は反応部加熱用ヒーター、５はガス排気用真空ポ
ンプ、６はガス希釈用窒素導入ロアは廃ガス排気口であ
る。

この様な構成の装置において、１よシ流すシラン流量、
２０半導体基板を収納する反応部の温度等は従来通りの
条件で使用する。３の残ガス処理用反応部は７００℃と
し、２の半導体基板を収納する反応部の温度よシ高める
。尚、ポンプの排気能力に余裕があれば、３の浅ガス処
理用反応部へ格子等を入れることによシ、残ガス処理能
力は向上する。

（発明の効果） 上記装置によシ真空ポンプの排気部へ流す窒素の量も増
加させず大口径半導体基板を処理することが可能となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による多結晶シリコン膜形成方法の一実
施例を示す断面図でるる。 １・・・・・・シラン導入口、２・・・・・・半導体基
板を収納する反応部、３・・・・・・残ガス処理用反応
部、４・・・・・・反応部加熱用ヒーター、５・・・・
・・ガス排気用真空ポンプ、６・・・・・・ガス希釈用
窒素入口、７・・・・・・廃ガス排気口。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガス導入口と、半導体基板を収納する反応部と、ガス排
   気用真空ポンプを具備する減圧式の気相成長装置におい
   て、半導体基板全収納する反応部と、ガス排気用真空ポ
   ンプとの間に１新たにガス反応機構金膜けたことを特徴
   とする気相成長装置。