JP2737909B2 - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JP2737909B2 JP2737909B2 JP63054382A JP5438288A JP2737909B2 JP 2737909 B2 JP2737909 B2 JP 2737909B2 JP 63054382 A JP63054382 A JP 63054382A JP 5438288 A JP5438288 A JP 5438288A JP 2737909 B2 JP2737909 B2 JP 2737909B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity
- gas
- reaction
- reaction chamber
- growth method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、原料ガスと不純物ガスとから不純物含有層
を形成する気相成長方法に関するものである。
を形成する気相成長方法に関するものである。
本発明は、上記の様な気相成長方法において、励起さ
れていない原料ガスと励起されている不純物原子とを反
応させることによって、高濃度のドーピングを行うこと
ができ、しかも不純物含有層の不純物含有率を不純物ガ
スの種類によらず一定にすることができ、また半導体装
置の特性変動も少なくすることができる様にしたもので
ある。
れていない原料ガスと励起されている不純物原子とを反
応させることによって、高濃度のドーピングを行うこと
ができ、しかも不純物含有層の不純物含有率を不純物ガ
スの種類によらず一定にすることができ、また半導体装
置の特性変動も少なくすることができる様にしたもので
ある。
半導体装置には、種々の不純物含有層が用いられてい
る。例えば、層間絶縁膜には応力の小さなPSG層等が、
リフロー膜には融点の低いPSG層、AsSG層、BPSG層等
が、また電極には不純物を含有させた多結晶Si層等が、
夫々用いられている。
る。例えば、層間絶縁膜には応力の小さなPSG層等が、
リフロー膜には融点の低いPSG層、AsSG層、BPSG層等
が、また電極には不純物を含有させた多結晶Si層等が、
夫々用いられている。
これらの不純分含有層は、SiH4のみやSiH4及びO2等で
ある原料ガスと、PH3、B2H6、AsH3、AsCl3等である不純
物ガスとを反応室内へ導き、この反応室内を400〜600℃
程度に加熱すると共に常圧または減圧状態とし、Si・Ｐ
や（SiO2）ｘ・（P2O5）1-x等を気相成長させることに
よって形成されているのが一般的である。
ある原料ガスと、PH3、B2H6、AsH3、AsCl3等である不純
物ガスとを反応室内へ導き、この反応室内を400〜600℃
程度に加熱すると共に常圧または減圧状態とし、Si・Ｐ
や（SiO2）ｘ・（P2O5）1-x等を気相成長させることに
よって形成されているのが一般的である。
しかしこの様な方法では、一般に原料ガスの反応に比
べて不純物ガスの反応が遅いので、ドーピング効率が低
く、高濃度のドーピングを行うことができない。
べて不純物ガスの反応が遅いので、ドーピング効率が低
く、高濃度のドーピングを行うことができない。
また、不純物ガスの種類によって反応速度が相違して
いるので、不純物含有層の不純物含有率が不純物ガスの
種類によって一定しない。
いるので、不純物含有層の不純物含有率が不純物ガスの
種類によって一定しない。
そこで、これらの点を解決するものとして、例えば特
開昭57−202726号公報には、不純物のプラズマを用いる
方法が提案されている。
開昭57−202726号公報には、不純物のプラズマを用いる
方法が提案されている。
しかしプラズマを用いると、今度は不純物含有層への
水素の混入量が多くなると共にプラズマによる照射損傷
が発生して、半導体装置の特性が大きく変動する。例え
ば、不純物含有層を抵抗素子に用いた場合はその抵抗値
が大きく変動し、絶縁層に用いた場合にも他の半導体領
域への水素の拡散によって特性が変動する。
水素の混入量が多くなると共にプラズマによる照射損傷
が発生して、半導体装置の特性が大きく変動する。例え
ば、不純物含有層を抵抗素子に用いた場合はその抵抗値
が大きく変動し、絶縁層に用いた場合にも他の半導体領
域への水素の拡散によって特性が変動する。
本発明による気相成長方法は、励起されていない原料
ガス22、23とマイクロ波で励起された不純物ガス24とを
反応室11内へ導き、励起されていない前記原料ガス22、
23と前記不純物ガス24中の励起されている不純物原子25
との反応によて不純物含有層を形成する様にしている。
ガス22、23とマイクロ波で励起された不純物ガス24とを
反応室11内へ導き、励起されていない前記原料ガス22、
23と前記不純物ガス24中の励起されている不純物原子25
との反応によて不純物含有層を形成する様にしている。
本発明による気相成長方法では、不純物ガス24を励起
していない場合に比べて不純物25の反応が速く、しかも
不純物25の反応速度が不純物ガス24の種類によらない。
していない場合に比べて不純物25の反応が速く、しかも
不純物25の反応速度が不純物ガス24の種類によらない。
また、原料ガス22、23及び不純物ガス24の両方のプラ
ズマを用いる場合に比べて、不純物含有層への水素の混
入量及び照射損傷量が少ない。
ズマを用いる場合に比べて、不純物含有層への水素の混
入量及び照射損傷量が少ない。
以下、本発明の一実施例を、図面を参照しながら説明
する。
する。
図面は、本実施例を実施するための気相成長装置を示
している。この気相成長装置は反応室11を有しており、
この反応室11内にはサセプタ12が、反応室11外には加熱
装置13が夫々配されている。
している。この気相成長装置は反応室11を有しており、
この反応室11内にはサセプタ12が、反応室11外には加熱
装置13が夫々配されている。
反応室11には、夫々原料ガス及び不純物を導くための
導入管14、15及び16と、真空ポンプに連なっている排気
管17とが夫々設けられている。また導入管16は、マイク
ロ波励起管18に連なっている。
導入管14、15及び16と、真空ポンプに連なっている排気
管17とが夫々設けられている。また導入管16は、マイク
ロ波励起管18に連なっている。
この様な装置を用いて本実施例を実施するには、サセ
プタ12上に半導体ウエハ21を載置し、加熱装置13で反応
室11を加熱する。
プタ12上に半導体ウエハ21を載置し、加熱装置13で反応
室11を加熱する。
そしてそれと同時に、排気管17から排気しつつ、導入
管14、15から反応室11内へ夫々SiH422及びO223を導き、
更にマイクロ波励起管18内へPH324を供給する。
管14、15から反応室11内へ夫々SiH422及びO223を導き、
更にマイクロ波励起管18内へPH324を供給する。
マイクロ波励起管18では、Ｐ＊等の様に準安定準位の
原子である活性種が形成され、この活性種25が導入管16
から反応室11内へ導かれる。
原子である活性種が形成され、この活性種25が導入管16
から反応室11内へ導かれる。
反応室11内では、SiH4＋O2の原料ガスとＰ＊等の不純
物との反応による気相成長によって不純物含有層が半導
体ウエハ21の表面に形成されるが、Ｐ＊はPH324よりも
反応が速く、しかもこの反応速度は他の不純物を用いた
場合でも同様である。
物との反応による気相成長によって不純物含有層が半導
体ウエハ21の表面に形成されるが、Ｐ＊はPH324よりも
反応が速く、しかもこの反応速度は他の不純物を用いた
場合でも同様である。
なお、この様に反応が速いと、排気管17から真空ポン
プへ流れる未反応ガスの量が少なく、真空ポンプの保守
等に際しての安全性も高い。
プへ流れる未反応ガスの量が少なく、真空ポンプの保守
等に際しての安全性も高い。
本発明による気相成長方法では、不純物の反応が速い
ので、ドーピング効率が高く、高濃度のドーピングを行
うことができる。
ので、ドーピング効率が高く、高濃度のドーピングを行
うことができる。
しかも、不純物の反応速度が不純物ガスの種類によら
ないので、不純物含有層の不純物含有率を不純物ガスの
種類によらず一定にすることができる。
ないので、不純物含有層の不純物含有率を不純物ガスの
種類によらず一定にすることができる。
また、不純物含有層への水素の混入量及び照射損傷量
が少ないので、半導体装置の特性変動も少なくすること
ができる。
が少ないので、半導体装置の特性変動も少なくすること
ができる。
図面は本発明の一実施例を実施するための気相成長装置
の概略的な側断面図である。 なお図面に用いた符合において、 11……反応室 22……SiH4 23……O2 24……PH3 25……活性種 である。
の概略的な側断面図である。 なお図面に用いた符合において、 11……反応室 22……SiH4 23……O2 24……PH3 25……活性種 である。
Claims (1)
- 【請求項１】励起されていない原料ガスとマイクロ波で
励起された不純物ガスとを反応室内へ導き、 励起されていない前記原料ガスと前記不純物ガス中の励
起されている不純物原子との反応によって不純物含有層
を形成することを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054382A JP2737909B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054382A JP2737909B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227430A JPH01227430A (ja) | 1989-09-11 |
| JP2737909B2 true JP2737909B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=12969137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054382A Expired - Lifetime JP2737909B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737909B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2752235B2 (ja) * | 1990-06-26 | 1998-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455378A (en) * | 1977-10-13 | 1979-05-02 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS57167631A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing method |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054382A patent/JP2737909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01227430A (ja) | 1989-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4281082B2 (ja) | 堆積前の表面調整方法 | |
| Duchemin et al. | Kinetics of silicon growth under low hydrogen pressure | |
| US7105055B2 (en) | In situ growth of oxide and silicon layers | |
| EP1449240B1 (en) | Incorporation of nitrogen into high k dielectric film | |
| CA1141870A (en) | Method for forming an insulating film on a semiconductor substrate surface | |
| JP2007516599A (ja) | ゲルマニウム上の堆積前の表面調製 | |
| KR100777321B1 (ko) | 동일 챔버에서의 산화물층 및 실리콘층의 성장 | |
| JP2004529489A (ja) | 高誘電率ゲート絶縁層の形成方法 | |
| IE914500A1 (en) | Process for producing a smooth, polycrystalline silicon¹layer doped with arsenic for highly integrated circuits | |
| JPH07230957A (ja) | ボロン含有ポリシリコン膜の形成方法 | |
| KR20050028321A (ko) | 성막 방법 및 열처리 장치 | |
| JP2737909B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| Ahmed et al. | LPCVD of in-situ doped polycrystalline silicon at high growth rates | |
| JPH0245326B2 (ja) | ||
| JPS6239534B2 (ja) | ||
| JP2518406B2 (ja) | 容量絶縁膜の形成方法 | |
| JP3076268B2 (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| WO1987005439A1 (en) | A low temperature method for forming a gate insulator layer for semiconductor devices | |
| JPS6262529A (ja) | 窒化シリコン膜の作成方法 | |
| JP3250271B2 (ja) | ３−５族化合物半導体への不純物拡散方法 | |
| JPS60227415A (ja) | 気相成長装置 | |
| EP0024094A1 (en) | Method of producing semiconductor devices | |
| JPS61131434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3283095B2 (ja) | りんドープドポリシリコンの成膜方法 | |
| JPH02130818A (ja) | 半導体装置の電極配線の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080116 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 11 |