JPH01227430A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPH01227430A JPH01227430A JP5438288A JP5438288A JPH01227430A JP H01227430 A JPH01227430 A JP H01227430A JP 5438288 A JP5438288 A JP 5438288A JP 5438288 A JP5438288 A JP 5438288A JP H01227430 A JPH01227430 A JP H01227430A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 26
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、原料ガスと不純物ガスとを反応室内で反応さ
せて不純物含有層を形成する気相成長方法に関するもの
である。
せて不純物含有層を形成する気相成長方法に関するもの
である。
本発明は、上記の様な気相成長方法において、不純物ガ
スを励起して得た準安定準位の不純物原子と原料ガスと
を反応室内へ導くことによって、高濃度のドーピングを
行うことができ、しかも不純物含有層の不純物含有率を
不純物ガスの種類によらず一定にすることができ、また
半導体装置の特性変動も少なくすることができる様にし
たものである。
スを励起して得た準安定準位の不純物原子と原料ガスと
を反応室内へ導くことによって、高濃度のドーピングを
行うことができ、しかも不純物含有層の不純物含有率を
不純物ガスの種類によらず一定にすることができ、また
半導体装置の特性変動も少なくすることができる様にし
たものである。
半導体装置には、種々の不純物含有層が用いられている
。例えば、眉間絶縁膜には応力の小さなＰＳＧ層等が、
す”フロー膜には融点の低いＰＳＧ層、Ａｓ５Ｇ層、Ｂ
ＰＳＧ層等が、また電極には不純物を含有させた多結晶
Ｓｔ層等が、夫々用いられている。
。例えば、眉間絶縁膜には応力の小さなＰＳＧ層等が、
す”フロー膜には融点の低いＰＳＧ層、Ａｓ５Ｇ層、Ｂ
ＰＳＧ層等が、また電極には不純物を含有させた多結晶
Ｓｔ層等が、夫々用いられている。
これらの不純物含有層は、ＳｉＨ，のみや５ｉＨａ及び
０２等である原料ガスと、ＰＨ３、ＢｚＨｉ、ＡｓＨｓ
、ＡＳＣ１３等である不純物ガスとを反応室内へ導き、
この反応室内を４００〜６００℃程度に加熱すると共に
常圧または減圧状態とし、５ｉ−Ｐや（Ｓｉｆｔ） Ｘ
・（ｈＯｓ） ｔ−ｘ等を気相成長させることによ
って形成されているのが一般的である。
０２等である原料ガスと、ＰＨ３、ＢｚＨｉ、ＡｓＨｓ
、ＡＳＣ１３等である不純物ガスとを反応室内へ導き、
この反応室内を４００〜６００℃程度に加熱すると共に
常圧または減圧状態とし、５ｉ−Ｐや（Ｓｉｆｔ） Ｘ
・（ｈＯｓ） ｔ−ｘ等を気相成長させることによ
って形成されているのが一般的である。
しかしこの様な方法では、一般に原料ガスの反応に比べ
て不純物ガスの反応が遅いので、ドーピング効率が低く
、高濃度のドーピングを行うことができない。
て不純物ガスの反応が遅いので、ドーピング効率が低く
、高濃度のドーピングを行うことができない。
また、不純物ガスの種類によって反応速度が相違してい
るので、不純物含有層の不純物含有率が不純物ガスの種
類によって一定しない。
るので、不純物含有層の不純物含有率が不純物ガスの種
類によって一定しない。
そこで、これらの点を解決するものとして、例えば特開
昭５’ｌ−２０２７２６号公報には、不純物のプラズマ
を用いる方法が提案されている。
昭５’ｌ−２０２７２６号公報には、不純物のプラズマ
を用いる方法が提案されている。
しかしプラズマを用いると、今度は不純物含有層への水
素の混入量が多くなり、半導体装置の特性が大きく変動
する。例えば、不純物含有層を抵抗素子に用いた場合は
その抵抗値が大きく変動し、１色縁層に用いた場合にも
他の半導体領域への水素の拡散によって特性が変動する
。
素の混入量が多くなり、半導体装置の特性が大きく変動
する。例えば、不純物含有層を抵抗素子に用いた場合は
その抵抗値が大きく変動し、１色縁層に用いた場合にも
他の半導体領域への水素の拡散によって特性が変動する
。
本発明による気相成長方法は、不純物ガス２４を励起し
て得た準安定準位の不純物原子２５と原料ガス２２．２
３とを反応室１１内へ導く様にしている。
て得た準安定準位の不純物原子２５と原料ガス２２．２
３とを反応室１１内へ導く様にしている。
本発明による気相成長方法では、不純物ガス２４を励起
していない場合に比べて不純物２５の反応が速く、しか
も不純物２５の反応速度が不純物ガス２４の種類によら
ない。
していない場合に比べて不純物２５の反応が速く、しか
も不純物２５の反応速度が不純物ガス２４の種類によら
ない。
また、不純物のプラズマを用いる場合に比べて、不純物
含有層への水素の混入量が少ない。
含有層への水素の混入量が少ない。
以下、本発明の一実施例を、図面を参照しながら説明す
る。
る。
図面は、本実施例を実施するための気相成長装置を示し
ている。この気相成長装置は反応室１１を存しており、
この反応室１１内にはサセプタ１２が、反応室ＩＩ外に
は加熱装置１３が夫々配されている。
ている。この気相成長装置は反応室１１を存しており、
この反応室１１内にはサセプタ１２が、反応室ＩＩ外に
は加熱装置１３が夫々配されている。
反応室１１には、夫々原料ガス及び不純物を導くための
導入管１４．１５及び１６と、真空ポンプに連なってい
る排気管１７とが夫々設けられている。また導入管１６
は、マイクロ波励起管１８に連なっている。
導入管１４．１５及び１６と、真空ポンプに連なってい
る排気管１７とが夫々設けられている。また導入管１６
は、マイクロ波励起管１８に連なっている。
この様な装置を用いて本実施例を実施するには、サセプ
タ１２上に半導体ウェハ２１を載置し、加熱装置１３で
反応室１１を加熱する。
タ１２上に半導体ウェハ２１を載置し、加熱装置１３で
反応室１１を加熱する。
そしてそれと同時に、排気管１７から排気しつつ、導入
管１４．１５から反応室１１内へ夫々５ｉＨ４２２及び
０□２３を導き、更にマイクロ波励起管１８内へＰＨ，
２４を供給する。
管１４．１５から反応室１１内へ夫々５ｉＨ４２２及び
０□２３を導き、更にマイクロ波励起管１８内へＰＨ，
２４を供給する。
マイクロ波励起管１８では、Ｐ”等の様に準安定準位の
原子である活性種が形成され、この活性種２５が導入管
１６から反応室１１内へ導かれる。
原子である活性種が形成され、この活性種２５が導入管
１６から反応室１１内へ導かれる。
反応室１１内では、ＳｉＨ４＋Ｏ□の原料ガスとＰ９等
の不純物との反応による気相成長によって不純物含有層
が半導体ウェハ２１の表面に形成されるが、Ｐ＊はＰＩ
（：１２４よりも反応が速く、しかもこの反応速度は他
の不純物を用いた場合でも同様である。
の不純物との反応による気相成長によって不純物含有層
が半導体ウェハ２１の表面に形成されるが、Ｐ＊はＰＩ
（：１２４よりも反応が速く、しかもこの反応速度は他
の不純物を用いた場合でも同様である。
なお、この様に反応が速いと、排気管１７から真空ポン
プへ流れる未反応ガスの量が少なく、真空ポンプの保守
等に際しての安全性も高い。
プへ流れる未反応ガスの量が少なく、真空ポンプの保守
等に際しての安全性も高い。
本発明による気相成長方法では、不純物の反応が速いの
で、ドーピング効率が高く、高濃度のドーピングを行う
ことができる。
で、ドーピング効率が高く、高濃度のドーピングを行う
ことができる。
しかも、不純物の反応速度が不純物ガスの種類によらな
いので、不純物含有層の不純物含有率を不純物ガスの種
類によらず一定にすることができる。
いので、不純物含有層の不純物含有率を不純物ガスの種
類によらず一定にすることができる。
また、不純物含有層への水素の混入量が少ないので、半
導体装置の特性変動も少なくすることができる。
導体装置の特性変動も少なくすることができる。
図面は本発明の一実施例を実施するための気相成長装置
の概略的な側断面図である。 なお図面に用いた符号において、 １１・−−−−−−−−−−一−−−−−−−反応室２
２−・−・−−−−−−−−−−−・−５ｉＨ４２３−
−−−−−−−−−−−・−−−−−−０゜２４−・−
−−−−−一−・・・・−−−−−ＰＨ。 ２５−−−−−−一・−・−ｍ−−−−・・・活性種で
ある。
の概略的な側断面図である。 なお図面に用いた符号において、 １１・−−−−−−−−−−一−−−−−−−反応室２
２−・−・−−−−−−−−−−−・−５ｉＨ４２３−
−−−−−−−−−−−・−−−−−−０゜２４−・−
−−−−−一−・・・・−−−−−ＰＨ。 ２５−−−−−−一・−・−ｍ−−−−・・・活性種で
ある。
Claims (1)
- 原料ガスと不純物ガスとを反応室内で反応させて不純
物含有層を形成する気相成長方法において、前記不純物
ガスを励起して得た準安定準位の不純物原子と前記原料
ガスとを前記反応室内へ導くことを特徴とする気相成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054382A JP2737909B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054382A JP2737909B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227430A true JPH01227430A (ja) | 1989-09-11 |
| JP2737909B2 JP2737909B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=12969137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054382A Expired - Lifetime JP2737909B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737909B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456314A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455378A (en) * | 1977-10-13 | 1979-05-02 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS57167631A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing method |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054382A patent/JP2737909B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455378A (en) * | 1977-10-13 | 1979-05-02 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS57167631A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456314A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737909B2 (ja) | 1998-04-08 |
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Legal Events
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