JP3454479B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3454479B2 JP3454479B2 JP23293492A JP23293492A JP3454479B2 JP 3454479 B2 JP3454479 B2 JP 3454479B2 JP 23293492 A JP23293492 A JP 23293492A JP 23293492 A JP23293492 A JP 23293492A JP 3454479 B2 JP3454479 B2 JP 3454479B2
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- gas
- substrate processing
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子やＬＣＤ
（液晶ディスプレイ）等を製造する半導体製造装置の製
造プロセス工程に於いて、パーティクルの巻上げを抑制
しつつ所定の圧力への調整をする場合の調整時間の短縮
を図る半導体製造装置に関するものである。
（液晶ディスプレイ）等を製造する半導体製造装置の製
造プロセス工程に於いて、パーティクルの巻上げを抑制
しつつ所定の圧力への調整をする場合の調整時間の短縮
を図る半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５に於いて従来の半導体製造装置の圧
力制御装置について説明する。
力制御装置について説明する。
【０００３】図中１は気密な成膜室であり、該成膜室１
内に略密閉された反応室容器２が設けられている。
内に略密閉された反応室容器２が設けられている。
【０００４】該反応室容器２の天上面には上電極３が設
けられ、底面には下電極４が設けられ、前記上電極３と
前記下電極４との間に反応室５が画成され、該反応室５
と前記上電極３との境界にはガス分散板７が設けられて
いる。第１流量制御器１４、第１エアバルブ１５を備え
た第１ガス供給管１６と第２流量制御器１７、第２エア
バルブ１８を備えた第２ガス供給管１９とからガス供給
ライン６が構成され、前記上電極３には前記第１ガス供
給管１６と第２ガス供給管１９とが合流しプロセスガス
供給管として接続されている。
けられ、底面には下電極４が設けられ、前記上電極３と
前記下電極４との間に反応室５が画成され、該反応室５
と前記上電極３との境界にはガス分散板７が設けられて
いる。第１流量制御器１４、第１エアバルブ１５を備え
た第１ガス供給管１６と第２流量制御器１７、第２エア
バルブ１８を備えた第２ガス供給管１９とからガス供給
ライン６が構成され、前記上電極３には前記第１ガス供
給管１６と第２ガス供給管１９とが合流しプロセスガス
供給管として接続されている。
【０００５】尚、第１ガス供給管１６、第２ガス供給管
１９は２種類のガス供給源に接続され、前記反応室容器
２には２種類の混合ガスが供給できる様になっている。
１９は２種類のガス供給源に接続され、前記反応室容器
２には２種類の混合ガスが供給できる様になっている。
【０００６】前記下電極４には排気孔８が設けられてお
り、該排気孔８によって前記反応室５と前記成膜室１内
部とが連通している。又、該成膜室１にはゲートバルブ
９、可変コンダクタンスバルブ１０、ターボ分子ポンプ
１１、ロータリポンプ１２から構成される排気ライン１
３が接続されている。
り、該排気孔８によって前記反応室５と前記成膜室１内
部とが連通している。又、該成膜室１にはゲートバルブ
９、可変コンダクタンスバルブ１０、ターボ分子ポンプ
１１、ロータリポンプ１２から構成される排気ライン１
３が接続されている。
【０００７】該ガス供給ライン６から供給された反応ガ
スは前記上電極３を経て前記ガス分散板７で分散され、
前記反応室５に供給され、反応室５のガスは前記排気孔
８を通って成膜室１に流出し、更に前記排気ライン１３
より排気される。
スは前記上電極３を経て前記ガス分散板７で分散され、
前記反応室５に供給され、反応室５のガスは前記排気孔
８を通って成膜室１に流出し、更に前記排気ライン１３
より排気される。
【０００８】斯かる圧力制御装置に於いて基板処理を行
う場合の調圧について説明する。
う場合の調圧について説明する。
【０００９】先ず、前記ターボ分子ポンプ１１、ロータ
リポンプ１２を駆動して成膜室１、反応室容器２内部を
高真空にし、前記ゲートバルブ９を閉じ、前記第１エア
バルブ１５、第２エアバルブ１８を開き、通常の成膜条
件と同じ流量のガスをガス供給ライン６から前記上電極
３、ガス分散板７、反応室５、成膜室１へと供給し、反
応室５を含め成膜室１を高真空からプロセス圧力付近迄
昇圧し、その後前記ゲートバルブ９を開き、前記ガス供
給ライン６からガスを供給しつつ前記可変コンダクタン
スバルブ１０でプロセス圧力付近迄昇圧していた。尚、
図５中２０は圧力計である。図６は高真空から成膜室１
の圧力を調整する場合のタイミング線図である。
リポンプ１２を駆動して成膜室１、反応室容器２内部を
高真空にし、前記ゲートバルブ９を閉じ、前記第１エア
バルブ１５、第２エアバルブ１８を開き、通常の成膜条
件と同じ流量のガスをガス供給ライン６から前記上電極
３、ガス分散板７、反応室５、成膜室１へと供給し、反
応室５を含め成膜室１を高真空からプロセス圧力付近迄
昇圧し、その後前記ゲートバルブ９を開き、前記ガス供
給ライン６からガスを供給しつつ前記可変コンダクタン
スバルブ１０でプロセス圧力付近迄昇圧していた。尚、
図５中２０は圧力計である。図６は高真空から成膜室１
の圧力を調整する場合のタイミング線図である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、通常の成膜
条件のガス流量は、成膜室の容積に比し著しく小さく、
反応室５、即ち成膜室１内がプロセス圧力に到達するの
に時間が掛り、製造効率に大きく影響していた。更に、
流速が大きくなるとパーティクルの巻上げを誘発し、パ
ーティクルの発生の原因にもなる。
条件のガス流量は、成膜室の容積に比し著しく小さく、
反応室５、即ち成膜室１内がプロセス圧力に到達するの
に時間が掛り、製造効率に大きく影響していた。更に、
流速が大きくなるとパーティクルの巻上げを誘発し、パ
ーティクルの発生の原因にもなる。
【００１１】本発明は斯かる実情に鑑み、流速を大きく
することなく膜生成室、反応室の圧力を短時間でプロセ
ス圧力迄調整しようとするものである。
することなく膜生成室、反応室の圧力を短時間でプロセ
ス圧力迄調整しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体製造装
置の基板処理室内にプロセスガスを供給するプロセスガ
ス供給管とリークガス供給管を設け、基板処理時には前
記プロセスガス供給管からのみプロセスガスを供給し、
基板処理室の基板処理圧への調圧時には前記プロセスガ
ス供給管と前記リークガス供給管とからプロセスガスを
供給し、前記プロセスガス供給管と前記リークガス供給
管から供給するプロセスガスの合計流量が、前記基板処
理室の基板処理圧への調圧時には基板処理時のガス流量
よりも多量とする半導体製造装置に係り、又半導体製造
装置の基板処理室内に複数のプロセスガスを供給する複
数のガス供給管を設け、該ガス供給管にそれぞれ流量制
御器を設け、該流量制御器により基板処理前の基板処理
室調圧時には、供給するガスを基板処理時のプロセスガ
スと同じ混合比に保持し、供給するガスの合計流量が基
板処理時のガス流量よりも多量に供給可能に構成した半
導体製造装置に係るものである。
置の基板処理室内にプロセスガスを供給するプロセスガ
ス供給管とリークガス供給管を設け、基板処理時には前
記プロセスガス供給管からのみプロセスガスを供給し、
基板処理室の基板処理圧への調圧時には前記プロセスガ
ス供給管と前記リークガス供給管とからプロセスガスを
供給し、前記プロセスガス供給管と前記リークガス供給
管から供給するプロセスガスの合計流量が、前記基板処
理室の基板処理圧への調圧時には基板処理時のガス流量
よりも多量とする半導体製造装置に係り、又半導体製造
装置の基板処理室内に複数のプロセスガスを供給する複
数のガス供給管を設け、該ガス供給管にそれぞれ流量制
御器を設け、該流量制御器により基板処理前の基板処理
室調圧時には、供給するガスを基板処理時のプロセスガ
スと同じ混合比に保持し、供給するガスの合計流量が基
板処理時のガス流量よりも多量に供給可能に構成した半
導体製造装置に係るものである。
【００１３】
【作用】基板処理室調圧時には、大口径のガス吐出面積
よりガスの供給が可能であるので、パーティクルの巻上
げを抑制しつつ調圧作業時間を大幅に短縮する。
よりガスの供給が可能であるので、パーティクルの巻上
げを抑制しつつ調圧作業時間を大幅に短縮する。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１５】尚、図１中、図５中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
ものには同符号を付してある。
【００１６】成膜室１の内部で反応室容器２の周囲を囲
繞する様に、リング状のソフトリークガス供給ノズル２
１を設け、該ソフトリークガス供給ノズル２１にはソフ
トリークガス供給ライン２２を接続する。前記ソフトリ
ークガス供給ノズル２１はセラミックを焼結形成した如
き多孔性材料で成形し、該ソフトリークガス供給ライン
２２から供給されるガスが分散される様にする。
繞する様に、リング状のソフトリークガス供給ノズル２
１を設け、該ソフトリークガス供給ノズル２１にはソフ
トリークガス供給ライン２２を接続する。前記ソフトリ
ークガス供給ノズル２１はセラミックを焼結形成した如
き多孔性材料で成形し、該ソフトリークガス供給ライン
２２から供給されるガスが分散される様にする。
【００１７】該ソフトリークガス供給ライン２２は、第
３流量制御器２３、第３エアバルブ２４を備えた第３ガ
ス供給管２５と第４流量制御器２６、第４エアバルブ２
７を備えた第４ガス供給管２８とから構成され、前記第
３ガス供給管２５は前記第１ガス供給管１６から分岐
し、前記第４ガス供給管２８は前記第２ガス供給管１９
から分岐している。又、前記第３ガス供給管２５と前記
第４ガス供給管２８とは合流してリークガス供給管とし
て前記ソフトリークガス供給ノズル２１に接続されてい
る。
３流量制御器２３、第３エアバルブ２４を備えた第３ガ
ス供給管２５と第４流量制御器２６、第４エアバルブ２
７を備えた第４ガス供給管２８とから構成され、前記第
３ガス供給管２５は前記第１ガス供給管１６から分岐
し、前記第４ガス供給管２８は前記第２ガス供給管１９
から分岐している。又、前記第３ガス供給管２５と前記
第４ガス供給管２８とは合流してリークガス供給管とし
て前記ソフトリークガス供給ノズル２１に接続されてい
る。
【００１８】以下、本実施例に於ける作動を図２を参照
して説明する。
して説明する。
【００１９】尚、成膜室１内を高真空にする作動につい
ては従来と同様であるので説明を省略する。
ては従来と同様であるので説明を省略する。
【００２０】調圧時には前記ゲートバルブ９を閉じ、前
記第１エアバルブ１５、第２エアバルブ１８、第３エア
バルブ２４、第４エアバルブ２７を開く。前記第１流量
制御器１４、第２流量制御器１７を調整し、通常のプロ
セス時と同じ流量のガスを前記ガス分散板７より前記反
応室５、更に前記成膜室１内に供給する。又、前記第３
エアバルブ２４、第４エアバルブ２７を開くことで、前
記ガス分散板７から供給されるプロセスガスと同様の混
合比を有する大量のプロセスガスを前記ソフトリークガ
ス供給ノズル２１から前記成膜室１内に供給する。
記第１エアバルブ１５、第２エアバルブ１８、第３エア
バルブ２４、第４エアバルブ２７を開く。前記第１流量
制御器１４、第２流量制御器１７を調整し、通常のプロ
セス時と同じ流量のガスを前記ガス分散板７より前記反
応室５、更に前記成膜室１内に供給する。又、前記第３
エアバルブ２４、第４エアバルブ２７を開くことで、前
記ガス分散板７から供給されるプロセスガスと同様の混
合比を有する大量のプロセスガスを前記ソフトリークガ
ス供給ノズル２１から前記成膜室１内に供給する。
【００２１】該ソフトリークガス供給ノズル２１は前記
した様に、反応室容器２を囲繞する如く設けられている
ことから大口径のガス吐出面積とすることが可能であ
り、大量のプロセスガスの供給を可能とする。
した様に、反応室容器２を囲繞する如く設けられている
ことから大口径のガス吐出面積とすることが可能であ
り、大量のプロセスガスの供給を可能とする。
【００２２】而して、前記反応室５、前記成膜室１内に
は前記ガス供給ライン６、前記ソフトリークガス供給ラ
イン２２の２系統からプロセスガスを供給することがで
き、調圧作業時間は著しく短縮される。
は前記ガス供給ライン６、前記ソフトリークガス供給ラ
イン２２の２系統からプロセスガスを供給することがで
き、調圧作業時間は著しく短縮される。
【００２３】反応室５、成膜室１内がプロセス圧力に到
達すると、前記ゲートバルブ９を開き、前記第３エアバ
ルブ２４、前記第４エアバルブ２７を閉じ、更に前記可
変コンダクタンスバルブ１０でプロセス圧力を維持し、
基板の処理を開始する。
達すると、前記ゲートバルブ９を開き、前記第３エアバ
ルブ２４、前記第４エアバルブ２７を閉じ、更に前記可
変コンダクタンスバルブ１０でプロセス圧力を維持し、
基板の処理を開始する。
【００２４】次に、図３、図４に於いて本発明を縦型Ｃ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）装置に実施した場合を説明する。
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｉｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）装置に実施した場合を説明する。
【００２５】縦型ＣＶＤ装置を略述すると、反応管３０
は図示しないヒータにより所定の温度に保持されてお
り、該反応管３０にボート３１に多段に保持されたウェ
ーハ３２が装入される。前記反応管３０には前記反応管
３０内に設けた反応ガス導入ノズル４０から反応ガスが
導入され、前記ウェーハ３２が処理される。
は図示しないヒータにより所定の温度に保持されてお
り、該反応管３０にボート３１に多段に保持されたウェ
ーハ３２が装入される。前記反応管３０には前記反応管
３０内に設けた反応ガス導入ノズル４０から反応ガスが
導入され、前記ウェーハ３２が処理される。
【００２６】前記反応管３０の下部にリング状のソフト
リークガス供給ノズル４３を設ける。
リークガス供給ノズル４３を設ける。
【００２７】第１流量制御器３３、第１エアバルブ３４
が設けられた第１ガス供給管３５及び第２流量制御器３
６、第２エアバルブ３７が設けられた第２ガス供給管３
８から構成されるガス供給ライン３９をプロセスガス用
エアバルブ４１を介して前記反応ガス導入ノズル４０に
プロセスガス供給管として接続し、更にガス供給ライン
３９はソフトリーク用エアバルブ４２を介してソフトリ
ークガス供給ノズル４３にリークガス供給管として接続
する。該ソフトリーク用エアバルブ４２は前記プロセス
ガス用エアバルブ４１よりも多量のガスを流通可能とす
る。又、前記反応管３０内部はゲートバルブ４４、自動
圧力制御弁４５を介して図示しない排気ポンプに接続す
る。
が設けられた第１ガス供給管３５及び第２流量制御器３
６、第２エアバルブ３７が設けられた第２ガス供給管３
８から構成されるガス供給ライン３９をプロセスガス用
エアバルブ４１を介して前記反応ガス導入ノズル４０に
プロセスガス供給管として接続し、更にガス供給ライン
３９はソフトリーク用エアバルブ４２を介してソフトリ
ークガス供給ノズル４３にリークガス供給管として接続
する。該ソフトリーク用エアバルブ４２は前記プロセス
ガス用エアバルブ４１よりも多量のガスを流通可能とす
る。又、前記反応管３０内部はゲートバルブ４４、自動
圧力制御弁４５を介して図示しない排気ポンプに接続す
る。
【００２８】該実施例の調圧作動について説明する。
【００２９】前記反応管３０内部を高真空にした後、第
１流量制御器３３、第２流量制御器３６を調整し、第１
ガス供給管３５、第２ガス供給管３８から供給されるガ
スの混合比が所定の値となる様に又供給流量が大流量と
なる様に設定し、ゲートバルブ４４、前記プロセスガス
用エアバルブ４１を閉じ、前記第１エアバルブ３４、前
記第２エアバルブ３７、ソフトリーク用エアバルブ４２
を開いて前記ソフトリークガス供給ノズル４３より大量
のガスを前記反応管３０内に供給する。
１流量制御器３３、第２流量制御器３６を調整し、第１
ガス供給管３５、第２ガス供給管３８から供給されるガ
スの混合比が所定の値となる様に又供給流量が大流量と
なる様に設定し、ゲートバルブ４４、前記プロセスガス
用エアバルブ４１を閉じ、前記第１エアバルブ３４、前
記第２エアバルブ３７、ソフトリーク用エアバルブ４２
を開いて前記ソフトリークガス供給ノズル４３より大量
のガスを前記反応管３０内に供給する。
【００３０】反応管３０内がプロセス圧力内になった
ら、前記第１流量制御器３３、第２流量制御器３６の流
量設定を混合比率を維持して成膜状態でのプロセスガス
流量に設定し、ソフトリーク用エアバルブ４２を閉じ、
前記プロセスガス用エアバルブ４１、前記ゲートバルブ
４４を開き、前記自動圧力制御弁４５によりプロセス圧
力を維持しつつ、基板の成膜処理を開始する。
ら、前記第１流量制御器３３、第２流量制御器３６の流
量設定を混合比率を維持して成膜状態でのプロセスガス
流量に設定し、ソフトリーク用エアバルブ４２を閉じ、
前記プロセスガス用エアバルブ４１、前記ゲートバルブ
４４を開き、前記自動圧力制御弁４５によりプロセス圧
力を維持しつつ、基板の成膜処理を開始する。
【００３１】本実施例も前述した実施例と同様、調圧作
動時には大流量のガスを供給できるので、調圧時間を短
縮することができる。
動時には大流量のガスを供給できるので、調圧時間を短
縮することができる。
【００３２】尚、本発明は上記半導体製造装置に限らず
種々の半導体製造装置に実施可能であることは言う迄も
ない。
種々の半導体製造装置に実施可能であることは言う迄も
ない。
【００３３】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、調圧作
動時には成膜室に基板処理時以上の大量のガスを供給す
ることが可能で而も調圧作動時には大口径のガス吐出面
積でガスを供給するので、パーティクルの巻上げを抑制
しつつ調圧作業時間を大幅に短縮することができるとい
う優れた効果を発揮する。
動時には成膜室に基板処理時以上の大量のガスを供給す
ることが可能で而も調圧作動時には大口径のガス吐出面
積でガスを供給するので、パーティクルの巻上げを抑制
しつつ調圧作業時間を大幅に短縮することができるとい
う優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】該一実施例のタイミング線図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す概略図である。
【図４】該他の実施例のタイミング線図である。
【図５】従来例を示す概略図である。
【図６】該従来例ののタイミング線図である。
１ 成膜室
５ 反応室
６ ガス供給ライン
７ ガス分散板
２１ ソフトリークガス供給ノズル
２２ ソフトリークガス供給ライン
３０ 反応管
４０ 反応ガス導入ノズル
４３ ソフトリークガス供給ノズル
４５ 自動圧力制御弁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭61−124125（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−80225（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−115812（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−80325（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置の基板処理室内にプロセ
スガスを供給するプロセスガス供給管とリークガス供給
管を設け、基板処理時には前記プロセスガス供給管から
のみプロセスガスを供給し、基板処理室の基板処理圧へ
の調圧時には前記プロセスガス供給管と前記リークガス
供給管とからプロセスガスを供給し、前記プロセスガス
供給管と前記リークガス供給管から供給するプロセスガ
スの合計流量が、前記基板処理室の基板処理圧への調圧
時には基板処理時のガス流量よりも多量とすることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 半導体製造装置の基板処理室内に複数の
プロセスガスを供給する複数のガス供給管を設け、該ガ
ス供給管にそれぞれ流量制御器を設け、該流量制御器に
より基板処理前の基板処理室調圧時には、供給するガス
を基板処理時のプロセスガスと同じ混合比に保持し、供
給するガスの合計流量が基板処理時のガス流量よりも多
量に供給可能に構成したことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23293492A JP3454479B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23293492A JP3454479B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661159A JPH0661159A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3454479B2 true JP3454479B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=16947145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23293492A Expired - Lifetime JP3454479B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3454479B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP23293492A patent/JP3454479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661159A (ja) | 1994-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
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