JP2830585B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2830585B2 JP2830585B2 JP4032292A JP4032292A JP2830585B2 JP 2830585 B2 JP2830585 B2 JP 2830585B2 JP 4032292 A JP4032292 A JP 4032292A JP 4032292 A JP4032292 A JP 4032292A JP 2830585 B2 JP2830585 B2 JP 2830585B2
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- Japan
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- gas
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- semiconductor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に減圧下においてガスにより基板上に半導体を形成す
る多数枚処理半導体製造装置に関する。
特に減圧下においてガスにより基板上に半導体を形成す
る多数枚処理半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多数枚処理半導体製造装置は、図
３に示すようにガス導入菅９よりガスを導入し、マスフ
ローメーター１１により流量を制御しながら、最終スト
ップバルブ１２を介して、ガス導入口８よりガスをガス
吹き出し板４に導入する。導入されたガスはガス吹き出
し板４内において広がり、多孔状に穴の開いたガス吹き
出し口５より吹き出し、サセプタ３上の基板２に運ばれ
て、熱またはプラズマなどにより半導体を形成、または
エッチングを行う。チャンバー１内はコンダクタンスバ
ルブ１４によって圧力調整されながらメイン排気ライン
１６よりポンプ１５によってガスの排気を行っている。
３に示すようにガス導入菅９よりガスを導入し、マスフ
ローメーター１１により流量を制御しながら、最終スト
ップバルブ１２を介して、ガス導入口８よりガスをガス
吹き出し板４に導入する。導入されたガスはガス吹き出
し板４内において広がり、多孔状に穴の開いたガス吹き
出し口５より吹き出し、サセプタ３上の基板２に運ばれ
て、熱またはプラズマなどにより半導体を形成、または
エッチングを行う。チャンバー１内はコンダクタンスバ
ルブ１４によって圧力調整されながらメイン排気ライン
１６よりポンプ１５によってガスの排気を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の多数枚処理
半導体製造装置はチャンバー内が減圧に保たれている
が、ガス吹き出し板４内にてガスが均一に広がらず、ガ
ス吹き出し口中央にガスが集中して吹き出されてしま
い、基板上の半導体形成または加圧が均一に行われない
という問題点があった。
半導体製造装置はチャンバー内が減圧に保たれている
が、ガス吹き出し板４内にてガスが均一に広がらず、ガ
ス吹き出し口中央にガスが集中して吹き出されてしま
い、基板上の半導体形成または加圧が均一に行われない
という問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、減圧下
で半導体基板表面にガス吹き出し板よりガスを供給し、
半導体を形成する半導体製造装置において、前記ガス吹
き出し板の一方にはガスを導入するためのガス導入口が
設けられ、前記ガス吹き出し板の他方には半導体基板表
面にガスを供給する多孔状のガス吹き出し口が設けら
れ、前記ガス導入口と前記ガス吹き出し口との間に、前
記ガス吹き出し口とは離間され且つ回転し前記ガス吹き
出し板内でのガスを均一に広げる多孔状のガス清流板を
備えたことである。
で半導体基板表面にガス吹き出し板よりガスを供給し、
半導体を形成する半導体製造装置において、前記ガス吹
き出し板の一方にはガスを導入するためのガス導入口が
設けられ、前記ガス吹き出し板の他方には半導体基板表
面にガスを供給する多孔状のガス吹き出し口が設けら
れ、前記ガス導入口と前記ガス吹き出し口との間に、前
記ガス吹き出し口とは離間され且つ回転し前記ガス吹き
出し板内でのガスを均一に広げる多孔状のガス清流板を
備えたことである。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例の多数枚処理半導体製造
装置の構成図である。ガスはガス導入菅９より導入さ
れ、マスフローコントローラ１１によって流量を制御し
ながら、ガス導入口８よりガス吹き出し板４内に導入さ
れる。ガス吹き出し板４内にはガスを均一に広げるた
め、ガス吹き出し口５より狭い多孔状の穴の開いたガス
整流板６を設え、さらにガス整流板６を中心軸に対して
回転モーター７により、任意に回転させることによりガ
スを拡散させている。均一に広げられたガスはチャンバ
ー内がポンプ内１５により真空引きされ、コンダクタン
スバルブ１４によって一定の減圧下に保たれている状態
で、ガス吹き出し口５よりサセプタ３上の基板２に吹き
出され、熱またはプラズマ等により半導体を基板２上に
形成または加工する。
る。図１は本発明の第１実施例の多数枚処理半導体製造
装置の構成図である。ガスはガス導入菅９より導入さ
れ、マスフローコントローラ１１によって流量を制御し
ながら、ガス導入口８よりガス吹き出し板４内に導入さ
れる。ガス吹き出し板４内にはガスを均一に広げるた
め、ガス吹き出し口５より狭い多孔状の穴の開いたガス
整流板６を設え、さらにガス整流板６を中心軸に対して
回転モーター７により、任意に回転させることによりガ
スを拡散させている。均一に広げられたガスはチャンバ
ー内がポンプ内１５により真空引きされ、コンダクタン
スバルブ１４によって一定の減圧下に保たれている状態
で、ガス吹き出し口５よりサセプタ３上の基板２に吹き
出され、熱またはプラズマ等により半導体を基板２上に
形成または加工する。
【０００６】本実施例は多数枚処理装置において、減圧
下においてガスにより半導体を製造するドライエッチャ
ー、ＣＶＤ、結晶成長装置に実施可能となる。
下においてガスにより半導体を製造するドライエッチャ
ー、ＣＶＤ、結晶成長装置に実施可能となる。
【０００７】図２は本発明の第２実施例を示しており、
ガス導入口８より導入されたガスをガス吹き出し板４内
の中心軸に対して任意に回転しているガス吹き出し口５
より狭い多孔状の穴の開いたガス整流板６によって均一
に拡散しながら広げ、更にガス整流板下部に取り付けて
ある突起１７によって攪伴し、ガス吹き出し口５に対し
て均一に広げる。均一に広がったガスはガス吹き出し口
５より吹き出され、ポンプ１５によって減圧となってい
るチャンバー１内において、サセプタ３上の基板２に熱
またはプラズマ等により半導体を形成または加工する。
ガス導入口８より導入されたガスをガス吹き出し板４内
の中心軸に対して任意に回転しているガス吹き出し口５
より狭い多孔状の穴の開いたガス整流板６によって均一
に拡散しながら広げ、更にガス整流板下部に取り付けて
ある突起１７によって攪伴し、ガス吹き出し口５に対し
て均一に広げる。均一に広がったガスはガス吹き出し口
５より吹き出され、ポンプ１５によって減圧となってい
るチャンバー１内において、サセプタ３上の基板２に熱
またはプラズマ等により半導体を形成または加工する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガス吹き
出し板内に中心軸に対して回転するガス整流板を取り付
けたことにより、ガスがガス吹き出し口に対し均一に広
がり、ガスがガス吹き出し口より均一に吹き出されて基
板上の半導体形成または加工が均一に行われる。
出し板内に中心軸に対して回転するガス整流板を取り付
けたことにより、ガスがガス吹き出し口に対し均一に広
がり、ガスがガス吹き出し口より均一に吹き出されて基
板上の半導体形成または加工が均一に行われる。
【図１】本発明の第１実施例を示す構成図である。
【図２】第２実施例の構成図である。
【図３】従来の多数枚処理半導体製造装置の構成図であ
る。
る。
１ チャンバー ２ 基板 ３ サセプタ ４ ガス吹き出し板 ５ ガス吹き出し口 ６ ガス整流板 ７ 回転モーター ８ ガス導入口 ９ ガス導入菅 １０ ストップバルブ １１ マスフローメーター １２ 最終ストップバルブ １３ メインバルブ １４ コンダクタンスバルブ １５ ポンプ １６ メイン排気バルブ １７ 突起
Claims (1)
- 【請求項１】 減圧下で半導体基板表面にガス吹き出し
板よりガスを供給し、半導体を形成する半導体製造装置
において、前記ガス吹き出し板の一方にはガスを導入す
るためのガス導入口が設けられ、前記ガス吹き出し板の
他方には半導体基板表面にガスを供給する多孔状のガス
吹き出し口が設けられ、前記ガス導入口と前記ガス吹き
出し口との間に、前記ガス吹き出し口とは離間され且つ
回転し前記ガス吹き出し板内でのガスを均一に広げる多
孔状のガス清流板を備えたことを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032292A JP2830585B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032292A JP2830585B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217914A JPH05217914A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2830585B2 true JP2830585B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=12577375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032292A Expired - Fee Related JP2830585B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830585B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2929971B2 (ja) * | 1995-05-19 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| KR100452525B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-10-12 | 주성엔지니어링(주) | Ａｌｄ 공정에 적합한 가스 인젝터 |
| CN100377301C (zh) * | 2005-12-08 | 2008-03-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气体注入及扩散系统 |
| JP5787077B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2015-09-30 | トヨタ自動車株式会社 | インサート成形方法、および射出成形機 |
| CN117512565B (zh) * | 2023-10-27 | 2024-06-07 | 江苏首芯半导体科技有限公司 | 薄膜沉积腔体及其进气机构 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4032292A patent/JP2830585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05217914A (ja) | 1993-08-27 |
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