JP3124002B2 - ガス分散機構付き減圧式気相成長装置 - Google Patents
ガス分散機構付き減圧式気相成長装置Info
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- JP3124002B2 JP3124002B2 JP11111137A JP11113799A JP3124002B2 JP 3124002 B2 JP3124002 B2 JP 3124002B2 JP 11111137 A JP11111137 A JP 11111137A JP 11113799 A JP11113799 A JP 11113799A JP 3124002 B2 JP3124002 B2 JP 3124002B2
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- JP
- Japan
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- gas
- injector
- gas discharge
- vapor phase
- reaction chamber
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、減圧した反応室内
に不活性ガスをインジェクターに通して導入しつつ該反
応室内の真空状態を開放する機能を有する減圧式気相成
長装置に関するものである。
に不活性ガスをインジェクターに通して導入しつつ該反
応室内の真空状態を開放する機能を有する減圧式気相成
長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】減圧式気相成長装置において、処理プロ
セス終了後に製品の取り出しを行うため、減圧した反応
室内に不活性ガスをインジェクターに通して導入しつつ
該反応室内の真空状態を開放するようになっている。
セス終了後に製品の取り出しを行うため、減圧した反応
室内に不活性ガスをインジェクターに通して導入しつつ
該反応室内の真空状態を開放するようになっている。
【０００３】前記インジェクター３は図３に示すよう
に、マニホールド２に装着され、そのガス吐出口３ａが
石英チューブ１とマニホールド２とから構成される反応
室５内に向けて設置されている。
に、マニホールド２に装着され、そのガス吐出口３ａが
石英チューブ１とマニホールド２とから構成される反応
室５内に向けて設置されている。
【０００４】従来例のインジェクター３は図３に示すよ
うに、単管構造のものであって、単一のガス吐出口３ａ
を有しており、この単一のガス吐出口３ａから全量の不
活性ガスを吐出するようになっている。
うに、単管構造のものであって、単一のガス吐出口３ａ
を有しており、この単一のガス吐出口３ａから全量の不
活性ガスを吐出するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来例の
インジェクター３は図３に示すように、単一のガス吐出
口３ａから全量の不活性ガスを吐出するようになってい
るため、大流量のガスを流そうとすると、吹き出し時に
おけるガスの運動エネルギーが高く、そのガス流の勢い
が強く、そのガス流が反応室の内壁に衝突して、反応室
内壁に成膜した膜を剥離して、室内に拡散してゴミ等を
発生させることとなる。
インジェクター３は図３に示すように、単一のガス吐出
口３ａから全量の不活性ガスを吐出するようになってい
るため、大流量のガスを流そうとすると、吹き出し時に
おけるガスの運動エネルギーが高く、そのガス流の勢い
が強く、そのガス流が反応室の内壁に衝突して、反応室
内壁に成膜した膜を剥離して、室内に拡散してゴミ等を
発生させることとなる。
【０００６】そこで、従来では、低流量のガスを長時間
に渡って導入し、反応室内の真空状態を開放していたた
め、作業効率が低下するという問題がある。
に渡って導入し、反応室内の真空状態を開放していたた
め、作業効率が低下するという問題がある。
【０００７】また、ガスの分散を目的としたフィルター
等を取付けることが考えられるが、反応室内が高温状態
となるため、金属や各種材料によるコンタミネーション
等の影響が大きく、実施することが不可能である。
等を取付けることが考えられるが、反応室内が高温状態
となるため、金属や各種材料によるコンタミネーション
等の影響が大きく、実施することが不可能である。
【０００８】本発明の目的は、反応室内の膜剥がれや生
成物の拡散等を起こさずに大量の不活性ガスを導入し
て、反応室内の真空状態を短時間で開放するようにした
減圧式気相成長装置を提供することにある。
成物の拡散等を起こさずに大量の不活性ガスを導入し
て、反応室内の真空状態を短時間で開放するようにした
減圧式気相成長装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るガス分散機構付き減圧式気相成長装置
は、減圧した反応室内に不活性ガスをインジェクターに
通して導入しつつ該反応室内の真空状態を開放する機能
を有する減圧式気相成長装置であって、前記インジェク
ターのガス吐出側に設けたガス吐出口の口径及び形状を
変化させてコンダクタンスを変更し、各ガス吐出口から
のガス吐出量を調整するものである。
め、本発明に係るガス分散機構付き減圧式気相成長装置
は、減圧した反応室内に不活性ガスをインジェクターに
通して導入しつつ該反応室内の真空状態を開放する機能
を有する減圧式気相成長装置であって、前記インジェク
ターのガス吐出側に設けたガス吐出口の口径及び形状を
変化させてコンダクタンスを変更し、各ガス吐出口から
のガス吐出量を調整するものである。
【００１０】また前記インジェクターのガス吐出側に複
数のガス吐出口を開口位置を異ならせて設けたものであ
る。
数のガス吐出口を開口位置を異ならせて設けたものであ
る。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施形態を示す斜視
図、図２は、本発明の一実施形態の主要部を示す断面図
である。
図、図２は、本発明の一実施形態の主要部を示す断面図
である。
【００１５】図１において、マニホールド２の上面が石
英チューブ１で被覆されて、マニホールド２と石英チュ
ーブ１とにより反応室５を外部から隔離して形成するよ
うになっている。
英チューブ１で被覆されて、マニホールド２と石英チュ
ーブ１とにより反応室５を外部から隔離して形成するよ
うになっている。
【００１６】インジェクター３は図２に示すように、マ
ニホールド２に装着され、そのガス吐出側が石英チュー
ブ１とマニホールド２とから構成される反応室５内に向
けて設置されている。また、インジェクター３のガス供
給側に連なるガス導入口４がマニホールド２に取付けら
れている。６はＴＣ（thermocouple）、７はＴＣコネク
タである。また８は、反応室５内を給排気するポートで
あり、図示しないポンプに接続されている。
ニホールド２に装着され、そのガス吐出側が石英チュー
ブ１とマニホールド２とから構成される反応室５内に向
けて設置されている。また、インジェクター３のガス供
給側に連なるガス導入口４がマニホールド２に取付けら
れている。６はＴＣ（thermocouple）、７はＴＣコネク
タである。また８は、反応室５内を給排気するポートで
あり、図示しないポンプに接続されている。
【００１７】さらに本発明に一実施形態においては、イ
ンジェクター３から吹き出される不活性ガスの運動エネ
ルギーを分散減少させて大流量の不活性ガスを導入する
ようにしたものである。
ンジェクター３から吹き出される不活性ガスの運動エネ
ルギーを分散減少させて大流量の不活性ガスを導入する
ようにしたものである。
【００１８】具体的にはインジェクター３のガス吐出側
を反応室５内に設置し、その管壁に複数のガス吐出口３
ａ，３ａ・・・を開口している。
を反応室５内に設置し、その管壁に複数のガス吐出口３
ａ，３ａ・・・を開口している。
【００１９】インジェクター３のガス吐出側管壁に複数
のガス吐出口３ａ，３ａ・・・を設けるには図２に示す
ように、複数のガス吐出口３ａの開口位置が重ならない
ように位置を異ならせて設けている。
のガス吐出口３ａ，３ａ・・・を設けるには図２に示す
ように、複数のガス吐出口３ａの開口位置が重ならない
ように位置を異ならせて設けている。
【００２０】またインジェクター３のガス吐出口３ａの
口径及び形状を変化させてコンダクタンスを変更し、各
ガス吐出口３ａからのガス吐出量を調整するようになっ
ている。
口径及び形状を変化させてコンダクタンスを変更し、各
ガス吐出口３ａからのガス吐出量を調整するようになっ
ている。
【００２１】本発明の一実施形態においては、ガス導入
口４から導入されたＮ 2 ガスは、マニホールド２に取り
付けられたインジェクター３に供給される。
口４から導入されたＮ 2 ガスは、マニホールド２に取り
付けられたインジェクター３に供給される。
【００２２】インジェクター３のガス吐出側管壁に複数
のガス吐出口３ａ，３ａ・・・を設けているため、Ｎ 2
ガス（不活性ガス）はインジェクター３の元部よりガス
吐出側に至る間に、それぞれのガス吐出口３ａから分流
しながら反応室５内に導入され、そのガスの運動エネル
ギーが低下する。
のガス吐出口３ａ，３ａ・・・を設けているため、Ｎ 2
ガス（不活性ガス）はインジェクター３の元部よりガス
吐出側に至る間に、それぞれのガス吐出口３ａから分流
しながら反応室５内に導入され、そのガスの運動エネル
ギーが低下する。
【００２３】このため、従来よりも大流量のガスを、反
応室５内の膜剥がれや生成物の巻き上げ等を起こさずに
反応室５内に導入することが可能となり、真空破壊時間
を短縮することできる。また、Ｎ 2 ガスを使用したが、
これ以外の不活性ガスを用いてもよい。
応室５内の膜剥がれや生成物の巻き上げ等を起こさずに
反応室５内に導入することが可能となり、真空破壊時間
を短縮することできる。また、Ｎ 2 ガスを使用したが、
これ以外の不活性ガスを用いてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、インジェ
クターから吹き出される不活性ガスの運動エネルギーを
分散減少させることができ、従来よりも大流量のガス
を、反応炉内の膜剥がれや生成物の巻き上げ等を起こさ
ずに導入することが可能となり、真空破壊時間を短縮す
ることができる。
クターから吹き出される不活性ガスの運動エネルギーを
分散減少させることができ、従来よりも大流量のガス
を、反応炉内の膜剥がれや生成物の巻き上げ等を起こさ
ずに導入することが可能となり、真空破壊時間を短縮す
ることができる。
【００２５】また、インジェクターとして石英ガラスを
用いることにより、金属やフィルター材料よりのコンタ
ミネーションをなくすことができる。
用いることにより、金属やフィルター材料よりのコンタ
ミネーションをなくすことができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態の主要部を示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来例を示す断面図である。
１ 石英チューブ ２ マニホールド ３ インジェクター ４ ガス導入口 ５ 反応室
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧した反応室内に不活性ガスをインジ
ェクターに通して導入しつつ該反応室内の真空状態を開
放する機能を有する減圧式気相成長装置であって、前記インジェクターのガス吐出側に設けたガス吐出口の
口径及び形状を変化させてコンダクタンスを変更し、各
ガス吐出口からのガス吐出量を調整する ことを特徴とす
るガス分散機構付き減圧式気相成長装置。 - 【請求項２】 前記インジェクターのガス吐出側に複数
のガス吐出口を開口位置を異ならせて設けたことを特徴
とする請求項１に記載のガス分散機構付き減圧式気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11111137A JP3124002B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | ガス分散機構付き減圧式気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11111137A JP3124002B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | ガス分散機構付き減圧式気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000303176A JP2000303176A (ja) | 2000-10-31 |
| JP3124002B2 true JP3124002B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=14553405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11111137A Expired - Lifetime JP3124002B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | ガス分散機構付き減圧式気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3124002B2 (ja) |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11111137A patent/JP3124002B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000303176A (ja) | 2000-10-31 |
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