JPS6046029A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS6046029A JPS6046029A JP15325883A JP15325883A JPS6046029A JP S6046029 A JPS6046029 A JP S6046029A JP 15325883 A JP15325883 A JP 15325883A JP 15325883 A JP15325883 A JP 15325883A JP S6046029 A JPS6046029 A JP S6046029A
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- gas
- dispersion plate
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- chamber
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に係り、特にウェハ処理の均一
性に優れたプラズマ利用の半導体製造装置に関するもの
である。
性に優れたプラズマ利用の半導体製造装置に関するもの
である。
（発明の背景〕
真空室内にガスを供給し、上下一対の平行平板形の電極
間に高周波電力を印加し、ブロー放電によって供給した
ガスなプラズマ化してウニノ１を処理するドライエツチ
ング装置、薄膜形成装置等の半導体製造装置等において
は、均一なエツチング性、均一な膜形成性が強く望まれ
ている。特にウェハの大径化の傾向が強い最近では、均
一処理性は益々重要な装置性能となつている０業界で複
数のウェハな同時に処理する装置から１枚のウェハを処
理する装！！（１枚処理！１Ｍ１ｌ）への転換の傾向が
強いのは後者が均一処理性に優れているためである。
間に高周波電力を印加し、ブロー放電によって供給した
ガスなプラズマ化してウニノ１を処理するドライエツチ
ング装置、薄膜形成装置等の半導体製造装置等において
は、均一なエツチング性、均一な膜形成性が強く望まれ
ている。特にウェハの大径化の傾向が強い最近では、均
一処理性は益々重要な装置性能となつている０業界で複
数のウェハな同時に処理する装置から１枚のウェハを処
理する装！！（１枚処理！１Ｍ１ｌ）への転換の傾向が
強いのは後者が均一処理性に優れているためである。
処理の均一性はプラズマの分布状況にも影響されるが、
ガスの流れ状況に強い影響を受１する。特に１枚処理装
置においては対向電極から供給されるガスをウェハ面上
の全ての位置で等量かつ等速度で供給することが重要で
ある。
ガスの流れ状況に強い影響を受１する。特に１枚処理装
置においては対向電極から供給されるガスをウェハ面上
の全ての位置で等量かつ等速度で供給することが重要で
ある。
さらに、対向電極からのガス供給線速度（以下、ガス速
度と略）は次の理由により音速を越えない範囲にとどめ
ることが重要である。すなわち、ガス速度が音速を越え
ると圧力、密度、温度等の状態量が不連続となり、これ
らが周囲に伝播し、プラズマ状態を乱し、この結果、ウ
ニノ１処理の一様性に悪影響を及ぼす。
度と略）は次の理由により音速を越えない範囲にとどめ
ることが重要である。すなわち、ガス速度が音速を越え
ると圧力、密度、温度等の状態量が不連続となり、これ
らが周囲に伝播し、プラズマ状態を乱し、この結果、ウ
ニノ１処理の一様性に悪影響を及ぼす。
従来の技術は対向電極からのガスの供給を１枚の孔を有
する分散板の間に空室を設けて構成した。
する分散板の間に空室を設けて構成した。
ガスは軸の中空部から空室を半径方向へ流れ、分散板の
孔から真空室へ供給された。かかる従来技術ではガス速
度を音速以下で、かつ等しくすることが困難であった。
孔から真空室へ供給された。かかる従来技術ではガス速
度を音速以下で、かつ等しくすることが困難であった。
分散板の孔からのガス速度は孔の上下、すなわち、対向
電極の空室と真空室との圧力差の関数であり、この圧力
差が分散板の孔の位置によって変らなければ概ね等しい
ガス速度が得られる。しかしガスが軸の中空部から空室
を半径方向へ流れる際に圧力損失を生じ空室の圧力は中
心部が高鳴、周辺部が小さい分布となり、この結果、ガ
ス速度は中心部が大きく、周辺部が小さ曵なっていた。
電極の空室と真空室との圧力差の関数であり、この圧力
差が分散板の孔の位置によって変らなければ概ね等しい
ガス速度が得られる。しかしガスが軸の中空部から空室
を半径方向へ流れる際に圧力損失を生じ空室の圧力は中
心部が高鳴、周辺部が小さい分布となり、この結果、ガ
ス速度は中心部が大きく、周辺部が小さ曵なっていた。
空室の圧力が高り、シたがって空室と真空室の圧力差が
太き（とれれば、分散板）孔からのガス速度を均一とな
すことができるが、音速に対する臨界圧力のため、空室
の圧力を高えできない、すなわち真空室圧力に対する空
室の臨界圧力の比はガスの比熱比で定まり、比熱比が１
゜３〜１．６の半導体用ガスでは、その比は１，８〜２
゜０となることは周知の事柄である。換言すれば、分散
板からのガス速度を音速以下となすためには、空室と真
空室との圧力差を真空室圧力の８０〜１００チ以下に維
持せねばならない。この圧力差は真空室圧力がおおよそ
１ ｔｏｒｒ以下の半導体製造装置においては非常に小
さい圧力差である。さらに半導体製造装置の操作におい
ては供給ガスの流量は相当広い範囲に変化させられるの
が普通であり最小流量に対する最大流量の比で５〜１０
程度が要求される。最大流量においても音速以下に維持
する必要があり、最大流量で分散板の孔の総面積が決定
される。したがって真空室の圧力が小さい二ととあいま
って、ガス流量が小さい操作条件では、空室の圧力は均
一分布から大き畷逸脱し、軸に近い中心部から大部分の
ガスが流れ、分散板の機能が損われ、ウェハ処理の均一
性が悪くなった。
太き（とれれば、分散板）孔からのガス速度を均一とな
すことができるが、音速に対する臨界圧力のため、空室
の圧力を高えできない、すなわち真空室圧力に対する空
室の臨界圧力の比はガスの比熱比で定まり、比熱比が１
゜３〜１．６の半導体用ガスでは、その比は１，８〜２
゜０となることは周知の事柄である。換言すれば、分散
板からのガス速度を音速以下となすためには、空室と真
空室との圧力差を真空室圧力の８０〜１００チ以下に維
持せねばならない。この圧力差は真空室圧力がおおよそ
１ ｔｏｒｒ以下の半導体製造装置においては非常に小
さい圧力差である。さらに半導体製造装置の操作におい
ては供給ガスの流量は相当広い範囲に変化させられるの
が普通であり最小流量に対する最大流量の比で５〜１０
程度が要求される。最大流量においても音速以下に維持
する必要があり、最大流量で分散板の孔の総面積が決定
される。したがって真空室の圧力が小さい二ととあいま
って、ガス流量が小さい操作条件では、空室の圧力は均
一分布から大き畷逸脱し、軸に近い中心部から大部分の
ガスが流れ、分散板の機能が損われ、ウェハ処理の均一
性が悪くなった。
上記したように、従来技術では１枚の分散板を通してガ
スを真空室に供給しているために、分散板の孔からのガ
ス速度が一様にならねことに起因する、ウェハ処理の不
均一性を惹き起すという問題点を有していた。
スを真空室に供給しているために、分散板の孔からのガ
ス速度が一様にならねことに起因する、ウェハ処理の不
均一性を惹き起すという問題点を有していた。
本発明の目的は、対向電極からウニノ１載置用電Ｓ（以
下、テーブルと略）に載置されるウエノ１表面へ等速２
等量のガスを供給することで、ウェハ処理の均一性を向
上できる半導体製造装置を提供することにある。
下、テーブルと略）に載置されるウエノ１表面へ等速２
等量のガスを供給することで、ウェハ処理の均一性を向
上できる半導体製造装置を提供することにある。
本発明は、真空室にテーブルと対向して内設される対向
電極を、一端面が開放され他端面にガス流通路を有する
軸が連結されたケーシングと、該ケーシングの一端面に
構設されガス流通路と連通した空室なケーシングと形成
する分散板と、空室をガス流通路側の空室と分散板側の
空室とに連通可能に分離して空室に内設された他の分散
板とで構成したことを特徴とするもので、対向電極から
テーブルに載置されたウェハ表面へ等速２等量のガスを
供給しようとするものである− 〔発明の実施例〕 本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明する。
電極を、一端面が開放され他端面にガス流通路を有する
軸が連結されたケーシングと、該ケーシングの一端面に
構設されガス流通路と連通した空室なケーシングと形成
する分散板と、空室をガス流通路側の空室と分散板側の
空室とに連通可能に分離して空室に内設された他の分散
板とで構成したことを特徴とするもので、対向電極から
テーブルに載置されたウェハ表面へ等速２等量のガスを
供給しようとするものである− 〔発明の実施例〕 本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明する。
第１図〜第３図で、真空室１０には、対向電極蜀とテー
ブル（資）とが放電空間４０を有し、この場合、上下方
向に対向して内設されている。対向電ｓＩ粉は、一端面
（第１図では、下端面）が開放され他端面（第１図では
、上端面）にガス流通路１１を有する軸νが連結された
ケーシング２１と、ケーシング４の一端面（第１図では
、下端面）に構設されガス流通路１１と連通した空室４
１をケーシング２１と形成する分散板ｎと、空室４１を
ガス流通路１１側の空室（以下、第１空室と略）４２と
分散板ｎ側の空室（以下、第２空室と略）４３とに連通
可能に分離して空室４１に内設された他の分散板ｎとで
構成されている。
ブル（資）とが放電空間４０を有し、この場合、上下方
向に対向して内設されている。対向電ｓＩ粉は、一端面
（第１図では、下端面）が開放され他端面（第１図では
、上端面）にガス流通路１１を有する軸νが連結された
ケーシング２１と、ケーシング４の一端面（第１図では
、下端面）に構設されガス流通路１１と連通した空室４
１をケーシング２１と形成する分散板ｎと、空室４１を
ガス流通路１１側の空室（以下、第１空室と略）４２と
分散板ｎ側の空室（以下、第２空室と略）４３とに連通
可能に分離して空室４１に内設された他の分散板ｎとで
構成されている。
この場合、軸認は、ケーシング４の他端面の中心部・こ
連結され、また、ガス供給装置（図示省略）に連結され
たガス導管（図示省略）がガス流通路１１と連通して軸
戎に連結されて°いる。
連結され、また、ガス供給装置（図示省略）に連結され
たガス導管（図示省略）がガス流通路１１と連通して軸
戎に連結されて°いる。
分散板ｎは、多孔体、例えば、多数の孔Ｕが穿設された
多孔板で形成されている（第２図）。他の分散板ｎは、
多孔板、例えば、多数の孔がが穿設された多孔板で形成
されている（第３図）。この場合、他の分散板ｎの孔５
Ｉよ、他の分散板器の ：中心を通る複数の放射線上に
、かつ、等ピッチの同心円上に配置され、孔５の開口面
積は、他の分散板ｎの中心部から外縁端部に向うにした
がって漸次太き曵なっている。また、分散板ｎの孔必は
。
多孔板で形成されている（第２図）。他の分散板ｎは、
多孔板、例えば、多数の孔がが穿設された多孔板で形成
されている（第３図）。この場合、他の分散板ｎの孔５
Ｉよ、他の分散板器の ：中心を通る複数の放射線上に
、かつ、等ピッチの同心円上に配置され、孔５の開口面
積は、他の分散板ｎの中心部から外縁端部に向うにした
がって漸次太き曵なっている。また、分散板ｎの孔必は
。
分散板ｎの外周辺部を除くテーブル園に載置されるウェ
ハ９表面をカバー可能な範囲内に、同一開口面積、同一
ビッテで規則的に配置ｉ！（正三角形配置あるいは正四
角形配置）される。孔冴のピッチは、テーブル（資）に
載置されるウェハ５０表面へのガス供給の等方性を増す
ために小さい方が好ましい。
ハ９表面をカバー可能な範囲内に、同一開口面積、同一
ビッテで規則的に配置ｉ！（正三角形配置あるいは正四
角形配置）される。孔冴のピッチは、テーブル（資）に
載置されるウェハ５０表面へのガス供給の等方性を増す
ために小さい方が好ましい。
なお、テーブル萄の側面並びに放電空間初と反対側面は
、電気絶縁体３１で被覆されている。また。
、電気絶縁体３１で被覆されている。また。
テーブル（資）の放電空間旬と反対側面には、電気絶縁
体３１で外周面を被覆され、一端部が真空室１０内に突
出しその底壁に気密に設けられた軸１３が連結されてい
る。テーブル園には、熱媒溝羽が形成され、軸１３には
、熱媒溝羽に連通して熱媒流通路１４ａ、１４ｂが形成
されている。軸１３には、電源、―えば、高周波電源釦
が接続されている。また、真空室１０の底壁には、排気
ノズルｂが設けられ、排気ノズル七は、真空室１０外に
設置された真空排気装置Ｎ（図示省略）に連結されてい
る。また、真空室１０は、外部との間でウェハ関を搬入
出可能な構造となっている。
体３１で外周面を被覆され、一端部が真空室１０内に突
出しその底壁に気密に設けられた軸１３が連結されてい
る。テーブル園には、熱媒溝羽が形成され、軸１３には
、熱媒溝羽に連通して熱媒流通路１４ａ、１４ｂが形成
されている。軸１３には、電源、―えば、高周波電源釦
が接続されている。また、真空室１０の底壁には、排気
ノズルｂが設けられ、排気ノズル七は、真空室１０外に
設置された真空排気装置Ｎ（図示省略）に連結されてい
る。また、真空室１０は、外部との間でウェハ関を搬入
出可能な構造となっている。
例えば、真空室１０は、真空排気装置により所定圧力ま
で減圧排気される。この減圧排気完了後、真空室１０に
は、外部よりウェハ父が搬入され、このウェハ父は、こ
の場合、テーブル（資）の中央部に載置される。一方、
ガス供給装置からのガスはガス導管を介してガス流通路
１１に供給され、ガス流通路１１を流通した後に、Ｎ１
空室４２．第２空室Ｃを順次通過して放電空間旬、つま
り、ウェハ関表面に供給される。
で減圧排気される。この減圧排気完了後、真空室１０に
は、外部よりウェハ父が搬入され、このウェハ父は、こ
の場合、テーブル（資）の中央部に載置される。一方、
ガス供給装置からのガスはガス導管を介してガス流通路
１１に供給され、ガス流通路１１を流通した後に、Ｎ１
空室４２．第２空室Ｃを順次通過して放電空間旬、つま
り、ウェハ関表面に供給される。
この場合、ガス流通路１１を流通した後に第１空室４２
に供給されたガスは、第１空室４２内を半径方向へ流動
する。この際、圧力損失が生じ他の分散板器の中心部か
ら外縁端部に向うにしたがって孔５を通過するガス速度
は漸次小となるが、しかし、孔怒の開口面積が中心部か
ら外縁端部に向って漸次太き畷なっているために、孔５
の開口面積当りのガスの第２空室０への供給量は、他の
分散板久の中心部においても周辺部において−も等量と
なる。
に供給されたガスは、第１空室４２内を半径方向へ流動
する。この際、圧力損失が生じ他の分散板器の中心部か
ら外縁端部に向うにしたがって孔５を通過するガス速度
は漸次小となるが、しかし、孔怒の開口面積が中心部か
ら外縁端部に向って漸次太き畷なっているために、孔５
の開口面積当りのガスの第２空室０への供給量は、他の
分散板久の中心部においても周辺部において−も等量と
なる。
このため、その後の第２空室招においては、ガスの圧力
は、第２空室４３の全域で一定となり、分散板部の孔冴
からのガス速度は、孔冴の位置に関係なく等速となる。
は、第２空室４３の全域で一定となり、分散板部の孔冴
からのガス速度は、孔冴の位置に関係なく等速となる。
また、分散板４の孔冴がウェハ（資）表面をカバー可能
な範囲内に同−開口面積、同一ピッチで規則的に配置さ
れているため、ウェハ５０表面へ等速１等量のガスが供
給される。
な範囲内に同−開口面積、同一ピッチで規則的に配置さ
れているため、ウェハ５０表面へ等速１等量のガスが供
給される。
このようなガスの供給と共に、真空室１０内が処理に必
要な圧力に調整される。その後、高周波電源ωが入力さ
れ対向電極加とテーブル（資）との間にグロー放電が生
じ、この放電によりガスはプラズマ化される。このプラ
ズマによりウェハ父が所定の処理され、ウェハ５０表面
に供給されたガスは。
要な圧力に調整される。その後、高周波電源ωが入力さ
れ対向電極加とテーブル（資）との間にグロー放電が生
じ、この放電によりガスはプラズマ化される。このプラ
ズマによりウェハ父が所定の処理され、ウェハ５０表面
に供給されたガスは。
テーブル刃を迂回して排気ノズル１５を通った後に真空
排気装置により排気される。
排気装置により排気される。
二のようなプラズマによる処理の際、ウェハ（資）は所
定温度に調整される。すなわち、真空室１０外に紋理さ
れた熱媒温度制御装置＋！（図示省略）によって温度を
制御された熱媒は、熱媒流通路１４ ａを経て熱媒溝諺
に供給され熱媒溝兇を流通する。この間に熱媒は、テー
ブル刃を介しウェハ父の温度を所定温度に調整する。そ
の後、熱媒？１１３２を流通しだ熱媒は、熱媒流通路１
４ ｂを経て熱媒温度制御装置に戻される。
定温度に調整される。すなわち、真空室１０外に紋理さ
れた熱媒温度制御装置＋！（図示省略）によって温度を
制御された熱媒は、熱媒流通路１４ ａを経て熱媒溝諺
に供給され熱媒溝兇を流通する。この間に熱媒は、テー
ブル刃を介しウェハ父の温度を所定温度に調整する。そ
の後、熱媒？１１３２を流通しだ熱媒は、熱媒流通路１
４ ｂを経て熱媒温度制御装置に戻される。
本実施例のような半導体製造装置では、対向電極からテ
ーブルに載置されたウェハ表面へガスを等速９等量で供
給できるので、ウェハ処理の均一性を向上できる。
ーブルに載置されたウェハ表面へガスを等速９等量で供
給できるので、ウェハ処理の均一性を向上できる。
第４図は、他の分散板の他の実施例を示すもので、他の
分散板２３１には、一つの同心円上の孔５が放射線の一
つ飛びに、かつ、隣接する孔５が同一放射線上とならな
いように互いにずらされ配置されている。また、孔５の
開口面積は、他の分散板ｎ′の中心部から外縁端部に向
う舎こしたがって漸次大きくな９ている。
分散板２３１には、一つの同心円上の孔５が放射線の一
つ飛びに、かつ、隣接する孔５が同一放射線上とならな
いように互いにずらされ配置されている。また、孔５の
開口面積は、他の分散板ｎ′の中心部から外縁端部に向
う舎こしたがって漸次大きくな９ている。
このような他の分散板を用いた場合は、他の分散板から
Ｍ２空室〜のガス供給の等量性を一実施 ）。
Ｍ２空室〜のガス供給の等量性を一実施 ）。
例の場合より更に向上させることができる。
＠５図は、他の分散板の更に他の実施例を示すもので、
他の分散板２３′には、開口面積が等しい孔２が他の分
散板部′の中心部から外縁端部に向うにしたがって同心
円上の個数を漸次多くして配置されている。
他の分散板２３′には、開口面積が等しい孔２が他の分
散板部′の中心部から外縁端部に向うにしたがって同心
円上の個数を漸次多くして配置されている。
このような他の分散板を用いた場合は、一実施例、他の
実施例と比較し孔の総開口面積が等しい場合、他の分散
板から第２空室へのガス供給の等量性を更に向上させる
ことができ、また、孔の開口面積が同一であるため、他
の分散板の加工も容易となる。
実施例と比較し孔の総開口面積が等しい場合、他の分散
板から第２空室へのガス供給の等量性を更に向上させる
ことができ、また、孔の開口面積が同一であるため、他
の分散板の加工も容易となる。
なお、本実施例では、分散板と他の分散板とを形成する
多孔体として多孔板を用いているが、多孔体としては、
その他に網目状物、多孔質鋳造物。
多孔体として多孔板を用いているが、多孔体としては、
その他に網目状物、多孔質鋳造物。
多孔質セラミックス、多孔質焼結金属等を用いても良い
。
。
本発明は１以上説明したように、真空室にテーブルと対
向して内設される対向電極を、一端面が開放され他端面
にガス流通路を有する軸が連結されたケーシングと、該
ケーシングの一端面に構設されガス流通路と連通した空
室なケーシングと形成する分散板と、空室を第１空室と
第２空室とに連通可能に分離して空室に内設された他の
分散板とで構成したことで、対向電極からテーブルに載
置されたウェハ表面へガスを等速９等量で供給できるの
で、ウェハ処理の均一性を向上できる効果がある。
向して内設される対向電極を、一端面が開放され他端面
にガス流通路を有する軸が連結されたケーシングと、該
ケーシングの一端面に構設されガス流通路と連通した空
室なケーシングと形成する分散板と、空室を第１空室と
第２空室とに連通可能に分離して空室に内設された他の
分散板とで構成したことで、対向電極からテーブルに載
置されたウェハ表面へガスを等速９等量で供給できるの
で、ウェハ処理の均一性を向上できる効果がある。
第１図は、本発明による半導体製造装置の一実施例を示
す真空室の縦断面図、第２図は、第１図の対向電極を構
成する分散板の平面図、第３図は、第１図の対向電極を
構成する他の分散板の平面図、第４図は、他の分散板の
他の実施例を示す平面図、第５図は、他の分散板の更に
他の実施例を示す平面図である。
す真空室の縦断面図、第２図は、第１図の対向電極を構
成する分散板の平面図、第３図は、第１図の対向電極を
構成する他の分散板の平面図、第４図は、他の分散板の
他の実施例を示す平面図、第５図は、他の分散板の更に
他の実施例を示す平面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空室に対向電極とテーブルとが対向して内設され
、対向電極を介して真空室にガスを供給すると共に、対
向電極とテーブルとの間でグロー放電な生ぜしめてテー
ブルに載置されたウェハな処理する装置において、前記
対向電極を、一端面が開放され他端面にガス流路を有す
る軸が連結されたケーシングと、該ケーシングの一端面
に構設されガス流通路と連通した空室なケーシングと形
成する分散板と、空室なガス流通路側の空室と分散板側
の空室とに連通可能に分離して空室に内股された他の分
散板とで構成したことを特徴とする半導体製造装置。 ２ 前記分散板と前記他の分散板とを多孔体で形成した
特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。 ３、 前記分散板に多数穿設される孔を、前記テーブル
に１ａｊｌｊされる前記ウェハ表面をカバー可能な範囲
内に同一開口面積、同一ピプＰで規則的に配置した特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体製造装置。 ４、 前記軸を前記ケーシングの他端面中心部に連結す
ると共に、前記他の分散板に多数穿設される孔を、他の
分散板の中心を通る複数の放射線上に、かつ、等ピッチ
の同心円上に配置し、孔の開口面積を他の分散板の中心
部から外縁端部に向うにしたがって漸次大きくした特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体製造装置。 ５、前記軸を前記ケーシングの他端面中心部Ｉこ連結す
ると共に、前記他の分散板に多数穿設される孔を、一つ
の同心円上の孔が放射線の一つ飛びに、かつ、隣接する
孔が同一放射線上とならないように互にずらして配置し
、孔の開口面積を他の分散板の中心部から外縁端部に向
う・こしたがって漸次大きくした特許請求の範囲第１項
又は＄２項記載の半導体製造装置。 ６、前記軸を前記ケーシングの他端面中心部署こ連結す
ると共に、前記他の分散板に多数穿設される孔を、他の
分散板の中心部から外縁端部に向うにしたがって同心円
上の個数を漸次多くして配置し、孔の開口面積を等し曵
した特許請求の範囲第１項又は第２項記戦の半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325883A JPS6046029A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325883A JPS6046029A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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