JPH07249585A - 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
半導体製造装置及びそのクリーニング方法Info
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- JPH07249585A JPH07249585A JP6041335A JP4133594A JPH07249585A JP H07249585 A JPH07249585 A JP H07249585A JP 6041335 A JP6041335 A JP 6041335A JP 4133594 A JP4133594 A JP 4133594A JP H07249585 A JPH07249585 A JP H07249585A
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- Japan
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- cleaning
- gas
- processing container
- manufacturing apparatus
- clf
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置の処理容器内面に与えるダメ
ージを抑え、かつ、付着した皮膜を短時間に除去するこ
とができるクリーニング技術を提供する。 【構成】 内部を排気可能な処理容器と、少なくとも処
理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し
部を有し、ＣｌＦ3 を含むクリーニングガスを処理容器
内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と
を含む。処理容器を円筒状とし、第１のクリーニングガ
ス供給手段を、処理容器の一方の端から処理容器の内面
または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の棒状
体とし、その側面に多数の貫通孔を設けてもよい。
ージを抑え、かつ、付着した皮膜を短時間に除去するこ
とができるクリーニング技術を提供する。 【構成】 内部を排気可能な処理容器と、少なくとも処
理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し
部を有し、ＣｌＦ3 を含むクリーニングガスを処理容器
内に導入するための第１のクリーニングガス供給手段と
を含む。処理容器を円筒状とし、第１のクリーニングガ
ス供給手段を、処理容器の一方の端から処理容器の内面
または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の棒状
体とし、その側面に多数の貫通孔を設けてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣｌＦ3 を用いた半導
体製造装置の処理室及び配管等のクリーニングに関す
る。
体製造装置の処理室及び配管等のクリーニングに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣｌＦ3 を用いた半導体製造装置のクリ
ーニング方法が、特開平５−２２６２７０号に開示され
ている。
ーニング方法が、特開平５−２２６２７０号に開示され
ている。
【０００３】図８（Ａ）は、、特開平５−２２６２７０
号に開示されているタングステン（Ｗ）もしくはタング
ステンシリサイド（ＷＳｉ）の皮膜形成用ＣＶＤ装置の
概略断面図を示す。アルミニウム等からなる処理容器１
００の底面中央部に基板を設置するためのサセプタ１０
１が配置されている。成膜処理が行われる時には、サセ
プタ１０１上に基板１０２が載置される。
号に開示されているタングステン（Ｗ）もしくはタング
ステンシリサイド（ＷＳｉ）の皮膜形成用ＣＶＤ装置の
概略断面図を示す。アルミニウム等からなる処理容器１
００の底面中央部に基板を設置するためのサセプタ１０
１が配置されている。成膜処理が行われる時には、サセ
プタ１０１上に基板１０２が載置される。
【０００４】サセプタ１０１の上方にはガス配管１０４
が開口し、開口部を取り囲むように多孔板１０３が取り
付けられている。ガス配管１０４の開口部から噴出した
ソースガスもしくはクリーニングガスは、多孔板１０３
の孔を通って処理容器１００内に導入される。
が開口し、開口部を取り囲むように多孔板１０３が取り
付けられている。ガス配管１０４の開口部から噴出した
ソースガスもしくはクリーニングガスは、多孔板１０３
の孔を通って処理容器１００内に導入される。
【０００５】処理容器１００の底面には、ガス排気用配
管１０５が設けられている。ガス排気用配管１０５は図
には示さない真空ポンプに接続されている。処理容器１
００内の反応ガスまたはクリーニングガスは配管１０５
を通して排気される。
管１０５が設けられている。ガス排気用配管１０５は図
には示さない真空ポンプに接続されている。処理容器１
００内の反応ガスまたはクリーニングガスは配管１０５
を通して排気される。
【０００６】図８（Ｂ）は、従来の横型ＣＶＤ装置の概
略断面図を示す。石英等の円筒状反応管１１０の両端開
口部にそれぞれフランジ１１１、１１２が取り付けられ
ている。一方のフランジ１１１の側面にはガス配管１１
４が開口しており、反応管１１０内にＣｌＦ3 を含むク
リーニングガスを導入することができる。フランジ１１
１側の開口部は、キャップ１１８により密閉される。
略断面図を示す。石英等の円筒状反応管１１０の両端開
口部にそれぞれフランジ１１１、１１２が取り付けられ
ている。一方のフランジ１１１の側面にはガス配管１１
４が開口しており、反応管１１０内にＣｌＦ3 を含むク
リーニングガスを導入することができる。フランジ１１
１側の開口部は、キャップ１１８により密閉される。
【０００７】他方のフランジ１１２には、排気用配管１
１５が設けられており、反応管１１０内のガスを排気す
ることができる。反応管１１０の周囲には、加熱用のコ
イル１１６が配置されている。
１５が設けられており、反応管１１０内のガスを排気す
ることができる。反応管１１０の周囲には、加熱用のコ
イル１１６が配置されている。
【０００８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）において、処理
容器１００または反応管１１０内に導入されたクリーニ
ングガスは、成膜時に内面に付着したタングステン、タ
ングステンシリサイド、ポリシリコン等の皮膜をエッチ
ングする。エッチングによって生成したガスは、排気用
配管１０５または１１５を通って外部に排気される。こ
のようにして、容器内をクリーニングすることができ
る。
容器１００または反応管１１０内に導入されたクリーニ
ングガスは、成膜時に内面に付着したタングステン、タ
ングステンシリサイド、ポリシリコン等の皮膜をエッチ
ングする。エッチングによって生成したガスは、排気用
配管１０５または１１５を通って外部に排気される。こ
のようにして、容器内をクリーニングすることができ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例によるクリ
ーニング方法では、クリーニングガス流の上流で反応し
た後のガスが下流に流れるため、上流側でＣｌＦ3 濃度
が高く、下流で低くなる。このため、容器内面のガス上
流部分でエッチング速度が速くなる。
ーニング方法では、クリーニングガス流の上流で反応し
た後のガスが下流に流れるため、上流側でＣｌＦ3 濃度
が高く、下流で低くなる。このため、容器内面のガス上
流部分でエッチング速度が速くなる。
【００１０】ＣｌＦ3 は、容器内面に付着したポリシリ
コンのみならず、石英をもわずかにエッチングする。従
って、石英を使用した反応容器をクリーニングする場
合、ガス流の上流側の石英容器内面がダメージを受けや
すい。
コンのみならず、石英をもわずかにエッチングする。従
って、石英を使用した反応容器をクリーニングする場
合、ガス流の上流側の石英容器内面がダメージを受けや
すい。
【００１１】また、排気用配管内は、反応後のガス中に
残留するＣｌＦ3 によってわずかにクリーニングされる
が、クリーニング効果は小さい。成膜用ガスのみが流れ
るガス供給用配管は、全くクリーニングされない。
残留するＣｌＦ3 によってわずかにクリーニングされる
が、クリーニング効果は小さい。成膜用ガスのみが流れ
るガス供給用配管は、全くクリーニングされない。
【００１２】また、製造装置のスループットを向上させ
るためには、エッチング速度を増加してクリーニング時
間を短縮する必要がある。エッチング速度を増加させる
ためにはＣｌＦ3 の流量を増加する必要があるが、コス
ト増といった問題を生じる。
るためには、エッチング速度を増加してクリーニング時
間を短縮する必要がある。エッチング速度を増加させる
ためにはＣｌＦ3 の流量を増加する必要があるが、コス
ト増といった問題を生じる。
【００１３】また、容器内面に付着したポリシリコン薄
膜の厚さは均一ではないため、膜厚の薄い部分が全てエ
ッチングされると石英容器内面が露出する。露出した部
分はＣｌＦ3 によってオーバエッチされダメージを受け
る。このため、クリーニングを繰り返し実施すると石英
容器の透明度が失われて（失透して）いく。
膜の厚さは均一ではないため、膜厚の薄い部分が全てエ
ッチングされると石英容器内面が露出する。露出した部
分はＣｌＦ3 によってオーバエッチされダメージを受け
る。このため、クリーニングを繰り返し実施すると石英
容器の透明度が失われて（失透して）いく。
【００１４】本発明の目的は、半導体製造装置の処理容
器内面に与えるダメージを抑え、かつ、付着した皮膜を
短時間に除去することができるクリーニング技術を提供
することである。
器内面に与えるダメージを抑え、かつ、付着した皮膜を
短時間に除去することができるクリーニング技術を提供
することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、内部を排気可能な処理容器と、少なくとも前
記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き
出し部を有し、ＣｌＦ 3 を含むクリーニングガスを処理
容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手
段とを含む。
造装置は、内部を排気可能な処理容器と、少なくとも前
記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き
出し部を有し、ＣｌＦ 3 を含むクリーニングガスを処理
容器内に導入するための第１のクリーニングガス供給手
段とを含む。
【００１６】前記処理容器を円筒状とし、前記第１のク
リーニングガス供給手段を、前記処理容器の一方の端か
ら処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延
在する中空の筒状体とし、その側面に多数の貫通孔を設
けてもよい。
リーニングガス供給手段を、前記処理容器の一方の端か
ら処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延
在する中空の筒状体とし、その側面に多数の貫通孔を設
けてもよい。
【００１７】さらに、前記複数のガス吹き出し口のうち
少なくとも１つ以上のガス吹き出し口に選択的にクリー
ニングガスを供給するためのガス切換手段を設けてもよ
い。さらに、クリーニングガスによるクリーニング速度
を可変制御する制御手段を設けてもよい。
少なくとも１つ以上のガス吹き出し口に選択的にクリー
ニングガスを供給するためのガス切換手段を設けてもよ
い。さらに、クリーニングガスによるクリーニング速度
を可変制御する制御手段を設けてもよい。
【００１８】本発明の半導体製造装置のクリーニング方
法は、内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ3 を含むク
リーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニン
グする半導体製造装置のクリーニング方法において、ク
リーニングガスにアルコール蒸気を含ませる工程を含
む。
法は、内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ3 を含むク
リーニングガスを供給して前記処理容器内をクリーニン
グする半導体製造装置のクリーニング方法において、ク
リーニングガスにアルコール蒸気を含ませる工程を含
む。
【００１９】本発明の他の半導体製造装置のクリーニン
グ方法は、内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ3 を含
むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着
した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法
において、所定のクリーニング条件で前記クリーニング
ガスを前記処理容器内に供給する初期クリーニング工程
と、前記クリーニングガスによる前記処理容器自体のエ
ッチング速度が、前記初期クリーニング工程のクリーニ
ング条件におけるエッチング速度よりも遅くなるように
クリーニング条件を変化させる変化工程とを含む。
グ方法は、内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ3 を含
むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着
した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法
において、所定のクリーニング条件で前記クリーニング
ガスを前記処理容器内に供給する初期クリーニング工程
と、前記クリーニングガスによる前記処理容器自体のエ
ッチング速度が、前記初期クリーニング工程のクリーニ
ング条件におけるエッチング速度よりも遅くなるように
クリーニング条件を変化させる変化工程とを含む。
【００２０】本発明の他の半導体製造装置のクリーニン
グ方法は、内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ3 を含
むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着
した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法
において、前記処理容器に設けられた複数のガス導入部
のうち、一部のガス導入部からのみクリーニングガスを
導入する工程と、前記一部のガス導入部からのクリーニ
ングガス導入を停止し、他のガス導入部からクリーニン
グガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む。
グ方法は、内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ3 を含
むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内に付着
した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニング方法
において、前記処理容器に設けられた複数のガス導入部
のうち、一部のガス導入部からのみクリーニングガスを
導入する工程と、前記一部のガス導入部からのクリーニ
ングガス導入を停止し、他のガス導入部からクリーニン
グガス導入を開始するガス導入部切換工程とを含む。
【００２１】
【作用】処理容器内にクリーニングガスをほぼ均一に供
給することにより、付着した皮膜をほぼ均等にエッチン
グすることができる。このため、部分的に処理容器内面
がオーバエッチされることを抑制することができる。
給することにより、付着した皮膜をほぼ均等にエッチン
グすることができる。このため、部分的に処理容器内面
がオーバエッチされることを抑制することができる。
【００２２】処理容器の複数箇所にクリーニングガス導
入手段を設け、時間的に切り換えて各クリーニングガス
導入手段からクリーニングガスを導入することにより、
処理容器内面に付着した皮膜が既に除去された部分には
ガスを供給せず、皮膜が残っている部分にのみガスを供
給することができる。このため、処理容器内面のうち既
に皮膜が除去された部分がオーバエッチされることを抑
制することができる。
入手段を設け、時間的に切り換えて各クリーニングガス
導入手段からクリーニングガスを導入することにより、
処理容器内面に付着した皮膜が既に除去された部分には
ガスを供給せず、皮膜が残っている部分にのみガスを供
給することができる。このため、処理容器内面のうち既
に皮膜が除去された部分がオーバエッチされることを抑
制することができる。
【００２３】クリーニングガスにアルコール蒸気を含ま
せることにより、エッチング速度を速め、クリーニング
時間を短縮することができる。処理容器内面に付着した
皮膜をエッチングし皮膜の厚さが薄くなった時を検出
し、処理容器自体をエッチングする速度が遅くなるよう
にクリーニングガス供給条件を変化させることにより、
処理容器自体をオーバエッチすることを抑制することが
できる。
せることにより、エッチング速度を速め、クリーニング
時間を短縮することができる。処理容器内面に付着した
皮膜をエッチングし皮膜の厚さが薄くなった時を検出
し、処理容器自体をエッチングする速度が遅くなるよう
にクリーニングガス供給条件を変化させることにより、
処理容器自体をオーバエッチすることを抑制することが
できる。
【００２４】
【実施例】図１を参照して本発明の第１の実施例につい
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例によるＣＶ
Ｄ装置の概略図及びガス供給系統図を示す。内径２０ｃ
ｍ、外径２１ｃｍ、長さ２００ｃｍの円筒状の石英製反
応管１の両側の開口部にそれぞれマニホールドフランジ
２及びフランジ３が取り付けられている。マニホールド
フランジ２及びフランジ３と反応管１との接合面は、そ
れぞれＯリング４及び５によって気密性が保たれてい
る。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例によるＣＶ
Ｄ装置の概略図及びガス供給系統図を示す。内径２０ｃ
ｍ、外径２１ｃｍ、長さ２００ｃｍの円筒状の石英製反
応管１の両側の開口部にそれぞれマニホールドフランジ
２及びフランジ３が取り付けられている。マニホールド
フランジ２及びフランジ３と反応管１との接合面は、そ
れぞれＯリング４及び５によって気密性が保たれてい
る。
【００２５】マニホールドフランジ２の開口部はキャッ
プ６によって蓋がされ、密閉されている。フランジ３の
中央部には、排気用配管２０が設けられている。排気用
配管２０は、ホットバルブ２１を介して真空ポンプ２２
に接続されている。真空ポンプ２２の排気側は除害装置
２３に接続されており、反応管１内のガスは無害なガス
とされて外部に排出される。真空ポンプ２２は、例えば
予備排気用のドライポンプと本排気用のメカニカルブー
スタポンプ等で構成される。排気用配管２０の周囲には
加熱用配管２４が配置されており、排気用配管２０を加
熱することができる。
プ６によって蓋がされ、密閉されている。フランジ３の
中央部には、排気用配管２０が設けられている。排気用
配管２０は、ホットバルブ２１を介して真空ポンプ２２
に接続されている。真空ポンプ２２の排気側は除害装置
２３に接続されており、反応管１内のガスは無害なガス
とされて外部に排出される。真空ポンプ２２は、例えば
予備排気用のドライポンプと本排気用のメカニカルブー
スタポンプ等で構成される。排気用配管２０の周囲には
加熱用配管２４が配置されており、排気用配管２０を加
熱することができる。
【００２６】マニホールドフランジ２の側面には、ガス
導入ポート１０が設けられている。シャワーノズル１１
がガス導入ポート１０にはめ込まれ、反応管１の内面に
沿って排気側のフランジ３の近傍まで延在している。シ
ャワーノズル１１は、外径６．２ｍｍ、内径４．２ｍ
ｍ、長さ１６０ｃｍの石英管であり、その側面には直径
１ｍｍの多数のガス吹出孔１２が設けられている。シャ
ワーノズル１１の先端部は密閉されている。
導入ポート１０が設けられている。シャワーノズル１１
がガス導入ポート１０にはめ込まれ、反応管１の内面に
沿って排気側のフランジ３の近傍まで延在している。シ
ャワーノズル１１は、外径６．２ｍｍ、内径４．２ｍ
ｍ、長さ１６０ｃｍの石英管であり、その側面には直径
１ｍｍの多数のガス吹出孔１２が設けられている。シャ
ワーノズル１１の先端部は密閉されている。
【００２７】マニホールドフランジ２内には、Ｏリング
４のシール部に沿って冷却水を流すための冷却水路１５
が設けられている。同様にフランジ３の外面には、Ｏリ
ング５のシール部に沿って冷却水を流すための冷却水路
１６が設けられている。反応管１の周囲には、反応管内
部を加熱するためのヒータ１７が配置されている。
４のシール部に沿って冷却水を流すための冷却水路１５
が設けられている。同様にフランジ３の外面には、Ｏリ
ング５のシール部に沿って冷却水を流すための冷却水路
１６が設けられている。反応管１の周囲には、反応管内
部を加熱するためのヒータ１７が配置されている。
【００２８】クリーニングガスを供給するため、ＣｌＦ
3 ガスボンベ３０及びＮ2 ガスボンベ３１が配置されて
いる。それぞれのガスボンベから供給されたガスは、減
圧弁、バルブ、マスフローコントローラを介して合流点
３２で混合される。ＣｌＦ3とＮ2 が混合されたクリー
ニングガスはバルブ３３を介して分岐点３４に供給さ
れ、配管３５、３６及び３７に分流される。
3 ガスボンベ３０及びＮ2 ガスボンベ３１が配置されて
いる。それぞれのガスボンベから供給されたガスは、減
圧弁、バルブ、マスフローコントローラを介して合流点
３２で混合される。ＣｌＦ3とＮ2 が混合されたクリー
ニングガスはバルブ３３を介して分岐点３４に供給さ
れ、配管３５、３６及び３７に分流される。
【００２９】配管３５は、排気用配管２０のホットバル
ブ２１よりも上流側に開口し、排気用配管２０内にクリ
ーニングガスを導入することができる。これにより、排
気用配管２０内の内面に付着したポリシリコン等の生成
物を除去することができる。この際、加熱用配管２４に
よって排気用配管２０を約８０℃に加熱することによ
り、クリーニング効果を高めることができる。
ブ２１よりも上流側に開口し、排気用配管２０内にクリ
ーニングガスを導入することができる。これにより、排
気用配管２０内の内面に付着したポリシリコン等の生成
物を除去することができる。この際、加熱用配管２４に
よって排気用配管２０を約８０℃に加熱することによ
り、クリーニング効果を高めることができる。
【００３０】配管３６は、ガス導入用ポート１０に接続
され、シャワーノズル１１内にクリーニングガスを導入
する。シラン等の成膜用ガスボンベ４０が、減圧弁４０
ａ、バルブ４０ｃ、マスフローコントローラ４０ｂ等を
介して合流点４１に接続されている。合流点４１には、
さらに配管３７がバルブ３７ｃを介して接続されてい
る。合流点４１に供給されたガスは配管４２に供給され
る。配管４２は、マニホールドフランジ２の図には示さ
ない成膜用ガスポートに接続されており、反応管１内に
成膜用ガスを供給する。
され、シャワーノズル１１内にクリーニングガスを導入
する。シラン等の成膜用ガスボンベ４０が、減圧弁４０
ａ、バルブ４０ｃ、マスフローコントローラ４０ｂ等を
介して合流点４１に接続されている。合流点４１には、
さらに配管３７がバルブ３７ｃを介して接続されてい
る。合流点４１に供給されたガスは配管４２に供給され
る。配管４２は、マニホールドフランジ２の図には示さ
ない成膜用ガスポートに接続されており、反応管１内に
成膜用ガスを供給する。
【００３１】成膜時には、バルブ３７ｃを閉じ、バルブ
４０ｃを開けて配管４２に成膜用ガスを供給する。ま
た、クリーニング時には、バルブ４０ｃを閉じバルブ３
７ｃを開けることにより、配管４２等の成膜用ガス供給
系にクリーニングガスを供給する。これにより、成膜用
ガス供給系内に付着した皮膜を除去することができる。
４０ｃを開けて配管４２に成膜用ガスを供給する。ま
た、クリーニング時には、バルブ４０ｃを閉じバルブ３
７ｃを開けることにより、配管４２等の成膜用ガス供給
系にクリーニングガスを供給する。これにより、成膜用
ガス供給系内に付着した皮膜を除去することができる。
【００３２】上記反応管１内に付着した厚さ５μｍのポ
リシリコン膜をＣｌＦ3 の濃度５％のクリーニングガス
を使用し、反応管内の温度を６２０℃、圧力を２４０Ｐ
ａとしてクリーニングした。ポリシリコン膜を完全に除
去するのに必要な時間は約３０分であった。これに対
し、シャワーノズル１１を使用せず、ガス導入ポート１
０から直接混合ガスを導入した場合は、同一条件下でポ
リシリコンを除去するために５０分必要であった。この
ように、シャワーノズル１１を使用することにより、ク
リーニング時間を短縮することができる。
リシリコン膜をＣｌＦ3 の濃度５％のクリーニングガス
を使用し、反応管内の温度を６２０℃、圧力を２４０Ｐ
ａとしてクリーニングした。ポリシリコン膜を完全に除
去するのに必要な時間は約３０分であった。これに対
し、シャワーノズル１１を使用せず、ガス導入ポート１
０から直接混合ガスを導入した場合は、同一条件下でポ
リシリコンを除去するために５０分必要であった。この
ように、シャワーノズル１１を使用することにより、ク
リーニング時間を短縮することができる。
【００３３】また、シャワーノズル１１を使用すると上
流から下流までの全領域にほぼ所望量のガスを供給で
き、クリーニングガスを反応管１内にほぼ均一に行きわ
たらせることができる。このため、反応管内面をほぼ均
一にクリーニングすることができる。ガス流の上流側と
下流側でＣｌＦ3 濃度の差が小さくエッチング速度の差
が小さいため、ガス上流側の反応管内面が受けるダメー
ジを抑制することができる。
流から下流までの全領域にほぼ所望量のガスを供給で
き、クリーニングガスを反応管１内にほぼ均一に行きわ
たらせることができる。このため、反応管内面をほぼ均
一にクリーニングすることができる。ガス流の上流側と
下流側でＣｌＦ3 濃度の差が小さくエッチング速度の差
が小さいため、ガス上流側の反応管内面が受けるダメー
ジを抑制することができる。
【００３４】また、Ｏリング４及び５のシール部は、冷
却水路１５及び１６に冷却水を流すことにより約５０℃
以下に保たれる。このように、シール部を冷却すること
により、クリーニングガスによってシール部が受けるダ
メージを抑制することができる。
却水路１５及び１６に冷却水を流すことにより約５０℃
以下に保たれる。このように、シール部を冷却すること
により、クリーニングガスによってシール部が受けるダ
メージを抑制することができる。
【００３５】図２を参照して第１の実施例の変形例につ
いて説明する。図２（Ａ）に示すＣＶＤ装置の反応管
１、マニホールドフランジ２、フランジ３及び排気用配
管２０は、図１と同様の構成である。なお、冷却水路、
Ｏリング等は省略してある。
いて説明する。図２（Ａ）に示すＣＶＤ装置の反応管
１、マニホールドフランジ２、フランジ３及び排気用配
管２０は、図１と同様の構成である。なお、冷却水路、
Ｏリング等は省略してある。
【００３６】マニホールドフランジ２のほぼ中央部を貫
通して円筒状のシャワーノズル５０が反応管１内に挿入
されている。シャワーノズル５０の先端部は、排気側の
フランジ３の近傍まで挿入されている。図１では、シャ
ワーノズル１１が反応管の内面に沿うように配置されて
いたのに対し、本変形例では、反応管１のほぼ中心軸に
沿って配置されている。
通して円筒状のシャワーノズル５０が反応管１内に挿入
されている。シャワーノズル５０の先端部は、排気側の
フランジ３の近傍まで挿入されている。図１では、シャ
ワーノズル１１が反応管の内面に沿うように配置されて
いたのに対し、本変形例では、反応管１のほぼ中心軸に
沿って配置されている。
【００３７】成膜時には、シャワーノズル５０は取り外
され、クリーニング時にのみ取り付けられる。シャワー
ノズル５０内には図１と同様のガス供給系によりクリー
ニングガスが供給される。
され、クリーニング時にのみ取り付けられる。シャワー
ノズル５０内には図１と同様のガス供給系によりクリー
ニングガスが供給される。
【００３８】図２（Ｂ）は、シャワーノズル５０の先端
部の正面図及び側面図を示す。シャワーノズル５０の側
面及び先端面には、多数のガス吹出孔５１が設けられて
いる。内部に導入されたクリーニングガスは、ガス吹出
孔５１から吹き出し、反応管１の内部全体にほぼ均一に
供給される。
部の正面図及び側面図を示す。シャワーノズル５０の側
面及び先端面には、多数のガス吹出孔５１が設けられて
いる。内部に導入されたクリーニングガスは、ガス吹出
孔５１から吹き出し、反応管１の内部全体にほぼ均一に
供給される。
【００３９】このように、シャワーノズルを反応管の中
心軸にそって配置しても、図１の場合とほぼ同様の効果
を得ることができる。図２（Ｃ）は、シャワーノズル５
０側面の一点鎖線Ｃ−Ｃを通る断面を示す。ガス吹出孔
５１は、その中心軸がシャワーノズル５０の中心軸を含
む平面内にあり、かつシャワーノズル５０の中心軸と所
定の角度をもって傾いて形成されている。シャワーノズ
ル５０の中心軸方向に隣り合うガス吹出孔５１ａ及び５
１ｂは、その傾きが互いに逆向きであり、それぞれの孔
から吹き出したガス流５２ａ、５２ｂがぶつかり合うよ
うに形成されている。例えば、ガス吹出孔５１の中心軸
とシャワーノズル５０の中心軸とのなす角が６０°にな
るように傾斜をもたせてもよい。
心軸にそって配置しても、図１の場合とほぼ同様の効果
を得ることができる。図２（Ｃ）は、シャワーノズル５
０側面の一点鎖線Ｃ−Ｃを通る断面を示す。ガス吹出孔
５１は、その中心軸がシャワーノズル５０の中心軸を含
む平面内にあり、かつシャワーノズル５０の中心軸と所
定の角度をもって傾いて形成されている。シャワーノズ
ル５０の中心軸方向に隣り合うガス吹出孔５１ａ及び５
１ｂは、その傾きが互いに逆向きであり、それぞれの孔
から吹き出したガス流５２ａ、５２ｂがぶつかり合うよ
うに形成されている。例えば、ガス吹出孔５１の中心軸
とシャワーノズル５０の中心軸とのなす角が６０°にな
るように傾斜をもたせてもよい。
【００４０】ガス流５２ａ及び５２ｂがぶつかり合う
と、そこで乱流が形成され反応管１内に、より均一にガ
スを供給することができる。例えば、シャワーノズル５
０の径を約６．４ｍｍ、ガス吹出孔５１の径を約１．３
ｍｍ、シャワーノズル５０の中心軸方向のガス吹出孔５
１の間隔を約５ｃｍ、中心軸と垂直な断面内のガス吹出
孔の数を４個、シャワーノズル５０の長さを１８０ｃｍ
とした場合、ＣｌＦ3 の流量を２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 流
量を５０００ｓｃｃｍとすることにより、効果的にクリ
ーニングすることができる。
と、そこで乱流が形成され反応管１内に、より均一にガ
スを供給することができる。例えば、シャワーノズル５
０の径を約６．４ｍｍ、ガス吹出孔５１の径を約１．３
ｍｍ、シャワーノズル５０の中心軸方向のガス吹出孔５
１の間隔を約５ｃｍ、中心軸と垂直な断面内のガス吹出
孔の数を４個、シャワーノズル５０の長さを１８０ｃｍ
とした場合、ＣｌＦ3 の流量を２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 流
量を５０００ｓｃｃｍとすることにより、効果的にクリ
ーニングすることができる。
【００４１】図３を参照して本発明の第２の実施例につ
いて説明する。反応管１、マニホールドフランジ２、キ
ャップ６、フランジ３、排気用配管２０、Ｏリング４、
５及び冷却水路１５、１６は図１に示すＣＶＤ装置と同
様の構成である。また、ＣｌＦ3 ガスボンベ３０、Ｎ2
ガスボンベ３１から分岐点３４までは、図１のガス供給
系と同様の構成であり、分岐点３４にＣｌＦ3 とＮ2 が
混合されたクリーニングガスが供給される。
いて説明する。反応管１、マニホールドフランジ２、キ
ャップ６、フランジ３、排気用配管２０、Ｏリング４、
５及び冷却水路１５、１６は図１に示すＣＶＤ装置と同
様の構成である。また、ＣｌＦ3 ガスボンベ３０、Ｎ2
ガスボンベ３１から分岐点３４までは、図１のガス供給
系と同様の構成であり、分岐点３４にＣｌＦ3 とＮ2 が
混合されたクリーニングガスが供給される。
【００４２】分岐点３４から分岐した配管５８は、ブロ
ック弁５９の入力側に接続されている。ブロック弁５９
の出力側には、配管６０ａ、６０ｂ、６０ｃが接続され
ており、時間的に切り換えてそれぞれの配管にクリーニ
ングガスを供給することができる。
ック弁５９の入力側に接続されている。ブロック弁５９
の出力側には、配管６０ａ、６０ｂ、６０ｃが接続され
ており、時間的に切り換えてそれぞれの配管にクリーニ
ングガスを供給することができる。
【００４３】配管６０ａは、マニホールドフランジ２の
側面に設けられたガス導入ポート６１ａに接続されてい
る。配管６０ｂは、反応管１側面の長さ方向のほぼ中央
部に設けられた貫通孔６１ｂに取り付けられている。配
管６０ｃは、フランジ３を貫通して反応管１内に挿入さ
れ、フランジ３の近傍に開口６１ｃを形成している。
側面に設けられたガス導入ポート６１ａに接続されてい
る。配管６０ｂは、反応管１側面の長さ方向のほぼ中央
部に設けられた貫通孔６１ｂに取り付けられている。配
管６０ｃは、フランジ３を貫通して反応管１内に挿入さ
れ、フランジ３の近傍に開口６１ｃを形成している。
【００４４】このように、ガス導入孔を３箇所に設ける
ことにより、反応管１の両端部及び中央部からクリーニ
ングガスを時間的に切り換えて導入することができる。
例えば、まずガス導入ポート６１ａからクリーニングガ
スを導入する。反応管１のガス導入側では、ＣｌＦ3 濃
度が濃く付着した皮膜のエッチング速度が速い。反応管
１の中央から右側の部分の皮膜が全てエッチングされた
後、ガス導入ポート６１ａからのクリーニングガスの導
入を停止する。
ことにより、反応管１の両端部及び中央部からクリーニ
ングガスを時間的に切り換えて導入することができる。
例えば、まずガス導入ポート６１ａからクリーニングガ
スを導入する。反応管１のガス導入側では、ＣｌＦ3 濃
度が濃く付着した皮膜のエッチング速度が速い。反応管
１の中央から右側の部分の皮膜が全てエッチングされた
後、ガス導入ポート６１ａからのクリーニングガスの導
入を停止する。
【００４５】次に、配管６０ｂを通して、貫通孔６１ｂ
からクリーニングガスを導入する。貫通孔６１ｂから導
入されたクリーニングガスにより、反応管１の左半分に
残った皮膜が除去される。このとき、新しいクリーニン
グガスは反応管の右側部分にはほとんど供給されないた
め、右側部分の露出した石英内面が過度にエッチングさ
れることを防止できる。
からクリーニングガスを導入する。貫通孔６１ｂから導
入されたクリーニングガスにより、反応管１の左半分に
残った皮膜が除去される。このとき、新しいクリーニン
グガスは反応管の右側部分にはほとんど供給されないた
め、右側部分の露出した石英内面が過度にエッチングさ
れることを防止できる。
【００４６】反応管１の左半分の皮膜が全てエッチング
された後、貫通孔６１ｂからのクリーニングガスの導入
を停止する。次に、配管６０ｃを通して、開口６１ｃか
らクリーニングガスを導入する。開口６１ｃから導入さ
れたクリーニングガスにより、反応管１の左側の端部及
び排気系に残った皮膜を完全に除去することができる。
された後、貫通孔６１ｂからのクリーニングガスの導入
を停止する。次に、配管６０ｃを通して、開口６１ｃか
らクリーニングガスを導入する。開口６１ｃから導入さ
れたクリーニングガスにより、反応管１の左側の端部及
び排気系に残った皮膜を完全に除去することができる。
【００４７】上記実施例では、反応管に設けられた３箇
所のガス導入口から順次クリーニングガスを導入する場
合について説明したが、２箇所またはそれ以上の複数箇
所から導入してもよい。このように、複数のガス導入部
から順次ガスを導入することにより、反応管内面に与え
るダメージを抑制することができる。
所のガス導入口から順次クリーニングガスを導入する場
合について説明したが、２箇所またはそれ以上の複数箇
所から導入してもよい。このように、複数のガス導入部
から順次ガスを導入することにより、反応管内面に与え
るダメージを抑制することができる。
【００４８】図４を参照して本発明の第３の実施例につ
いて説明する。反応管１、マニホールドフランジ２、フ
ランジ３、キャップ６、排気用配管２０及びヒータ１７
は図１のＣＶＤ装置と同様の構成である。ヒータ１７に
は制御装置８０が接続されており、時間の経過とともに
反応管１内を所定の温度に変化させることができる。
いて説明する。反応管１、マニホールドフランジ２、フ
ランジ３、キャップ６、排気用配管２０及びヒータ１７
は図１のＣＶＤ装置と同様の構成である。ヒータ１７に
は制御装置８０が接続されており、時間の経過とともに
反応管１内を所定の温度に変化させることができる。
【００４９】ジシラン等の成膜用ガスボンベ７１、希釈
用Ｎ2 ガスボンベ７２、クリーニング用のＣｌＦ3 ガス
ボンベ７３がそれぞれ減圧弁７１ａ、７２ａ、７３ａ、
バルブ７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ、マスフローコントロー
ラ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、バルブ７１ｄ、７２ｄ、７
３ｄを介して合流点７７に接続されている。合流点７７
には、バルブ７１ｂ、７２ｂ、７３ｂを開けることによ
り、それぞれ所定流量の成膜用ガス、Ｎ2 ガスまたはＣ
ｌＦ3 ガスが供給される。
用Ｎ2 ガスボンベ７２、クリーニング用のＣｌＦ3 ガス
ボンベ７３がそれぞれ減圧弁７１ａ、７２ａ、７３ａ、
バルブ７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ、マスフローコントロー
ラ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、バルブ７１ｄ、７２ｄ、７
３ｄを介して合流点７７に接続されている。合流点７７
には、バルブ７１ｂ、７２ｂ、７３ｂを開けることによ
り、それぞれ所定流量の成膜用ガス、Ｎ2 ガスまたはＣ
ｌＦ3 ガスが供給される。
【００５０】また、Ｎ2 ガスボンベ７４から減圧弁７４
ａを通して容器７５内にＮ2 ガスが供給される。容器７
５内にはメタノール７６が収容されており、容器７５内
に導入されたＮ2 ガスはメタノール蒸気を含み、バルブ
７４ｂ、マスフローコントローラ７４ｃ及びバルブ７４
ｄを通って合流点７７に供給される。
ａを通して容器７５内にＮ2 ガスが供給される。容器７
５内にはメタノール７６が収容されており、容器７５内
に導入されたＮ2 ガスはメタノール蒸気を含み、バルブ
７４ｂ、マスフローコントローラ７４ｃ及びバルブ７４
ｄを通って合流点７７に供給される。
【００５１】合流点７７で合流したガスは、配管７８及
びマニホールドフランジ２の側面に設けられたガス導入
ポート７０を通って反応管１内に導入される。反応管１
内に導入されたガスは、排気用配管２０を介して外部に
排出される。
びマニホールドフランジ２の側面に設けられたガス導入
ポート７０を通って反応管１内に導入される。反応管１
内に導入されたガスは、排気用配管２０を介して外部に
排出される。
【００５２】成膜時には、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４
ｂを閉じ、バルブ７１ｂを開けて、反応管１内に成膜用
ガスを導入する。クリーニング時には、バルブ７１ｂを
閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを開けて所定の流
量のガスを反応管１内に供給する。マスフローコントロ
ーラ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、７４ｃは、制御装置７９
により、所望の流量に調整される。
ｂを閉じ、バルブ７１ｂを開けて、反応管１内に成膜用
ガスを導入する。クリーニング時には、バルブ７１ｂを
閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを開けて所定の流
量のガスを反応管１内に供給する。マスフローコントロ
ーラ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、７４ｃは、制御装置７９
により、所望の流量に調整される。
【００５３】図６は、反応管内の圧力を１３．３ｋＰａ
（１００Ｔｏｒｒ）、温度を５００℃、ＣｌＦ3 ガス流
量を５０ｓｃｃｍ、総Ｎ2 ガス流量を１ｓｌｍ、メタノ
ールを含むＮ2 ガス流量を可変としたときのポリシリコ
ンのエッチング速度を示す。横軸は、５％のメタノール
を含むＮ2 ガス流量を単位ｓｃｃｍで表し、縦軸はポリ
シリコンのエッチング速度を単位ｎｍで表す。
（１００Ｔｏｒｒ）、温度を５００℃、ＣｌＦ3 ガス流
量を５０ｓｃｃｍ、総Ｎ2 ガス流量を１ｓｌｍ、メタノ
ールを含むＮ2 ガス流量を可変としたときのポリシリコ
ンのエッチング速度を示す。横軸は、５％のメタノール
を含むＮ2 ガス流量を単位ｓｃｃｍで表し、縦軸はポリ
シリコンのエッチング速度を単位ｎｍで表す。
【００５４】メタノールを流さないときのエッチング速
度は、約１１０ｎｍ／ｍｉｎである。メタノールの流量
を増加するに従って、エッチング速度は上昇し、５％メ
タノールを含むＮ2 ガス流量を５００ｓｃｃｍとしたと
き、エッチング速度は約３５０ｎｍ／ｍｉｎとなる。
度は、約１１０ｎｍ／ｍｉｎである。メタノールの流量
を増加するに従って、エッチング速度は上昇し、５％メ
タノールを含むＮ2 ガス流量を５００ｓｃｃｍとしたと
き、エッチング速度は約３５０ｎｍ／ｍｉｎとなる。
【００５５】メタノールを加えた場合にエッチング速度
が増加する原因は、以下のように推量される。通常Ｃｌ
Ｆ3 を用いてシリコンをエッチングする反応は、 ＣｌＦ3 → ＣｌＦ ＋ Ｆ2 Ｓｉ ＋ ２Ｆ2 → ＳｉＦ4 ↑ のように進行する。しかし、低温ではＣｌＦ3 の分解反
応が起こりにくい。
が増加する原因は、以下のように推量される。通常Ｃｌ
Ｆ3 を用いてシリコンをエッチングする反応は、 ＣｌＦ3 → ＣｌＦ ＋ Ｆ2 Ｓｉ ＋ ２Ｆ2 → ＳｉＦ4 ↑ のように進行する。しかし、低温ではＣｌＦ3 の分解反
応が起こりにくい。
【００５６】クリーニング中に少量のメタノールを加え
ると、 ３ＣＨ3 ＯＨ＋４ＣｌＦ3 →３ＣＦ4 ＋４ＨＣｌ＋３Ｈ2 Ｏ＋Ｈ2 のフッ化反応が生ずる。この反応は発熱反応であり、こ
の反応熱によって残りのＣｌＦ3 の分解反応が促進され
る。このため、シリコンのエッチングに必要なＦ 2 の供
給量が増加し、エッチング速度が増加するものと考えら
れる。
ると、 ３ＣＨ3 ＯＨ＋４ＣｌＦ3 →３ＣＦ4 ＋４ＨＣｌ＋３Ｈ2 Ｏ＋Ｈ2 のフッ化反応が生ずる。この反応は発熱反応であり、こ
の反応熱によって残りのＣｌＦ3 の分解反応が促進され
る。このため、シリコンのエッチングに必要なＦ 2 の供
給量が増加し、エッチング速度が増加するものと考えら
れる。
【００５７】このように、ＣｌＦ3 ／Ｎ2 混合ガス中に
少量のメタノールを加えることにより、ポリシリコンの
エッチング速度を増加することができる。エッチング速
度の増加により、ＣＶＤ装置のクリーニング時間を短縮
することが可能になる。なお、メタノールの添加量は、
ＣｌＦ3 に対して０．１〜５０％程度が好ましい。
少量のメタノールを加えることにより、ポリシリコンの
エッチング速度を増加することができる。エッチング速
度の増加により、ＣＶＤ装置のクリーニング時間を短縮
することが可能になる。なお、メタノールの添加量は、
ＣｌＦ3 に対して０．１〜５０％程度が好ましい。
【００５８】クリーニングガスにメタノールを添加する
と、石英のエッチング速度も増加する。従って、反応管
１に石英製のものを使用する場合は、皮膜がある程度除
去された後は制御装置７９によってマスフローコントロ
ーラ７４ｃの流量を制御し、アルコールの添加量を減少
させるかまたは添加しないようにするのが好ましい。
と、石英のエッチング速度も増加する。従って、反応管
１に石英製のものを使用する場合は、皮膜がある程度除
去された後は制御装置７９によってマスフローコントロ
ーラ７４ｃの流量を制御し、アルコールの添加量を減少
させるかまたは添加しないようにするのが好ましい。
【００５９】なお、上記実施例では、クリーニングガス
にメタノールを含ませる場合について説明したが、フッ
化反応によって発熱が生じるものであればエタノール等
の他のアルコールでもよい。ただし、炭素数が５以下の
アルコールであることが好ましい。また、アルコールを
含むＣｌＦ3 クリーニングガスを第１または第２の実施
例で用いることもできる。
にメタノールを含ませる場合について説明したが、フッ
化反応によって発熱が生じるものであればエタノール等
の他のアルコールでもよい。ただし、炭素数が５以下の
アルコールであることが好ましい。また、アルコールを
含むＣｌＦ3 クリーニングガスを第１または第２の実施
例で用いることもできる。
【００６０】図４に示す第３の実施例では、横型のＣＶ
Ｄ装置を使用した場合について説明したが、縦型の枚葉
式ＣＶＤ装置を使用する場合も同様の効果を期待でき
る。また、反応管内面に付着したポリシリコン膜を除去
する場合について説明したが、ＳｉＮ膜を除去する場合
についても同様の効果が期待できる。
Ｄ装置を使用した場合について説明したが、縦型の枚葉
式ＣＶＤ装置を使用する場合も同様の効果を期待でき
る。また、反応管内面に付着したポリシリコン膜を除去
する場合について説明したが、ＳｉＮ膜を除去する場合
についても同様の効果が期待できる。
【００６１】図５を参照して本発明の第３の実施例につ
いて説明する。図５は、縦型の枚葉式ＣＶＤ装置の概略
図及びＳｉＮ膜作製のためのガス供給系のブロック図を
示す。処理容器９５の上部にガス導入口９０が設けられ
ている。ガス導入口９０は、多孔板９１で覆われてお
り、ガス導入口９０から導入されたガスは多孔板９１に
設けられた多数の孔を通って処理容器９５内に供給され
る。
いて説明する。図５は、縦型の枚葉式ＣＶＤ装置の概略
図及びＳｉＮ膜作製のためのガス供給系のブロック図を
示す。処理容器９５の上部にガス導入口９０が設けられ
ている。ガス導入口９０は、多孔板９１で覆われてお
り、ガス導入口９０から導入されたガスは多孔板９１に
設けられた多数の孔を通って処理容器９５内に供給され
る。
【００６２】多孔板９１に対向する位置には、処理対象
基板を載置するための載置台９２が配置されている。載
置台９２は、ＳｉＣをコーティングしたカーボンにより
構成されている。載置台９２は、電源９６に接続されて
おり、ヒータの役目も果たす。
基板を載置するための載置台９２が配置されている。載
置台９２は、ＳｉＣをコーティングしたカーボンにより
構成されている。載置台９２は、電源９６に接続されて
おり、ヒータの役目も果たす。
【００６３】処理容器９５の側面下部には、排気用配管
９３が設けられており、容器内を排気することができ
る。また、処理容器９５の底面には、クリーニングガス
を導入するためのガス導入口９４が設けられている。
９３が設けられており、容器内を排気することができ
る。また、処理容器９５の底面には、クリーニングガス
を導入するためのガス導入口９４が設けられている。
【００６４】希釈用Ｎ2 ガス、クリーニング用ＣｌＦ3
ガス及びメタノールを含んだＮ2 ガスを供給するための
ガス供給系は図４と同様の構成であり、合流点８８にそ
れぞれのガスが供給される。
ガス及びメタノールを含んだＮ2 ガスを供給するための
ガス供給系は図４と同様の構成であり、合流点８８にそ
れぞれのガスが供給される。
【００６５】さらに、成膜用のＳｉＨ4 ガスボンベ８１
及びＮＨ3 ガスボンベ８２がそれぞれ減圧弁８１ａ、８
２ａ、バルブ８１ｂ、８２ｂ、マスフローコントローラ
８１ｃ、８２ｃ、及びバルブ８１ｄ、８２ｄを介して合
流点８８に接続されている。合流点８８は、配管８９を
介してガス導入口９０に接続されている。
及びＮＨ3 ガスボンベ８２がそれぞれ減圧弁８１ａ、８
２ａ、バルブ８１ｂ、８２ｂ、マスフローコントローラ
８１ｃ、８２ｃ、及びバルブ８１ｄ、８２ｄを介して合
流点８８に接続されている。合流点８８は、配管８９を
介してガス導入口９０に接続されている。
【００６６】成膜時には、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４
ｂを閉じ、バルブ８１ｂ、８２ｂを開ける。処理容器９
５内には所定流量のＳｉＨ4 ガスとＮＨ3 ガスが供給さ
れ、処理対象基板上にＳｉＮ膜が堆積する。
ｂを閉じ、バルブ８１ｂ、８２ｂを開ける。処理容器９
５内には所定流量のＳｉＨ4 ガスとＮＨ3 ガスが供給さ
れ、処理対象基板上にＳｉＮ膜が堆積する。
【００６７】クリーニング時には、バルブ８１ｂ、８２
ｂ閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを開けて、処理
容器９５内にクリーニングガスを供給する。このよう
に、ＣｌＦ3 にメタノールを混合することにより、図４
に示す第３の実施例と同様の効果を得ることができる。
ｂ閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂ、７４ｂを開けて、処理
容器９５内にクリーニングガスを供給する。このよう
に、ＣｌＦ3 にメタノールを混合することにより、図４
に示す第３の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００６８】また、底面に設けられたガス導入口９４か
らも時間的に切り換えてクリーニングガスを導入するこ
とにより、図３に示す第３の実施例と同様の効果を得る
ことができる。
らも時間的に切り換えてクリーニングガスを導入するこ
とにより、図３に示す第３の実施例と同様の効果を得る
ことができる。
【００６９】図７を参照して、本発明の第４の実施例に
ついて説明する。図４に示すＣＶＤ装置を使用し、バル
ブ７１ｂ、７４ｂを閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂを開け
て、反応管１内にＣｌＦ3 ／Ｎ2 混合ガスを供給する。
反応温度は６２０℃、反応圧力は２４０Ｐａ（１．８Ｔ
ｏｒｒ）である。本実施例においては、反応管１は石英
製のものを使用する。
ついて説明する。図４に示すＣＶＤ装置を使用し、バル
ブ７１ｂ、７４ｂを閉じ、バルブ７２ｂ、７３ｂを開け
て、反応管１内にＣｌＦ3 ／Ｎ2 混合ガスを供給する。
反応温度は６２０℃、反応圧力は２４０Ｐａ（１．８Ｔ
ｏｒｒ）である。本実施例においては、反応管１は石英
製のものを使用する。
【００７０】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、それぞれ上
記条件の下でＣｌＦ3 ガスの流量を変化させたときの、
ポリシリコン膜及び石英管自体のエッチング速度を示
す。横軸はＣｌＦ3 ガス流量を単位ｓｃｃｍで表し、縦
軸はエッチング速度を単位ｎｍ／ｍｉｎで表す。
記条件の下でＣｌＦ3 ガスの流量を変化させたときの、
ポリシリコン膜及び石英管自体のエッチング速度を示
す。横軸はＣｌＦ3 ガス流量を単位ｓｃｃｍで表し、縦
軸はエッチング速度を単位ｎｍ／ｍｉｎで表す。
【００７１】図７（Ａ）に示すように、ＣｌＦ3 ガス流
量が５００ｓｃｃｍの時は、ポリシリコン膜のエッチン
グ速度は約３．３μｍ／ｍｉｎであり、ＣｌＦ3 ガス流
量を減少させるとエッチング速度も減少する。ＣｌＦ3
ガス流量を１００ｓｃｃｍまで減少させると、エッチン
グ速度は約０．９μｍ／ｍｉｎとなり、ＣｌＦ3 ガス流
量が５００ｓｃｃｍのときに比べて約１／３になる。
量が５００ｓｃｃｍの時は、ポリシリコン膜のエッチン
グ速度は約３．３μｍ／ｍｉｎであり、ＣｌＦ3 ガス流
量を減少させるとエッチング速度も減少する。ＣｌＦ3
ガス流量を１００ｓｃｃｍまで減少させると、エッチン
グ速度は約０．９μｍ／ｍｉｎとなり、ＣｌＦ3 ガス流
量が５００ｓｃｃｍのときに比べて約１／３になる。
【００７２】図７（Ｂ）に示すように、ＣｌＦ3 ガス流
量が５００ｓｃｃｍの時は、石英のエッチング速度は約
７．５ｎｍ／ｍｉｎであり、ＣｌＦ3 ガス流量を減少さ
せるとポリシリコン膜のエッチングの場合と同様にエッ
チング速度も減少する。ＣｌＦ3 ガス流量を１００ｓｃ
ｃｍまで減少させると、エッチング速度は約０．７ｎｍ
／ｍｉｎとなり、ＣｌＦ3 ガス流量が５００ｓｃｃｍの
ときに比べて約１／１０になる。
量が５００ｓｃｃｍの時は、石英のエッチング速度は約
７．５ｎｍ／ｍｉｎであり、ＣｌＦ3 ガス流量を減少さ
せるとポリシリコン膜のエッチングの場合と同様にエッ
チング速度も減少する。ＣｌＦ3 ガス流量を１００ｓｃ
ｃｍまで減少させると、エッチング速度は約０．７ｎｍ
／ｍｉｎとなり、ＣｌＦ3 ガス流量が５００ｓｃｃｍの
ときに比べて約１／１０になる。
【００７３】従って、ＣｌＦ3 ガス流量が５００ｓｃｃ
ｍのとき、ポリシリコンと石英のエッチングの選択比は
約４４０であるのに対し、ＣｌＦ3 ガス流量が１００ｓ
ｃｃｍのときは１３００と大きくなる。
ｍのとき、ポリシリコンと石英のエッチングの選択比は
約４４０であるのに対し、ＣｌＦ3 ガス流量が１００ｓ
ｃｃｍのときは１３００と大きくなる。
【００７４】通常、反応管内に付着した皮膜の厚さは一
様ではない。そのため、ＣｌＦ3 ガス流量を５００ｓｃ
ｃｍ程度としてクリーニングを行うと、ポリシリコン膜
が薄い部分で石英内面がエッチングされる。このため、
クリーニングを繰り返し実施すると反応管の透明度が失
われる。ＣｌＦ3 ガス流量を２５０ｓｃｃｍ以下とする
と、石英のエッチング速度が遅くなるとともにポリシリ
コンと石英に対するエッチングの選択比が大きくなるた
め、石英表面はほとんどエッチングされない。このた
め、クリーニングを繰り返し実施しても透明度は失われ
ない。
様ではない。そのため、ＣｌＦ3 ガス流量を５００ｓｃ
ｃｍ程度としてクリーニングを行うと、ポリシリコン膜
が薄い部分で石英内面がエッチングされる。このため、
クリーニングを繰り返し実施すると反応管の透明度が失
われる。ＣｌＦ3 ガス流量を２５０ｓｃｃｍ以下とする
と、石英のエッチング速度が遅くなるとともにポリシリ
コンと石英に対するエッチングの選択比が大きくなるた
め、石英表面はほとんどエッチングされない。このた
め、クリーニングを繰り返し実施しても透明度は失われ
ない。
【００７５】なお、反応管内面の全面にポリシリコン膜
が付着している場合には、石英表面がエッチングされる
ことがないため、ＣｌＦ3 ガス流量を増加してエッチン
グ速度を速くすることが好ましい。
が付着している場合には、石英表面がエッチングされる
ことがないため、ＣｌＦ3 ガス流量を増加してエッチン
グ速度を速くすることが好ましい。
【００７６】具体的には、クリーニング初期において、
制御装置７９によってマスフローコントローラ７３ｃと
７２ｃとの流量比を、付着した皮膜に対するエッチング
速度が速くなるような値に設定しておく。皮膜の膜厚が
薄くなったときに制御装置７９によってマスフローコン
トローラ７３ｃと７２ｃの流量を変化させ、皮膜と反応
管材質とのエッチング選択比が大きくなるような値に変
更する。このように、クリーニング初期と終期におい
て、マスフローコントローラ７３ｃと７２ｃの流量を変
化させることにより、クリーニング時間の増加を抑えつ
つ反応管に与えるダメージを小さくすることができる。
制御装置７９によってマスフローコントローラ７３ｃと
７２ｃとの流量比を、付着した皮膜に対するエッチング
速度が速くなるような値に設定しておく。皮膜の膜厚が
薄くなったときに制御装置７９によってマスフローコン
トローラ７３ｃと７２ｃの流量を変化させ、皮膜と反応
管材質とのエッチング選択比が大きくなるような値に変
更する。このように、クリーニング初期と終期におい
て、マスフローコントローラ７３ｃと７２ｃの流量を変
化させることにより、クリーニング時間の増加を抑えつ
つ反応管に与えるダメージを小さくすることができる。
【００７７】第１または第２の実施例と組み合わせ、初
めに反応管に付着した皮膜の大部分を除去した後、Ｃｌ
Ｆ3 流量を低減して残った皮膜を除去することもでき
る。上記実施例では、石英表面にポリシリコン膜が付着
した場合のクリーニングについて説明したが、ＳｉＮ膜
が付着した場合も同様の効果を得ることができると考え
られる。
めに反応管に付着した皮膜の大部分を除去した後、Ｃｌ
Ｆ3 流量を低減して残った皮膜を除去することもでき
る。上記実施例では、石英表面にポリシリコン膜が付着
した場合のクリーニングについて説明したが、ＳｉＮ膜
が付着した場合も同様の効果を得ることができると考え
られる。
【００７８】上記実施例では、ＣｌＦ3 とＮ2 との流量
比を変えてエッチング選択比を変化させる場合について
説明したが、アルコールの添加量、反応管内のクリーニ
ングガスの圧力やＣｌＦ3 とＮ2 との分圧比を変えても
同様の効果が得られる。また、制御装置８０によりヒー
タ１７を制御してエッチング初期と終期のＣｌＦ3 ／Ｎ
2 混合ガスの温度を変えることによってエッチング速度
及びエッチング選択比を変化させてもよい。
比を変えてエッチング選択比を変化させる場合について
説明したが、アルコールの添加量、反応管内のクリーニ
ングガスの圧力やＣｌＦ3 とＮ2 との分圧比を変えても
同様の効果が得られる。また、制御装置８０によりヒー
タ１７を制御してエッチング初期と終期のＣｌＦ3 ／Ｎ
2 混合ガスの温度を変えることによってエッチング速度
及びエッチング選択比を変化させてもよい。
【００７９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００８０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体製造装置の処理室内をクリーニングするに際し、
処理室内面に与えるダメージを小さくすることができ
る。また、クリーニング時間を短縮することができる。
半導体製造装置の処理室内をクリーニングするに際し、
処理室内面に与えるダメージを小さくすることができ
る。また、クリーニング時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例によるＣＶＤ装置の概略
断面図、及びガス供給系のブロック図である。
断面図、及びガス供給系のブロック図である。
【図２】図２（Ａ）は、本発明の第１の実施例の変形例
によるＣＶＤ装置の概略断面図、図２（Ｂ）はシャワー
ノズルの正面図及び側面図、図２（Ｃ）はシャワーノズ
ルのガス吹出孔部分の拡大断面図である。
によるＣＶＤ装置の概略断面図、図２（Ｂ）はシャワー
ノズルの正面図及び側面図、図２（Ｃ）はシャワーノズ
ルのガス吹出孔部分の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例によるＣＶＤ装置の概略
断面図、及びガス供給系のブロック図である。
断面図、及びガス供給系のブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施例によるＣＶＤ装置の概略
断面図、及びガス供給系のブロック図である。
断面図、及びガス供給系のブロック図である。
【図５】本発明の第３の実施例の変形例によるＣＶＤ装
置の概略断面図、及びガス供給系のブロック図である。
置の概略断面図、及びガス供給系のブロック図である。
【図６】本発明の第３の実施例によるメタノールを含む
Ｎ2 ガス流量に対するポリシリコン膜のエッチング速度
を示すグラフである。
Ｎ2 ガス流量に対するポリシリコン膜のエッチング速度
を示すグラフである。
【図７】図７（Ａ）は、本発明の第４の実施例によるＣ
ｌＦ3 ガス流量に対するポリシリコン膜のエッチング速
度を示すグラフ、図７（Ｂ）は同様の条件における石英
のエッチング速度を示すグラフである。
ｌＦ3 ガス流量に対するポリシリコン膜のエッチング速
度を示すグラフ、図７（Ｂ）は同様の条件における石英
のエッチング速度を示すグラフである。
【図８】従来例による、ＣＶＤ装置の概略断面図であ
る。
る。
１ 反応管 ２ マニホールドフランジ ３ フランジ ４、５ Ｏリング ６ キャップ １０ ガス導入ポート １１ シャワーノズル １２ ガス吹き出し用孔 １５、１６ 冷却水路 １７ ヒータ ２０ 排気用配管 ２１ ホットバルブ ２２ 真空ポンプ ２３ 除害装置 ２４ 加熱用配管 ３０ ＣｌＦ3 ボンベ ３１ Ｎ2 ボンベ ３２ 合流点 ３３、３７ｃ バルブ ３４ 分岐点 ３５、３６ ３７ 配管 ４０ 成膜用ガスボンベ ４０ａ 減圧弁 ４０ｂ マスフローコントローラ ４０ｃ バルブ ４１ 合流点 ４２ 配管 ５０ シャワーノズル ５１、５１ａ、５１ｂ ガス吹出孔 ５２ａ、５２ｂ ガス流 ５８ 配管 ５９ ブロック弁 ６０ａ、６０ｂ、６０ｃ 配管 ６１ａ ガス導入ポート ６１ｂ 貫通孔 ６１ｃ 開口 ７０ ガス導入ポート ７１ 成膜用ガスボンベ ７１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａ 減圧バルブ ７１ｂ、７１ｄ、７２ｂ、７２ｄ、７３ｂ、７３ｄ、７
４ｂ、７４ｄ バルブ ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、７４ｃ マスフローコントロ
ーラ ７２、７４ Ｎ2 ボンベ ７３ ＣｌＦ3 ボンベ ７５ 容器 ７６ アルコール ７７ 合流点 ７８ 配管 ７９、８０ 制御装置 ８１ ＳｉＨ4 ガスボンベ ８１ａ、８２ａ 減圧弁 ８１ｂ、８２ｂ、８１ｄ、８２ｄ バルブ ８１ｃ、８２ｃ マスフローコントローラ ８８ 合流点 ８９ 配管 ９０ ガス導入口 ９１ 多孔板 ９２ 載置台 ９３ 排気用配管 ９４ ガス導入口 ９５ 処理容器 ９６ 電源 １００ 処理容器 １０１ サセプタ １０２ 基板 １０３ 多孔板 １０４ ガス配管 １０５ 排気用配管 １１０ 反応管 １１１、１１２ フランジ １１３ キャップ １１４ ガス配管 １１５ 排気用配管 １１６ ヒータ
４ｂ、７４ｄ バルブ ７１ｃ、７２ｃ、７３ｃ、７４ｃ マスフローコントロ
ーラ ７２、７４ Ｎ2 ボンベ ７３ ＣｌＦ3 ボンベ ７５ 容器 ７６ アルコール ７７ 合流点 ７８ 配管 ７９、８０ 制御装置 ８１ ＳｉＨ4 ガスボンベ ８１ａ、８２ａ 減圧弁 ８１ｂ、８２ｂ、８１ｄ、８２ｄ バルブ ８１ｃ、８２ｃ マスフローコントローラ ８８ 合流点 ８９ 配管 ９０ ガス導入口 ９１ 多孔板 ９２ 載置台 ９３ 排気用配管 ９４ ガス導入口 ９５ 処理容器 ９６ 電源 １００ 処理容器 １０１ サセプタ １０２ 基板 １０３ 多孔板 １０４ ガス配管 １０５ 排気用配管 １１０ 反応管 １１１、１１２ フランジ １１３ キャップ １１４ ガス配管 １１５ 排気用配管 １１６ ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 (72)発明者 三重野 文健 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 山西 宏和 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (25)
- 【請求項１】 内部を排気可能な処理容器と、 少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複
数のガス吹き出し口を有し、ＣｌＦ3 を含むクリーニン
グガスを処理容器内に導入するための第１のクリーニン
グガス供給手段とを含む半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記処理容器は、円筒状容器であり、 前記第１のクリーニングガス供給手段は、前記処理容器
の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他
方の端まで延在する中空の筒状体であり、その側面に多
数の貫通孔が設けられている請求項１記載の半導体装置
の製造装置。 - 【請求項３】 前記貫通孔は、前記第１のクリーニング
ガス供給手段から吹き出したガス流が少なくとも一つの
隣接するガス流とぶつかり合うように、前記クリーニン
グガス供給手段の中心軸方向に対して傾いて形成されて
いる請求項２記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 さらに、前記複数のガス吹き出し口のう
ち少なくとも１つ以上のガス吹き出し口に選択的に前記
クリーニングガスを供給するためのガス切換手段を含む
請求項１記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項５】 さらに、ＣｌＦ3 を含むクリーニングガ
スによるクリーニング速度を可変制御する制御手段を含
む請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項６】 さらに、前記クリーニングガスに炭素数
５以下のアルコールを添加するためのアルコール添加手
段を含む請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の
製造装置。 - 【請求項７】 さらに、前記クリーニングガスに炭素数
５以下のアルコールを添加するためのアルコール添加手
段を含み、 前記制御手段は、前記アルコール添加手段によるアルコ
ール添加量を可変制御する請求項５記載の半導体装置の
製造装置。 - 【請求項８】 さらに、前記処理容器内を加熱するため
の第１の加熱手段を含む請求項１〜７のいずれかに記載
の半導体装置の製造装置。 - 【請求項９】 さらに、前記処理容器内を加熱するため
の第１の加熱手段を含み、 前記制御手段は、前記第１の加熱手段による加熱温度を
可変制御する請求項７記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１０】 前記処理容器は、 少なくとも１つ以上の開口を有する容器と、 前記開口に蓋をするための蓋部材と、 前記容器と前記蓋部材との接合面の気密性を保つための
シール部材と、 前記シール部材の近傍を局所的に冷却するための冷却手
段とを含む請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置
の製造装置。 - 【請求項１１】 前記制御手段は、前記クリーニングガ
スの流量または前記処理容器内の圧力を可変制御する請
求項５記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１２】 さらに、前記処理容器内を排気するた
めの排気手段と、 前記排気手段内にＣｌＦ3 を含むクリーニングガスを供
給するための第２のクリーニングガス供給手段とを含む
請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項１３】 さらに、前記排気手段を加熱するため
の第２の加熱手段を含む請求項１２記載の半導体装置の
製造装置。 - 【請求項１４】 さらに、前記処理容器内に成膜用ガス
を供給するための成膜用ガス供給手段と、 前記成膜用ガス供給手段内にＣｌＦ3 を含むクリーニン
グガスを供給するための第３のクリーニングガス供給手
段とを含む請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体装
置の製造装置。 - 【請求項１５】 内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ
3 を含むクリーニングガスを供給して前記処理容器内を
クリーニングする半導体製造装置のクリーニング方法に
おいて、 クリーニングガスにアルコール蒸気を含ませる工程を含
む半導体製造装置のクリーニング方法。 - 【請求項１６】 前記アルコール蒸気は、炭素数が１〜
５のアルコール蒸気である請求項１５記載の半導体製造
装置のクリーニング方法。 - 【請求項１７】 前記アルコール蒸気のＣｌＦ3 に対す
る濃度は、０．１〜５０％である請求項１５または１６
記載の半導体製造装置のクリーニング方法。 - 【請求項１８】 さらに、クリーニング期間中、前記ク
リーニングガスに含ませるアルコール蒸気の分圧比を変
化させる請求項１５〜１７のいずれかに記載の半導体製
造装置のクリーニング方法。 - 【請求項１９】 内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ
3 を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内
に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニン
グ方法において、 所定のクリーニング条件で前記クリーニングガスを前記
処理容器内に供給する初期クリーニング工程と、 前記クリーニングガスによる前記処理容器自体のエッチ
ング速度が、前記初期クリーニング工程のクリーニング
条件におけるエッチング速度よりも遅くなるようにクリ
ーニング条件を変化させる変化工程とを含む半導体製造
装置のクリーニング方法。 - 【請求項２０】 前記変化工程は、ＣｌＦ3 の流量を変
化させる請求項１９記載の半導体製造装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項２１】 前記変化工程は、ＣｌＦ3 の分圧を変
化させる請求項１９記載の半導体製造装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項２２】 前記変化工程は、クリーニングガスの
温度を変化させる請求項１９記載の半導体製造装置のク
リーニング方法。 - 【請求項２３】 内部を排気可能な処理容器内にＣｌＦ
3 を含むクリーニングガスを供給して、前記処理容器内
に付着した皮膜を除去する半導体製造装置のクリーニン
グ方法において、 前記処理容器に設けられた複数のガス導入部のうち、一
部のガス導入部からのみクリーニングガスを導入する工
程と、 前記一部のガス導入部からのクリーニングガス導入を停
止し、他のガス導入部からクリーニングガス導入を開始
するガス導入部切換工程とを含む半導体製造装置のクリ
ーニング方法。 - 【請求項２４】 前記ガス導入部切換工程を少なくとも
２回以上実施する請求項２３記載の半導体製造装置のク
リーニング方法。 - 【請求項２５】 前記ガス導入部切換工程は、前記処理
容器内のガスの流れ方向の上流から下流に向かってクリ
ーニングガスを導入するガス導入部を切り換える請求項
２３または２４記載の半導体製造装置のクリーニング方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04133594A JP3350590B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
| US08/367,828 US5609721A (en) | 1994-03-11 | 1995-01-03 | Semiconductor device manufacturing apparatus and its cleaning method |
| KR1019950000820A KR0168984B1 (ko) | 1994-03-11 | 1995-01-19 | 반도체장치의 제조장치 및 그 클리닝 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04133594A JP3350590B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249585A true JPH07249585A (ja) | 1995-09-26 |
| JP3350590B2 JP3350590B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=12605658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04133594A Expired - Lifetime JP3350590B2 (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350590B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980076204A (ko) * | 1997-04-08 | 1998-11-16 | 윤종용 | 저압 기상 증착 장치의 폴리 실리콘 안정화 방법 |
| KR100697267B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2007-03-21 | 삼성전자주식회사 | 화학기상 증착장치 |
| JP2010177551A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Sumco Corp | 枚葉式ｃｖｄ用チャンバのクリーニング方法 |
| CN113015583A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-22 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH021116A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-01-05 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH0249425A (ja) * | 1987-08-28 | 1990-02-19 | Toshiba Corp | 有機化合物膜の除去方法及び除去装置 |
| JPH05243163A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Kyocera Corp | 反応炉内部の残留ハロゲン除去方法 |
| JPH06314675A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-11 JP JP04133594A patent/JP3350590B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| JPH06314675A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
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| KR100697267B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2007-03-21 | 삼성전자주식회사 | 화학기상 증착장치 |
| JP2010177551A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Sumco Corp | 枚葉式ｃｖｄ用チャンバのクリーニング方法 |
| CN113015583A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-22 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统 |
| EP3854492A4 (en) * | 2018-11-16 | 2022-01-26 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE COMPONENT CLEANING APPARATUS, SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE COMPONENT CLEANING METHOD, AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE COMPONENT CLEANING SYSTEM |
| CN113015583B (zh) * | 2018-11-16 | 2023-08-11 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、清洗方法及清洗系统 |
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|---|---|
| JP3350590B2 (ja) | 2002-11-25 |
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