CN113015583A - 半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统 - Google Patents

半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统 Download PDF

Info

Publication number
CN113015583A
CN113015583A CN201980074607.5A CN201980074607A CN113015583A CN 113015583 A CN113015583 A CN 113015583A CN 201980074607 A CN201980074607 A CN 201980074607A CN 113015583 A CN113015583 A CN 113015583A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
semiconductor manufacturing
manufacturing apparatus
furnace
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980074607.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113015583B (zh
Inventor
山口晃
有村忠信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Nippon Sanso Corp
Original Assignee
Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Nippon Sanso Corp filed Critical Taiyo Nippon Sanso Corp
Publication of CN113015583A publication Critical patent/CN113015583A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113015583B publication Critical patent/CN113015583B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置，并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1)，具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。

Description

半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清 洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统
技术领域
本发明涉及半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统。
背景技术
作为在基材上形成薄膜的薄膜形成装置，已知有利用MOCVD(metal organicchemical vapor deposition，金属有机化学气相沉积)、PECVD(plasma-enhancedchemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积)等气相生长法的半导体制造装置。在这些半导体制造装置中，当在基材上形成化合物半导体的薄膜时，化合物半导体也附着在成膜炉内的部件(以下，称为“半导体制造装置部件”)上，因此需要定期清洗这些半导体装置部件。作为半导体制造装置部件的清洗方法，一般有如下方法：对收容在清洗处理炉内的半导体制造装置部件进行加热，向其中导入蚀刻气体，通过气相反应进行清洗。
但是，在使用作为蚀刻气体的氯类气体来清洗附着有氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)等氮化物类化合物半导体的半导体制造装置部件的情况下，生成作为反应生成物的氯化镓(GaCl3)、氯化铝(AlCl3)、氯化铟(InCl3)等氯化物。
例如，氯化镓的沸点为201℃，常温下为固体。因此，即使在清洗时的处理温度接近1000℃的炉内，也会在大气压下温度低于200℃的部位析出氯化镓。另外，氯化镓具有潮解性，与水分反应产生氯化氢。此外，产生的氯化氢会变成盐酸，从而腐蚀金属。也就是说，氯化镓附着在构造清洗装置的清洗处理炉的金属制凸缘等温度低的地方，在以运送被清洗物等的目的开放清洗处理炉，附着的氯化镓暴露于大气中时，金属制炉内部件被腐蚀。
作为解决在清洗半导体制造装置部件时生成的氯化物的问题的方法，可以考虑选择生成沸点低的反应生成物的蚀刻气体的方法。由此，即使在清洗处理炉内存在低温部，也不会析出并附着反应生成物，而是反应生成物作为气体从反应处理炉内排出，能够通过在有意准备的捕集器内进行冷却来捕捉反应生成物。然而，目前还没有发现具有这种特性的同时具有适度的蚀刻速率的蚀刻气体。
作为解决上述的氯化物问题的方法，已知有专利文献1及专利文献2。在此，专利文献1公开了如下方法：在将作为清洁气体的氯类气体等离子体化之后，供给到成膜装置的炉内。由此，能够得到蒸汽压高的反应生成物，从而能够防止因在炉内析出反应生成物导致的附着。然而，需要另行准备用于产生远程等离子体的昂贵的设备。
另外，专利文献2公开了清洗装置及清洗方法的特征，该清洗装置及清洗方法在清洗处理炉内的排出口附近，预先设置冷却板作为反应生成物的捕捉单元，在冷却板上暂时捕捉反应生成物之后，提高冷却板的温度，使反应生成物蒸发并在后段的捕集器中补足反应生成物。然而，如果冷却板与清洗处理炉内的其他部件之间的温度差小，则存在析出的所有反应生成物不会附着在冷却板上而附着在其他地方的问题。另外，存在如下问题：产生对清洗装置附加这些附加机构的负担，并且清洗方法的工序也会变复杂，从而生产率下降。
专利文献1：日本专利公开2013-062342号公报
专利文献2：日本专利公开2015-073132号公报
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其要解决的问题是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统。
为了解决上述问题，本发明提供以下的半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统。
[1]一种半导体制造装置部件的清洗装置，在所述半导体制造装置部件上附着有半导体，所述半导体制造装置部件的清洗装置具备：
清洗处理炉，用于收容所述半导体制造装置部件；
加热装置，用于对所述清洗处理炉内的所述半导体制造装置部件进行加热；
减压装置，用于对所述清洗处理炉内进行真空排气；
气体导入管，用于向所述清洗处理炉内导入与所述半导体反应的清洁气体；
气体排出管，用于从所述清洗处理炉内排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物；
第一温度控制装置，用于将所述清洗处理炉内的表面的温度维持在所需范围内；以及
第二温度控制装置，用于将所述气体排出管内的温度维持在所需范围内。
[2]根据[1]所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，所述清洗处理炉具有至少一端开口的石英制的反应管和堵塞所述开口的金属制的第一凸缘。
[3]根据[1]所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，所述清洗处理炉具有两端开口的石英制的反应管、堵塞所述开口的一端侧的金属制的第一凸缘和堵塞所述开口的另一端侧的金属制的第二凸缘。
[4]根据[2]或[3]所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，所述第一温度控制装置具有一个以上的温度控制机构，一个以上的所述温度控制机构分别独立地对所述反应管及所述凸缘中的构造所述清洗处理炉内的表面的一个以上的部分进行温度控制。
[5]根据[4]所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧设置有至少一个所述温度控制机构。
[6]根据[4]或[5]所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，所述温度控制机构是通过液体的供给和液体的循环中的任一种或两种来进行温度控制的。
[7]根据[6]所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，所述温度控制机构具有：
一个以上的换热部，设置在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧且由所述液体的流路形成；
一个以上的供给路径，用于向所述换热部供给所述液体；
一个以上的排出路径，用于从所述换热部排出所述液体；
一个以上的返送路径，从至少一个以上的所述排出路径分支，并且合流到至少一个以上的所述供给路径，用于将所述排出路径内的一部分液体返送到所述供给路径；
一个以上的第一开闭阀，设置在所述供给路径上，用于阶段性地或者连续地调节向所述换热部供给的所述液体的供给量；
一个以上的温度测定装置，设置在所述排出路径上；以及
一个以上的加压输送装置，设置在所述返送路径上。
[8]根据[1]至[7]中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，进一步具备吹扫气体供给机构，所述吹扫气体供给机构从所述清洗处理炉的外侧向所述清洗处理炉的间隙供给经温度控制的吹扫气体。
[9]根据[1]至[7]中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，所述半导体为由通式AlxInyGa1-x-yN(其中，x、y为0≤x＜1、0≤y＜1、0≤x+y＜1)表示的氮化物类化合物半导体，
所述清洁气体为氯类气体。
[10]一种半导体制造装置部件的清洗方法，使用[1]至[9]中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，
所述半导体制造装置部件的清洗方法将附着有半导体的半导体制造装置部件收容在清洗处理炉内，
对所述半导体制造装置部件进行加热的同时，反复进行所述清洗处理炉内的真空排气以吹扫所述清洗处理炉内，
在向所述清洗处理炉内导入清洁气体，清洗所述半导体制造装置部件之后，
反复进行所述清洗处理炉内的真空排气，从所述清洗处理炉内向气体排出管排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物，
在向所述清洗处理炉内导入清洁气体，清洗所述半导体制造装置部件，并且反复进行所述清洗处理炉内的真空排气，从所述清洗处理炉内向气体排出管排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物的期间，将所述清洗处理炉内的表面的温度维持在所需范围内，
在从所述清洗处理炉内向气体排出管排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物的期间，将所述气体排出管内的温度维持在所需范围内。
[11]一种半导体制造装置部件的清洗系统，具备：
半导体制造装置，用于在配置有半导体制造装置部件的成膜炉内，在基材上形成半导体的层或覆膜；以及
[1]至[9]中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，用于在清洗处理炉内清洗附着有所述半导体的所述半导体制造装置部件。
[12]根据[11]所述的半导体制造装置部件的清洗系统，其中，进一步具备运送装置，所述运送装置在所述半导体制造装置与所述半导体制造装置部件的清洗装置之间，转交所述半导体制造装置部件。
[13]根据[12]所述的半导体制造装置部件的清洗系统，其中，所述运送装置内的运送处理空间与所述成膜炉内及所述清洗处理炉内分别连通。
[14]根据[13]所述的半导体制造装置部件的清洗系统，其中，所述运送装置具有一个以上的闸阀，一个以上的所述闸阀能够将所述运送处理空间分割为两个以上的空间。
根据本发明的半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统，能够通过简单的结构和简单的控制来防止反应生成物附着到清洗处理炉内。因此，即使在反应生成物为氯化物，并且在炉内附着有水分的情况下，也能够防止炉内的腐蚀。
附图说明
图1是示意性地表示作为应用本发明的一实施方式的半导体制造装置部件的清洗装置的结构的剖视图。
图2是表示设置于上侧凸缘的温度控制机构的一部分结构的图。
图3是表示作为应用本发明的一实施方式的半导体制造装置部件的清洗系统的结构的一例的示意图。
图4是用于说明在本实施方式的清洗系统中转交半导体制造装置部件的图。
图5是表示三氯化镓的蒸汽压曲线的图表。
图6是示意性地表示作为另一实施方式的半导体制造装置部件的清洗装置的结构的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图对作为应用本发明的一实施方式的半导体制造装置部件的清洗装置、具备该清洗装置的清洗系统及清洗方法一同进行详细说明。此外，就以下说明中使用的附图而言，为了易于理解特征，有时为方便起见放大表示作为特征的部分，而且并不限制各结构要素的尺寸比率等与实际相同。
<半导体制造装置部件的清洗装置>
首先，对作为应用本发明的一实施方式的半导体制造装置部件的清洗装置的结构进行说明。图1是示意性地表示作为应用本发明的一实施方式的半导体制造装置部件的清洗装置的结构的一例的剖视图。
本实施方式的半导体制造装置部件的清洗装置(以下，简称为“清洗装置”)是用于在后述的半导体制造装置的成膜炉内清洗因成膜而堆积(附着)有化合物半导体的部件(以下，称为“半导体制造装置部件”)的装置。
如图1所示，本实施方式的清洗装置1被大致构造为具备：清洗处理炉2、加热装置3、气体导入管4、气体排出管5、减压装置6、第一温度控制装置7、第二温度控制装置8及吹扫气体供给机构9。
作为清洗对象的半导体装置部件10只要是附着有化合物半导体(半导体)的部件，则不受特别限定。作为半导体装置部件，例如可列举设置在MOCVD膜形成装置或PECVD薄膜形成装置的炉内的基座等。另外，半导体装置部件的材质不受特别限定，可应用石英制、SiC制、涂布SiC的材质等。
作为去除对象的化合物半导体不受特别限定。在本实施方式中，在化合物半导体为由通式AlxInyGa1-x-yN(其中，x、y为0≤x＜1、0≤y＜1、0≤x+y＜1)表示的氮化物类化合物半导体的情况下，更具体而言，在化合物半导体为氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)的情况下，能够获得特别显著的效果。
清洗处理炉2具有用于收容半导体制造装置部件10并进行清洗处理的密闭空间。清洗处理炉2的结构不受特别限定。清洗处理炉2为具有石英制的反应管11、金属制的上侧凸缘(第一凸缘)12和金属制的下侧凸缘(第二凸缘)13的竖式炉，其中，该反应管11在上下的垂直方向上具有轴线方向，并且上端(一端)及下端(另一端)开口，该上侧凸缘12堵塞上端开口，该下侧凸缘13堵塞下端开口。在反应管11与上侧凸缘12及下侧凸缘13的连接部分别设置有一个或两个以上的耐热性O型圈(省略图示)。换言之，反应管11与上侧凸缘12及下侧凸缘13分别经由一个或两个以上的耐热性O型圈(省略图示)连接。
在清洗处理炉2内设置有用于载置半导体装置部件10的台座(工作台)14。台座14轴支撑在旋转轴15上。旋转轴15被设置为贯穿下侧凸缘13。台座14能够与旋转轴15一同在清洗处理炉2内旋转。
清洗处理炉2被构造为能够开放上侧凸缘12及下侧凸缘13中的至少任一个凸缘的一部分或全部。在本实施方式中，通过从反应管11侧依次经由耐热性O型圈等层压四个凸缘13a～13d而构造下侧凸缘13。下侧凸缘13中的最下方的凸缘13d为升降凸缘，能够在反应管11侧的凸缘13c与升降凸缘13d之间开放清洗处理炉2内。通过使台座14与升降凸缘13d一同上升及下降，能够从清洗处理炉2的下方搬入及搬出半导体装置部件10。此外，也可以焊接四个凸缘13a～13d中的凸缘13a～13c之间。
加热装置3为用于加热清洗处理炉2内的半导体制造装置部件10的热源。在本实施方式中，加热装置3被设置在清洗处理炉2的外侧。加热装置3只要是能够将清洗处理炉2内的半导体制造装置部件10加热至所需温度的装置，则不受特别限定。作为加热装置3，可列举高频感应加热装置的加热线圈、加热灯、加热灯丝等。其中，作为加热装置3，还优选使用能够将半导体装置部件10加热至约1000℃左右的加热线圈。在使用加热线圈作为加热装置3的情况下，优选被设置为卷绕反应管11的周围。
气体导入管4为用于将吹扫用惰性气体、与化合物半导体反应的清洁气体、以及与清洁气体一同使用的载气导入到清洗处理炉2内的气体导入路径。在本实施方式中，气体导入管4被设置为贯穿上侧凸缘12。
本实施方式的清洗装置1中使用的清洁气体不受特别限定，可根据附着在半导体装置部件10上的化合物半导体(半导体)的种类适当选择清洁气体。在此，在化合物半导体为上述的氮化物类化合物半导体的情况下，作为清洁气体，可使用Cl2、HCl、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、BCl3、CHCl3、CH2Cl2、CH3Cl等的在分子内包含氯的氯类气体。其中，还特别优选氯气(Cl2)。另外，作为清洁气体，也可以使用上述的氯类气体中的一种或两种以上的混合物，还可以使用通过氮等载气进行浓度调整后的气体。
气体排出管5为用于将导入到清洗处理炉内的吹扫气体及附着在半导体制造装置部件10上的化合物半导体与清洁气体的反应生成物从清洗处理炉2内排出的气体排出路径。在本实施方式中，气体排出管5被设置为贯穿下侧凸缘13(具体而言，凸缘13b)。另外，气体排出管5也可以具有主路径5A和从主路径5A分支之后再次合流的旁路路径5B。在该情况下，优选在主路径5A及旁路路径5B上分别设置有切换用开闭阀(省略图示)。
另外，在气体排出管5的下游侧，设置有用于通过使从清洗处理炉2内排出的反应生成物冷却及凝集而补足的捕集器(未图示)。此外，在气体排出管5的下游侧设置有氯类气体的除害装置(未图示)。
减压装置6被设置在气体排出管5的主路径5A上，从而对清洗处理炉2内进行真空排气。减压装置6只要是使清洗处理炉2内达到所需的真空度的装置，则不受特别限定。作为这种减压装置6，可使用旋转泵、干式泵等。其中，优选使用干式泵作为减压装置6。
第一温度控制装置7是为了将作为接触气体部的清洗处理炉2内侧的表面2A的温度维持在所需范围内而设置。第一温度控制装置7被构造为具备控制上侧凸缘12的炉内侧表面12A的温度的温度控制机构16和控制下侧凸缘13的炉内侧表面13A的温度的温度控制机构17。即，第一温度控制装置7能够分别独立地对上侧凸缘12及下侧凸缘13进行温度控制。此外，第一温度控制装置7优选被设置为将反应管11与上侧凸缘12及下侧凸缘13的连接部的温度维持在所需范围内。由此，能够将设置在反应管11与上侧凸缘12及下侧凸缘13的连接部上的O型圈保持在耐热温度以下。
图2是表示设置于上侧凸缘12的温度控制机构16的结构的一例的图。温度控制机构16只要是能够将上侧凸缘12的炉内侧表面12A的温度控制在所需的温度范围内的机构，则不受特别限定。作为温度控制机构16，优选通过与经温度控制的液体的换热来控制上侧凸缘12的炉内侧表面12A的温度的机构。
具体而言，温度控制机构16被构造为具有：换热部18、向换热部18供给液体的供给路径L1、从换热部18排出液体的排出路径L2、从排出路径L2分支并合流到供给路径L1的返送路径L3、第一开闭阀19、第二开闭阀20、温度计(温度测定装置)21和泵(加压输送装置)22。
换热部18为设置在上侧凸缘12的内侧的液体的流路。通过向该流路供给具有所需温度的液体，从而在换热部18与上侧凸缘12之间进行换热。即，在想要冷却上侧凸缘12的情况下，向换热部18供给比上侧凸缘12的温度低的液体即可。另外，在想要加热上侧凸缘12的情况下，向换热部18供给比上侧凸缘12的温度高的液体即可。此外，在想要将上侧凸缘12维持在所需温度的情况下，向换热部18供给控制在所需温度的液体即可。
在本实施方式中，作为一例说明了将换热部18设置在上侧凸缘12的内侧的结构，但并不限定于此。也可以以与上侧凸缘12的炉内侧表面12A的相反侧的表面相接的方式设置液体的流路。另外，只要具有至少一个换热部18即可，也可以是具有两个以上的换热部18的结构。
供给路径L1由管道等构造，该管道是为了从省略图示的供给源向换热部18供给液体而设置。供给路径L1分支为主路径L1A和副路径L1B，在再次合流之后与换热部18连接。
在供给路径L1上设置有第一开闭阀19，从而阶段性地或连续地调节向换热部18供给的液体的供给量。具体而言，在构造供给路径L1的主路径L1A及副路径L1B上分别设置有第一开闭阀19A、19B。
第一开闭阀19A被控制在规定的开度，从而在运转清洗装置1时，使供给路径L1内的液体持续流动。通过向换热部18持续供给来自供给源的液体，从而能够将上侧凸缘12控制在耐热温度以下。
第一开闭阀19B与后述的温度计21电连接，通过接收从温度计21发送的控制信号而被控制在所需的开度。通过同时使用第一开闭阀19A和第一开闭阀19B，从而能够立即供给所需的液体的供给量，因此提高温度控制的响应速度。
在本实施方式中，作为一例说明了具有向一个换热部18供给液体的一个供给路径L1的结构，但并不限定于此。也可以对一个换热部18具有两个以上的供给路径L1。还可以是对两个以上的换热部18具有与换热部18对应的数量的供给路径L1的结构。此外，还可以是通过一条供给路径L1分支而供给到两个以上的换热部18的方式。
另外，在本实施方式中，作为一例说明了在从一条供给路径L1分支的各路径L1A、L1B上分别设置第一开闭阀19A、19B的结构，但并不限定于此。也可以是在两个以上的供给路径L1上分别设置第一开闭阀19的结构，在一条供给路径L1分支为两个以上的路径的情况下，也可以是在分支之前设置第一开闭阀19的方式，还可以是在分支前后均设置第一开闭阀19的方式。
排出路径L2由管道等构造，该管道是为了从换热部18排出换热后的液体而设置。在排出路径L2上设置有温度计21及第二开闭阀20。
温度计21测定从换热部18排出的液体的温度。温度计21与第二开闭阀19B电连接，根据从换热部18排出的液体的温度，向第二开闭阀19B发送控制信号。
第二开闭阀20阶段性地或连续地调节从换热部18排出的液体中的向系统外排出的排出量。具体而言，在运转清洗装置1时，根据第一开闭阀19A的开度，控制第二开闭阀20的开度。另外，在同时使用第一开闭阀19A、19B的情况下，根据它们的合计开度，控制第二开闭阀20的开度。此外，如后述，当在返送路径L3上设置泵22来使液体在循环路径内循环的情况下，也可以省略第二开闭阀20。
在本实施方式中，作为一例说明了具有从一个换热部18排出液体的一个排出路径L2的结构，但并不限定于此。也可以对一个换热部18具有两个以上的排出路径L2。还可以是对两个以上的换热部18具有与换热部18对应的数量的排出路径L2的结构。此外，还可以是在从两个以上的换热部18排出到相同数量的排出路径之后合流到一条排出路径L2的方式。
另外，在本实施方式中，作为一例说明了在一条排出路径L2上设置一个第二开闭阀20的结构，但并不限定于此。也可以是在两个以上的排出路径L2上分别设置第二开闭阀20的结构。在两条以上的排出路径L2合流为一条路径的情况下，也可以是在合流之前分别设置第二开闭阀20的方式，还可以是在合流前后均设置第二开闭阀20的方式。
返送路径L3由管道等构造，该管道是为了从排出路径L2分支之后合流到供给路径L1并将排出路径L2内的换热后的一部分液体返送到供给路径L1而设置。具体而言，以排出路径L2的温度计21与第二开闭阀20之间为分支点，并且以供给路径L1的主路径L1A与副路径L1B的二次侧为合流点，在分支点与合流点之间设置返送路径L3。即，在本实施方式的温度控制机构16中设置有由上述合流点与换热部18之间的供给路径L1、换热部18、换热部18与上述分支点之间的排出路径L2和返送路径L3构造的液体的循环路径。
另外，在返送路径L3上设置有以所需的压力及流量加压输送液体的泵22。由此，从换热部18排出的换热后的一部分液体以所需的流量返送到供给路径L1，并且在与供给路径L1内的液体混合后，再次被供给到换热部18。即，液体在循环路径内循环。
在本实施方式中，作为一例说明了具有从一条排出路径L2向一条供给路径L1返送液体的一条返送路径L3的结构，但并不限定于此。与上述的供给路径L1及排出路径L2同样，也可以制定各种变更。另外，在本实施方式中，作为一例说明了一条返送路径L3具有一个泵22的结构，但并不限定于此，也可以制定各种变更。
就温度控制机构16而言，在运转清洗装置1时，通过将第一开闭阀19A控制在规定的开度，从而使供给路径L1内的液体持续流动。具体而言，从供给源向供给路径L1供给液体。从供给路径L1供给到换热部18的液体在与上侧凸缘12进行换热之后，从换热部18排出到排出路径L2。排出到排出路径L2中的一部分液体从返送路径L3返送到供给路径L1，剩余部分经由设置于排出路径L2的第二开闭阀20排出到系统外。在此，返送到供给路径L1中的液体在与供给路径L1内的液体混合之后，再次被供给到换热部18。
当通过在清洗处理炉2内被加热的半导体制造装置部件10的辐射热等来使上侧凸缘12的温度上升时，在换热部18中与上侧凸缘12进行换热的液体的温度也会上升。此外，由于与通过返送路径L3返送的液体混合，因此从供给路径L1向换热部18供给的液体(即，循环路径内的液体)的温度也会上升。
在此，当由设置在排出路径L2上的温度计21测定的循环路径内的液体的温度超过所需的温度范围的上限值的情况下，对循环路径内的液体进行冷却。具体而言，通过打开设置在副路径L1B中的第一开闭阀19B而增加来自供给源的液体的供给量。并且，通过控制泵22的输出功率而减少从返送路径L3返送的液体的流量，通过增大设置在排出路径L2上的第二开闭阀20的开度而增加液体向系统外的排出量。如此，通过在所需的温度范围内将循环路径内的液体的温度控制在规定的温度，从而能够抑制上侧凸缘12的温度上升。
另一方面，当在清洗处理炉2内停止半导体制造装置部件10的加热时，上侧凸缘12的温度下降。在此，在由设置于排出路径L2的温度计21测定的循环路径内的液体的温度不满足所需的温度范围的下限值的情况下，维持循环路径内的液体。具体而言，关闭设置于副路径L1B的第一开闭阀19B。并且，通过控制泵22的输出功率而增加从返送路径L3返送的液体的流量，通过减小设置于排出路径L2的第二开闭阀20的开度而减少液体向系统外的排出量。如此，通过在所需的温度范围内将循环路径内的液体的温度控制在规定的温度，从而能够抑制上侧凸缘12的温度下降。
如此，通过在所需的温度范围内将从换热部18排出的液体的温度即循环路径内的液体的温度控制在规定的温度，从而能够将上侧凸缘12的炉内侧表面12A的温度缓慢地控制在所需的温度范围内。另外，也可以使用在清洗处理炉2内的半导体制造装置部件10的加热温度下预先确认的表来设定循环路径内的液体的温度和流量。
在本实施方式中，作为一例说明了温度控制机构16对循环路径内的液体的温度进行测定并通过使控制在所需的温度范围内的循环路径内的液体与上侧凸缘12进行换热来控制上侧凸缘12的炉内侧表面12A的温度的方式，但并不限定于此。例如，也可以是如下结构：即，在上侧凸缘12的内部或表面分别设置冷却用液体流路和加热用液体流路，根据上侧凸缘12的炉内侧表面12A的温度适当地供给冷却用液体或加热用液体。
如图1所示，温度控制机构17控制下侧凸缘13的炉内侧表面13A的温度。温度控制机构17只要是能够将下侧凸缘13的炉内侧表面13A的温度控制在所需的温度范围内的机构，则不受特别限定。作为这种温度控制机构17，优选通过经温度控制的液体的供给或循环来进行控制的结构，与温度控制机构16同样，更优选通过在使经温度控制的液体向构造下型凸缘13的凸缘13a、13c、13d中的每一个供给或循环来控制循环路径内的液体的温度的结构。
如以上说明的那样，由于第一温度控制装置7具有多个温度控制机构16、17，因此能够分别独立地对上侧凸缘12和下侧凸缘13进行温度控制。
另外，由于上述温度控制机构16、17中的至少一个或两个均为通过经温度控制的液体的供给或循环来进行控制的结构，因此能够容易进行温度控制，并且能够降低设置成本。
作为冷却介质及加热介质使用的经温度控制的液体不受特别限定，可适当地选择能够将清洗处理炉2内维持在所需的温度范围内的液体。其中，在将上侧凸缘12及下侧凸缘13的炉内侧表面的温度控制在70～80℃的情况下，从安全性方面和经济性方面来看，也优选使用水作为液体。
此外，在本实施方式中，作为一例说明了第一温度控制装置7不具有耐热温度高且热容量大的石英制的反应管11的温度控制机构的结构，但并不限定于此。例如，第一温度控制装置也可以是具有反应管11的温度控制机构、上侧凸缘12的温度控制机构16及下侧凸缘13的温度控制机构17的结构。通过这种结构，能够更准确地控制清洗处理炉2内的表面2A的温度。
如图1所示，第二温度控制装置8将气体排出管5内的温度维持在所需范围内，从而反应生成物不会附着在气体排出管5内。优选在气体排出管5中的从清洗处理炉2的外侧至省略图示的捕集器的部分设置第二温度控制装置8。另外，在气体排出管5分支为主路径5A与旁路路径5B的情况下，优选在这两个路径上设置第二温度控制装置8。
第二温度控制装置8只要是能够将气体排出管5内的温度维持在所需范围内的装置，则不受特别限定。作为第二温度控制装置8，能够使用管道加热器、块体加热器等。优选根据气体排出管5的形状适当地使用这些加热器。
吹扫气体供给机构9从清洗处理炉2的外侧向清洗处理炉2的间隙供给经温度控制的吹扫气体。吹扫气体供给机构9具备作为吹扫气体的惰性气体供给源(省略图示)、与惰性气体供给源连接的吹扫气体供给路径(省略图示)和设置在吹扫气体供给路径的前端的吹扫气体喷出口9A。
在此，清洗处理炉2的间隙是指构造清洗处理炉2的反应管11与上侧凸缘12及下侧凸缘13的连接部和如气体导入管4、气体排出管5及旋转轴15等贯穿上下凸缘12、13的部分等那样难以控制温度且难以控制为所需的表面温度的部分。通过吹扫气体供给机构9向清洗处理炉2的间隙供给经温度控制的吹扫气体，从而能够防止清洗处理炉2内的表面温度局部下降。因此，能够防止反应生成物附着到清洗处理炉2内的表面。
<半导体制造装置部件的清洗系统>
接着，对具备上述的清洗装置1的清洗系统进行说明。
图3是表示作为应用本发明的一实施方式的半导体制造装置部件的清洗系统的结构的一例的示意图。另外，图4是用于说明在本实施方式的清洗系统中转交半导体制造装置部件10的图。
如图3所示，本实施方式的半导体制造装置部件的清洗系统(以下，简称为“清洗系统”)50大致被构造为具备半导体制造装置101、清洗装置1和运送装置24。
(半导体制造装置)
半导体制造装置101只要是在基材上形成半导体的层或覆膜的装置，则不受特别限定。作为半导体制造装置101，例如可使用利用了MOCVD、PECVD等化学蒸镀法的装置或利用了真空蒸镀、分子束蒸镀(MBE)等物理蒸镀法的装置。以下，作为一例说明了半导体装置101为CVD成膜装置的情况。
半导体装置101具备用于配置半导体制造装置部件10的成膜炉(反应炉)102和用于将成膜炉102内的基材加热到所需温度的加热装置103。
成膜炉102具有反应管111、上侧凸缘112和下侧凸缘113。
在成膜炉102内设置有用于载置半导体制造装置部件10的台座114和用于支撑台座114的旋转轴115。
下侧凸缘113由凸缘113a～113d构造，凸缘113d为升降凸缘。凸缘13d能够旋转地轴支撑于旋转时115，随着凸缘13d的升降，台座114也升降。
(运送装置)
运送装置24只要是能够在半导体制造装置101与清洗装置1之间转交作为清洗对象的半导体制造装置部件10的装置，则不受特别限定。
在运送装置24的内侧具有密闭的运送处理空间。另外，运送装置24具有用于隔开运送处理空间的开闭式的闸阀28、29。通过闸阀28、29，运送处理空间被分割为第一待机室25、吹扫室26和第二待机室27这三个空间。
第一待机室25被配置在清洗处理炉2的下方。在此，如图4所示，通过开放构造清洗处理炉2的下侧凸缘13的升降凸缘13d，从而作为运送处理空间的第一待机室25与清洗处理炉2内连通。另外，通过使台座14与升降凸缘13d一同下降，从而能够从清洗处理炉2的下侧向第一待机室25搬出半导体装置部件10。相反，通过在第一待机室25中使载置有半导体制造装置部件10的台座14与升降凸缘13d一同上升，从而能够从第一待机室25向清洗处理炉2内搬入半导体制造装置部件10。
如图3所示，在第一待机室25与第二待机室27之间，以分别相邻的方式配置有吹扫室26。在吹扫室26中，通过吹扫来去除由存在于膜的最上部的氧化层产生的残渣，该残渣有可能会在半导体制造装置部件10的清洗之后残留。在吹扫室26中设置有手套箱31、吹嘴32、鼓风机33、经由泵等与吹嘴32气密连接的抽吸34和在鼓风机33的抽吸侧的正前面捕捉残渣(微粒子)的过滤器35。由此，能够通过吹扫来去除半导体制造装置部件10的残渣而不会混入大气成分。
第二待机室27被配置在成膜炉102的下方。在此，如图4所示，通过开放构造成膜炉102的下侧凸缘113的升降凸缘113d，从而作为运送处理空间的第二待机室27与成膜炉102内连通。另外，通过使台座114与升降凸缘113d一同下降，从而能够从成膜炉102的下侧向第二待机室27搬出半导体装置部件10。相反，通过在第一待机室25中使载置有半导体制造装置部件10的台座114与升降凸缘113d一同上升，从而能够从第二待机室27向成膜炉102内搬入半导体制造装置部件10。
运送装置24具有拨叉机构30。拨叉机构30能够在运送处理空间中把持半导体制造装置部件10。另外，拨叉机构30能够在运送装置24的运送处理空间内沿水平方向移动。即，通过开放闸阀28、29，从而拨叉机构30在把持半导体制造装置部件10的状态下，以横穿第一待机室25、吹扫室26和第二待机室27的方式沿水平方向运送半导体制造装置部件10。
<半导体制造装置部件的清洗方法>
接着，对本实施方式的半导体制造装置部件的清洗方法进行说明。
本实施方式的半导体制造装置部件的清洗方法(以下，简称为“清洗方法”)是使用具备清洗装置1的清洗系统50来进行的。
另外，在本实施方式中，作为一例说明了化合物半导体(半导体)为氮化物类化合物半导体的氮化镓(GaN)且使用氯气(Cl2)作为清洁气体的情况。
(第一步骤)
首先，从半导体制造装置101的成膜炉102内取出附着有化合物半导体(半导体)的半导体制造装置部件10，并且收容在清洗装置1的清洗处理炉2内。
具体而言，首先，如图3和图4所示，开放成膜炉102的下侧凸缘113中的升降凸缘113d，使成膜炉102内与第二待机室27连通。接着，使载置有用于氮化镓(GaN)的成膜的半导体制造装置部件10的台座114与升降凸缘113d一同下降，向第二待机室27内搬入半导体制造装置部件10。接着，开放闸阀28、29，在使拨叉机构30向第二待机室27内移动之后，在把持半导体制造放置部件10的状态下，使之向第一待机室25移动。
接着，在第一待机室25内待机的台座14上载置半导体制造装置部件10，使拨叉机构30退避。接着，使载置有半导体制造装置部件10的台座14与清洗处理炉2的下侧凸缘13中的升降凸缘13d一同上升，向清洗装置1的清洗处理炉2内搬入半导体装置部件10。
(第二步骤)
接着，如图1所示，加热半导体制造装置部件10的同时，反复进行清洗处理炉2内的真空排气以进行吹扫。
具体而言，通过加热装置3来将半导体制造装置部件10加热至1000℃左右的同时，从气体导入管4向清洗处理炉2内供给作为吹扫气体的干燥氮气。之后，通过减压装置6进行清洗处理炉2内的真空排气。通过反复进行多次该操作，去除残留在半导体制造装置部件10和清洗处理炉2内的水分。
(第三步骤)
接着，向清洗处理炉2内导入清洁气体，对半导体制造装置部件10进行清洗。
具体而言，将半导体制造装置部件10加热至1000℃左右的同时，从气体导入管4向清洗处理炉2内供给作为清洁气体的氯气与氮气的混合气体。在清洗处理炉2内，通过使附着在半导体制造装置部件10上的氮化镓与氯气进行气相反应，生成作为反应生成物的氯化镓(GaCl3)。如此，通过去除附着在半导体制造装置部件10上的氮化镓，从而清洗半导体制造装置部件10。
(第四步骤)
接着，反复进行清洗处理炉2内的真空排气，从清洗处理炉2内向气体排出管5排出化合物半导体与清洁气体的反应生成物。
具体而言，停止对半导体制造装置部件10的加热，启动减压装置6并从清洗处理炉2内向气体排出管5排出含有氯化镓(GaCl3)的气体。
在本实施方式的清洗方法中，在上述的第三步骤及第四步骤的期间，将清洗处理炉2内的表面温度维持在所需范围内。
具体而言，通过第一温度控制装置7分别独立地对上侧凸缘12及下侧凸缘13进行温度控制。
清洗处理炉2内的表面温度可以为50℃以上且200℃以下，优选为60℃以上且100℃以下，更优选为70℃以上且80℃以下。如果将清洗处理炉2内的表面温度设为50℃以上，则能够使氯化镓高效地蒸发。如果将清洗处理炉2内的表面温度设为200℃以下，则能够使用耐热温度低的廉价的O型圈。如果将清洗处理炉2内的表面温度设为100℃以下，则能够使用水作为成为冷却介质的液体，从而机构廉价且易于维护。
在第一温度控制装置7具有温度控制机构16、17，并且分别独立地对上侧凸缘12及下侧凸缘13进行温度控制的情况下，通过实现经温度控制的液体的供给或循环，从而能够容易控制温度。另外，在使用水作为液体的情况下，通过将温度控制在70℃以上且80℃以下，从而能够实现安全运转。
图5是表示三氯化镓的蒸汽压曲线的图表。
如图5所示，根据三氯化镓的蒸汽压曲线，各温度下的饱和蒸汽压如下所述：例如，在100℃下为6kPa，在70℃下为2kPa，在20℃下几乎为0。在此，如果在某个温度下清洗处理炉2内的压力低于饱和蒸汽压或达到相同水平，则氯化镓会迅速蒸发。
即，由于氯化镓等具有在大气压下约200℃的蒸汽压，因此能够使该氯化镓等在半导体制造装置部件10的清洗过程中的温度(1000℃左右)下气化并排出。然而，如果一些残渣残留在清洗处理炉2内，并且冷却至200℃以下，甚至冷却至常温(20℃左右)，则反应生成物不会被排出，有时会发生故障。
本发明人确认到，作为这种故障的对策，通过对清洗处理炉2内进行减压并提高氯化镓的分压，从而使反应生成物容易蒸发。此时，进一步确认到如果对清洗处理炉2内进行吹扫则会提高效率。此外，确认到通过使清洗处理炉2内的作为接触气体部的表面2A温热而成为更容易去除的环境。
但是，在将清洗对象加热至高温的现有的清洗装置中，因高温而导致非加热对象的清洗处理炉的耐热温度低的部分劣化的情况较多，通常在这种部分设置用于使冷却液(例如，20℃左右的水)循环的冷却机构，使得不超过其耐热温度，。
然而，在现有的清洗装置中，如果停止清洗对象的加热，则清洗处理炉的炉壁(炉内表面)的温度下降至环境温度(例如，20℃左右的常温)或冷却机构的冷却水的温度。于是，如上所述，产生反应生成物不会被排出而作为残渣残留在炉内表面的不良情况。
因此，本发明人进行了深入研究，其结果发现即使在通过将用于控制清洗处理炉的温度的冷却液的温度从通常的20℃变更为50℃以上200℃以下而在清洗处理炉内不进行加热的情况下，炉内表面也适度变暖，因此炉内残留的反应生成物不会作为残渣而残留在炉内表面。
此外，本发明人发现通过使用市政用水等水(冷却水)作为冷却液，并且利用清洗处理时的炉内的热，从而在不使用昂贵的冷冻机(Chiller)等的情况下，只利用冷却水的流量变化来将冷却水的温度保持在70～80℃。具体而言，设置用于使液体循环的路径，根据液体的热容量来控制液温的急剧温度变化，其结果能够控制炉内表面的急剧温度变化。
在此，在本实施方式的清洗方法中，对在上述的第三步骤和第四步骤的期间利用构造第一温度控制设备7的温度控制机构16来控制上侧凸缘12的温度的方法进行说明。
如图1所示，温度控制机构16在第三步骤开始之前，通常使冷却水(液体)在包括换热部18在内的循环路径内循环，该冷却水为将市政用水(20℃左右)作为供给源供给到供给路径L1的液体。
接着，在第三步骤开始时，由于在清洗处理炉2内加热(例如1000℃)半导体制造装置部件10时的辐射热，构造炉壁的上侧凸缘12也被加热，而且循环的冷却水也被加热。在由排出路径L2的温度计21测定的冷却水的液温达到预先设定的第一阈值(例如80度)时，打开供给路径L1的第一开闭阀19和排出路径L2的第二开闭阀20，更换循环的一部分冷却水以使液温下降。在温度计21的液温达到预先设置的第二阈值(例如70℃)时，关闭第一开闭阀19及第二开闭阀20，使冷却水在循环路径内循环。通过反复进行该操作，在第三步骤期间，冷却水的温度可保持在70℃到80℃，上侧凸缘12的温度可保持在耐热温度以下。
此外，可根据第三步骤期间的冷却水的温度上升率，从供给路径L1阶段性地增加未加热的液体的流量，来降低循环路径内的液体的温度。可通过介于开度可调的一个以上的第一开闭阀19(19A、19B)之间的一个以上的供给路径L1(L1A、L1B)来实现这种调整。并且，优选排出路径L2也为同样的结构。
接着，在第四步骤开始时，虽然结束清洗处理炉2内的半导体制造装置部件10的加热，但在一段时间内因余热而使循环路径内的冷却水温热，因此与上述的第三步骤中同样，在第一阈值与第二阈值之间反复进行冷却水的温度控制。
接着，即使在清洗处理炉2内的温度下降，构造炉壁的上侧凸缘12的温度小于第二阈值(例如70℃)的情况下，循环路径内的冷却水也因自身的热量而不会急剧冷却。因此，在一段时间内，即，在直至第四步骤结束之前的期间，能够将上侧凸缘12的温度保持在70℃前后，并且持续发挥使清洗处理炉2内的表面2A温热的效果。根据这种方法，与持续进行温度控制的情况相比，虽然温暖效果变少(时间变短)，但不需要设置昂贵的冷冻机(Chiller)等设备，因此经济效果很好。
此外，本实施方式的温度控制机构16的结构和运转方法为一例，并不限定于此。例如，在将上侧凸缘12的温度控制区域分割为多个区域并分别设置换热部，对成为被控温部的这些换热部并列设置多个具有开闭阀的供给路径、排出路径及返送路径，并且分别设定第一阈值及第二阈值进行控制的情况下，能够实现更精细的温度控制。另外，第一阈值及第二阈值可以对于经划分的多个被控温部分别独立设定，还可以对于经划分的多个被控温部共同设定。
另外，在本实施方式的清洗方法中，在上述的第三步骤及第四步骤期间以及至少在清洁气体滞留在炉内的期间，对于清洗处理炉2中的难以控制温度的部位(即，温度有可能低于所需温度的部位)，优选从吹扫气体供给机构9向清洗处理炉2喷出经温度控制的吹扫气体。
吹扫气体的温度范围不受特别限定。吹扫气体的温度范围的上限为200℃以下，可以是不超过清洗处理炉2周围的部件的耐热温度的温度。吹扫气体的温度范围的下限优选为70℃以上。如此，通过将经温度控制的吹扫气体喷出到清洗处理炉2的难以控制温度的部位，从而能够更可靠地防止在清洗处理炉2内的表面析出作为反应生成物的氮化镓。
此外，在本实施方式的清洗方法中，在上述的第四步骤期间，将气体排出管5内的温度维持在所需范围内。
具体而言，通过第二温度控制装置8对气体排出管5的从清洗处理炉2的外侧部分至捕集器(图示省略)的部分进行温度控制。由此，能够防止在气体排出管5内析出氮化镓，并且能够在捕集器(图示省略)中切实地补足氮化镓。
气体排出管5内的表面温度为200℃以上且400℃以下，更优选为200℃以上且250℃以下。如果将清洗处理炉2内的表面温度设为200℃以上，则能够防止在气体排出管5内析出作为反应生成物的氮化镓。
(第五步骤)
最后，从清洗处理炉2内搬出半导体制造装置部件10，并且收容在半导体制造装置101的成膜炉102内。
具体而言，首先，如图3及图4所示，开放清洗处理炉2的下侧凸缘13中的升降凸缘13d，使清洗处理炉2内与第一待机室25连通。接着，使载置有完成清洗处理的半导体制造装置部件10的台座14与升降凸缘13d一同下降，将半导体制造装置部件10搬入到第一待机室25内。接着，在使拨叉机构30向第一待机室25内移动之后，以把持半导体制造放置部件10的状态开放闸阀28，并且使之向吹扫室26移动。
在吹扫室26中，对飞散在清洗处理后的半导体制造装置部件10上的颗粒(例如，氧化铝等残渣)进行吹扫去除。具体而言，从手套箱31内操作吹嘴32及抽吸口34，对飞散在半导体制造装置部件10的表面上的颗粒进行吹扫去除。此外，吹扫室26中的颗粒的去除方法为一例，并不限定于此。作为去除方法，也可以组合吹扫与喷射或干冰喷射，还可以通过抽吸来去除。另外，也可以在吹扫室26内设置浴槽，并且组合湿式清洗和吹扫。
接着，在通过拨叉机构30把持吹扫室26内的半导体制造装置部件10的状态下开放闸阀29，并且使之向第二待机室27移动。接着，在第二待机室27内待机的台座114上载置半导体制造装置部件10，在退避拨叉机构30之后，关闭闸阀29。接着，使载置有半导体制造装置部件10的台座114与成膜炉102的下侧凸缘113中的升降凸缘113d一同上升，将半导体装置部件10搬入到半导体制造装置部件101的成膜炉102内。
如此，根据本实施方式的清洗方法，通过使用运送装置24，能够在半导体制造装置部件101的成膜炉102内与清洗装置1的清洗处理炉2内之间运送半导体制造装置部件10，而不会暴露于外部空气。
如上所述，根据本实施方式的清洗装置1、清洗系统50及使用它们的清洗方法，能够通过简单的结构来防止反应生成物在构造清洗处理炉2的反应管11、上侧凸缘12及下侧凸缘13的表面附着而成的附着物的残留。因此，即使反应生成物为腐蚀性高的氮化镓等的氯化物等，在伴随清洗处理炉2的大气开放而金属制的上侧凸缘12及下侧凸缘13暴露于大气中的情况下，这些部件也不会被腐蚀。
另外，根据本实施方式的清洗装置1、清洗系统50及清洗方法，至少在清洁气体滞留在清洗处理炉2内的期间，通过将清洗处理炉2内的表面温度控制在70～80℃的范围内，从而使由随后的真空置换(到达压力为300Pa左右)析出的反应生成物全部蒸发。另外，在本实施方式中，作为减压装置6，可使用市售的廉价的旋转泵、干式泵(到达真空度为几百Pa左右)等。
此外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内可施加各种变更。例如，在上述的实施方式的清洗装置1中，作为一例说明了具有上端及下端开口的石英制的反应管11、堵塞上端开口的金属制的上侧凸缘12和堵塞下端开口的金属制的下侧凸缘13的清洗处理炉2的结构，但并不限定于此。
图6是示意性地表示另一实施方式所涉及的半导体制造装置部件的清洗装置的结构的剖视图。如图6所示，另一实施方式的清洗装置41也可以是具有清洗处理炉42的结构，该清洗处理炉42具有下端开口的石英制的反应管51和堵塞下端开口的金属制的下侧凸缘13。在该情况下，优选反应管51的上端为钟罩形状等可耐受抽真空的结构。由此，能够省略构造上述的实施方式的清洗装置1的上侧凸缘12的温度控制机构16。
另外，如图1所示，在上述的实施方式的清洗装置1中，作为一例说明了使用加热线圈作为加热装置3的结构，但不限定于此。例如，如图6所示，在另一实施方式所涉及的清洗装置41中，作为加热装置43，也可以是使用覆盖反应管51的侧面和上端的加热灯丝的结构。
另外，在上述的实施方式的清洗装置1中，作为一例说明了气体导入管4贯穿上侧凸缘12的结构，但并不限定于此。例如，如图6所示，在另一实施方式所涉及的清洗装置41中，作为气体导入管44，也可以是贯穿下侧凸缘13及旋转轴15的结构。
另外，在上述的实施方式的清洗装置1中，作为一例说明了台座(工作台)14具有旋转机构的结构，但并不限定于此。例如，也可以是台座14不具有旋转机构的结构。具体而言，通过使用支柱代替旋转轴15并将支柱固定在升降凸缘13d上，从而能够实现清洗处理炉2内的气密。因此，能够省略吹扫气体供给机构9。
另外，在上述的实施方式的清洗装置1中，作为一例说明了清洗处理炉2为竖式炉的结构，但并不限定于此。例如，也可以是反应管的轴线方向为水平方向的卧式炉。
另外，在上述的实施方式的清洗装置1经由运送处理空间25与省略图示的半导体制造装置气密连结的情况下，也可以是在上述的清洗方法中省略第二步骤的构成。此外，就上述的清洗方法而言，还可以是以缩短时间为目的在保持高温的情况下运送半导体制造装置部件10的构成。
实施例
使用MOCVD装置，使包括AlN层的GaN类氮化物HEMT结构在基材上生长5μm。然后，使用图1所示的清洗装置1，按照以下条件及工序对配置在基材周边的MOCVD炉内的部件进行清洗。
<条件>
·清洗时的加热温度：900℃
·清洗处理炉内压力：大气压
·清洁气体：氯(1L/min)与氮(9L/min)的混合气体
·清洗时间：60分钟(每批次)
<工序>
(1)将部件设置在清洗处理炉2内
(2)对清洗处理炉2内抽真空的同时进行吹扫
(3)对部件进行加热使之升温至加热温度
(4)开始向清洗处理炉2内供给清洁气体
(5)停止清洁气体的供给并开始降温
(6)对清洗处理炉2内进行真空置换
(7)开始降温
(8)在清洗处理炉2的内温下降至300℃以下时取出部件，并且在炉外进一步冷却
在完成清洁之后，目视观察了从清洗处理炉2内取出的清洗后的部件表面，但没有观察到残渣。
另外，利用碳带采集存在堆积物的地方的残渣，并且通过扫描电子显微镜进行观察。此外，使用能量分散型X射线分析装置对残渣进行了分析。在这些观察及分析的结果，从清洗后的部件表面没有检测到作为成为堆积物的主成分的氮化镓和氮化铝的构成元素的镓、铝及氮。不过，虽然观察到了白色的箔状粉末，但通过吹扫吹飞了该箔状粉末。
在降温至常温之后，观察了清洗处理炉2内，其结果没有发现反应生成物的析出，也没有异味。
将清洗后的部件再次设置于MOCVD装置，与上次同样在基材上进行了GaN类氮化物HEMT结构的外延生长，其结果确认到基材上的膜厚和结晶性与上次等同。
附图标记说明
1、41…半导体制造装置部件的清洗装置(清洗装置)；2、42…清洗处理炉；3、43…加热装置；4、44…气体导入管；5…气体排出管；6…减压装置；7…第一温度控制装置；8…第二温度控制装置；9…吹扫气体供给机构；10…半导体制造装置部件；11、51…反应管；12…上侧凸缘；13、53…下侧凸缘；14…台座(工作台)；15…旋转轴；16…第一温度控制机构；17…第二温度控制机构；18…换热部；19…第一开闭阀；20…第二开闭阀；21…温度计(温度测定装置)；22…泵(加压输送装置)；24…运送装置；25…第一待机室；26…吹扫室；27…第二待机室；28、29…闸阀；30…拨叉机构；31…手套箱；32…吹嘴；33…鼓风机；34…抽吸口；35…过滤器；50…半导体制造装置部件的清洗系统(清洗系统)；101…半导体制造装置；L1～L3…路径。

Claims (14)

1.一种半导体制造装置部件的清洗装置，在所述半导体制造装置部件上附着有半导体，所述半导体制造装置部件的清洗装置具备：
清洗处理炉，用于收容所述半导体制造装置部件；
加热装置，用于对所述清洗处理炉内的所述半导体制造装置部件进行加热；
减压装置，用于对所述清洗处理炉内进行真空排气；
气体导入管，用于向所述清洗处理炉内导入与所述半导体反应的清洁气体；
气体排出管，用于从所述清洗处理炉内排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物；
第一温度控制装置，用于将所述清洗处理炉内的表面的温度维持在所需范围内；以及
第二温度控制装置，用于将所述气体排出管内的温度维持在所需范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
所述清洗处理炉具有至少一端开口的石英制的反应管和堵塞所述开口的金属制的第一凸缘。
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
所述清洗处理炉具有两端开口的石英制的反应管、堵塞所述开口的一端侧的金属制的第一凸缘和堵塞所述开口的另一端侧的金属制的第二凸缘。
4.根据权利要求2或3所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
所述第一温度控制装置具有一个以上的温度控制机构，一个以上的所述温度控制机构分别独立地对所述反应管及所述凸缘中的构造所述清洗处理炉内的表面的一个以上的部分进行温度控制。
5.根据权利要求4所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧设置有至少一个所述温度控制机构。
6.根据权利要求4或5所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
所述温度控制机构是通过液体的供给和液体的循环中的任一种或两种来进行温度控制的。
7.根据权利要求6所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
所述温度控制机构具有：
一个以上的换热部，设置在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧且由所述液体的流路形成；
一个以上的供给路径，用于向所述换热部供给所述液体；
一个以上的排出路径，用于从所述换热部排出所述液体；
一个以上的返送路径，从至少一个以上的所述排出路径分支，并且合流到至少一个以上的所述供给路径，用于将所述排出路径内的一部分液体返送到所述供给路径；
一个以上的第一开闭阀，设置在所述供给路径上，用于阶段性地或者连续地调节向所述换热部供给的所述液体的供给量；
一个以上的温度测定装置，设置在所述排出路径上；以及
一个以上的加压输送装置，设置在所述返送路径上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
进一步具备吹扫气体供给机构，所述吹扫气体供给机构从所述清洗处理炉的外侧向所述清洗处理炉的间隙供给经温度控制的吹扫气体。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，
所述半导体为由通式AlxInyGa1-x-yN表示的氮化物类化合物半导体，其中，x、y为0≤x＜1、0≤y＜1、0≤x+y＜1，
所述清洁气体为氯类气体。
10.一种半导体制造装置部件的清洗方法，使用权利要求1至9中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，
所述半导体制造装置部件的清洗方法将附着有半导体的半导体制造装置部件收容在清洗处理炉内，
对所述半导体制造装置部件进行加热的同时，反复进行所述清洗处理炉内的真空排气以吹扫所述清洗处理炉内，
在向所述清洗处理炉内导入清洁气体，清洗所述半导体制造装置部件之后，
反复进行所述清洗处理炉内的真空排气，从所述清洗处理炉内向气体排出管排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物，
在向所述清洗处理炉内导入清洁气体，清洗所述半导体制造装置部件，并且反复进行所述清洗处理炉内的真空排气，从所述清洗处理炉内向气体排出管排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物的期间，将所述清洗处理炉内的表面的温度维持在所需范围内，
在从所述清洗处理炉内向气体排出管排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物的期间，将所述气体排出管内的温度维持在所需范围内。
11.一种半导体制造装置部件的清洗系统，具备：
半导体制造装置，用于在配置有半导体制造装置部件的成膜炉内，在基材上形成半导体的层或覆膜；以及
权利要求1至9中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，用于在清洗处理炉内清洗附着有所述半导体的所述半导体制造装置部件。
12.根据权利要求11所述的半导体制造装置部件的清洗系统，其中，
进一步具备运送装置，所述运送装置在所述半导体制造装置与所述半导体制造装置部件的清洗装置之间，转交所述半导体制造装置部件。
13.根据权利要求12所述的半导体制造装置部件的清洗系统，其中，
所述运送装置内的运送处理空间与所述成膜炉内及所述清洗处理炉内分别连通。
14.根据权利要求13所述的半导体制造装置部件的清洗系统，其中，
所述运送装置具有一个以上的闸阀，一个以上的所述闸阀能够将所述运送处理空间分割为两个以上的空间。
CN201980074607.5A 2018-11-16 2019-10-25 半导体制造装置部件的清洗装置、清洗方法及清洗系统 Active CN113015583B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018215791A JP6852040B2 (ja) 2018-11-16 2018-11-16 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム
JP2018-215791 2018-11-16
PCT/JP2019/041870 WO2020100554A1 (ja) 2018-11-16 2019-10-25 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113015583A true CN113015583A (zh) 2021-06-22
CN113015583B CN113015583B (zh) 2023-08-11

Family

ID=70732078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980074607.5A Active CN113015583B (zh) 2018-11-16 2019-10-25 半导体制造装置部件的清洗装置、清洗方法及清洗系统

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220002864A1 (zh)
EP (1) EP3854492B1 (zh)
JP (1) JP6852040B2 (zh)
CN (1) CN113015583B (zh)
WO (1) WO2020100554A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118086860A (zh) * 2024-04-29 2024-05-28 成都晨发泰达航空科技股份有限公司 一种转子叶片化学气相沉积铝涂层装置及方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11862482B2 (en) * 2021-03-11 2024-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor substrate bonding tool and methods of operation

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249585A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Fujitsu Ltd 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
WO1999009233A1 (de) * 1997-08-14 1999-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Gasleitungssystem für einen prozessreaktor sowie verfahren zur behandlung von halbleitersubstraten
JPH1187326A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Ebara Corp 気相成長装置
JP2002129334A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Applied Materials Inc 気相堆積装置のクリーニング方法及び気相堆積装置
CN1638026A (zh) * 2004-01-07 2005-07-13 松下电器产业株式会社 衬底处理器件及其清洗方法
JP2007109928A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置
CN101325160A (zh) * 2007-06-11 2008-12-17 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜方法和装置
CN101622692A (zh) * 2007-02-27 2010-01-06 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置的清洗方法、执行该清洗方法的等离子体处理装置以及储存执行该清洗方法的程序的存储介质
JP2010245376A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Taiyo Nippon Sanso Corp 窒化物半導体製造装置における汚染部品の洗浄装置
JP2011501429A (ja) * 2007-10-18 2011-01-06 グローバル スタンダード テクノロジー カンパニー リミテッド 半導体製造装置の温度調節システム
KR20110139097A (ko) * 2010-06-22 2011-12-28 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법 및 반도체 제조 장치의 클리닝 방법
CN102693892A (zh) * 2011-03-25 2012-09-26 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
JP2015192063A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 アモルファスシリコン膜形成装置の洗浄方法、アモルファスシリコン膜の形成方法およびアモルファスシリコン膜形成装置
JP2017168607A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 大陽日酸株式会社 気相成長装置における汚染部品のドライ洗浄装置
JP2018041883A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置用部品の洗浄方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US8075789B1 (en) * 1997-07-11 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning source having reduced reactivity with a substrate processing chamber
WO2010129289A2 (en) * 2009-04-28 2010-11-11 Applied Materials, Inc. Decontamination of mocvd chamber using nh3 purge after in-situ cleaning
WO2011017222A2 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dry cleaning a cooled showerhead
WO2011031521A2 (en) * 2009-08-27 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Method of decontamination of process chamber after in-situ chamber clean
US20120000490A1 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Applied Materials, Inc. Methods for enhanced processing chamber cleaning
TWI534291B (zh) * 2011-03-18 2016-05-21 應用材料股份有限公司 噴淋頭組件
JP5715245B2 (ja) 2011-05-19 2015-05-07 古河機械金属株式会社 半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置
JP5710433B2 (ja) 2011-09-13 2015-04-30 株式会社東芝 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
JP6799549B2 (ja) * 2018-01-16 2020-12-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法
US11532461B2 (en) * 2018-10-23 2022-12-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249585A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Fujitsu Ltd 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
WO1999009233A1 (de) * 1997-08-14 1999-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Gasleitungssystem für einen prozessreaktor sowie verfahren zur behandlung von halbleitersubstraten
JPH1187326A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Ebara Corp 気相成長装置
JP2002129334A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Applied Materials Inc 気相堆積装置のクリーニング方法及び気相堆積装置
CN1638026A (zh) * 2004-01-07 2005-07-13 松下电器产业株式会社 衬底处理器件及其清洗方法
JP2007109928A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置
CN101622692A (zh) * 2007-02-27 2010-01-06 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置的清洗方法、执行该清洗方法的等离子体处理装置以及储存执行该清洗方法的程序的存储介质
CN101325160A (zh) * 2007-06-11 2008-12-17 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜方法和装置
JP2011501429A (ja) * 2007-10-18 2011-01-06 グローバル スタンダード テクノロジー カンパニー リミテッド 半導体製造装置の温度調節システム
JP2010245376A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Taiyo Nippon Sanso Corp 窒化物半導体製造装置における汚染部品の洗浄装置
KR20110139097A (ko) * 2010-06-22 2011-12-28 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 반도체 제조 장치, 반도체 제조 방법 및 반도체 제조 장치의 클리닝 방법
CN102693892A (zh) * 2011-03-25 2012-09-26 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
JP2015192063A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 アモルファスシリコン膜形成装置の洗浄方法、アモルファスシリコン膜の形成方法およびアモルファスシリコン膜形成装置
JP2017168607A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 大陽日酸株式会社 気相成長装置における汚染部品のドライ洗浄装置
JP2018041883A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置用部品の洗浄方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118086860A (zh) * 2024-04-29 2024-05-28 成都晨发泰达航空科技股份有限公司 一种转子叶片化学气相沉积铝涂层装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3854492A4 (en) 2022-01-26
CN113015583B (zh) 2023-08-11
JP2020088016A (ja) 2020-06-04
WO2020100554A1 (ja) 2020-05-22
EP3854492B1 (en) 2024-06-19
EP3854492A1 (en) 2021-07-28
JP6852040B2 (ja) 2021-03-31
US20220002864A1 (en) 2022-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8679956B2 (en) Multiple precursor showerhead with by-pass ports
KR100697512B1 (ko) 기판 처리 장치의 클리닝 방법
US8110889B2 (en) MOCVD single chamber split process for LED manufacturing
JP5199286B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
US20120240858A1 (en) Substrate processing apparatus and solid raw material replenishing method
JP2013012719A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20060115590A1 (en) Method and system for performing in-situ cleaning of a deposition system
WO2011159690A2 (en) Multiple precursor showerhead with by-pass ports
JP6285305B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体の製造方法
CN113015583B (zh) 半导体制造装置部件的清洗装置、清洗方法及清洗系统
KR20140118814A (ko) 종형 열처리 장치의 운전 방법, 기억 매체 및 종형 열처리 장치
US20060182886A1 (en) Method and system for improved delivery of a precursor vapor to a processing zone
TW201905235A (zh) 成膜裝置及其洗淨方法
US20110104896A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
KR102216500B1 (ko) 웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버
JP2008303452A (ja) 基板処理装置
US20110171758A1 (en) Reclamation of scrap materials for led manufacturing
JP2009224588A (ja) 基板処理装置
US20220205086A1 (en) Method for depositing a semiconductor layer system, which contains gallium and indium
JP2012138530A (ja) 基板の製造方法、半導体デイバスの製造方法及び基板処理装置
JP3817123B2 (ja) Ｃｖｄ装置
US20140290702A1 (en) Method for cleaning components of nitride semiconductor manufacturing apparatus and device for cleaning components of nitride semiconductor manufacturing apparatus
JP2012195422A (ja) 基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
WO2012077680A1 (ja) 基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
JP2007227804A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant