JP2008303452A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ200を収容するとともに、ウエハ200に所望の薄膜を形成するための処理ガスが流通してウエハ200を処理する処理管203と、前記処理ガスまたは処理管203内のクリーニング用のガスを処理管203内に供給するガス供給ラインと、処理管203の雰囲気を下流領域Cから排気する排気管231と、下流領域Cの温度を調節するヒータ260等と、排気ライン231の温度を調節するヒータ262等と、を備える。コントローラ280は、ヒータ260等とヒータ262等とを制御することにより、処理管203内に前記処理ガスが供給される時と前記クリーニング用のガスが供給される時において、下流領域Cおよび排気管231の温度を異ならせる。
【選択図】図2
Description
したがって、本発明の主な目的は、パーティクルの発生や排気ラインの目詰まりの発生を抑制してメンテナンスの回数を低減することができる基板処理装置を提供することにある。
基板を収容するとともに、前記基板に所望の薄膜を形成するための処理ガスが流通して前記基板を処理する処理容器と、
前記処理ガスまたは前記処理容器内のクリーニング用のガスを前記処理容器内に供給するガス供給ラインと、
前記処理容器の雰囲気を前記処理容器の下流領域から排気する排気ラインと、
前記処理容器の下流領域の温度を調節する第1の温調手段と、
前記排気ラインの温度を調節する第2の温調手段と、
前記第1の温調手段と前記第2の温調手段を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、少なくとも第1の温調手段と第2の温調手段を制御することにより、前記処理容器内に前記処理ガスが供給される時と前記クリーニング用のガスが供給される時において、前記処理容器の下流領域および前記排気ラインの温度を異ならせることを特徴とする基板処理装置が提供される。
下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し熱処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。
ALD法を用いた成膜処理例について、半導体装置(半導体デバイス)の製造工程の一つである、TDMAT(テトラキスジメチルアミノチタン)とNH3(アンモニア)とを用いたTiN膜を形成する例を基に説明する。
真空ポンプ246を作動させた状態において、ガス供給管232aにTDMATを流入させかつキャリアガス供給管234aとキャリアガス供給管234bとにそれぞれキャリアガスを流入させる。キャリアガスとしてはN2(窒素)やAr(アルゴン)等の不活性ガスを使用することができ、本実施例1ではキャリアガスとしてN2を使用している。
ガス供給管232aのバルブ243aを閉めてTDMATの気化ガスの供給を停止するとともに、キャリアガス供給管234aのバルブ241cとキャリアガス供給管234bのバルブ243dとを閉じてキャリアガスの供給も停止する。
このとき、ガス排気管231のバルブ243eは開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、処理室201等に残留したTDMATの気化ガスを処理室201内から排除する。
ガス供給管232bにNH3を流入させかつキャリアガス供給管234aとキャリアガス供給管234bとにそれぞれキャリアガスを流入させる。この状態で、ガス供給管232bのバルブ243bと、キャリアガス供給管234aのバルブ243cと、キャリアガス供給管234bのバルブ243dとを、開ける。
成膜後、ガス供給管232bのバルブ243bを閉めてNH3の供給を停止するとともに、キャリアガス供給管234aのバルブ243cとキャリアガス供給管234bのバルブ243dとを閉じてキャリアガスの供給も停止する。このとき、ガス排気管231のバルブ243eは開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201等に残留したNH3であって成膜に寄与した後のガスを排除する。
真空ポンプ246を作動させた状態において、ガス供給管250とガス供給管255とにクリーニング用のガスを流入させ、かつ、キャリアガス供給管234aとキャリアガス供給管234bとにそれぞれキャリアガスを流入させる。クリーニング用のガスとしてはNF3(三フッ化窒素)やClF3(三フッ化塩素)等を使用することができ、本実施例1ではクリーニング用のガスとしてNF3を使用している。
コントローラ280により、バルブ243eと真空ポンプ246とを制御して、ガス排気管231やバルブ243eの内部の圧力を、「大気圧」と「低真空圧」とに交互に変動させ、ガス排気管231やバルブ243eの内部の圧力を急激に変動させる。すなわち、大気圧から低真空圧へと移行して再度大気圧に戻るまでを1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。例えば、大気圧と低真空圧との圧力変動率を15Torr/秒と設定し、1サイクル当たり6分間と時間設定し、これを120サイクルにわたり実行する。
105 カセット棚
107 予備カセット棚
110 カセット
111 筐体
114 カセットステージ
115 ボートエレベータ
118 カセット搬送装置
118a カセットエレベータ
118b カセット搬送機構
123 移載棚
125 ウエハ移載機構
125a ウエハ移載装置
125b ウエハ移載装置エレベータ
125c ツイーザ
128 アーム
134a,134b クリーンユニット
147 炉口シャッタ
200 ウエハ
202 処理炉
203 処理管
207 ヒータ
209 フランジ
217 ボート
218 ボート支持台
219 シールキャップ
220 Oリング
231 ガス排気管
232a,232b ガス供給管
233a,233b ノズル
234a,234b キャリアガス供給管
240 液体用のマスフローコントローラ
241a,241b,241c マスフローコントローラ
242 気化器
243a,243b,243c,243d,243e バルブ
246 真空ポンプ
248a,248b ガス供給孔
267 ボート回転機構
250,255 ガス供給管
251,256 マスフローコントローラ
252,257 バルブ
260,262,264 ヒータ
270 断熱カバー
275 排熱ダクト
277 開閉式断熱板
280 コントローラ
290 冷媒流路
295 冷媒ポンプユニット
Claims (1)
- 基板を収容するとともに、前記基板に所望の薄膜を形成するための処理ガスが流通して前記基板を処理する処理容器と、
前記処理ガスまたは前記処理容器内のクリーニング用のガスを前記処理容器内に供給するガス供給ラインと、
前記処理容器の雰囲気を前記処理容器の下流領域から排気する排気ラインと、
前記処理容器の下流領域の温度を調節する第1の温調手段と、
前記排気ラインの温度を調節する第2の温調手段と、
前記第1の温調手段と前記第2の温調手段を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、少なくとも第1の温調手段と第2の温調手段を制御することにより、前記処理容器内に前記処理ガスが供給される時と前記クリーニング用のガスが供給される時において、前記処理容器の下流領域および前記排気ラインの温度を異ならせることを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011060938A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP2012064804A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101304368B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2013-09-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2014039249A1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | Applied Materials, Inc. | Gas exhaust for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition |
JP2015183260A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2016174014A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 豊田合成株式会社 | 基板処理方法および半導体素子の製造方法 |
CN111719142A (zh) * | 2019-03-20 | 2020-09-29 | 东京毅力科创株式会社 | 热处理装置和成膜方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001176807A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造装置、製造方法およびクリーニング方法 |
JP2002222805A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2002285336A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2003197548A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
WO2004070802A1 (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Tokyo Electron Limited | 処理システム及び処理システムの稼働方法 |
-
2007
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001176807A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造装置、製造方法およびクリーニング方法 |
JP2002222805A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2002285336A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2003197548A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
WO2004070802A1 (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Tokyo Electron Limited | 処理システム及び処理システムの稼働方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011060938A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
KR101304368B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2013-09-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US8808455B2 (en) | 2010-01-29 | 2014-08-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
JP2012064804A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2014039249A1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | Applied Materials, Inc. | Gas exhaust for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition |
US9111980B2 (en) | 2012-09-04 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas exhaust for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition |
JP2015183260A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2016174014A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 豊田合成株式会社 | 基板処理方法および半導体素子の製造方法 |
CN111719142A (zh) * | 2019-03-20 | 2020-09-29 | 东京毅力科创株式会社 | 热处理装置和成膜方法 |
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