JP4963817B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4963817B2 JP4963817B2 JP2005274255A JP2005274255A JP4963817B2 JP 4963817 B2 JP4963817 B2 JP 4963817B2 JP 2005274255 A JP2005274255 A JP 2005274255A JP 2005274255 A JP2005274255 A JP 2005274255A JP 4963817 B2 JP4963817 B2 JP 4963817B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- valve
- gas
- processing furnace
- tma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 49
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 26
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 65
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
ALD法は、ある成膜条件(温度、時間等)の下で、成膜に用いる2種類(またはそれ以上)の原料ガスを1種類ずつ交互に基板上に供給し、1原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
大気開放された配管内に液体材料が残っていると、液体材料やその気化ガスが放出されたり、配管内に液体材料と大気成分との反応物が発生する可能性がある。
液体材料やその気化ガス及びその反応物は、人体や周辺環境に悪影響を与えることがある。
又、反応物は除去し難い場合があり、完全に除去できない状態で再び液体原料タンクを取付し、装置を運用すると、残った反応物が、装置で処理される半導体デバイスの性能に悪影響を与える。
洗浄方法としては、溶剤で洗い流したり、不活性ガスなどで置換と減圧排気を繰り返す手段が一般的である。
基板を処理する空間を提供する処理室と、
前記処理室内へ所望の液体原料を気化させたガスを供給する供給ラインと、
前記液体原料を収容する液体原料タンクと、を備えた基板処理装置であって、
前記供給ラインは、少なくともフレキシブル配管と第1と第2の短配管とを含み、
前記フレキシブル配管と前記第1の短配管との間には前記供給ラインの開閉を行う第1のバルブが、前記第1の短配管と前記第2の短配管との間には前記供給ラインの開閉を行う第2のバルブが、前記第1の短配管と前記第2のバルブとの間には継ぎ手が、それぞれ設けられ、
前記第2の短配管は前記液体原料タンクに接続されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。
まず成膜しようとする半導体シリコンウエハ200をボート217に装填し、処理炉202に搬入する。搬入後、次の3つのステップを順次実行する。
ステップ1では、O3ガスを流す。まず第1のガス供給管232aに設けた第1のバルブ243a、及びガス排気管231に設けた第4のバルブ243dを共に開けて、第1のガス供給管232aから第1のマスフローコントローラ243aにより流量調整されたO3ガスをノズル233のガス供給孔248bから処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。O3ガスを流すときは、第4のバルブ243dを適正に調節して処理炉202内圧力を10〜100Paとする。第1のマスフローコントローラ241aで制御するO3の供給流量は1000〜10000sccmである。O3にウエハ200を晒す時間は2〜120秒間である。このときのヒータ207温度はウエハの温度が250〜450℃になるよう設定してある。
ステップ2では、第1のガス供給管232aの第1のバルブ243aを閉めて、O3の供給を止める。また、ガス排気管231の第4のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理炉202を20Pa以下に排気し、残留O3を処理炉202から排除する。また、この時には、N2等の不活性ガスを、O3供給ラインである第1のガス供給管232aおよびTMA供給ラインである第2のガス供給管232bからそれぞれ処理炉202に供給すると、残留O3を排除する効果が更に高まる。
ステップ3では、TMAガスを流す。TMAは常温で液体であり、処理炉202に供給するには、加熱して気化させてから供給する方法、キャリアガスと呼ばれる窒素や希ガスなどの不活性ガスをTMA容器260の中に通し、気化している分をそのキャリアガスと共に処理炉へと供給する方法などがあるが、例として後者のケースで説明する。まずキャリアガス供給管232bに設けたバルブ252、TMA容器260と処理炉202の間に設けられたバルブ250、及びガス排気管231に設けた第4のバルブ243dを共に開けて、キャリアガス供給管232bから第2のマスフローコントローラ241bにより流量調節されたキャリアガスがTMA容器260の中を通り、TMAとキャリアガスの混合ガスとして、ノズル233のガス供給孔248bから処理炉202に供給しつつガス排気管231から排気する。TMAガスを流すときは、第4のバルブ243dを適正に調整して処理炉202内圧力を10〜900Paとする。第2のマスフローコントローラ241aで制御するキャリアガスの供給流量は10000sccm以下である。TMAを供給するための時間は1〜4秒設定する。その後さらに吸着させるため上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を0〜4秒に設定しても良い。このときのウエハ温度はO3の供給時と同じく、250〜450℃である。TMAの供給により、下地膜上のO3とTMAとが表面反応して、ウエハ200上にAl2O3膜が成膜される。
前記カセット移載機114等の搬送動作は、搬送制御手段124により制御される。
200…ウエハ
201…処理室
202…処理炉
203…反応管
207…ヒータ
209…マニホールド
217…ボート
218…石英キャップ
219…シールキャップ
220…Oリング
231…ガス排気管
232a…第1のガス供給管
232b…第2のガス供給管
232c…不活性ガスライン
232d…不活性ガスライン
233…ノズル
241a…第1のマスフローコントローラ
241b…第2のマスフローコントローラ
243a…第1のバルブ
243d…第4のバルブ
246…真空ポンプ
248b…ガス供給孔
250…第3のバルブ
251…ヒータベース
252…第2のバルブ
253…バルブ
254…バルブ
260…液体原料保留タンク(TMA容器)
267…ボート回転機構
300…ヒータ
271…バルブ(タンク側)
272、279…ハード配管
273…バルブ(装置側)
274…フレキシブル配管
275、276、277、278…継ぎ手
280、281…大気開放範囲(斜線部)
Claims (1)
- 基板を処理する空間を提供する処理室と、
前記処理室内へ所望の液体原料を気化させたガスを供給する供給ラインと、
前記液体原料を収容する液体原料タンクと、を備えた基板処理装置であって、
前記供給ラインは、少なくともフレキシブル配管と第1と第2の短配管とを含み、
前記フレキシブル配管と前記第1の短配管との間には前記供給ラインの開閉を行う第1のバルブが、前記第1の短配管と前記第2の短配管との間には前記供給ラインの開閉を行う第2のバルブが、前記第1の短配管と前記第2のバルブとの間には継ぎ手が、それぞれ設けられ、
前記第2の短配管は前記液体原料タンクに接続されていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005274255A JP4963817B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005274255A JP4963817B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007088166A JP2007088166A (ja) | 2007-04-05 |
JP4963817B2 true JP4963817B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=37974859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005274255A Active JP4963817B2 (ja) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4963817B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6458547B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2019-01-30 | 株式会社デンソー | シャワーヘッド、シャワーヘッドシステム、及び成膜装置 |
JP6486160B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2019-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP6768134B2 (ja) * | 2019-11-08 | 2020-10-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置および半導体装置の製造方法並びにプログラム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0616695Y2 (ja) * | 1988-10-18 | 1994-05-02 | 日本電信電話株式会社 | グローブ付気密袋 |
JPH09148257A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
JP3373763B2 (ja) * | 1997-08-13 | 2003-02-04 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置の破過検知装置 |
JP2007031752A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Renesas Technology Corp | 薬液供給装置および薬液供給システム |
-
2005
- 2005-09-21 JP JP2005274255A patent/JP4963817B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007088166A (ja) | 2007-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3913723B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP5720406B2 (ja) | ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法 | |
JP2009295729A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006222265A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5344663B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
JP4874984B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009267345A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4963817B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009224588A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4415005B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011187485A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005064306A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4938805B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4434807B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006066557A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005064538A (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2005243737A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4509697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005197541A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007194331A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005167027A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006295032A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005167021A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005340281A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005303153A (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090508 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4963817 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |