JP2007109928A - 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 - Google Patents
窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007109928A JP2007109928A JP2005299884A JP2005299884A JP2007109928A JP 2007109928 A JP2007109928 A JP 2007109928A JP 2005299884 A JP2005299884 A JP 2005299884A JP 2005299884 A JP2005299884 A JP 2005299884A JP 2007109928 A JP2007109928 A JP 2007109928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- gas
- cleaning gas
- reaction chamber
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 150
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 181
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 39
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005273 aeration Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000010790 dilution Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 23
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体製造装置の汚染部品を取り外して反応室1内に収める。ヒーター5を作動させて反応室1内の汚染部品を500〜1000℃の温度に加熱した後、第1洗浄ガス導入管2から塩素系ガスと希釈ガスからなる第1の洗浄ガスを反応室1内に導入する。汚染物が第1の洗浄ガスに含まれる塩素系ガスと反応し、反応物が揮発性のガスとなり、洗浄ガスに同伴されて排ガス排出管4から排出される。ついで、第2洗浄ガス導入管3から反応室1内に水素系ガスを含む第2の洗浄ガスを導入し、部品に残量している塩素系物質を水素系ガスと反応させ、塩化水素ガス等として除去する。
【選択図】図1
Description
ウエハー以外の部品に付着したGaNなどの半導体薄膜は、不要な汚染物となり、窒化物半導体を製造する上で障害になるので、適宜汚染部品を洗浄して汚染物を除去する必要がある。
水素洗浄は、主としてウエハートレーに付着した汚染物を除去するもので、ウエハートレーを1000℃以上の高温に保持しつつ半導体製造装置内に水素を通気して行う。1000℃以上にするのは、汚染物と水素との反応生成物を揮発除去するためである。
酸化ケイ素を主体とする汚染物の除去については、特開20002−164335号公報に開示がある。
また、ハロゲン系ガスとアルゴンとの洗浄ガスをプラズマ状態として洗浄する方法では、洗浄後の部品にハロゲン系物質が残留することがあり、この残留ハロゲン系物質が半導体製造装置部品を腐食させ、正常な半導体の製造を阻害する恐れがある。
請求項1にかかる発明は、窒化物半導体製造装置内の汚染された部品を、塩素系ガスを主成分とする第1の洗浄ガスと接触させて汚染物質を除去し、第2の洗浄ガスと接触させて部品に残留している塩素系物質を除去することを特徴とする窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法である。
請求項2にかかる発明は、前記第1の洗浄ガスとの接触と第2の洗浄ガスとの接触がバッチ処理方式にて行われることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法である。
請求項4にかかる発明は、前記第2の洗浄ガスが、水素ガスであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法である。
請求項5にかかる発明は、前記第2の洗浄ガスと汚染された部品との接触が、500〜1000℃で行われることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法である。
また、従来の水素洗浄のように1000℃以上の高温にする必要がないので、ウエハートレーなどの部品が熱変形せず、また、従来の燐酸洗浄のような有毒な環境下での洗浄ではないので作業者の安全が確保できる。
しかも、2種類の洗浄方法を使い分ける従来方法に比べ、本発明方法は一つの洗浄方法で洗浄できるメリットもある。
この例の洗浄装置は、汚染された部品を収納するシリカなどの耐熱性材料で作られた反応室1と、この反応室1内に第1の洗浄ガスを導入する第1洗浄ガス導入管2と、同じく反応室1内に第2の洗浄ガスを導入する第2洗浄ガス導入管3と、反応室1内で生じた排ガスを排出する排ガス排出管4と、反応室1内を500℃〜1000℃の温度に保持できる一対のヒーター5、5(加熱手段)と、このヒーター5、5の出力を調整して反応室1内に収められた汚染部品の温度を500〜1000℃の範囲で一定に保持する温度調整器6から構成され、反応室1の底部には洗浄対象となる汚染部品7を載置する台8が配置されている。
なお、ヒーター5は、発熱線、ランプ加熱など汚染部品を加熱可能なものなら何でも良く、個数も2つに限らず任意で良い。
バッチ処理方式とは、後述のように、第1の洗浄ガスを反応室1内に封入状態として所定時間処理し、ついで反応室1内の気体をパージしたのち、第2の洗浄ガスを所定時間封入状態として反応を行うものである。
まず、半導体製造装置から汚染された部品7を取り外して反応室1の台8の上に載置した後、反応室1を密閉する。
第2の洗浄ガスと部品との接触温度は、500〜1000℃の範囲とされ、500℃未満では、残留している塩素系物質の除去が不十分となり、1000℃を越えると部品が熱変形を生じる。
この通気処理方法とは、反応室1内に、第1の洗浄ガスを所定時間流し続け、ついで第2の洗浄ガスを所定時間流し続ける方法である。この方式で用いられる第1および第2の洗浄ガスは、先のバッチ処理方式のものと同じであり、反応温度、反応時間も原則同様でよい。
第2の洗浄ガスを所定時間流したのち、第2の洗浄ガスの導入を停止する。
このため、部品には、塩素系物質が残ることがなくなり、この塩素系物質によって部品が腐食することもなくなる。
さらに、この塩素系物質が部品から飛散し、窒化物半導体の成膜時の膜中に混入することもなく、良質の窒化物半導体膜を得ることもできる。
洗浄装置として、図1に記載の構成のものを使用した。
反応室として、内寸法で直径30cm、横100cmの円筒型のものを用い、第1の洗浄ガスと第2の洗浄ガスを導入した。模擬サンプルとして、サファイア基板上に膜厚が既知の窒化ガリウム、窒化ガリウムアルミニウムの結晶を成膜したものを用いた。
膜厚3.0μmのGaN結晶を成膜したサファイア基板を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、窒素の導入を停止して、反応室1内を減圧状態としてから、塩素70リットルを封入して0.5時間の処理を行った。その後、封入ガスを排出して窒素42slmを流し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
さらに、このサファイア基板を反応室内に戻し、封入ガスを水素70リットルとして0.5時間、温度800℃で反応させたのち、室温に冷却した。
このサファイア基板表面に残留している塩素原子濃度を同様にして測定したところ、0.1atomic%以下(N.D.)であった。
膜厚1.0μmのAlGaN結晶を成膜したサファイア基板を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、窒素の導入を停止し、反応室内を減圧状態としてから塩化水素70リットルを封入して0.5時間の処理を行った。その後、封入ガスを排出してから窒素42slmを流し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のAlGaN膜厚を測定した結果、AlGaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
さらに、このサファイア基板を反応室内に戻し、封入ガスを水素ガス70リットルとして0.5時間、温度800℃で反応させたのち、室温に冷却した。
このサファイア基板表面に残留している塩素原子濃度を同様にして測定したところ、0.1atomic%以下(N.D.)であった。
膜厚3.0μmのGaN結晶を成膜したサファイア基板を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、導入ガスを窒素21slm+塩素21slm(塩素系ガス濃度50体積%)として、0.5時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmとし、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
さらに、このサファイア基板を反応室内に戻し、導入ガスを窒素21slm+水素21slm(水素系ガス濃度50体積%)として0.5時間、温度800℃で流したのち、室温に冷却した。
このサファイア基板表面に残留している塩素原子濃度を同様にして測定したところ、0.1atomic%以下(N.D.)であった。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が900℃に到達した後、導入ガスを水素42slmとして1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、処理後のGaN膜厚をSEMで測定した結果、膜厚は3.0μmであり、GaNの除去はできなかった。
GaN結晶を成膜した直径5cmの石英ガラスを反応室に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が1000℃に達した後、導入ガスを水素42slmとして、1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応炉内温度が室温となるまで冷却した。この処理を30回おこなったのち、石英ガラスの反りを測定した結果、150ミクロンの反りが観察された。
Claims (6)
- 窒化物半導体製造装置内の汚染された部品を、塩素系ガスを主成分とする第1の洗浄ガスと接触させて汚染物質を除去し、第2の洗浄ガスと接触させて部品に残留している塩素系物質を除去することを特徴とする窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法。
- 前記第1の洗浄ガスとの接触と第2の洗浄ガスとの接触がバッチ処理方式にて行われることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法。
- 前記第1の洗浄ガスとの接触と第2の洗浄ガスとの接触が通気処理方式にて行われることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法。
- 前記第2の洗浄ガスが、水素ガスであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法。
- 前記第2の洗浄ガスと汚染された部品との接触が、500〜1000℃で行われることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法。
- 第1洗浄ガス導入管と第2洗浄ガス導入管と排出ガス排出管とを有する反応室と、この反応室内に収めた洗浄対象部品を500〜1000℃の温度に保持できる加熱手段と、第1洗浄ガス導入管に第1の洗浄ガスを送り込む第1洗浄ガス供給源と、第2洗浄ガス導入管に第2の洗浄ガスを送り込む第2洗浄ガス供給源を備えたことを特徴とする窒化物半導体製造装置部品の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005299884A JP5498640B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005299884A JP5498640B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007109928A true JP2007109928A (ja) | 2007-04-26 |
JP5498640B2 JP5498640B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=38035548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005299884A Active JP5498640B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5498640B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010245376A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置における汚染部品の洗浄装置 |
CN102637587A (zh) * | 2011-02-15 | 2012-08-15 | 富士通株式会社 | 用于半导体制造设备的清洗设备以及使用其制造半导体器件的方法 |
WO2012157161A1 (ja) | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 古河機械金属株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄方法、半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置 |
JP2014045102A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置用洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2014143330A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 半導体発光素子用基材の製造方法、半導体発光素子の製造方法、及び、GaN系半導体発光素子 |
WO2016080450A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
JP2016201481A (ja) * | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
KR101909482B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2018-10-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치의 부품 세정 방법 |
JP2019217469A (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ドライ洗浄装置及び、そのドライ洗浄方法 |
CN113015583A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-22 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02190472A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-26 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法 |
JPH0393228A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体エッチング装置 |
JPH04146619A (ja) * | 1990-03-06 | 1992-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜成長法 |
JPH06232099A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置,半導体レーザの製造方法,量子細線構造の製造方法,及び結晶成長方法 |
JPH0945670A (ja) * | 1995-07-29 | 1997-02-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | Iii族−n系結晶の気相エッチング方法および再成長方法 |
JP2002305155A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Nikko Materials Co Ltd | GaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置 |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003203907A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Hitachi Ltd | Cvd装置およびそのクリーニング方法 |
JP2003249475A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Sony Corp | 表面処理方法および表面処理装置 |
JP2004140304A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置の洗浄方法 |
-
2005
- 2005-10-14 JP JP2005299884A patent/JP5498640B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02190472A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-26 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法 |
JPH0393228A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体エッチング装置 |
JPH04146619A (ja) * | 1990-03-06 | 1992-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜成長法 |
JPH06232099A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置,半導体レーザの製造方法,量子細線構造の製造方法,及び結晶成長方法 |
JPH0945670A (ja) * | 1995-07-29 | 1997-02-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | Iii族−n系結晶の気相エッチング方法および再成長方法 |
JP2002305155A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Nikko Materials Co Ltd | GaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置 |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003203907A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Hitachi Ltd | Cvd装置およびそのクリーニング方法 |
JP2003249475A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Sony Corp | 表面処理方法および表面処理装置 |
JP2004140304A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置の洗浄方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010245376A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置における汚染部品の洗浄装置 |
CN102637587A (zh) * | 2011-02-15 | 2012-08-15 | 富士通株式会社 | 用于半导体制造设备的清洗设备以及使用其制造半导体器件的方法 |
JP2012169493A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
KR101553458B1 (ko) * | 2011-05-19 | 2015-09-15 | 후루카와 기카이 긴조쿠 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치부품의 세정방법, 반도체 제조장치부품의 세정장치 및 기상성장장치 |
WO2012157161A1 (ja) | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 古河機械金属株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄方法、半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置 |
CN103597583A (zh) * | 2011-05-19 | 2014-02-19 | 古河机械金属株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗方法、半导体制造装置部件的清洗装置及气相生长装置 |
JPWO2012157161A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2014-07-31 | 古河機械金属株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄方法、半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置 |
US10741380B2 (en) | 2011-05-19 | 2020-08-11 | Furukawa Co., Ltd. | Method for washing semiconductor manufacturing apparatus component, apparatus for washing semiconductor manufacturing apparatus component, and vapor phase growth apparatus |
JP2015073132A (ja) * | 2011-05-19 | 2015-04-16 | 古河機械金属株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄方法 |
TWI482213B (zh) * | 2011-05-19 | 2015-04-21 | 古河機械金屬股份有限公司 | 半導體製造裝置零件之洗淨方法、半導體製造裝置零件之洗淨裝置及氣相沉積裝置 |
JP5715245B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2015-05-07 | 古河機械金属株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄装置および気相成長装置 |
JP2014045102A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置用洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2014143330A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 半導体発光素子用基材の製造方法、半導体発光素子の製造方法、及び、GaN系半導体発光素子 |
WO2016080450A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
JP2016201481A (ja) * | 2015-04-10 | 2016-12-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
KR101909482B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2018-10-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치의 부품 세정 방법 |
JP2019217469A (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ドライ洗浄装置及び、そのドライ洗浄方法 |
JP7034847B2 (ja) | 2018-06-21 | 2022-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ドライ洗浄装置及び、そのドライ洗浄方法 |
CN113015583A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-22 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统 |
CN113015583B (zh) * | 2018-11-16 | 2023-08-11 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、清洗方法及清洗系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5498640B2 (ja) | 2014-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5498640B2 (ja) | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 | |
JP5021907B2 (ja) | 窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置 | |
KR101070666B1 (ko) | 클리닝 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4669605B2 (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
TWI473149B (zh) | 半導體製程系統之清潔 | |
CN101158032B (zh) | 成膜装置及其使用方法 | |
JP2004153265A (ja) | 酸化クリーニングガスを熱活性化する方法および装置 | |
JP5213868B2 (ja) | クリーニング方法及び基板処理装置 | |
JP2009123795A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2009246340A (ja) | 成膜装置のメタル汚染低減方法、半導体装置の製造方法、記憶媒体及び成膜装置 | |
JP2009124050A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2008288281A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2009044091A (ja) | 石英製品のベーク方法及び記憶媒体 | |
JP2004327639A (ja) | 半導体原料、半導体装置の製造方法、基板処理方法、および基板処理装置 | |
JP2010206050A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JPWO2004027849A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
KR20010039780A (ko) | 발열체 cvd 장치 및 부착막의 제거방법 | |
JP2008060171A (ja) | 半導体処理装置のクリーニング方法 | |
JPH0496226A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002313787A (ja) | 熱処理装置の石英製品の洗浄方法及び熱処理方法 | |
JPH02190472A (ja) | 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法 | |
EP4245884A1 (en) | Gas cleaning method, method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, and substrate processing apparatus | |
JP2008211211A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP5302719B2 (ja) | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP2632293B2 (ja) | シリコン自然酸化膜の選択的除去方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120528 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130510 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130531 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140310 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5498640 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |