JPH0393228A - 化合物半導体エッチング装置 - Google Patents
化合物半導体エッチング装置Info
- Publication number
- JPH0393228A JPH0393228A JP23009389A JP23009389A JPH0393228A JP H0393228 A JPH0393228 A JP H0393228A JP 23009389 A JP23009389 A JP 23009389A JP 23009389 A JP23009389 A JP 23009389A JP H0393228 A JPH0393228 A JP H0393228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- wafer
- gas
- window
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 15
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 244000144985 peep Species 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000575946 Ione Species 0.000 description 1
- LTXREWYXXSTFRX-QGZVFWFLSA-N Linagliptin Chemical compound N=1C=2N(C)C(=O)N(CC=3N=C4C=CC=CC4=C(C)N=3)C(=O)C=2N(CC#CC)C=1N1CCC[C@@H](N)C1 LTXREWYXXSTFRX-QGZVFWFLSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化合物半導体基板をエッチングする装置に関し、エッチ
ング工程の能率を向上することを目的とし、 化合物半導体基板を真空中に保持し、該化合物半導体基
板の表面層を化学的または物理的な手段により除去して
清浄化する化合物半導体エッチング装置において、前記
化合物半導体基板（２）の保持部に対向して形成された
覗き窓（９）と、覗き窓（９）の真空側に該覗き窓（９
）に向かって塩素ガスを噴射する噴射口Ｑ４）と、を設
けたことを特徴として化合物半導体エッチング装置を構
成する。
ング工程の能率を向上することを目的とし、 化合物半導体基板を真空中に保持し、該化合物半導体基
板の表面層を化学的または物理的な手段により除去して
清浄化する化合物半導体エッチング装置において、前記
化合物半導体基板（２）の保持部に対向して形成された
覗き窓（９）と、覗き窓（９）の真空側に該覗き窓（９
）に向かって塩素ガスを噴射する噴射口Ｑ４）と、を設
けたことを特徴として化合物半導体エッチング装置を構
成する。
本発明は半導体基板の表面層を除去するための化合物半
導体エッチング装置に関する。
導体エッチング装置に関する。
最近、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）やホット
エレクトロントランジスタ（ＨＥＴ）のような高速電子
デバイスや半導体レーザなどの光デバイスがガリウム砒
素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ）などの化合物
半導体を用いて製造されている。
エレクトロントランジスタ（ＨＥＴ）のような高速電子
デバイスや半導体レーザなどの光デバイスがガリウム砒
素（ＧａＡｓ）やインジウム燐（ＩｎＰ）などの化合物
半導体を用いて製造されている。
そして、か＼る化合物半導体を用いると、シリコン（Ｓ
ｉ）のような単体半導体では達成できないような新しい
分野が開拓できることから注目されているが、このよう
な新しいデバイスは半導体基板（以下略してウエハ）の
上にエビタキシャル戒長を行って形戒する場合が多い。
ｉ）のような単体半導体では達成できないような新しい
分野が開拓できることから注目されているが、このよう
な新しいデバイスは半導体基板（以下略してウエハ）の
上にエビタキシャル戒長を行って形戒する場合が多い。
か＼る場合、特性が優れ、且つ安定性の優れたデバイス
を形戒するには清浄で不純物の付着のないウエハを用い
てエビタキシャル戒長を行うことが必要で、そのため前
処理としてウエハ表面のエッチングによる清浄化が行わ
れている。
を形戒するには清浄で不純物の付着のないウエハを用い
てエビタキシャル戒長を行うことが必要で、そのため前
処理としてウエハ表面のエッチングによる清浄化が行わ
れている。
このように、エッチング装置はデバイス形戒のためのウ
エハ加工用や加工したウエハ上へのエビタキシャル層戒
長のための前処理用として使用されているが、表面層の
エッチング深さを制御できることが必要である。
エハ加工用や加工したウエハ上へのエビタキシャル層戒
長のための前処理用として使用されているが、表面層の
エッチング深さを制御できることが必要である。
こ＼で、エッチング速度はウエハの温度、反応ガスの流
量あるいはビーム強度などに強く依存することから、エ
ッチング装置はこれらの作用因子を精度よく制御できる
ことが必要である。
量あるいはビーム強度などに強く依存することから、エ
ッチング装置はこれらの作用因子を精度よく制御できる
ことが必要である。
エッチング装置にはウエハを真空中に保持した状態でウ
エハ表面に反応性ガスを吹きつけてエッチング（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｅｔｃｈｉｎｇ）する装置やウエハ表面に
反応性のイオンを衝突させてエッチング（Ｒｅａｃ ｔ
ｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）する装置のように化
学的な手段によってエッチングを行う装置がある。
エハ表面に反応性ガスを吹きつけてエッチング（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｅｔｃｈｉｎｇ）する装置やウエハ表面に
反応性のイオンを衝突させてエッチング（Ｒｅａｃ ｔ
ｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）する装置のように化
学的な手段によってエッチングを行う装置がある。
一方、アルゴン（Ａｒ）やヘリウム（｝ｌｅ）のような
不活性なガスイオンを衝突させてエッチング（ＩｏｎＥ
ｔｃｈｉｎｇ）させる装置や、電子サイクロトロン共鳴
によるプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ ＲｅｓｏｎａｎｃｅＰｌａｓｍａ）を照射してエッ
チングする装置のように物理的な手段によってエッチン
グを行う装置がある。
不活性なガスイオンを衝突させてエッチング（ＩｏｎＥ
ｔｃｈｉｎｇ）させる装置や、電子サイクロトロン共鳴
によるプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ ＲｅｓｏｎａｎｃｅＰｌａｓｍａ）を照射してエッ
チングする装置のように物理的な手段によってエッチン
グを行う装置がある。
そして、これらの装置を用いてエッチングを行う場合、
エッチング速度はウエハの温度に強く依存することから
、ウエハの温度を正確に測定することが必要であり、当
初はウエハの近傍に熱電対を設置し、これによりウエハ
の温度制御を行っていた。
エッチング速度はウエハの温度に強く依存することから
、ウエハの温度を正確に測定することが必要であり、当
初はウエハの近傍に熱電対を設置し、これによりウエハ
の温度制御を行っていた。
然し、この方法ではエッチングが進行している表面の温
度を計測できないために、ウエハ毎に温度の変動が生じ
、エッチング速度の制御が不安定になる。
度を計測できないために、ウエハ毎に温度の変動が生じ
、エッチング速度の制御が不安定になる。
これを避ける方法としてウエハ表面を覗ける位置に覗き
窓を設け、この窓を通じて赤外線放射温度計により温度
を測定してウエハの温度制御を行う方法がある。
窓を設け、この窓を通じて赤外線放射温度計により温度
を測定してウエハの温度制御を行う方法がある。
然し、この方法によると化学的なエッチング装置の場合
は覗き窓が反応ガス生戒物の付着により汚れ、また物理
的なエッチング装置の場合は解離しビームとなって飛来
し、蒸着するウエハの戒分によって曇りが生じ、そのた
めに正確な計測（モニタ）ができないと云う問題がある
． 以下、もっとも一般的に用いられている反応性ガスエッ
チング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｅｔｃｈｉｎｇ略称ＲＥ）
装置を例として本発明を説明する。
は覗き窓が反応ガス生戒物の付着により汚れ、また物理
的なエッチング装置の場合は解離しビームとなって飛来
し、蒸着するウエハの戒分によって曇りが生じ、そのた
めに正確な計測（モニタ）ができないと云う問題がある
． 以下、もっとも一般的に用いられている反応性ガスエッ
チング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｅｔｃｈｉｎｇ略称ＲＥ）
装置を例として本発明を説明する。
第３図は発明者が使用しているＲＥ装置の断面図であっ
て、ガスエッチング室ｌの中で、ウエハ２（例えばＧａ
Ａｓウエハ）はサセプタ３の上に固定され、背後よりヒ
ータ４により加熱されている。
て、ガスエッチング室ｌの中で、ウエハ２（例えばＧａ
Ａｓウエハ）はサセプタ３の上に固定され、背後よりヒ
ータ４により加熱されている。
また、ガスエッチング室ｌには反応ガス〔例えば塩化水
素（ｕｃｆ）］供給管５と水素ガス（Ｈ２）供給管６と
があり、それぞれバルブ７と流量計８とが設けられてい
る。
素（ｕｃｆ）］供給管５と水素ガス（Ｈ２）供給管６と
があり、それぞれバルブ７と流量計８とが設けられてい
る。
また、ウエハ２の対向位置には覗き窓９があり、この覗
き窓９の外．側には赤外線放射温度計ｌＯが設けられて
いる。
き窓９の外．側には赤外線放射温度計ｌＯが設けられて
いる。
また、ガスエッチング室１の下部には排気口１１があっ
て、図示を省略したが、ターボ分子ポンプとこれに直結
した回転ポンプよりなる排気系によって排気されている
。
て、図示を省略したが、ターボ分子ポンプとこれに直結
した回転ポンプよりなる排気系によって排気されている
。
この図によってＧａＡｓウエハのエッチング方法を説明
すると次のようになる。
すると次のようになる。
先ず、排気系を動作してガスエッチング室１をｌＯ−６
〜１０−’ ｔｏｒｒの真空度に排気した状態でウエハ
２を約５００℃に加熱し、反応ガス供給管５からＨＣＩ
ｌガスを２ｃｃ／分の流量でウエハ２に照射すると６０
人／分の速度でエッチングすることができ、ウエハ表面
は鏡面となる。
〜１０−’ ｔｏｒｒの真空度に排気した状態でウエハ
２を約５００℃に加熱し、反応ガス供給管５からＨＣＩ
ｌガスを２ｃｃ／分の流量でウエハ２に照射すると６０
人／分の速度でエッチングすることができ、ウエハ表面
は鏡面となる。
また、ウエハ２の表面に残留していた炭素不純物も同時
に除去することができる。
に除去することができる。
なお、この詳細について発明者は下記の文献に報告して
ある。
ある。
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔ
ｈ ９５．（１９８９）３２２）なお、エッチングを行
う際に水素ガス供給管６からＨ２を同時に供給すればウ
エハ２の清浄化効果が向上することも発見している。
ｈ ９５．（１９８９）３２２）なお、エッチングを行
う際に水素ガス供給管６からＨ２を同時に供給すればウ
エハ２の清浄化効果が向上することも発見している。
こ＼で、エッチング工程を通じてウエハ２の温度は覗き
窓９を通じて赤外線放射温度計ｌＯでモニタし制御して
いるが、エッチング処理を繰り返すに従って覗き窓９に
は曇りが生じ、そのためウエハ２の温度を正確にモニタ
することが難しくなり、赤外線放射温度計ｌＯの指示値
を補正して読み取ることが必要であった。
窓９を通じて赤外線放射温度計ｌＯでモニタし制御して
いるが、エッチング処理を繰り返すに従って覗き窓９に
は曇りが生じ、そのためウエハ２の温度を正確にモニタ
することが難しくなり、赤外線放射温度計ｌＯの指示値
を補正して読み取ることが必要であった。
エッチング装置を使用してエッチングを行う場合に反応
生戒物の付着や解離物の蒸着によって覗き窓に曇が生じ
、ウエハ温度を正確にモニタすることが困難となる。
生戒物の付着や解離物の蒸着によって覗き窓に曇が生じ
、ウエハ温度を正確にモニタすることが困難となる。
そのため従来は、エッチング装置の連続使用は制限され
、エッチング装置の真空を破って覗き窓をクリーニング
する必要があった。
、エッチング装置の真空を破って覗き窓をクリーニング
する必要があった。
以上のことから、覗き窓をクリーニングすることなく連
続使用できるエッチング装置を開発する必要があった。
続使用できるエッチング装置を開発する必要があった。
上記の課題は化合物半導体エッチング装置において、化
合物半導体基板の保持部に対向して形成された覗き窓と
、覗き窓の真空側に覗き窓に向かって塩素ガスを噴射す
る噴射口とを設けて化合物半導体エッチング装置を構成
することにより解決することができる。
合物半導体基板の保持部に対向して形成された覗き窓と
、覗き窓の真空側に覗き窓に向かって塩素ガスを噴射す
る噴射口とを設けて化合物半導体エッチング装置を構成
することにより解決することができる。
本発明はガスエッチング室ｌに新たにＣｆ２ガスを噴射
するＣｌ２ガス供給管ｌ３を設け、また覗き窓９の周囲
にヒータ１５を設けるもので、覗き窓９を加熱した状態
で覗き窓９の真空側から噴射口１４によりＣｌ２ガスを
覗き窓９に吹きつけ、付着物を酸化して蒸発することに
より曇りを無くするものである。
するＣｌ２ガス供給管ｌ３を設け、また覗き窓９の周囲
にヒータ１５を設けるもので、覗き窓９を加熱した状態
で覗き窓９の真空側から噴射口１４によりＣｌ２ガスを
覗き窓９に吹きつけ、付着物を酸化して蒸発することに
より曇りを無くするものである。
なお、このＣｌ２ガスの噴射によりガスエッチング室の
真空度は下がるが、この処理はサセプタ３の上のウエハ
２の交換時に行うので、工程の障害にはならない。
真空度は下がるが、この処理はサセプタ３の上のウエハ
２の交換時に行うので、工程の障害にはならない。
次に、Ｃｌ．ガスを使用する理由はＨＣｌガスよりも酸
化力が強いからである。
化力が強いからである。
例えば、ＧａＡｓについて言えば、ＨＣｆｆｉガスを噴
射すると、 ＧａＡｓ ＋４ＨＣｊ！−＋ ＧａＣｊ！ｚ ＋ Ａｓ
ＣＥｚ ＋２Ｈｚ”｛１｝の二塩化物が生ずることを発
明者は見出し、前記文献で報告している。
射すると、 ＧａＡｓ ＋４ＨＣｊ！−＋ ＧａＣｊ！ｚ ＋ Ａｓ
ＣＥｚ ＋２Ｈｚ”｛１｝の二塩化物が生ずることを発
明者は見出し、前記文献で報告している。
然し、Ｉ｛Ｃｆガスの代わりにＣＬガスを使用すると、
ＧａＡｓ ＋３Ｃｊ！ｚ ４ ＧａＣｆ，１ ＋ＡｓＣ
ｌｓ −（２）の反応により三塩化物を生じ、この三塩
化物は二塩化物よりも蒸気圧が高く、１３０℃で約１０
０〜７６０ Ｔｏｒｒの値を示す。
ｌｓ −（２）の反応により三塩化物を生じ、この三塩
化物は二塩化物よりも蒸気圧が高く、１３０℃で約１０
０〜７６０ Ｔｏｒｒの値を示す。
第２図はＧａＡｓウエハの温度を変えてＣｌ２ガスを２
ＳＣＣＭの流量で噴射した場合の手ツチング速度を示
しており、同図からウエハ温度が１００゜Ｃの場合は０
．０２μＳ／分のエッチング速度が得られることを示し
ている。
ＳＣＣＭの流量で噴射した場合の手ツチング速度を示
しており、同図からウエハ温度が１００゜Ｃの場合は０
．０２μＳ／分のエッチング速度が得られることを示し
ている。
このことは、三塩化物は室温でもかなり高い蒸気圧を示
し蒸発することを示している。
し蒸発することを示している。
一方、二塩化物は室温では殆ど蒸発しない。
また、二塩化物はＣＺ．ガスと反応すると酸化されて三
塩化物になる。
塩化物になる。
すなわち、本発明は反応ガス供給管５から噴射したＨＣ
１ガスにより反応して生じ、覗き窓９に付着している反
応生戒物が二塩化物であることから、これにＣｌ．ガス
を噴射し、三塩化物として除去するものである。
１ガスにより反応して生じ、覗き窓９に付着している反
応生戒物が二塩化物であることから、これにＣｌ．ガス
を噴射し、三塩化物として除去するものである。
なお、覗き窓９の周辺にヒータｌ５を設けた理由は、覗
き窓９の温度上昇により付着物の除去は更に急速に行え
るからである。
き窓９の温度上昇により付着物の除去は更に急速に行え
るからである。
第１図に示すＲＥ装置を用い、ウエハ２としてＧａＡｓ
を用い、サセプタ３に装着した後、真空系を動作してガ
スエッチング室１をＩ ＸＩＯ−’ Ｔｏｒｒの真空度
にまで排気した。
を用い、サセプタ３に装着した後、真空系を動作してガ
スエッチング室１をＩ ＸＩＯ−’ Ｔｏｒｒの真空度
にまで排気した。
次に、ヒータ４に通電してＧａＡｓウエハ２を５００℃
に加熱した状態で反応ガス供給管５からＨＣｌガスを流
速２ｃｃ／分、またＨ２ガス供給管６からＨ．を１８ｃ
ｃ／分の流速でそれぞれ流量計８を通じてＧａ八Ｓウエ
ハ２に噴射した。
に加熱した状態で反応ガス供給管５からＨＣｌガスを流
速２ｃｃ／分、またＨ２ガス供給管６からＨ．を１８ｃ
ｃ／分の流速でそれぞれ流量計８を通じてＧａ八Ｓウエ
ハ２に噴射した。
９′
沸お、ＧａＡｓウエハ２の温度は覗き窓９を通して赤外
線放射温度計ｌＯでモニタし、正確に５００゜Ｃに保っ
た． このようにして従来と同様に約１００人のエッチングを
行った後、ＧａＡｓウエハ２を交換する工程を続けたが
、暫くして覗き窓９に曇りが生じた．そこで、次のエッ
チングを行う前に、塩素ガス供給管Ｉ３の噴射口Ｉ４か
ら流量計１６を通じてＣｌ２ガスを１０ｃｃ／分の流量
で約ｌＯ分間噴射した結果、完全に曇りを除去すること
ができ、再び、赤外線温度計１０によりＧａＡｓウエハ
２の温度を正確にモニタできるようになった。
線放射温度計ｌＯでモニタし、正確に５００゜Ｃに保っ
た． このようにして従来と同様に約１００人のエッチングを
行った後、ＧａＡｓウエハ２を交換する工程を続けたが
、暫くして覗き窓９に曇りが生じた．そこで、次のエッ
チングを行う前に、塩素ガス供給管Ｉ３の噴射口Ｉ４か
ら流量計１６を通じてＣｌ２ガスを１０ｃｃ／分の流量
で約ｌＯ分間噴射した結果、完全に曇りを除去すること
ができ、再び、赤外線温度計１０によりＧａＡｓウエハ
２の温度を正確にモニタできるようになった。
なお、ヒータｌ５に通電して石英からなる覗き窓９の温
度を高めれば短時間で曇りを除去することができる。
度を高めれば短時間で曇りを除去することができる。
本発明の実施により装置の真空を破ることなく覗き窓の
曇りを除去できるので、ウエハのエッチングについて制
御性が向上し、また作業能率を向上することができる。
曇りを除去できるので、ウエハのエッチングについて制
御性が向上し、また作業能率を向上することができる。
第ｌ図は本発明に係るＲＥ装置の構戒を示す断面図、
第２図はＧａＡｓ基板についてＣｌ２ガスによるエッチ
ング速度のウエハ温度依存性を示す図、第３図は従来の
ＲＥ装置の構戒を示す断面図、である。 図において、 １はガスエッチング室、 ４はヒータ、 ６は水素ガス供給管、 ２はウエハ、 ５は反応ガス供給管、 ８，ｌ６は流量計、 ｌ５はヒータ、 である。 〕（発 明１二ｆｆ．３ Ｆ？ Ｅ Ｍ ’ｌ ／ｌ
Ｊ４Ａ Ｅ ｉ、ｔｍｉｍ咲米のＩ’ｉ’Ｅ装置の１−
戚［示す前面図第 ３ 図
ング速度のウエハ温度依存性を示す図、第３図は従来の
ＲＥ装置の構戒を示す断面図、である。 図において、 １はガスエッチング室、 ４はヒータ、 ６は水素ガス供給管、 ２はウエハ、 ５は反応ガス供給管、 ８，ｌ６は流量計、 ｌ５はヒータ、 である。 〕（発 明１二ｆｆ．３ Ｆ？ Ｅ Ｍ ’ｌ ／ｌ
Ｊ４Ａ Ｅ ｉ、ｔｍｉｍ咲米のＩ’ｉ’Ｅ装置の１−
戚［示す前面図第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体基板を真空中に保持し、該化合物半導体基
板の表面層を化学的または物理的な手段により除去して
清浄化する化合物半導体エッチング装置において、 前記化合物半導体基板（２）の保持部に対向して形成さ
れた覗き窓（９）と、 覗き窓（９）の真空側に該覗き窓（９）に向かって塩素
ガスを噴射する噴射口（１４）と、 を設けたことを特徴とする化合物半導体エッチング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009389A JPH0393228A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 化合物半導体エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23009389A JPH0393228A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 化合物半導体エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0393228A true JPH0393228A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16902440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23009389A Pending JPH0393228A (ja) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | 化合物半導体エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0393228A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332201A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置 |
| JP2007109928A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 |
-
1989
- 1989-09-05 JP JP23009389A patent/JPH0393228A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332201A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置 |
| JP2007109928A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100442167B1 (ko) | 자연산화막 제거방법 | |
| US4749440A (en) | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates | |
| KR102245729B1 (ko) | 에피택셜 성장 이전에 기판 표면을 사전 세정하기 위한 방법 및 장치 | |
| US6346489B1 (en) | Precleaning process for metal plug that minimizes damage to low-κ dielectric | |
| TW428045B (en) | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds | |
| JPH0642480B2 (ja) | 半導体ウエファの背面を処理する方法 | |
| US6939409B2 (en) | Cleaning method and etching method | |
| TW430882B (en) | Plasma film forming method | |
| TWI806140B (zh) | 用於選擇性乾式蝕刻氧化鎵的方法 | |
| JPH04191379A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0393228A (ja) | 化合物半導体エッチング装置 | |
| JP3258847B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6329583B2 (ja) | ||
| JPH07161674A (ja) | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 | |
| JPH01278025A (ja) | 半導体のドライエッチング方法 | |
| JP2663580B2 (ja) | シリコン表面のパッシベーション方法及び装置 | |
| JP2703228B2 (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法 | |
| JPH02151031A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04252023A (ja) | シリコン結晶の選択的成長方法 | |
| JPH0239523A (ja) | 半導体基板への成膜方法 | |
| KR20170132671A (ko) | 고 종횡비 실린더 에칭에 대한 측벽 패시베이션을 증착하기 위한 기법 | |
| JPS62143430A (ja) | プラズマｃｖｄ法 | |
| JP2689985B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 | |
| JPS6057634A (ja) | 表面保護膜形成方法 | |
| JPS6341014A (ja) | エピタキシヤル成長方法 |