JPH07161674A - 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの処理装置およびその処理方法Info
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- JPH07161674A JPH07161674A JP30791693A JP30791693A JPH07161674A JP H07161674 A JPH07161674 A JP H07161674A JP 30791693 A JP30791693 A JP 30791693A JP 30791693 A JP30791693 A JP 30791693A JP H07161674 A JPH07161674 A JP H07161674A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの処理液分解を抑え、処理の制
御を容易にして、半導体ウエハ面の処理を精密にし、か
つ、安全性を高めることを目的とする。 【構成】 処理チャンバー内に設けられた保持手段に半
導体ウエハを乗せ、処理チャンバーに設けられた加熱手
段によって半導体ウエハを加熱した後に、半導体ウエハ
を回転させながら、貯蔵タンクから処理液を半導体ウエ
ハ面に供給する。
御を容易にして、半導体ウエハ面の処理を精密にし、か
つ、安全性を高めることを目的とする。 【構成】 処理チャンバー内に設けられた保持手段に半
導体ウエハを乗せ、処理チャンバーに設けられた加熱手
段によって半導体ウエハを加熱した後に、半導体ウエハ
を回転させながら、貯蔵タンクから処理液を半導体ウエ
ハ面に供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの処理装
置および処理方法に関するものである。
置および処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５、図６、は従来の半導体ウエハ処理
装置である。１は半導体ウエハ（以下、ウエハとい
う）、２はウエハを収納するためのカセット、３は処理
槽、４はウエハ１面を処理するための処理液、５は処理
液４を加熱するためのヒータ、６は温度センサー、７は
ヒータ５を制御し、処理液４を任意の温度に保持するた
めの制御部である。また、図６において、８はウエハ１
を保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０
は処理液４を貯蔵するためのタンク、１１は処理液４を
タンク１０から吸い上げるためのポンプ、１２は処理液
４をウエハ１面に供給するためのスプレーノズルであ
る。
装置である。１は半導体ウエハ（以下、ウエハとい
う）、２はウエハを収納するためのカセット、３は処理
槽、４はウエハ１面を処理するための処理液、５は処理
液４を加熱するためのヒータ、６は温度センサー、７は
ヒータ５を制御し、処理液４を任意の温度に保持するた
めの制御部である。また、図６において、８はウエハ１
を保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０
は処理液４を貯蔵するためのタンク、１１は処理液４を
タンク１０から吸い上げるためのポンプ、１２は処理液
４をウエハ１面に供給するためのスプレーノズルであ
る。
【０００３】処理液としては、例えば、硫酸、硫酸と過
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
がある。また、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄
液を用いる。
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
がある。また、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄
液を用いる。
【０００４】従来の技術を図５について説明する。処理
槽３に処理液４を入れ、ヒータ５によって処理液を加熱
する。処理液４の温度は、温度センサー６によって検知
され、制御部７によって制御され、任意の温度に維持さ
れている。カセット２にウエハ１を入れ、処理液４の中
に浸してウエハの処理を行なう。
槽３に処理液４を入れ、ヒータ５によって処理液を加熱
する。処理液４の温度は、温度センサー６によって検知
され、制御部７によって制御され、任意の温度に維持さ
れている。カセット２にウエハ１を入れ、処理液４の中
に浸してウエハの処理を行なう。
【０００５】従来の技術を図６について説明する。処理
液４は、タンク１０に貯蔵され、ヒータ５によって加熱
される。処理液の温度は温度センサー６によって検知さ
れ、制御部７によって制御され、任意に保たれる。
液４は、タンク１０に貯蔵され、ヒータ５によって加熱
される。処理液の温度は温度センサー６によって検知さ
れ、制御部７によって制御され、任意に保たれる。
【０００６】ステージ８にウエハ１を乗せ、タンク１０
において加熱された処理液４をポンプ１１によって汲み
上げ、半導体ウエハを回転させながらスプレーノズルを
通して半導体面に噴射する。
において加熱された処理液４をポンプ１１によって汲み
上げ、半導体ウエハを回転させながらスプレーノズルを
通して半導体面に噴射する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハの
処理方法では、半導体ウエハ面の処理性能を高めるた
め、処理液を適当な温度に保つ必要がある。しかし、熱
により分解し易い処理液を用いる場合、処理液を常に加
熱保持することにより濃度変化が加速され、この濃度変
化によって、安定した処理性能を保つことが難しく、ま
た、処理液が危険物であると、引火点あるいは発火点近
くまで加熱し使用する場合に、安全上危険性が大きくな
るという問題点があった。
処理方法では、半導体ウエハ面の処理性能を高めるた
め、処理液を適当な温度に保つ必要がある。しかし、熱
により分解し易い処理液を用いる場合、処理液を常に加
熱保持することにより濃度変化が加速され、この濃度変
化によって、安定した処理性能を保つことが難しく、ま
た、処理液が危険物であると、引火点あるいは発火点近
くまで加熱し使用する場合に、安全上危険性が大きくな
るという問題点があった。
【０００８】処理液によって用いられる最適な温度は異
なるが、従来の装置では処理液の温度を短時間で変える
ことが難しく、ウエハ面をエッチングすることにより処
理する場合、膜種の違いによって一定量エッチングする
のに必要な処理時間の幅が極めて広くなり、生産性の面
で問題となる。
なるが、従来の装置では処理液の温度を短時間で変える
ことが難しく、ウエハ面をエッチングすることにより処
理する場合、膜種の違いによって一定量エッチングする
のに必要な処理時間の幅が極めて広くなり、生産性の面
で問題となる。
【０００９】本発明は、上記のような問題点を解決し、
安全性が高く、制御を容易にして、より精密な処理効果
が得られる半導体ウエハの処理装置を得ることを目的と
する。
安全性が高く、制御を容易にして、より精密な処理効果
が得られる半導体ウエハの処理装置を得ることを目的と
する。
【００１０】また、貯蔵された処理液の分解をさらに抑
制する半導体ウエハの処理装置を得ることを目的とす
る。
制する半導体ウエハの処理装置を得ることを目的とす
る。
【００１１】さらに、本発明は、上記のような問題点を
解決し、安全性が高く、制御が容易で、より精密な処理
効果が得られる半導体ウエハの処理方法を得ることを目
的とする。
解決し、安全性が高く、制御が容易で、より精密な処理
効果が得られる半導体ウエハの処理方法を得ることを目
的とする。
【００１２】また、貯蔵された処理液の分解をさらに抑
制する半導体ウエハの処理装置を得ることを目的とす
る。
制する半導体ウエハの処理装置を得ることを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明に
係る半導体ウエハの処理装置においては、処理チャンバ
ーに半導体ウエハを保持するための手段と、半導体ウエ
ハを加熱する加熱手段を設けたものである。
係る半導体ウエハの処理装置においては、処理チャンバ
ーに半導体ウエハを保持するための手段と、半導体ウエ
ハを加熱する加熱手段を設けたものである。
【００１４】この発明の第２の発明に係る半導体ウエハ
処理装置は、処理液供給手段に処理液を供給する処理液
貯蔵タンクと、この処理液貯蔵タンク内に処理液を冷却
する冷却手段を設けたものである。
処理装置は、処理液供給手段に処理液を供給する処理液
貯蔵タンクと、この処理液貯蔵タンク内に処理液を冷却
する冷却手段を設けたものである。
【００１５】この発明の第３の発明に係る半導体ウエハ
処理装置は、処理チャンバーと、この処理チャンバー内
に半導体ウエハを保持するための手段と、半導体ウエハ
を加熱するための手段と、処理チャンバーの一端と処理
液貯蔵タンクに連通する配管と、処理チャンバーの他端
に連通する配管を備えたものである。
処理装置は、処理チャンバーと、この処理チャンバー内
に半導体ウエハを保持するための手段と、半導体ウエハ
を加熱するための手段と、処理チャンバーの一端と処理
液貯蔵タンクに連通する配管と、処理チャンバーの他端
に連通する配管を備えたものである。
【００１６】この発明の第４の発明に係る半導体ウエハ
の処理方法は、処理チャンバー内に設けられた保持手段
に半導体ウエハを乗せ、この処理チャンバーに設けられ
た加熱手段によって半導体ウエハ面を加熱した後に、処
理液を半導体ウエハ面に噴射して処理するものである。
の処理方法は、処理チャンバー内に設けられた保持手段
に半導体ウエハを乗せ、この処理チャンバーに設けられ
た加熱手段によって半導体ウエハ面を加熱した後に、処
理液を半導体ウエハ面に噴射して処理するものである。
【００１７】この発明の第５の発明に係る半導体ウエハ
の処理方法は、半導体ウエハ面を加熱し、その温度を処
理液の沸点よりも高くして、処理液を半導体ウエハ面に
噴射して処理するものである。
の処理方法は、半導体ウエハ面を加熱し、その温度を処
理液の沸点よりも高くして、処理液を半導体ウエハ面に
噴射して処理するものである。
【００１８】この発明の第６の発明に係る半導体ウエハ
の処理方法は、処理チャンバー内に設けられた保持手段
に半導体ウエハを乗せ、この処理チャンバーに設けられ
た加熱手段によって半導体ウエハ面を加熱した後に、処
理液貯蔵タンク内で冷却された処理液を半導体ウエハ面
に噴射して処理するものである。
の処理方法は、処理チャンバー内に設けられた保持手段
に半導体ウエハを乗せ、この処理チャンバーに設けられ
た加熱手段によって半導体ウエハ面を加熱した後に、処
理液貯蔵タンク内で冷却された処理液を半導体ウエハ面
に噴射して処理するものである。
【００１９】この発明の第７の発明に係る半導体ウエハ
の処理方法は、処理チャンバー内に設けられた保持手段
に半導体ウエハを乗せ、この処理チャンバーに設けられ
た加熱手段によって半導体ウエハ面を加熱した後に、処
理チャンバーと処理液貯蔵タンクを連通する配管によっ
て処理液を巡回させて、半導体ウエハ面に供給するもの
である。
の処理方法は、処理チャンバー内に設けられた保持手段
に半導体ウエハを乗せ、この処理チャンバーに設けられ
た加熱手段によって半導体ウエハ面を加熱した後に、処
理チャンバーと処理液貯蔵タンクを連通する配管によっ
て処理液を巡回させて、半導体ウエハ面に供給するもの
である。
【００２０】
【作用】この発明の第１の発明においては、処理液を長
時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウエハ面
の処理ができるため、制御が容易になり、精密な処理効
果が得られるうえ、安全性も高くなる。
時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウエハ面
の処理ができるため、制御が容易になり、精密な処理効
果が得られるうえ、安全性も高くなる。
【００２１】この発明の第２の発明においては、処理液
を冷却する手段を備えているので、常温で保存できない
処理液あるいは、一度使用して温度の上昇してしまった
処理液などの場合でも、処理液を変質させることなく、
長時間保存することができ、精密な処理効果が得られる
うえ、安全性も高くなる。
を冷却する手段を備えているので、常温で保存できない
処理液あるいは、一度使用して温度の上昇してしまった
処理液などの場合でも、処理液を変質させることなく、
長時間保存することができ、精密な処理効果が得られる
うえ、安全性も高くなる。
【００２２】この発明の第３の発明においては、半導体
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間で温度差が生じ、その温
度差によって、より精密な処理効果が得られる。
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間で温度差が生じ、その温
度差によって、より精密な処理効果が得られる。
【００２３】この発明の第４の発明においては、処理液
を長時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウエ
ハ面の処理ができるため、制御が容易になり、精密な処
理効果が得られるうえ、安全性も高くなる。
を長時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウエ
ハ面の処理ができるため、制御が容易になり、精密な処
理効果が得られるうえ、安全性も高くなる。
【００２４】この発明の第５の発明においては、半導体
ウエハ面の温度を処理液の沸点より高くしておくことに
よって、処理液を反応させた時に反応が促進され、か
つ、長時間の加熱を避けることもできるので、安全性が
高く、制御が容易で、高い処理効果を得ることができ
る。
ウエハ面の温度を処理液の沸点より高くしておくことに
よって、処理液を反応させた時に反応が促進され、か
つ、長時間の加熱を避けることもできるので、安全性が
高く、制御が容易で、高い処理効果を得ることができ
る。
【００２５】この発明の第６の発明においては、常温で
保存できない処理液あるいは、一度使用して温度の上昇
してしまった処理液などの場合に、冷却することによ
り、処理液を変質させることなく、長時間保存すること
ができる。
保存できない処理液あるいは、一度使用して温度の上昇
してしまった処理液などの場合に、冷却することによ
り、処理液を変質させることなく、長時間保存すること
ができる。
【００２６】この発明の第７の発明においては、半導体
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間の温度差によって熱対流
が促進され、より精密な処理効果が得られる。
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間の温度差によって熱対流
が促進され、より精密な処理効果が得られる。
【００２７】
【実施例】実施例１．以下、この発明の第１の実施例を
図１について説明する。図１において、１はウエハ、４
はウエハ面を処理するための処理液、８はウエハ１を保
持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０は処
理液４を貯蔵するためのタンク、１２は処理液４をウエ
ハ１面に供給するためのスプレーノズル、１３は純水を
ウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１４はウ
エハ１を加熱するためのランプ、１６はランプ１４を制
御するためのコントローラ、１７は石英ガラス、１８は
処理チャンバー９内の雰囲気を置換するためのガス供給
口、２０は処理チャンバー９内を排気するための排気
口、２１は処理液４または純水を排液するための排液
口、２２は純水スプレーノズルラインに設けられた自動
バルブ、２３は処理スプレーノズルラインに設けられた
自動バルブ、２４はタンク１０内を加圧するためのガス
ラインに設けられた自動バルブ、２５は処理液４を温度
制御（冷却）するためのチラー、２６はウエハ１面に形
成された処理液４あるいは純水の水膜である。
図１について説明する。図１において、１はウエハ、４
はウエハ面を処理するための処理液、８はウエハ１を保
持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０は処
理液４を貯蔵するためのタンク、１２は処理液４をウエ
ハ１面に供給するためのスプレーノズル、１３は純水を
ウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１４はウ
エハ１を加熱するためのランプ、１６はランプ１４を制
御するためのコントローラ、１７は石英ガラス、１８は
処理チャンバー９内の雰囲気を置換するためのガス供給
口、２０は処理チャンバー９内を排気するための排気
口、２１は処理液４または純水を排液するための排液
口、２２は純水スプレーノズルラインに設けられた自動
バルブ、２３は処理スプレーノズルラインに設けられた
自動バルブ、２４はタンク１０内を加圧するためのガス
ラインに設けられた自動バルブ、２５は処理液４を温度
制御（冷却）するためのチラー、２６はウエハ１面に形
成された処理液４あるいは純水の水膜である。
【００２８】次に、動作について説明する。まず、ステ
ージ８にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を
任意の速度で回転させると共に、スプレーノズル１２か
らウエハ１面に処理液あるいは、スプレーノズル１３か
らウエハ１面に純水を吹き付ける。純水は自動バルブ２
２を開くことによって、処理液４は、自動バルブ２３、
２４を開くことによってタンク１０内が加圧されて供給
される。ウエハ１上の水膜２６の厚みはステージ８の回
転速度によって可変である。ウエハ１に処理液４あるい
は純水を供給する前後において、ランプ１４によってウ
エハ１を表面側より任意の温度に加熱し保持する。処理
液４あるいは純水を常に一定量供給することにより、処
理液４あるいは純水の水膜２６自体の温度上昇を抑制す
ると共に、ウエハ面近傍で水膜２６の厚み方向に対して
温度分布差が生じ、熱対流が促進される。一定時間経過
後、ランプ１４を切ると共に処理液４あるいは純水の供
給を停止し、処理が終了する。処理液４は、排液口２１
より排液するか、あるいはタンク１０に戻してもよい。
ージ８にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を
任意の速度で回転させると共に、スプレーノズル１２か
らウエハ１面に処理液あるいは、スプレーノズル１３か
らウエハ１面に純水を吹き付ける。純水は自動バルブ２
２を開くことによって、処理液４は、自動バルブ２３、
２４を開くことによってタンク１０内が加圧されて供給
される。ウエハ１上の水膜２６の厚みはステージ８の回
転速度によって可変である。ウエハ１に処理液４あるい
は純水を供給する前後において、ランプ１４によってウ
エハ１を表面側より任意の温度に加熱し保持する。処理
液４あるいは純水を常に一定量供給することにより、処
理液４あるいは純水の水膜２６自体の温度上昇を抑制す
ると共に、ウエハ面近傍で水膜２６の厚み方向に対して
温度分布差が生じ、熱対流が促進される。一定時間経過
後、ランプ１４を切ると共に処理液４あるいは純水の供
給を停止し、処理が終了する。処理液４は、排液口２１
より排液するか、あるいはタンク１０に戻してもよい。
【００２９】処理液としては、例えば、硫酸、硫酸と過
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。また、処理液４および純水の供給は、ポンプを用
いて行なってもよい。
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。また、処理液４および純水の供給は、ポンプを用
いて行なってもよい。
【００３０】実施例２．以下、この発明の第２の実施例
を図２について説明する。図２において、１はウエハ、
４はウエハ１面を処理するための処理液、８はウエハ１
を保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０
は処理液４を貯蔵するためのタンク、１２は処理液４を
ウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１３は純
水をウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１４
はウエハ１を加熱するためのランプ、１５は温度センサ
ー、１６はセンサー１５で温度をモニターしランプ１４
を制御するためのコントローラ、１７は石英ガラス、１
８は処理チャンバー９内の雰囲気を置換するためのガス
供給口、１９はウエハ１裏面側に処理液４の雰囲気が混
入するのを防ぐためのガス供給口、２０は処理チャンバ
ー９内を排気するための排気口、２１は処理液４または
純水を排液するための排液口、２２は純水スプレーノズ
ルラインに設けられた自動バルブ、２３は処理スプレー
ノズルラインに設けられた自動バルブ、２４はタンク１
０内を加圧するためのガスラインに設けられた自動バル
ブ、２５は処理液４を温度制御（冷却）するためのチラ
ー、２６はウエハ１面に形成された処理液４あるいは純
水の水膜である。
を図２について説明する。図２において、１はウエハ、
４はウエハ１面を処理するための処理液、８はウエハ１
を保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０
は処理液４を貯蔵するためのタンク、１２は処理液４を
ウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１３は純
水をウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１４
はウエハ１を加熱するためのランプ、１５は温度センサ
ー、１６はセンサー１５で温度をモニターしランプ１４
を制御するためのコントローラ、１７は石英ガラス、１
８は処理チャンバー９内の雰囲気を置換するためのガス
供給口、１９はウエハ１裏面側に処理液４の雰囲気が混
入するのを防ぐためのガス供給口、２０は処理チャンバ
ー９内を排気するための排気口、２１は処理液４または
純水を排液するための排液口、２２は純水スプレーノズ
ルラインに設けられた自動バルブ、２３は処理スプレー
ノズルラインに設けられた自動バルブ、２４はタンク１
０内を加圧するためのガスラインに設けられた自動バル
ブ、２５は処理液４を温度制御（冷却）するためのチラ
ー、２６はウエハ１面に形成された処理液４あるいは純
水の水膜である。
【００３１】図２を用いて、この発明の第２の実施例に
係る半導体ウエハ処理装置の動作について説明する。ま
ず、ステージ８にウエハ１をセットする。この状態でウ
エハ１を任意の速度で回転させると共に、スプレーノズ
ル１２からウエハ１面に処理液あるいは、スプレーノズ
ル１３からウエハ１面に純水を吹き付ける。純水は自動
バルブ２２を開くことによって、処理液４は、自動バル
ブ２３、２４を開くことによってタンク１０内が加圧さ
れて供給される。また、ウエハの裏面側へ処理液４ある
いは純水が回り込むのを防ぐために、ガス供給口１９よ
りパージ用ガスとして例えば窒素を導入する。ウエハ１
上の水膜２６の厚みはステージ８の回転速度によって可
変である。ウエハ１に処理液４あるいは純水を供給する
前後において、ランプ１４によってウエハ１を裏面側よ
り任意の温度に加熱し保持する。処理液４あるいは純水
を常に一定量供給することにより、処理液４あるいは純
水の水膜２６自体の温度上昇を抑制すると共に、ウエハ
面近傍で水膜２６の厚み方向に対して温度差が生じ、熱
対流が促進される。一定時間経過後、ランプ１４を切る
と共に処理液４あるいは純水の供給を停止し、処理が終
了する。
係る半導体ウエハ処理装置の動作について説明する。ま
ず、ステージ８にウエハ１をセットする。この状態でウ
エハ１を任意の速度で回転させると共に、スプレーノズ
ル１２からウエハ１面に処理液あるいは、スプレーノズ
ル１３からウエハ１面に純水を吹き付ける。純水は自動
バルブ２２を開くことによって、処理液４は、自動バル
ブ２３、２４を開くことによってタンク１０内が加圧さ
れて供給される。また、ウエハの裏面側へ処理液４ある
いは純水が回り込むのを防ぐために、ガス供給口１９よ
りパージ用ガスとして例えば窒素を導入する。ウエハ１
上の水膜２６の厚みはステージ８の回転速度によって可
変である。ウエハ１に処理液４あるいは純水を供給する
前後において、ランプ１４によってウエハ１を裏面側よ
り任意の温度に加熱し保持する。処理液４あるいは純水
を常に一定量供給することにより、処理液４あるいは純
水の水膜２６自体の温度上昇を抑制すると共に、ウエハ
面近傍で水膜２６の厚み方向に対して温度差が生じ、熱
対流が促進される。一定時間経過後、ランプ１４を切る
と共に処理液４あるいは純水の供給を停止し、処理が終
了する。
【００３２】処理液としては、例えば、硫酸、硫酸と過
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。処理液４は、排液口２１より排液するか、あるい
はタンク１０に戻してもよい。また、処理液４および純
水の供給は、ポンプを用いて行なってもよい。
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。処理液４は、排液口２１より排液するか、あるい
はタンク１０に戻してもよい。また、処理液４および純
水の供給は、ポンプを用いて行なってもよい。
【００３３】実施例３．以下、この発明の第３の実施例
を図３について説明する。１はウエハ、４はウエハ１面
を処理するための処理液、８はウエハ１を保持するため
のステージ、９は処理チャンバー、１０は処理液４を貯
蔵するためのタンク、１２は処理液４をウエハ１面に供
給するためのスプレーノズル、１３は純水をウエハ１面
に供給するためのスプレーノズル、２７はウエハ１を加
熱するためのヒータ、１６はヒータ２７を制御するため
のコントローラ、１８は処理チャンバー９内の雰囲気を
置換するためのガス供給口、１９はウエハ１裏面側に処
理液４の雰囲気が混入するのを防ぐためのガス供給口、
２０は処理チャンバー９内を排気するための排気口、２
１は処理液４または純水を排液するための排液口、２２
は純水スプレーノズルラインに設けられた自動バルブ、
２３は処理スプレーノズルラインに設けられた自動バル
ブ、２４はタンク１０内を加圧するためのガスラインに
設けられた自動バルブ、２５は処理液４を温度制御（冷
却）するためのチラー、２６はウエハ１面に形成された
処理液４あるいは純水の水膜である。
を図３について説明する。１はウエハ、４はウエハ１面
を処理するための処理液、８はウエハ１を保持するため
のステージ、９は処理チャンバー、１０は処理液４を貯
蔵するためのタンク、１２は処理液４をウエハ１面に供
給するためのスプレーノズル、１３は純水をウエハ１面
に供給するためのスプレーノズル、２７はウエハ１を加
熱するためのヒータ、１６はヒータ２７を制御するため
のコントローラ、１８は処理チャンバー９内の雰囲気を
置換するためのガス供給口、１９はウエハ１裏面側に処
理液４の雰囲気が混入するのを防ぐためのガス供給口、
２０は処理チャンバー９内を排気するための排気口、２
１は処理液４または純水を排液するための排液口、２２
は純水スプレーノズルラインに設けられた自動バルブ、
２３は処理スプレーノズルラインに設けられた自動バル
ブ、２４はタンク１０内を加圧するためのガスラインに
設けられた自動バルブ、２５は処理液４を温度制御（冷
却）するためのチラー、２６はウエハ１面に形成された
処理液４あるいは純水の水膜である。
【００３４】次に、動作について説明する。まず、ステ
ージ８にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を
任意の速度で回転させると共にスプレーノズル１２、１
３からウエハ１に処理液４あるいは純水を吹き付ける。
純水は、自動バルブ２２を開くことによって、処理液４
は自動バルブ２３、２４を開くことによって、タンク１
０内が加圧され供給される。ウエハ１に処理液４あるい
は純水を一定量供給した後、ステージ８の回転を停止
し、ステージ８を下方向に異動させ、ヒータ２７によっ
てウエハ１を裏面側より任意の温度に加熱し保持する。
一定時間経過後、ヒータ２７を切ると共に、処理液４あ
るいは純水の供給を停止し、処理が終了する。
ージ８にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を
任意の速度で回転させると共にスプレーノズル１２、１
３からウエハ１に処理液４あるいは純水を吹き付ける。
純水は、自動バルブ２２を開くことによって、処理液４
は自動バルブ２３、２４を開くことによって、タンク１
０内が加圧され供給される。ウエハ１に処理液４あるい
は純水を一定量供給した後、ステージ８の回転を停止
し、ステージ８を下方向に異動させ、ヒータ２７によっ
てウエハ１を裏面側より任意の温度に加熱し保持する。
一定時間経過後、ヒータ２７を切ると共に、処理液４あ
るいは純水の供給を停止し、処理が終了する。
【００３５】処理液としては、例えば、硫酸、硫酸と過
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。処理液４および純水の供給は、ポンプでもよく、
処理液４は、排液口２１より排液するか、あるいはタン
ク１０に戻してもよい。また、先にヒータ２７でウエハ
１を任意の温度に加熱した後に、ウエハ１に処理液４あ
るいは純水を供給してもかまわない。
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。処理液４および純水の供給は、ポンプでもよく、
処理液４は、排液口２１より排液するか、あるいはタン
ク１０に戻してもよい。また、先にヒータ２７でウエハ
１を任意の温度に加熱した後に、ウエハ１に処理液４あ
るいは純水を供給してもかまわない。
【００３６】実施例４．以下、この発明の第４の実施例
を図４について説明する。図４において、１はウエハ、
４はウエハ１面を処理するための処理液、８はウエハ１
を保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０
は処理液４を貯蔵するためのタンク、１４はウエハ１を
加熱するためのランプ、１６はランプ１４を制御するた
めのコントローラ、１７は石英ガラス、２２は純水スプ
レーノズルラインに設けられた自動バルブ、２３は処理
スプレーノズルラインに設けられた自動バルブ、２５は
処理液４を温度制御（冷却）するためのチラー、２６は
ウエハ１面に形成された処理液４あるいは純水の水膜で
ある。
を図４について説明する。図４において、１はウエハ、
４はウエハ１面を処理するための処理液、８はウエハ１
を保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０
は処理液４を貯蔵するためのタンク、１４はウエハ１を
加熱するためのランプ、１６はランプ１４を制御するた
めのコントローラ、１７は石英ガラス、２２は純水スプ
レーノズルラインに設けられた自動バルブ、２３は処理
スプレーノズルラインに設けられた自動バルブ、２５は
処理液４を温度制御（冷却）するためのチラー、２６は
ウエハ１面に形成された処理液４あるいは純水の水膜で
ある。
【００３７】次に、動作について説明する。ステージ８
にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を任意の
速度で回転させると共にスプレーノズル１２、１３から
ウエハ１面に処理液４あるいは純水を吹き付ける。純水
は、自動バルブ２２を開くことによって、処理液４は自
動バルブ２３、２４を開くことによって、タンク１０内
が加圧され供給される。ウエハ１に処理液４あるいは純
水を一定量供給した後、ステージ８の回転を停止し、ス
テージ８を下方向に異動させ、ヒータ２７によってウエ
ハ１を裏面側より任意の温度に加熱し保持する。一定時
間経過後、ヒータ２７を切ると共に、処理液４あるいは
純水の供給を停止し、処理が終了する。
にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を任意の
速度で回転させると共にスプレーノズル１２、１３から
ウエハ１面に処理液４あるいは純水を吹き付ける。純水
は、自動バルブ２２を開くことによって、処理液４は自
動バルブ２３、２４を開くことによって、タンク１０内
が加圧され供給される。ウエハ１に処理液４あるいは純
水を一定量供給した後、ステージ８の回転を停止し、ス
テージ８を下方向に異動させ、ヒータ２７によってウエ
ハ１を裏面側より任意の温度に加熱し保持する。一定時
間経過後、ヒータ２７を切ると共に、処理液４あるいは
純水の供給を停止し、処理が終了する。
【００３８】処理液としては、例えば、硫酸、硫酸と過
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。処理液４および純水の供給は、ポンプでもよい。
また、先にヒータ２７でウエハ１を任意の温度に加熱し
た後に、ウエハ１に処理液４あるいは純水を供給しても
かまわない。
酸化水素の混合物、塩酸、塩酸と過酸化水素の混合物、
アンモニアと過酸化水素の混合物、フッ酸、リン酸など
があり、半導体ウエハ面を洗浄する場合は、洗浄液を用
いる。処理液４および純水の供給は、ポンプでもよい。
また、先にヒータ２７でウエハ１を任意の温度に加熱し
た後に、ウエハ１に処理液４あるいは純水を供給しても
かまわない。
【００３９】実施例５．以下、この発明の第５の実施例
を図１について説明する。図１において、１はウエハ、
４はウエハ面を処理するための処理液、８はウエハ１を
保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０は
処理液４を貯蔵するためのタンク、１２は処理液４をウ
エハ１面に供給するためのスプレーノズル、１３は純水
をウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１４は
ウエハ１を加熱するためのランプ、１６はランプ１４を
制御するためのコントローラ、１７は石英ガラス、１８
は処理チャンバー９内の雰囲気を置換するためのガス供
給口、２０は処理チャンバー９内を排気するための排気
口、２１は処理液４または純水を排液するための排液
口、２２は純水スプレーノズルラインに設けられた自動
バルブ、２３は処理スプレーノズルラインに設けられた
自動バルブ、２４はタンク１０内を加圧するためのガス
ラインに設けられた自動バルブ、２５は処理液４を温度
制御（冷却）するためのチラー、２６はウエハ１面に形
成された処理液４あるいは純水の水膜である。
を図１について説明する。図１において、１はウエハ、
４はウエハ面を処理するための処理液、８はウエハ１を
保持するためのステージ、９は処理チャンバー、１０は
処理液４を貯蔵するためのタンク、１２は処理液４をウ
エハ１面に供給するためのスプレーノズル、１３は純水
をウエハ１面に供給するためのスプレーノズル、１４は
ウエハ１を加熱するためのランプ、１６はランプ１４を
制御するためのコントローラ、１７は石英ガラス、１８
は処理チャンバー９内の雰囲気を置換するためのガス供
給口、２０は処理チャンバー９内を排気するための排気
口、２１は処理液４または純水を排液するための排液
口、２２は純水スプレーノズルラインに設けられた自動
バルブ、２３は処理スプレーノズルラインに設けられた
自動バルブ、２４はタンク１０内を加圧するためのガス
ラインに設けられた自動バルブ、２５は処理液４を温度
制御（冷却）するためのチラー、２６はウエハ１面に形
成された処理液４あるいは純水の水膜である。
【００４０】次に、動作について説明する。まず、ステ
ージ８にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を
任意の速度で回転させると共に、スプレーノズル１２か
らウエハ１面に処理液あるいは、スプレーノズル１３か
らウエハ１面に純水を吹き付ける。純水は自動バルブ２
２を開くことによって、処理液４は、自動バルブ２３、
２４を開くことによってタンク１０内が加圧されて供給
される。ウエハ１上の水膜２６の厚みはステージ８の回
転速度によって可変である。ウエハ１に処理液４あるい
は純水を供給する前後において、ランプ１４によってウ
エハ１を表面側より、処理液の沸点よりも高い温度に加
熱し保持する。処理液４あるいは純水を常に一定量供給
することにより、処理液４あるいは純水の水膜２６自体
の温度上昇を抑制すると共に、ウエハ面近傍で水膜２６
の厚み方向に対して温度分布差が生じ、熱対流が促進さ
れる。一定時間経過後、ランプ１４を切ると共に処理液
４あるいは純水の供給を停止し、処理が終了する。処理
液４は、排液口２１より排液するか、あるいはタンク１
０に戻してもよい。
ージ８にウエハ１をセットする。この状態でウエハ１を
任意の速度で回転させると共に、スプレーノズル１２か
らウエハ１面に処理液あるいは、スプレーノズル１３か
らウエハ１面に純水を吹き付ける。純水は自動バルブ２
２を開くことによって、処理液４は、自動バルブ２３、
２４を開くことによってタンク１０内が加圧されて供給
される。ウエハ１上の水膜２６の厚みはステージ８の回
転速度によって可変である。ウエハ１に処理液４あるい
は純水を供給する前後において、ランプ１４によってウ
エハ１を表面側より、処理液の沸点よりも高い温度に加
熱し保持する。処理液４あるいは純水を常に一定量供給
することにより、処理液４あるいは純水の水膜２６自体
の温度上昇を抑制すると共に、ウエハ面近傍で水膜２６
の厚み方向に対して温度分布差が生じ、熱対流が促進さ
れる。一定時間経過後、ランプ１４を切ると共に処理液
４あるいは純水の供給を停止し、処理が終了する。処理
液４は、排液口２１より排液するか、あるいはタンク１
０に戻してもよい。
【００４１】処理液としては、例えば、純水などがあ
り、半導体ウエハ面を洗浄する場合などに用いる。その
時、半導体ウエハを１００℃以上に加熱しておくと、洗
浄効果が高まる。また、処理液４および純水の供給は、
ポンプを用いて行なってもよい。
り、半導体ウエハ面を洗浄する場合などに用いる。その
時、半導体ウエハを１００℃以上に加熱しておくと、洗
浄効果が高まる。また、処理液４および純水の供給は、
ポンプを用いて行なってもよい。
【００４２】
【発明の効果】この発明の第１の発明においては、処理
液を長時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウ
エハ面の処理ができるため、制御が容易になり、処理が
精密になるうえ、安全性も高くなるという効果が得られ
る。
液を長時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウ
エハ面の処理ができるため、制御が容易になり、処理が
精密になるうえ、安全性も高くなるという効果が得られ
る。
【００４３】この発明の第２の発明においては、常温で
保存できない処理液あるいは、一度使用して温度の上昇
してしまった処理液などの場合でも、処理液を変質させ
ることなく、長時間保存することができるため、処理が
精密になるうえ、安全性も高くなるという効果が得られ
る。
保存できない処理液あるいは、一度使用して温度の上昇
してしまった処理液などの場合でも、処理液を変質させ
ることなく、長時間保存することができるため、処理が
精密になるうえ、安全性も高くなるという効果が得られ
る。
【００４４】この発明の第３の発明においては、半導体
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間で温度差が生じ、その温
度差によって、より精密な処理効果が得られる。
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間で温度差が生じ、その温
度差によって、より精密な処理効果が得られる。
【００４５】この発明の第４の発明においては、処理液
を長時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウエ
ハ面の処理ができるため、制御が容易になり、精密な処
理効果が得られるうえ、安全性も高くなる。
を長時間加熱することなく、処理液の適温で半導体ウエ
ハ面の処理ができるため、制御が容易になり、精密な処
理効果が得られるうえ、安全性も高くなる。
【００４６】この発明の第５の発明においては、半導体
ウエハ面の温度を処理液の沸点より高くしておくことに
よって、処理液を反応させた時に反応が促進され、か
つ、長時間の加熱を避けることもできるので、安全性が
高く、制御が容易で、高い処理効果を得ることができ
る。
ウエハ面の温度を処理液の沸点より高くしておくことに
よって、処理液を反応させた時に反応が促進され、か
つ、長時間の加熱を避けることもできるので、安全性が
高く、制御が容易で、高い処理効果を得ることができ
る。
【００４７】この発明の第６の発明においては、常温で
保存できない処理液あるいは、一度使用して温度の上昇
してしまった処理液などの場合に、冷却することによ
り、処理液を変質させることなく、長時間保存すること
ができる。
保存できない処理液あるいは、一度使用して温度の上昇
してしまった処理液などの場合に、冷却することによ
り、処理液を変質させることなく、長時間保存すること
ができる。
【００４８】この発明の第７の発明においては、半導体
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間の温度差によって熱対流
が促進され、より精密な処理効果が得られる。
ウエハ面に処理液の流れを作ることにより、半導体ウエ
ハ面に接している部分の処理液と、半導体ウエハ面に接
していない部分の処理液との間の温度差によって熱対流
が促進され、より精密な処理効果が得られる。
【図１】第１の実施例による半導体ウエハの処理装置お
よびその処理方法を示す図
よびその処理方法を示す図
【図２】第２の実施例による半導体ウエハの処理装置お
よびその処理方法を示す図
よびその処理方法を示す図
【図３】第３の実施例による半導体ウエハの処理装置お
よびその処理方法を示す図
よびその処理方法を示す図
【図４】第４の実施例による半導体ウエハの処理装置お
よびその処理方法を示す図
よびその処理方法を示す図
【図５】従来の半導体ウエハの処理装置およびその処理
方法を示す図
方法を示す図
【図６】従来の半導体ウエハの処理装置およびその処理
方法を示す図
方法を示す図
１ 半導体ウエハ ４ 処理液 ８ ステージ ９ 処理チャンバー １０ タンク １２ スプレーノズル １３ スプレーノズル １４ ランプ ２５ チラー ２７ ヒータ
Claims (7)
- 【請求項１】 処理チャンバーと、前記処理チャンバー
内に設けられた半導体ウエハを保持する手段と、前記半
導体ウエハ面に処理液を供給する処理液供給手段と、前
記処理チャンバーに前記半導体ウエハを加熱する加熱手
段を備えたことを特徴とする半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項２】 処理液供給手段に処理液を供給する処理
液貯蔵タンクと、この処理液貯蔵タンク内に設けられ、
処理液を冷却する手段を備えたことを特徴とする請求項
１記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項３】 処理チャンバーと、前記処理チャンバー
内に設けられた半導体ウエハを保持する手段と、処理液
を貯蔵する処理液貯蔵タンクと、前記処理チャンバーに
設置された前記半導体ウエハを加熱する加熱手段と、前
記処理チャンバーの一端と前記処理液貯蔵タンクに連通
する第１の配管と、前記処理チャンバーの他端と前記処
理液貯蔵タンクに連通する第２の配管を備えたことを特
徴とする半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項４】 処理チャンバー内に設けられた半導体ウ
エハ保持部に半導体ウエハを乗せ、前記処理チャンバー
に設置された加熱手段により、前記半導体ウエハ面を加
熱し、処理液を貯蔵するためのタンクから処理液供給手
段を通して処理液を前記半導体ウエハ面に供給すること
を特徴とする半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項５】 処理チャンバー内に設けられた半導体ウ
エハ保持部に半導体ウエハを乗せ、前記処理チャンバー
に設置された加熱手段により、前記半導体ウエハ面を加
熱して処理液の沸点よりも高くした後に、処理液を貯蔵
するためのタンクから処理液供給手段を通して処理液を
供給することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項６】 処理チャンバー内に設けられた半導体ウ
エハ保持部に半導体ウエハを乗せ、前記処理チャンバー
に設置された加熱手段により、前記半導体ウエハ面を加
熱し、処理液を貯蔵するためのタンク内で冷却された処
理液を、処理液供給手段を通して供給することを特徴と
する半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項７】 処理チャンバー内に設けられた半導体ウ
エハ保持部に半導体ウエハを乗せ、前記処理チャンバー
に設置された加熱手段により、前記半導体ウエハ面を加
熱し、処理液を貯蔵するためのタンク内で冷却された処
理液を、前記処理チャンバーの一端と前記貯蔵タンクお
よび前記処理チャンバーの他端と前記貯蔵タンクに連通
する配管により、巡回させて前記半導体ウエハに供給す
ることを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30791693A JPH07161674A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30791693A JPH07161674A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161674A true JPH07161674A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17974715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30791693A Pending JPH07161674A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161674A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7237561B2 (en) | 2001-01-13 | 2007-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafer including heating using a light source and method for cleaning wafer using the same |
| JP2008183550A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板洗浄プログラム |
| JP2012019156A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP5079145B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2012-11-21 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
| WO2013031390A1 (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
| WO2014069079A1 (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| WO2014157179A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30791693A patent/JPH07161674A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7237561B2 (en) | 2001-01-13 | 2007-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafer including heating using a light source and method for cleaning wafer using the same |
| JP2008183550A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板洗浄プログラム |
| JP5079145B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2012-11-21 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
| JP2012019156A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| WO2013031390A1 (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2013065823A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| US9640383B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-05-02 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
| WO2014069079A1 (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2014093449A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2014157179A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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