JP2012019156A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents
基板洗浄装置および基板洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012019156A JP2012019156A JP2010157105A JP2010157105A JP2012019156A JP 2012019156 A JP2012019156 A JP 2012019156A JP 2010157105 A JP2010157105 A JP 2010157105A JP 2010157105 A JP2010157105 A JP 2010157105A JP 2012019156 A JP2012019156 A JP 2012019156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- substrate
- cleaning
- liquid
- liquid film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 501
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 593
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 81
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板洗浄装置1は、保持部12により保持された基板Wの表面に洗浄液の液膜を形成するための洗浄液供給部20と、洗浄液供給部20により基板Wの表面に形成された洗浄液の液膜内において、温度の異なる部分を発生させることにより当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる対流発生機構40と、洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する液体供給部30と、を備えている。
【選択図】図1
Description
10 チャンバー
12 スピンチャック
16 外筒
20 リンスノズル
22 洗浄液タンク
24 洗浄液供給管
24a バルブ
26 アーム
28 回転軸部
30 二流体ノズル
30a ノズル本体
30b 洗浄液流路
30c 窒素ガス流路
30d 合流箇所
31 洗浄液の液滴の噴射範囲
32 洗浄液タンク
34 洗浄液供給管
34a バルブ
34b 洗浄液温調部
36 窒素ガス供給管
36a バルブ
36b ガス温調部
38 窒素ガス供給機構
40 温度調整ノズル
42 洗浄液タンク
44 洗浄液供給管
46 回転軸部
48 アーム
50 洗浄液排出管
60 加熱機構
70 冷却機構
W ウエハ
W1 デバイスパターン
C 洗浄液の液膜
D 洗浄液の液滴
P パーティクル
B 境界層
Claims (18)
- 基板を保持する保持部と、
前記保持部により保持された基板の表面に洗浄液を供給し、この基板の表面に洗浄液の液膜を形成するための洗浄液供給部と、
前記洗浄液供給部により基板の表面に形成された洗浄液の液膜内において、温度の異なる部分を発生させることにより当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる対流発生機構と、
前記洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する液体供給部と、
を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記対流発生機構は、前記保持部により保持された基板上の洗浄液の液膜の表面に対して、前記洗浄液供給部により基板の表面に形成される洗浄液の液膜とは異なる温度の液体または気体を供給する温度調整ノズルであることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記温度調整ノズルにより基板上の洗浄液の液膜の表面に供給される液体または気体の温度は、前記洗浄液供給部により基板の表面に形成される洗浄液の液膜の温度よりも高くなっていることを特徴とする請求項2記載の基板洗浄装置。
- 前記温度調整ノズルにより基板上の洗浄液の液膜の表面に供給される液体または気体の温度は、前記洗浄液供給部により基板の表面に形成される洗浄液の液膜の温度よりも低くなっていることを特徴とする請求項2記載の基板洗浄装置。
- 前記対流発生機構は、前記洗浄液供給部により基板の表面に形成された洗浄液の液膜を加熱して当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる加熱機構であること特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記対流発生機構は、前記洗浄液供給部により基板の表面に形成された洗浄液の液膜を冷却して当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる冷却機構であること特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記液体供給部は、洗浄液とガスとを混合して洗浄液の液滴を生成し、前記洗浄液の液膜に対して洗浄液の液滴を噴射する二流体ノズルであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 前記対流発生機構は、前記二流体ノズルから噴射される洗浄液の液滴が、基板の表面に形成された洗浄液の液膜と異なる温度になるように、前記二流体ノズルに供給される洗浄液の温度を調整する洗浄液温調部であることを特徴とする請求項7記載の基板洗浄装置。
- 前記対流発生機構は、前記二流体ノズルから噴射される洗浄液の液滴が、基板の表面に形成された洗浄液の液膜と異なる温度になるように、前記二流体ノズルに供給されるガスの温度を調整するガス温調部であることを特徴とする請求項7記載の基板洗浄装置。
- 保持部により基板を保持する工程と、
前記保持部により保持された基板の表面に洗浄液の液膜を形成する工程と、
基板の表面に形成された洗浄液の液膜内において温度の異なる部分を発生させることにより当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる工程と、
前記洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板洗浄方法。 - 洗浄液の液膜内に対流を生じさせる際に、基板の表面に形成された洗浄液の液膜の表面に対して、基板の表面に形成された洗浄液の液膜とは異なる温度の液体または気体を供給することを特徴とする請求項10記載の基板洗浄方法。
- 洗浄液の液膜内に対流を生じさせる際に、基板の表面に形成された洗浄液の液膜の表面に供給される液体または気体の温度は、基板の表面に形成された洗浄液の液膜の温度よりも高くなっていることを特徴とする請求項11記載の基板洗浄方法。
- 洗浄液の液膜内に対流を生じさせる際に、基板の表面に形成された洗浄液の液膜の表面に供給される液体または気体の温度は、基板の表面に形成された洗浄液の液膜の温度よりも低くなっていることを特徴とする請求項11記載の基板洗浄方法。
- 洗浄液の液膜内に対流を生じさせる際に、基板の表面に形成された洗浄液の液膜を加熱機構により加熱すること特徴とする請求項10記載の基板洗浄方法。
- 洗浄液の液膜内に対流を生じさせる際に、基板の表面に形成された洗浄液の液膜を冷却機構により冷却すること特徴とする請求項10記載の基板洗浄方法。
- 洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する際に、二流体ノズルにおいて洗浄液とガスとを混合して洗浄液の液滴を生成し、前記洗浄液の液膜に対して前記二流体ノズルから洗浄液の液滴を噴射することを特徴とする請求項10乃至15のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
- 洗浄液の液膜内に対流を生じさせる際に、前記二流体ノズルから噴射される洗浄液の液滴が、基板の表面に形成された洗浄液の液膜と異なる温度になるように、前記二流体ノズルに供給される洗浄液の温度を調整することを特徴とする請求項16記載の基板洗浄方法。
- 洗浄液の液膜内に対流を生じさせる際に、前記二流体ノズルから噴射される洗浄液の液滴が、基板の表面に形成された洗浄液の液膜と異なる温度になるように、前記二流体ノズルに供給されるガスの温度を調整することを特徴とする請求項16記載の基板洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010157105A JP5528927B2 (ja) | 2010-07-09 | 2010-07-09 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010157105A JP5528927B2 (ja) | 2010-07-09 | 2010-07-09 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012019156A true JP2012019156A (ja) | 2012-01-26 |
JP5528927B2 JP5528927B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=45604158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010157105A Active JP5528927B2 (ja) | 2010-07-09 | 2010-07-09 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5528927B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140148396A (ko) | 2012-03-26 | 2014-12-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 장해 감시 시스템 및 기판 처리 장치의 장해 감시 방법 |
JP2015167938A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
WO2016158386A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20170085115A (ko) * | 2015-03-30 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
TWI709443B (zh) * | 2014-03-10 | 2020-11-11 | 日商斯克林集團公司 | 基板處理裝置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161674A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 |
JPH0837143A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体処理装置 |
JP2002043271A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理液の温度制御方法及びその装置 |
JP2003092283A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2003209087A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-07-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005012175A (ja) * | 2003-05-28 | 2005-01-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005142290A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007216158A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Micro Engineering Inc | 過熱蒸気を利用した基板洗浄方法と装置 |
JP2010135452A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2010
- 2010-07-09 JP JP2010157105A patent/JP5528927B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161674A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの処理装置およびその処理方法 |
JPH0837143A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体処理装置 |
JP2002043271A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理液の温度制御方法及びその装置 |
JP2003092283A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2003209087A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-07-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2005012175A (ja) * | 2003-05-28 | 2005-01-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005142290A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007216158A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Micro Engineering Inc | 過熱蒸気を利用した基板洗浄方法と装置 |
JP2010135452A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140148396A (ko) | 2012-03-26 | 2014-12-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 장해 감시 시스템 및 기판 처리 장치의 장해 감시 방법 |
US9412256B2 (en) | 2012-03-26 | 2016-08-09 | Tokyo Electron Limited | System for monitoring failure of substrate processing apparatus, and method for monitoring failure of substrate processing apparatus |
JP2015167938A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
TWI709443B (zh) * | 2014-03-10 | 2020-11-11 | 日商斯克林集團公司 | 基板處理裝置 |
TWI760883B (zh) * | 2014-03-10 | 2022-04-11 | 日商斯克林集團公司 | 基板處理系統及配管洗淨方法 |
WO2016158386A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR20170085115A (ko) * | 2015-03-30 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN107210213A (zh) * | 2015-03-30 | 2017-09-26 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
KR101953046B1 (ko) * | 2015-03-30 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5528927B2 (ja) | 2014-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5148156B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
KR101889145B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4767138B2 (ja) | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 | |
JP5470306B2 (ja) | 2流体ノズル、基板液処理装置、基板液処理方法、及び基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP5536009B2 (ja) | 基板加工装置 | |
TWI698922B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP5156488B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP5528927B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
KR20160013469A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP5420336B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP2008135557A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5512424B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP5955601B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2010027816A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2019163651A1 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP5680699B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
JP5785462B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW202011501A (zh) | 基板處理裝置、處理液以及基板處理方法 | |
JP2007048814A (ja) | 基板保持装置、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR20160008720A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102346493B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP6215748B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101486331B1 (ko) | 기판 건조장치 | |
JP6280789B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6713370B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5528927 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |