KR20160013469A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 스핀 척, 상기 기판의 표면 위에서 이동 가능하며 상기 기판의 표면 상에 처리액의 액적들을 제공하는 제1 노즐, 상기 기판의 표면 위에서 상기 제1 노즐을 이동시키는 노즐 아암, 및 상기 기판의 표면 상에 웨팅액을 제공하여 웨팅막을 형성하는 제2 노즐을 포함한다. 상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 함께 수직 이동된다. 상기 웨팅막은 상기 제2 노즐이 수직 이동함에 따라 그 두께가 변동된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHODS FOR TREATING SUBSTRATES}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 파티클 제거 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치나 액정표시 장치 등의 제조 공정에서, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등을 처리액을 이용한 기판 처리가 행해진다. 기판을 1매씩 처리하는 매엽식 기판 처리 장치는 스핀 척에 장착되어 회전하는 기판의 표면에 처리액의 액적을 제공하는 액적 노즐과 웨팅액을 제공하는 사이드 노즐을 갖추고 있는 것이 일반적이다. 이러한 기판 처리 장치에서는 액적이 웨팅액으로 떨어질 때 웨팅액의 표면에서 발생하는 압력에 의해 기판의 표면으로부터 파티클이 제거되어 세정 처리된다.
본 발명의 목적은 파티클 제거 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 웨팅액을 분사하는 사이드 노즐이 액적을 분사하는 액적 노즐과 함께 수직 이동할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 사이드 노즐이 액적 노즐과 함께 상하 이동하여 웨팅액의 두께가 달라지는 것을 다른 특징으로 한다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는: 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판의 표면 위에서 이동 가능하며, 상기 기판의 표면 상에 처리액의 액적들을 제공하는 제1 노즐; 상기 기판의 표면 위에서 상기 제1 노즐을 이동시키는 노즐 아암; 및 상기 기판의 표면 상에 웨팅액을 제공하여 웨팅막을 형성하는 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 함께 수직 이동되고, 상기 웨팅막은 상기 제2 노즐이 수직 이동함에 따라 그 두께가 변동될 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 웨팅막으로 상기 액적들을 분사하고, 상기 웨팅막에 분사된 액적들은 상기 웨팅막의 표면과 충돌하여 상기 웨팅막에 압력을 부여하고, 상기 압력은 상기 웨팅막의 두께에 따라 그 크기가 달라질 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 압력은 상기 웨팅막의 두께가 작아질수록 증가하는 크기를 가질 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 수직 이동은: 상기 제1 노즐이 상기 기판의 표면으로부터 멀어지는 상승 이동과; 상기 제1 노즐이 상기 기판의 표면에 가까워지는 하강 이동을 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 함께 상승 이동 및 하강 이동할 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 웨팅막은: 상기 하강 이동된 상기 제2 노즐로부터 형성되면 상대적으로 큰 두께를 가지며, 상기 상승 이동된 상기 제2 노즐로부터 형성되면 상대적으로 작은 두께를 가질 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 액적들은: 상기 큰 두께를 갖는 웨팅막의 표면과 충돌하여 상대적으로 작은 크기의 압력을 상기 웨팅막에 부여하고, 상기 작은 두께를 갖는 웨팅막의 표면과 충돌하여 상대적으로 큰 크기의 압력을 상기 웨팅막에 부여할 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 기판은 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전하고, 상기 제1 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 하류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 액적들을 분사하고, 그리고 상기 제2 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 상류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 웨팅액을 분사할 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 액적들을 상기 기판의 표면과 수직한 방향으로 분사하고, 상기 제2 노즐은 상기 웨팅액을 상기 기판의 표면과 경사진 방향으로 분사하고, 상기 웨팅액의 분사 위치는 상기 액적들의 분사 위치에 비해 상기 상기 기판이 회전하는 방향의 상류측에 있을 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 기판의 표면의 적어도 절반을 가로지르는 스캔 궤적을 따라 수평 이동하고, 상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 함께 상기 스캔 궤적을 따라 수평 이동할 수 있다.
일 실시예의 장치에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 스캔 궤적 상에서 상기 기판의 표면으로부터 상승하거나 상기 기판의 표면을 향해 하강하고, 상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 함께 상승하거나 하강할 수 있다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는: 기판을 지지하는 스핀 척; 상기 기판의 표면 위에서 이동 가능하며, 상기 기판의 표면 상에 처리액의 액적들을 제공하는 액적 노즐; 상기 기판의 표면 위에서 상기 액적 노즐을 이동시키는 노즐 아암; 및 상기 기판의 표면 상에 웨팅액을 제공하는 사이드 노즐을 포함하고, 상기 사이드 노즐은: 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면으로 근접하는 제1 방향을 따라 하강하여 상기 기판의 표면 상에 제1 두께를 갖는 제1 웨팅막을 형성하고, 그리고 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면으로부터 멀어지는 제2 방향을 따라 상승하여 상기 기판의 표면 상에 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 제2 웨팅막을 형성할 수 있다.
다른 실시예의 장치에 있어서, 상기 액적 노즐은: 상기 제1 방향을 따라 하강하여 상기 제1 웨팅막으로 상기 액적들을 분사하고, 상기 제2 방향을 따라 상승하여 상기 제2 웨팅막으로 상기 액적들을 분사하고, 상기 제1 웨팅막에 분사된 상기 액적들은 상기 제1 웨팅막의 표면과 충돌하여 상기 제1 웨팅막에 제1 압력을 부여하고, 그리고 상기 제2 웨팅막에 분사된 상기 액적들은 상기 제2 웨팅막의 표면과 충돌하여 상기 제2 웨팅막에 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력을 부여할 수 있다.
다른 실시예의 장치에 있어서, 상기 제1 방향을 따라 하강한 사이드 노즐로부터 분사되는 웨팅액은 상기 기판의 표면 상에 제1 크기의 분사영역을 형성하고, 그리고 상기 제2 방향을 따라 상승한 사이드 노즐로부터 분사되는 웨팅액은 상기 기판의 표면 상에 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 분사영역을 형성할 수 있다.
다른 실시예의 장치에 있어서, 상기 기판은 상기 스핀 척 상에서 상기 스핀 척의 중심축을 기준으로 회전하고, 상기 사이드 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 상류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 웨팅액을 제공하고, 그리고 상기 액적 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 하류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상으로 이동된 웨팅액으로 상기 액적들을 제공할 수 있다.
다른 실시예의 장치에 있어서, 상기 액적 노즐은 상기 기판의 에지와 상기 기판의 중심 사이에서 상기 기판의 표면을 가로지르는 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동하고, 그리고 상기 사이드 노즐은 상기 액적 노즐과 함께 상기 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동할 수 있다.
다른 실시예의 장치에 있어서, 상기 액적 노즐은 상기 하프 스캔 궤적 상에서 상기 제1 방향을 따라 하강하거나 혹은 상기 제2 방향을 따라 상승하고, 그리고 상기 사이드 노즐은 상기 액적 노즐과 함께 하강하거나 상승할 수 있다.
다른 실시예의 장치에 있어서, 상기 액적 노즐은 상기 기판의 양측 에지들 사이에서 상기 기판의 중심을 경유하여 상기 기판의 표면을 가로지르는 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동하고, 그리고 상기 사이드 노즐은 상기 액적 노즐과 함께 상기 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동할 수 있다.
다른 실시예의 장치에 있어서, 상기 액적 노즐은 상기 풀 스캔 궤적 상에서 상기 제1 방향을 따라 하강하거나 혹은 상기 제2 방향을 따라 상승하고, 그리고 상기 사이드 노즐은 상기 상기 액적 노즐과 함께 하강하거나 상승할 수 있다.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은: 기판에 웨팅액을 사이드 노즐로부터 제공하여 상기 기판 상에 웨팅막을 형성하고; 상기 기판에 처리액의 액적들을 액적 노즐로부터 제공하여 상기 액적들과 상기 웨팅막의 표면과의 충돌로 인해 발생된 압력을 상기 웨팅막에 부여하는 것을 포함하고, 상기 웨팅막을 형성하는 것은: 상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판 상에서 수직 이동시키고; 그리고 상기 수직 이동된 사이드 노즐로부터 상기 웨팅액을 상기 기판 상에 제공하는 것을 포함하고, 상기 웨팅막은 상기 사이드 노즐의 수직 이동에 의존하여 변동되는 두께를 가지며, 상기 압력은 상기 웨팅막의 두께 변동에 의존하여 변하는 크기를 가질 수 있다.
일 실시예의 방법에 있어서, 상기 웨팅막을 형성하는 것은: 상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면을 향해 하강시켜 상기 기판의 표면 상에 제1 두께를 갖는 제1 웨팅막을 형성하는 것; 그리고 상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면으로부터 상승시켜 상기 기판의 표면 상에 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 제2 웨팅막을 형성하는 것 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예의 방법에 있어서, 상기 액적들을 제공하는 것은: 상기 액적들을 상기 제1 웨팅막의 표면에 충돌시켜 상기 제1 웨팅막에 제1 압력을 제공하는 것; 그리고 상기 액적들을 상기 제2 웨팅막의 표면에 충돌시켜 상기 제2 웨팅막에 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력을 제공하는 것 중에서 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시예의 방법에 있어서, 상기 웨팅막을 형성하는 것은: 상기 기판을 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전시키고; 상기 액적 노즐을 상기 기판의 에지와 상기 기판의 중심 사이에서 상기 기판의 표면을 가로지르는 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키고; 그리고 상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키는 것을 더 포함할 수 있다.
일 실시예의 방법에 있어서, 상기 웨팅막을 형성하는 것은: 상기 기판을 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전시키고; 상기 액적 노즐을 상기 기판의 양측 에지들 사이에서 상기 기판의 중심을 경유하여 상기 기판의 표면을 가로지르는 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키고; 그리고 상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키는 것을 더 포함할 수 있다.
일 실시예의 방법에 있어서, 상기 웨팅막을 형성하는 것은 상기 기판을 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전시키는 것을 더 포함하고, 상기 사이드 노즐은 상기 기판의 회전하는 방향의 상류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 웨팅액을 제공하고; 상기 액적 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 하류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상으로 이동된 웨팅액으로 상기 액적들을 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면, 사이드 노즐이 액적 노즐과 함께 상승 또는 하강하면서 웨팅액을 기판에 분사하므로써 웨팅액의 두께가 작아지거나 커질 수 있다. 이에 따라 액적이 웨팅액과 충돌하면서 일으키는 압력이 증가되어 기판의 표면으로부터의 파티클 제거 효율이 높아지거나 혹은 압력이 작아져 기판의 표면 및/또는 패턴의 손상을 없애거나 최소화할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다.
도 1b는 도 1a의 일부를 도시한 구성도이다.
도 1c는 도 1b의 일부를 도시한 평면도이다.
도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서 분사구의 배열을 도시한 평면도이다.
도 1e는 도 1d의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 1f는 도 1a의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 평면도이다.
도 1g 및 1h는 도 1a의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 단면도들이다.
도 2a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다.
도 2b는 도 2a의 일부를 도시한 평면도이다.
도 2c는 도 2a의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다.
도 3b는 도 3a의 일부를 도시한 평면도이다.
이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.
<기판 처리 장치의 예1>
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다.
도 1a를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 반도체 웨이퍼 혹은 유리 기판 등과 같은 기판(10)에 제공되는 세정액의 액적(42)에 의해 기판(10)의 표면(10s)에 압력이 가해져 기판(10)의 표면(10s)으로부터 파티클을 제거하는 매엽식 기판 세정 장치일 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 기판(10)을 수평으로 유지하여 회전시키는 회전 유닛(20: spin unit), 회전 유닛(20)을 둘러싸는 보울(30: bowl), 기판(10)에 세정액의 액적(42)을 제공하는 액적 노즐(40), 액적 노즐(40)을 기판(10) 상에서 이동시키는 노즐 아암(60), 기판(10)에 웨팅액을 제공하는 사이드 노즐(50), 그리고 기판(10)에 린스액을 제공하는 린스액 노즐(55)을 포함할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 세정액에 압력을 가하여 액적 노즐(40)로 제공하는 펌프(90), 노즐 아암(60)을 구동시키는 구동 장치(30), 세정액에 주파수를 부여하여 액적(42)을 생성시키는 제네레이터(80), 그리고 사이드 노즐(50)로 제공되는 웨팅액의 흐름을 단속하는 밸브(71)와 유량을 조절하는 밸브(72)를 더 포함할 수 있다.
회전 유닛(20)은 기판(10)이 수평 상태로 장착되는 스핀 척(22), 스핀 척(22)을 회전시키는 스핀 모터(26), 그리고 스핀 척(22)의 중심에 연결되어 스핀 모터(26)의 구동력을 스핀 척(22)에 전달하는 회전축(24)을 포함할 수 있다. 기판(10)은 스핀 척(20)의 중심축을 기준으로 회전할 수 있다. 스핀 척(22)은 기판(10)을 척킹하는 클램프(28)를 갖는 클램프 척일 수 있다. 다른 예로, 스핀 척(22)은 기판(10)을 진공 흡착하는 진공 척일 수 있다. 기판(10)은 스핀 모터(26)의 회전력을 전달받아 약 300rpm으로 회전할 수 있다.
회전하는 기판(10)으로부터 원심력에 의해 비산되는 약액(예: 세정액, 웨팅액, 린스액)이 보울(30)로 안내될 수 있다. 보울(30)로 안내되는 약액은 기판 처리 장치(1)로부터 배출될 수 있다. 보울(30)은 기판(10)에 비해 큰 직경을 가지며, 기판(10)의 상단으로 연장되고 기판(10)을 향해 기울어진 상단을 갖는 컵이나 원통 형태를 가질 수 있다.
액적 노즐(40)은 펌프(90)에 의해 가압되어 세정액 공급관(75)을 통해 공급된 세정액을 압전소자(44)로써 액적(42)으로 생성시켜 기판(10)의 표면(10s)으로 분사할 수 있다. 사이드 노즐(50)은 웨팅액 공급관(75)을 통해 공급된 웨팅액을 기판(10)의 표면(10s)으로 분사할 수 있다. 이들에 대해선 도 1b를 참조하여 상세히 후술한다.
노즐 아암(60)은 구동 장치(30)에 연결되어 액적 노즐(40)을 기판(10) 상에서 이동시킬 수 있다. 구동 장치(30)는 노즐 아암(60)을 기판(10) 위에서 수평하게 회전시키는 스텝 모터와 같은 회전 장치(32), 그리고 노즐 아암(60)을 기판(10)으로부터 수직 이동시키는 실린더와 같은 승강 장치(34)를 포함할 수 있다. 노즐 아암(60)의 수평 회전 및/또는 수직 이동에 의해 액적 노즐(40)이 기판(10) 상에서 수평 및/또는 수직 이동될 수 있다. 배선(85), 세정액 공급관(95), 웨팅액 공급관(75)은 노즐 아암(60)의 내부에 설비될 수 있다.
린스액 노즐(55)은 기판(10)의 표면(10s)으로 린스액을 제공할 수 있다. 일례로, 린스액은 순수(DIW), 탄산수(carbonated water), 전해이온수(electrolytically ionized water), 수소수(hydrogen water), 오존수(ozone water) 혹은 희석된 염산수(diluted hydrochloric acid acqueous solution)를 포함할 수 있다. 린스액은 기판 세정 처리 이전에 및/또는 이후에 기판(10)의 표면(10s)으로 제공될 수 있다. 린스액 노즐(55)은 보울(30)의 외측에 고정 설비될 수 있다.
<액적 노즐과 사이드 노즐>
도 1b는 도 1a의 일부를 도시한 구성도이다. 도 1c는 도 1b의 일부를 도시한 평면도이다.
도 1b를 도 1a와 같이 참조하면, 액적 노즐(40)은 잉크젯 방식으로 액적(42)을 분사하는 잉크젯 노즐일 수 있다. 액적 노즐(40)은 노즐 아암(60)의 끝단 측면에 설비될 수 있다. 다른 예로, 액적 노즐(40)은 도 2a에 도시된 것처럼 노즐 아암(60)의 끝단 하면에 설비될 수 있다. 액적 노즐(40)은 액적 노즐(40)의 내부에 제공된 압전소자(44)를 포함할 수 있다. 압전소자(44)는 배선(85)을 통해 제네레이터(80)에 전기적으로 연결되어 교류전압(점선화살표)을 인가받을 수 있다.
세정액(실선화살표)은 펌프(90)에 의해 가압되어 세정액 공급관(95)을 통해 액적 노즐(40)로 제공될 수 있다. 액적 노즐(40)로 제공된 세정액은 제네레이터(80)로부터 인가된 교류전압의 주파수에 의해 진동되는 압전소자(44)에 의해 액적(42)으로 생성되어 분사구(41)를 통해 기판(10)의 표면(10s)으로 분사될 수 있다. 액적(42)은 기판(10)의 표면(10s)을 향해 수직한 방향으로 분사될 수 있다.
세정액은 전해이온수(electrolytic ionized water), 순수(DIW), 탄산수(carbonated water), SC1(NH4OH+H2O2+DIW) 등을 포함할 수 있다. 이외에 세정액은 알칼리 계열, 산 계열, 유기 계열 케미컬을 포함할 수 있다. 세정액은 배출 밸브(91)가 설비된 세정액 배출관(94)을 통해 액적 노즐(40)로부터 배출될 수 있다.
액적(42)은 약 6㎛ 내지 15㎛ 직경을 갖는 구형(sphere)일 수 있다. 액적(42)은 약 20cc/min 내지 50cc/min의 유량과 약 20m/s 내지 60m/s의 유속으로 기판(10)의 표면(10s)으로 제공될 수 있다. 펌프(90)는 약 10MPa 혹은 그 이하의 압력으로 세정액을 액적 노즐(40)로 공급할 수 있다.
액적 노즐(40)이 승강 장치(34)의 구동에 의해 상하 이동하므로써 액적 노즐(40)과 기판(10)의 표면(10s)과의 갭(G)이 변동될 수 있다. 일례로, 약 3mm 내지 10mm 범위에서 갭(G)이 변동되도록 액적 노즐(40)이 상하 이동할 수 있다.
사이드 노즐(50)은 액적 노즐(40)의 측면에 제공되어 웨팅액(58)을 기판(10)의 표면(10s)에 대해 경사진 방향으로 제공할 수 있다. 웨팅액(58)의 기판(10)으로의 제공에 의해 기판(10)의 표면(10s) 상에 웨팅막(59)이 형성될 수 있다. 웨팅액(58)은 상술한 세정액 혹은 수소수(hydrogen water), 오존수(ozone water), 희석된 염산수(diluted hydrochloric acid acqueous solution), 이소프로필알코올(IPA) 등을 포함할 수 있다. 이외에 웨팅액(58)은 알칼리 계열, 산 계열, 유기 계열 케미컬을 포함할 수 있다. 웨팅액(58)은 세정액과 함께 기판(10)의 표면(10s)으로 제공될 수 있다.
밸브(71)를 열면 웨팅액(58)이 웨팅액 공급관(75)을 통해 사이드 노즐(50)로부터 기판(10)으로 제공될 수 있다. 웨팅액(58)의 유량이나 유속은 유량 조절 밸브(72)에 의해 제어될 수 있다. 일례로, 웨팅액(58)은 약 0.5l/min 내지 2l/min의 유량으로 기판(10)의 표면(10s)으로 제공될 수 있다.
사이드 노즐(50)은 액적 노즐(40)과 함께 상하 이동 가능하게 그리고 웨팅액(58)을 액적(42)이 분사되는 영역(42i)보다 상류측에 분사할 수 있게 설계될 수 있다. 여기서 '상류측'이라는 것은 웨팅액(58)의 분사점(58i)이 분사영역(42i)에 비해 기판(10)의 회전방향(Wrd)의 상류측에 있다는 것을 의미할 수 있다. 다시 말해 도 1c에 도시된 것처럼 사이드 노즐(50)의 위치는 액적 노즐(40)의 위치에 비해 기판(10)의 회전방향(Wrd)의 상류측에 있을 수 있다.
사이드 노즐(50)은 액적 노즐(40)의 측면과 결합되고 액적 노즐(40)과 이격된 경사진 형상을 가질 수 있다. 일례로, 사이드 노즐(50)은 기판(10)의 표면(10s)과 약 30° 내지 50° 각도(A)로 경사진 형상을 가질 수 있다. 액적 노즐(40)과 사이드 노즐(50)은 약 5mm 내지 100mm의 간격(D)으로 이격되어 있을 수 있다. 이에 따라 웨팅액(58)의 주된 흐름은 기판(10)의 회전방향(Wrd)의 상류측으로부터 분사영역(42i)을 향해 경사져 있을 수 있다.
사이드 노즐(50)의 중심축(50x)은 도 1c에 도시된 바와 같이 액적 노즐(40)의 센터를 지나는 노즐 아암(60)의 중심축(60x)과 불일치할 수 있다. 일례로, 사이드 노즐(50)은 노즐 아암(60)의 중심축(60x)으로부터 기판(10)의 에지로부터 멀어지는 방향(예: 우회전 방향)으로 기울어져 그 중심축(50x)이 노즐 아암(60)의 중심축(60x)과 약 20°의 각도(B)를 이룰 수 있다. 액적 노즐(40)은 도 1f에서 후술한 바와 같이 하프 스캔 궤적(S1)을 따라 이동할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는 액적 노즐(40)과 사이드 노즐(50)이 하프 스캔 궤적(S1)을 따라 기판(10)의 표면(10s) 상에서 이동하면서 기판(10)을 세정 처리하는데 최적화된 구성을 가질 수 있다. 하프 스캔 방식으로 기판(10)을 세정 처리하는 것은 도 1f 내지 1h를 참조하여 상세히 후술된다.
<분사구의 배열>
도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 있어서 분사구의 배열을 도시한 평면도이다. 도 1e는 도 1d의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 1d에 도시된 바와 같이 원형 단면을 갖는 복수개의 분사구들(41)은 복수개의 원 형태로 배열될 수 있다. 혹은, 분사구들(41)은 도 1e에서처럼 사각형과 같은 다각형 모습으로 배열될 수 있다.
분사구(41)의 크기(직경)가 작을수록 분사구(41)의 개수는 많아질 수 있다. 가령, 약 17㎛의 크기(직경)를 갖는 80개 이상, 혹은 약 8㎛ 내지 12㎛의 크기(직경)를 갖는 140개 이상, 혹은 약 6㎛의 크기(직경)를 갖는 300개 이상, 혹은 약 4㎛의 크기(직경)를 갖는 900개 이상의 분사구들(41)이 원형 혹은 다각형 모습으로 배열될 수 있다.
<하프 스캔>
도 1f는 도 1a의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 평면도이다. 도 1g 및 1h는 도 1a의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 단면도들이다.
도 1f를 참조하면, 회전 장치(32)는 노즐 아암(60)을 기판(10)의 표면(10s)과 수평하게 피봇 회전시킬 수 있다. 노즐 아암(60)의 피봇 회전에 의해 액적 노즐(40)은 하프 스캔 궤적(S1)을 따라 기판(10)의 표면(10s) 상에서 수평 이동될 수 있다. 사이드 노즐(50)은 액적 노즐(40)과 함께 하프 스캔 궤적(S1)을 따라 이동할 수 있다.
하프 스캔 궤적(S1)은 기판(10)의 좌측 에지(10ea)와 그 반대측인 우측 에지(10eb) 중 어느 하나와 기판(10)의 중심(10c) 사이에서 액적 노즐(40)이 이동하는 궤적일 수 있다. 일례로, 하프 스캔 궤적(S1)은 액적 노즐(40)이 기판(10)의 좌측 에지(10ea)와 중심(10c) 사이를 지나는 곡선일 수 있다. 다른 예로, 회전 장치(32)의 구동 방식에 따라 하프 스캔 궤적(S1)은 직선일 수 있다.
액적 노즐(40)이 스핀 척(22) 상에서 회전하는 기판(10) 상에 위치하는 상태에서, 승강 장치(34)가 노즐 아암(60)을 상승 또는 하강시키면 액적 노즐(40)이 기판(10)의 표면(10s)으로부터 멀어지거나 혹은 기판(10)의 표면(10s)으로 근접할 수 있다.
액적 노즐(40)은 승강 장치(34)의 구동에 의해 상하 이동하므로써 기판(10)의 표면(10s)으로부터 멀어지거나 가까워질 수 있고, 이와 동시에 사이드 노즐(50)은 액적 노즐(40)과 함께 상하 이동할 수 있다. 액적 노즐(40)과 사이드 노즐(50)은 하프 스캔 궤적(S1)을 따라 수평 이동하는 도중에 일시적으로 상승하거나 하강할 수 있다.
사이드 노즐(50)로부터 분사되는 웨팅액(58)은 그 분사량이 일정할 수 있다. 그러므로, 도 1g 및 1h에 도시된 것처럼 액적 노즐(40)의 상하 이동에 따라 사이드 노즐(50) 역시 상하 이동하므로 웨팅액(58)의 분사 영역의 크기(폭)와 웨팅막(59)의 두께가 달라질 수 있다.
예컨대 도 1g에서처럼 액적 노즐(40)이 하강하여 기판(10)의 표면(10s)과 제1 갭(G1)으로 이격된 경우, 사이드 노즐(50)로부터 분사되는 웨팅액(58)은 제1 크기(W1)의 분사 영역을 가지며, 기판(10)의 표면(10s) 상에 제1 두께(T1)의 웨팅막(59)을 형성할 수 있다.
이와 다르게 도 1h에 도시된 바와 같이 액적 노즐(40)이 상승하여 기판(10)의 표면(10s)과 제1 갭(G1)보다 큰 제2 갭(G2>G1)으로 이격된 경우, 사이드 노즐(50)로부터 분사되는 웨팅액(58)은 제1 크기(W1)보다 큰 제2 크기(W2>W1)의 분사 영역을 가지며, 기판(10)의 표면(10s) 상에 제1 두께(T1)보다 작은 제2 두께(T2<T1)의 웨팅막(59)을 형성할 수 있다.
액적 노즐(40)은 웨팅막(59)이 형성된 기판(10)의 표면(10s) 상에 액적(42)을 분사하고, 액적(42)이 웨팅막(59)으로 떨어지면서 웨팅막(59)의 표면에서 크라운 현상이 발생될 수 있다. 크라운 현상이 발생되면서 웨팅막(59)에 압력이 가해지고 그 압력에 의해 기판(10)의 표면(10s)으로부터 및/또는 표면(10s) 상에 형성되어 있을 수 있는 패턴(15)으로부터 파티클이 제거되므로써 기판(10)이 세정 처리될 수 있다.
웨팅막(59)에 가해지는 압력은 액적(42)의 속도와 크기가 클수록 커질 수 있다. 일례로, 압력은 액적(42)의 속도의 3제곱에 비례하고 액적(42)의 크기의 2제곱에 비례할 수 있다. 그러므로, 액적(42)의 속도와 크기가 커질수록 파티클 제거 효율(partical removal efficiency)이 높아질 수 있다.
웨팅막(59)에 가해지는 압력은 웨팅막(59)의 두께가 작을수록 커질 수 있다. 일례로, 압력은 웨팅막(59)의 두께의 2제곱에 반비례할 수 있다. 그러므로, 웨팅막(59)의 두께가 작을수록 파티클 제거 효율이 높아질 수 있다. 가령, 웨팅막(59)은 도 1g에서처럼 상대적으로 큰 제1 두께(T1)를 가질 때에 비해 도 1h에서처럼 상대적으로 작은 제2 두께(T2)를 가질 때 파티클 제거 효율이 높아질 수 있다.
상기 웨팅막(59)의 두께에 따른 압력의 크기 변화를 이용하여 균일한 혹은 효율적인 세정 처리를 구현할 수 있다. 가령, 액적 노즐(40)을 하프 스캔 궤적(S1)을 따라 수평하게 이동시키면서 액적(42)을 분사하여 기판(10)을 세정 처리할 때, 파티클 제거가 불량한 기판(10)의 특정 영역, 가령 기판(10)의 중심(10c)이나 좌측 에지(10ea)에서 액적 노즐(40)을 상승시킬 수 있다. 기판(10)의 특정 영역에서 액적 노즐(40)이 상승되므로써 사이드 노즐(50)도 같이 상승하여 가령 제2 두께(T2)를 갖는 웨팅막(59)이 형성되고 그 특정 영역에서의 파티클 제거 효율이 높아질 수 있다. 이에 따라 기판(10)을 전체적으로 균일하게 혹은 국부적으로 효율적으로 세정 처리할 수 있다.
이와 반대로, 웨팅막(59)에 가해지는 압력이 비교적 커서 기판(10)의 특정 영역에서 표면(10s) 내지 패턴(15)에 손상이 가해지는 경우가 있을 수 있다. 이 경우, 액적 노즐(40)을 하강시키고 이와 함께 하강된 사이드 노즐(50)에 의해 가령 제1 두께(T1)를 갖는 웨팅막(59)을 형성할 수 있다. 이에 따라 웨팅막(59)에 가해지는 압력이 감소되어 기판(10)의 표면(10s) 및/또는 패턴(15)의 손상을 억제하거나 최소화할 수 있다.
<기판 처리 장치의 예2>
도 2a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다. 도 2b는 도 2a의 일부를 도시한 평면도이다. 이하에선 도 1a의 기판 처리 장치(1)와 상이한 점에 대해 상설하고 동일한 점에 대해서는 개설하거나 생략한다.
도 2a를 참조하면, 기판 처리 장치(2)는 도 1a의 기판 처리 장치(1)와 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다. 액적 노즐(40)은 노즐 아암(60)의 끝단 하면에 설비될 수 있다. 다른 예로, 액적 노즐(40)은 도 1a에서와 같이 노즐 아암(60)의 끝단 측면에 설비될 수 있다. 기판 처리 장치(1)와 다르게, 기판 처리 장치(2)는 트윈 사이드 노즐(51,52)을 포함할 수 있다.
일례로, 액적 노즐(40)의 일측면에는 제1 사이드 노즐(51)이 타측면에는 제2 사이드 노즐(52)이 설비될 수 있다. 제1 사이드 노즐(51)과 제2 사이드 노즐(52)은 액적 노즐(40)을 중심으로 대칭하는 위치에 있을 수 있다. 다른 예로, 제1 사이드 노즐(51)과 제2 사이드 노즐(52) 중 어느 하나는 액적 노즐(40)에 설비되고 다른 하나는 노즐 아암(60)에 설비될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 제1 사이드 노즐(51)은 기판(10)의 회전방향(Wrd)의 상류측에 위치하고 제2 사이드 노즐(52)은 그 하류측에 위치할 수 있다. 예컨대, 제1 사이드 노즐(51)은 노즐 아암(60)의 중심축(60x)으로부터 기판(10)의 에지로부터 멀어지는 방향(예: 우회전 방향)으로 기울어져 그 중심축(51x)이 노즐 아암(60)의 중심축(60x)과 약 20°의 각도(B)를 이룰 수 있다. 제2 사이드 노즐(52)은 노즐 아암(60)의 중심축(60x)으로부터 기판(10)의 에지에 가까워지는 방향(예: 좌회전 방향)으로 기울어져 그 중심축(52x)이 노즐 아암(60)의 중심축(60x)과 약 20°의 각도(B)를 이룰 수 있다.
노즐 아암(60)의 피봇 회전에 의해 트윈 사이드 노즐(51,52)은 액적 노즐(40)과 함께 도 2c에서 후술한 바와 같이 풀 스캔 궤적(S2)을 따라 기판(10)의 표면(10s) 상에서 이동할 수 있다.
<풀 스캔>
도 2c는 도 2a의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 평면도이다.
도 1f를 참조하면, 회전 장치(32)의 구동에 따른 노즐 아암(60)의 피봇 회전에 의해 액적 노즐(40)은 풀 스캔 궤적(S2)을 따라 기판(10)의 표면(10s) 상에서 수평 이동될 수 있다. 풀 스캔 궤적(S2)은 액적 노즐(40)이 기판(10)의 좌측 에지(10ea)와 그 반대측인 우측 에지(10eb) 사이에서 기판(10)의 중심(10c)을 경유하여 이동하는 궤적일 수 있다.
액적 노즐(40)이 기판(10)의 좌측 에지(10ea)와 센터(10c) 사이에서 이동할 때, 제1 사이드 노즐(51)을 통해 웨팅액(58)이 액적 노즐(40)로 향하는 방향으로 기판(10)의 표면(10s)에 분사될 수 있다. 기판(10)의 좌측 에지(10ea)와 센터(10c) 사이에서 제1 사이드 노즐(51)을 통해 분사되는 웨팅액(58)은 기판(10)의 회전 방향(Wrd)을 따라 흐를 수 있다.
액적 노즐(40)이 기판(10)의 센터(10c)와 우측 에지(10eb) 사이에서 이동할 때, 제2 사이드 노즐(52)을 통해 웨팅액(58)이 액적 노즐(40)로 향하는 방향으로 기판(10)의 표면(10s)으로 분사될 수 있다. 기판(10)의 센터(10c)와 우측 에지(10eb) 사이에서 제2 사이드 노즐(52)을 통해 분사되는 웨팅액(58)은 기판(10)의 회전 방향(Wrd)을 따라 흐를 수 있다.
트윈 사이드 노즐(51,52)은 액적 노즐(40)이 풀 스캔 궤적(S2) 상의 임의의 위치에 있더라도 기판(10)의 회전 방향(Wrd)에 부합하는 방향으로 웨팅액(58)을 기판(10)의 표면(10s)으로 분사할 수 있다. 이처럼, 기판 처리 장치(2)는 풀 스캔(full scan) 방식으로 기판(10)을 세정 처리하는데 최적화된 구성을 가질 수 있다.
트윈 사이드 노즐(51,52)은 도 1h에서 전술한 바와 같이 액적 노즐(40)과 함께 상승하여 제2 두께(T2)를 갖는 웨팅막(59)을 형성하므로써 파티클 제거 효율을 높일 수 있다. 반대로, 트윈 사이드 노즐(51,52)은 도 1g에서 전술한 것처럼 액적 노즐(40)과 함께 하강하여 제1 두께(T1)를 갖는 웨팅막(59)을 형성하므로써 기판(10)의 표면(10s) 및/또는 패턴(15)의 손상을 없애거나 최소화할 수 있다.
<기판 처리 장치의 예3>
도 3a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 구성도이다. 도 3b는 도 3a의 일부를 도시한 평면도이다. 이하에선 도 1a의 기판 처리 장치(1)와 상이한 점에 대해 상설하고 동일한 점에 대해서는 개설하거나 생략한다.
도 3a를 참조하면, 기판 처리 장치(3)는 도 1a의 기판 처리 장치(1)와 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다. 액적 노즐(40)은 노즐 아암(60)의 끝단 하면에 혹은 측면에 설비될 수 있다. 기판 처리 장치(1)와 다르게, 기판 처리 장치(3)는 이동성 사이드 노즐(53)을 포함할 수 있다. 이동성 사이드 노즐(53)은 모터(36)의 구동력을 전달받아 액적 노즐(40)의 측면을 따라 회전 가능하게 설계될 수 있다. 모터(76)는 노즐 아암(60)의 내부에 혹은 외부에 장착될 수 있다. 이동성 사이드 노즐(53)은 액적 노즐(40)과 함께 수평 이동 및 수직 이동할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 모터(36)의 구동에 의해 이동성 사이드 노즐(53)은 가령 액적 노즐(40)의 측면을 따라 회전 가능하게 설비될 수 있다. 일례로, 이동성 사이드 노즐(53)은 좌회전 방향 및 우회전 방향 중 적어도 어느 하나의 방향으로 임의의 각도, 가령 360° 혹은 180° 회전 가능하게 설계될 수 있다.
이동성 사이드 노즐(53)은 회전 가능하므로 도 2a의 트윈 사이드 노즐(51,53)로서의 역할을 할 수 있다. 예컨대, 이동성 사이드 노즐(53)이 장착된 액적 노즐(40)이 도 2c에 도시된 바와 같이 기판(10)의 좌측 에지(10ea)와 센터(10c) 사이의 풀 스캔 궤적(S2)을 따라 이동하는 경우, 이동성 사이드 노즐(53)은 제1 사이드 노즐(51)의 위치로 이동될 수 있다. 액적 노즐(40)이 기판(10)의 센터(10c)와 우측 에지(10eb) 사이의 풀 스캔 궤적(S2)을 따라 이동하는 경우, 이동성 사이드 노즐(53)은 제1 사이드 노즐(51)의 위치로부터 제2 사이드 노즐(52)의 위치로 이동될 수 있다. 이처럼, 이동성 사이드 노즐(40)을 구비한 기판 처리 장치(3)는 하프 스캔은 물론 풀 스캔 방식으로 기판을 세정 처리할 수 있다.
이동성 노즐(53)은 도 1h에서 전술한 바와 같이 액적 노즐(40)과 함께 상승하여 제2 두께(T2)를 갖는 웨팅막(59)을 형성하므로써 파티클 제거 효율을 높일 수 있다. 반대로, 이동성 노즐(53)은 도 1g에서 전술한 것처럼 액적 노즐(40)과 함께 하강하여 제1 두께(T1)를 갖는 웨팅막(59)을 형성하므로써 기판(10)의 표면(10s) 및/또는 패턴(15)의 손상을 없애거나 최소화할 수 있다.
이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판을 지지하는 스핀 척;
    상기 기판의 표면 위에서 이동 가능하며, 상기 기판의 표면 상에 처리액의 액적들을 제공하는 제1 노즐;
    상기 기판의 표면 위에서 상기 제1 노즐을 이동시키는 노즐 아암; 및
    상기 기판의 표면 상에 웨팅액을 제공하여 웨팅막을 형성하는 제2 노즐을 포함하고,
    상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 함께 수직 이동되고,
    상기 웨팅막은 상기 제2 노즐이 수직 이동함에 따라 그 두께가 변동되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐은 상기 웨팅막으로 상기 액적들을 분사하고,
    상기 웨팅막에 분사된 액적들은 상기 웨팅막의 표면과 충돌하여 상기 웨팅막에 압력을 부여하고,
    상기 압력은 상기 웨팅막의 두께에 따라 그 크기가 달라지는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 압력은 상기 웨팅막의 두께가 작아질수록 증가하는 크기를 갖는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 수직 이동은:
    상기 제1 노즐이 상기 기판의 표면으로부터 멀어지는 상승 이동과;
    상기 제1 노즐이 상기 기판의 표면에 가까워지는 하강 이동을 포함하고,
    상기 제2 노즐은 상기 제1 노즐과 함께 상승 이동 및 하강 이동하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 웨팅막은:
    상기 하강 이동된 상기 제2 노즐로부터 형성되면 상대적으로 큰 두께를 가지며, 상기 상승 이동된 상기 제2 노즐로부터 형성되면 상대적으로 작은 두께를 갖는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 액적들은:
    상기 큰 두께를 갖는 웨팅막의 표면과 충돌하여 상대적으로 작은 크기의 압력을 상기 웨팅막에 부여하고, 상기 작은 두께를 갖는 웨팅막의 표면과 충돌하여 상대적으로 큰 크기의 압력을 상기 웨팅막에 부여하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전하고,
    상기 제1 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 하류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 액적들을 분사하고, 그리고
    상기 제2 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 상류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 웨팅액을 분사하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 노즐은 상기 액적들을 상기 기판의 표면과 수직한 방향으로 분사하고,
    상기 제2 노즐은 상기 웨팅액을 상기 기판의 표면과 경사진 방향으로 분사하고,
    상기 웨팅액의 분사 위치는 상기 액적들의 분사 위치에 비해 상기 상기 기판이 회전하는 방향의 상류측에 있는 기판 처리 장치.
  9. 기판을 지지하는 스핀 척;
    상기 기판의 표면 위에서 이동 가능하며, 상기 기판의 표면 상에 처리액의 액적들을 제공하는 액적 노즐;
    상기 기판의 표면 위에서 상기 액적 노즐을 이동시키는 노즐 아암; 및
    상기 기판의 표면 상에 웨팅액을 제공하는 사이드 노즐을 포함하고,
    상기 사이드 노즐은:
    상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면으로 근접하는 제1 방향을 따라 하강하여 상기 기판의 표면 상에 제1 두께를 갖는 제1 웨팅막을 형성하고, 그리고
    상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면으로부터 멀어지는 제2 방향을 따라 상승하여 상기 기판의 표면 상에 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 제2 웨팅막을 형성하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 액적 노즐은:
    상기 제1 방향을 따라 하강하여 상기 제1 웨팅막으로 상기 액적들을 분사하고, 그리고
    상기 제2 방향을 따라 상승하여 상기 제2 웨팅막으로 상기 액적들을 분사하고,
    상기 제1 웨팅막에 분사된 상기 액적들은 상기 제1 웨팅막의 표면과 충돌하여 상기 제1 웨팅막에 제1 압력을 부여하고, 그리고
    상기 제2 웨팅막에 분사된 상기 액적들은 상기 제2 웨팅막의 표면과 충돌하여 상기 제2 웨팅막에 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력을 부여하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 방향을 따라 하강한 사이드 노즐로부터 분사되는 웨팅액은 상기 기판의 표면 상에 제1 크기의 분사영역을 형성하고, 그리고
    상기 제2 방향을 따라 상승한 사이드 노즐로부터 분사되는 웨팅액은 상기 기판의 표면 상에 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기의 분사영역을 형성하는 기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 기판은 상기 스핀 척 상에서 상기 스핀 척의 중심축을 기준으로 회전하고,
    상기 사이드 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 상류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 웨팅액을 제공하고, 그리고
    상기 액적 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 하류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상으로 이동된 웨팅액으로 상기 액적들을 제공하는 기판 처리 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 액적 노즐은 상기 기판의 에지와 상기 기판의 중심 사이에서 상기 기판의 표면을 가로지르는 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동하고, 그리고
    상기 사이드 노즐은 상기 액적 노즐과 함께 상기 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동하는 기판 처리 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 액적 노즐은 상기 기판의 양측 에지들 사이에서 상기 기판의 중심을 경유하여 상기 기판의 표면을 가로지르는 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동하고, 그리고
    상기 사이드 노즐은 상기 액적 노즐과 함께 상기 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동하는 기판 처리 장치.
  15. 기판에 웨팅액을 사이드 노즐로부터 제공하여 상기 기판 상에 웨팅막을 형성하고;
    상기 기판에 처리액의 액적들을 액적 노즐로부터 제공하여 상기 액적들과 상기 웨팅막의 표면과의 충돌로 인해 발생된 압력을 상기 웨팅막에 부여하는 것을 포함하고,
    상기 웨팅막을 형성하는 것은:
    상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판 상에서 수직 이동시키고; 그리고
    상기 수직 이동된 사이드 노즐로부터 상기 웨팅액을 상기 기판 상에 제공하는 것을 포함하고,
    상기 웨팅막은 상기 사이드 노즐의 수직 이동에 의존하여 변동되는 두께를 가지며,
    상기 압력은 상기 웨팅막의 두께 변동에 의존하여 변하는 크기를 갖는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 웨팅막을 형성하는 것은:
    상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면을 향해 하강시켜 상기 기판의 표면 상에 제1 두께를 갖는 제1 웨팅막을 형성하는 것; 그리고
    상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 기판의 표면으로부터 상승시켜 상기 기판의 표면 상에 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 제2 웨팅막을 형성하는 것;
    중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 액적들을 제공하는 것은:
    상기 액적들을 상기 제1 웨팅막의 표면에 충돌시켜 상기 제1 웨팅막에 제1 압력을 제공하는 것; 그리고
    상기 액적들을 상기 제2 웨팅막의 표면에 충돌시켜 상기 제2 웨팅막에 상기 제1 압력보다 큰 제2 압력을 제공하는 것;
    중에서 적어도 어느 하나를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 웨팅막을 형성하는 것은:
    상기 기판을 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전시키고;
    상기 액적 노즐을 상기 기판의 에지와 상기 기판의 중심 사이에서 상기 기판의 표면을 가로지르는 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키고; 그리고
    상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 하프 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키는 것을;
    더 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 웨팅막을 형성하는 것은:
    상기 기판을 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전시키고;
    상기 액적 노즐을 상기 기판의 양측 에지들 사이에서 상기 기판의 중심을 경유하여 상기 기판의 표면을 가로지르는 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키고; 그리고
    상기 사이드 노즐을 상기 액적 노즐과 함께 상기 풀 스캔 궤적을 따라 상기 기판의 표면 위에서 수평 이동시키는 것을;
    더 포함하는 기판 처리 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 웨팅막을 형성하는 것은 상기 기판을 상기 기판의 중심축을 기준으로 회전시키는 것을 더 포함하고,
    상기 사이드 노즐은 상기 기판의 회전하는 방향의 상류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상에 상기 웨팅액을 제공하고;
    상기 액적 노즐은 상기 기판이 회전하는 방향의 하류측에 대응하는 상기 기판의 표면 상으로 이동된 웨팅액으로 상기 액적들을 제공하는 기판 처리 방법.
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