KR20160008720A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20160008720A
KR20160008720A KR1020140088616A KR20140088616A KR20160008720A KR 20160008720 A KR20160008720 A KR 20160008720A KR 1020140088616 A KR1020140088616 A KR 1020140088616A KR 20140088616 A KR20140088616 A KR 20140088616A KR 20160008720 A KR20160008720 A KR 20160008720A
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김유환
이길
주윤종
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 분사유닛은, 내부에 상기 제 1 처리액이 흐르는 분사유로가 형성되고, 상기 분사유로를 흐르는 상기 제 1 처리액에 진동을 가하는 진동자가 설치되어 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 상기 제 1 처리액 분사가 가능한 제 1 노즐, 제 2 처리액을 분사하는 제 2 노즐, 그리고 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐을 제어하여 복수의 처리 모드로 기판을 처리하는 제어기를 포함하되, 상기 처리 모드는, 상기 제 1 노즐의 상기 분사유로를 통해 흐르는 상기 제 1 처리액에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 상기 제 1 처리액을 토출하여 기판을 처리하는 제 1 모드 및 상기 제 2 노즐로부터 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 수막에 상기 제 1 노즐을 접촉시키고 상기 제 1 노즐로부터 상기 제 1 처리액의 공급없이 상기 수막에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 기판을 처리하는 제 2 모드를 가질 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 가지는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 이물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다.
세정공정으로는 기판 상에 잔류하는 이물 및 파티클을 제거하기 위해 케미칼을 분사하거나, 가스가 혼합된 처리액을 분사하거나, 진동이 제공된 처리액을 분사하는 등 다양한 방식이 사용된다.
이 중 진동을 이용하여 처리액을 분사하는 방식은 처리액의 입자 크기를 다양하게 조절할 수 있는 장점을 가지고 있다. 입자 크기가 조절된 처리액은 기판 상에 잔류하는 이물 및 파티클의 부착력을 약화시키거나 이를 제거한다. 그러나, 이 때, 처리액이 기판 상에 전달하는 충격량이 강하면, 기판 상의 패턴 리닝 현상이 발생할 수 있다. 또한, 액체와 유체를 혼합한 미세 액방울의 타력을 이용한 처리액을 분사하는 방식은 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다. 그러나, 기판 상에 처리액에 의한 충격량으로 인해 패턴 리닝 현상이 발생할 수 있다.
본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 공급하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 다양한 세정 방식을 제공할 수 있는 기판 처리 장치를 공급하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 분사유닛은, 내부에 상기 제 1 처리액이 흐르는 분사유로가 형성되고, 상기 분사유로를 흐르는 상기 제 1 처리액에 진동을 가하는 진동자가 설치되어 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 상기 제 1 처리액 분사가 가능한 제 1 노즐, 제 2 처리액을 분사하는 제 2 노즐, 그리고 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐을 제어하여 복수의 처리 모드로 기판을 처리하는 제어기를 포함하되, 상기 처리 모드는, 상기 제 1 노즐의 상기 분사유로를 통해 흐르는 상기 제 1 처리액에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 상기 제 1 처리액을 토출하여 기판을 처리하는 제 1 모드 및 상기 제 2 노즐로부터 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 수막에 상기 제 1 노즐을 접촉시키고 상기 제 1 노즐로부터 상기 제 1 처리액의 공급없이 상기 수막에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 기판을 처리하는 제 2 모드를 가질 수 있다.
상기 제 1 노즐은 내부에 상기 분사유로 및 상기 분사유로와 통하는 제 1 토출구가 저면에 형성된 몸체를 더 포함할 수 있다.
상기 진동자는 상기 몸체 내에서 상기 분사유로의 상부에 배치되는 압전소자를 더 포함할 수 있다.
상기 처리 모드는, 상기 제 2 노즐로부터 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 수막에 상기 제 1 노즐을 접촉시키고 상기 제 1 노즐로 상기 제 1 처리액을 공급하면서 상기 수막에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 기판을 처리하는 제 3 모드를 더 포함할 수 있다.
상부에서 바라볼 때, 상기 분사유로는 링 형상의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가지고, 상기 제 1 영역의 반지름은 상기 제 2 영역의 반지름보다 클 수 있다.
상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 1 영역을 따라 일열로 제공되고, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 2 영역을 따라 이열로 제공될 수 있다.
상기 제 1 처리액은 세정액이고, 상기 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 혼합액일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정 효율이 향상된 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 다양한 세정 방식이 선택 가능한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1는 기판처리설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3는 도 2의 제 1 노즐부재를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 제 1 노즐부재를 보여주는 저면도이다.
도 5 및 도 6은 제 1 처리모드를 보여주는 도면이다.
도 7은 제 2 처리모드를 보여주는 도면이다.
도 8은 제 3 처리모드를 보여주는 도면이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사 유닛(380)을 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 분사유닛은 다양한 종류의 처리액을 분사하거나, 동일한 종류의 처리액을 다양한 방식으로 분사하도록 복수 개로 제공될 수 있다. 분사 유닛(380)은 지지축(386), 노즐암(382), 제 1 노즐(400), 제 2 노즐(480), 그리고 제어기(500)를 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동 부재(388)에 의해 스윙 및 승강된다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 지지축의 상단에는 노즐암(382)이 고정결합된다. 노즐암(382)은 제 1 노즐(400) 및 제 2 노즐(480)을 지지한다. 제 1 노즐(400) 및 제 2 노즐(480)은 노즐암(382)의 끝단에 위치된다. 예컨대, 제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)에 비해 노즐암(382)의 끝단에 가깝게 위치될 수 있다.
도 3은 도 2의 제 1 노즐(400)을 보여주는 단면도이다. 도 4는 도 3의 제 1 노즐(400)을 보여주는 저면도이다. 상부에서 바라볼 때, 제 1 노즐(400)은 원형으로 제공된다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 제 1 노즐(400)은 제 1 처리액을 잉크젯 방식으로 분사한다. 제 1 노즐(400)은 몸체(410,430), 진동자(436), 처리액 공급라인(450), 그리고 처리액 회수라인(460)을 포함한다. 몸체(410,430)는 하판(410) 및 상판(430)을 가진다. 하판(410)은 원통 형상을 가지도록 제공된다. 하판(410)의 내부에는 제 1 처리액이 흐르는 분사유로(412)가 형성된다. 하판(410)의 저면에는 제 1 처리액을 분사하는 복수의 제 1 토출구(414)들이 형성되고, 각각의 제 1 토출구(414)는 분사유로(412)와 연통되게 제공된다. 제 1 토출구(414)는 미세공으로 제공된다. 분사유로(412)는 제 1 영역(412b), 제 2 영역(412c), 그리고 제 3 영역(412a)을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제 1 영역(412b)과 제 2 영역(412c)은 링 형상으로 제공된다. 이 때, 제 1 영역(412b)의 반지름은 제 2 영역(412c)의 반지름보다 크다. 제 1 영역(412b)의 제 1 토출구(414)는, 제 1 영역(412b)을 따라 일열로 제공될 수 있다. 제 2 영역(412c)의 제 1 토출구(414)는, 제 2 영역(412c)을 따라 이열로 제공될 수 있다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 유입유로(432)와 연결한다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 회수유로(434)와 연결한다. 일 예로, 도 5와 같이, 제 3 영역(412a)은 유입유로(432) 또는 회수유로(434)와 제 3 영역(412a)까지 연결할 수 있다. 상판(430)은 하판(410)과 동일한 직경을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 상판(430)은 하판(410)의 상면에 고정결합된다. 상판(430)의 내부에는 유입유로(432) 및 회수유로(434)가 형성된다. 유입유로(432) 및 회수유로(434)는 분사유로(412)의 제2영역(412b)과 통하도록 제공된다. 유입유로(432)는 분사유로(412)에 제 1 처리액이 유입되는 입구로 기능하고, 회수유로(434)는 분사유로(412)로부터 제 1 처리액이 회수되는 출구로 기능한다. 유입유로(432)와 회수유로(434)는 제 1 노즐(400)의 중심을 기준으로 서로 마주보도록 위치된다.
상판(430)의 내부에는 진동자(436)가 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 진동자(436)는 원판 형상을 가지도록 제공된다. 일 예로, 진동자(436)은 제 1 영역(412b)과 동일한 직경을 가지도록 제공된다. 선택적으로 진동자(436)의 직경은 제 1 영역(412b)의 직경보다 크고, 상판(430)의 직경보다 작게 제공될 수 있다. 진동자(436)는 압전소자를 포함할 수 있다. 일 예로, 압전소자는 몸체(410) 내 분사유로(412)의 상부에 배치될 수 있다. 진동자(436)는 외부에 위치된 전원(438)과 전기적으로 연결된다. 진동자(436)는 분사되는 제 1 처리액에 진동을 제공하여 제 1 처리액의 입자 크기 및 유속을 제어한다. 제 1 처리액은 세정액으로 제공된다. 일 예로, 제 1 처리액은 전해이온수일 수 있다. 제 1 처리액은 수소수, 산소수, 그리고 오존수 중 어느 하나이거나 이들을 포함할 수 있다. 선택적으로 제 1 처리액은 순수일 수 있다.
처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 제 1 처리액을 공급하고, 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)로부터 제 1 처리액을 회수한다. 처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 연결되고, 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)에 연결된다. 처리액 공급라인(450) 상에는 펌프(452)가 설치되고, 처리액 회수라인(460) 상에는 개폐밸브(462)가 설치된다. 펌프(452)는 처리액 공급라인(450)에서 유입유로(432)로 공급되는 제 1 처리액을 가압한다. 개폐밸브(462)는 처리액 회수라인(460)을 개폐한다. 일 예에 의하면, 공정 대기 중에는 개폐밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 개방한다. 이로 인해 제 1 처리액은 처리액 회수라인(460)을 통해 회수되고, 제1분사홀(414)을 통해 분사되지 않는다. 이와 달리, 공정 진행 중에는 개폐밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 닫는다. 이로 인해 분사유로(412)에 제 1 처리액이 채워지고, 분사유로(412)의 내부 압력이 높아지며, 진동자(436)에 전압이 인가되면, 제 1 처리액은 제1분사홀(414)을 통해 분사될 수 있다.
제 2 노즐(480)은 기판 상에 제 2 처리액을 공급한다. 제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)이 제 1 처리액을 공급할 때, 이와 동시에 제 2 처리액을 공급한다. 이 때, 제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)이 제 1 처리액을 공급 시작하기 전에 먼저 제 2 처리액을 공급할 수 있다.
제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)보다 노즐암(382)의 일단에 인접하게 제공된다. 제 2 노즐(480)은 기판 상에 제 2 처리액을 기판에 평행하게 토출하는 제 2 토출구를 가질 수 있다. 제 2 토출구는 스핀헤드(340)에 놓인 기판에 평행한 방향으로 제 2 처리액을 공급한다. 일 예로, 제 2 노즐(480)은 L자형으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 2 노즐(480)은 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 제 2 노즐(480)은 스핀헤드(340)에 놓인 기판에 평행한 방향으로 하향 경사지게 제공될 수 있다. 선택적으로, 제 2 노즐(480)은 기판에 대해 제 2 처리액을 수직하게 토출할 수 있다. 또한, 선택적으로, 제 2 노즐(480)은 기판에 대해 제 2 처리액을 경사지게 제공할 수 있다. 제 2 처리액은 보호액으로 제공된다. 일 예로, 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 용액일 수 있다. 제 2 처리액은 기판(W) 상에 수막을 형성하고, 수막은 제 1 처리액이 기판(W)에 미치는 충격량을 완화시킨다. 이로 인해, 제 1 처리액에 의해 기판(W)상의 패턴이 쓰러지는 것을 방지할 수 있다. 제 2 처리액은 순수일 수 있다. 분사 위치에서 제 2 노즐(480)은 기판과 매우 인접하게 제공되어, 토출되는 제 2 처리액이 기판에 미치는 수직 성분의 힘을 줄일 수 있다. 따라서, 기판에 미치는 충격량을 완화시키고, 패턴 리닝 현상을 방지할 수 있다. 또한, 제 2 처리액이 기판에 평행한 방향으로 토출됨으로써, 기판 상에 균일한 두께의 액막을 형성할 수 있다.
제 2 노즐(480)이 기판에 제 2 처리액을 분사하는 동안, 제 1 노즐(400) 또한 제 1 처리액을 기판 상으로 분사한다. 이 때, 제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)이 제 1 처리액 분사를 시작하기 전에 제 2 처리액을 먼저 분사할 수 있다. 제 1 노즐(400) 및 제 2 노즐(480)은 각각 처리액 분사시, 기판의 중심 상부에 위치될 수 있다. 제 2 노즐(480)은 제 1 처리액이 분사되는 기판(W)의 영역과 인접한 영역으로 제 2 처리액을 분사할 수 있다. 제 2 처리액이 분사된 영역은 제 1 처리액이 분사된 영역에 비해 기판(W)의 중심영역에 더 가까울 수 있다.
도 5 내지 도 8은 제어기(500)의 처리모드들을 각각 보여주는 도면이다. 도 5 및 도 6은 제 1 처리모드를 보여주는 도면이다. 도 7은 제 2 처리모드를 보여주는 도면이다. 도 8은 제 3 처리모드를 보여주는 도면이다. 이하, 도 내지 도 8을 참조하여 제어기(500)가 분사유닛(380)을 제어하는 것을 설명한다. 제어기(500)는 분사유닛(380)을 제어한다. 제어기(500)는 복수 개의 처리모드를 가진다. 제 1 모드일 때, 제어기(500)는 진동자(436)로 진동을 인가하며 제 1 처리액을 토출하여 기판을 처리한다. 이 때, 도 5와 같이, 제어기(500)는 기판 상으로 바로 제 1 처리액을 토출할 수 있다. 또한, 도 6과 같이, 제어기(500)는 기판 상에 제 2 처리액에 의한 수막이 형성되었을 때 제 1 처리액을 토출할 수 있다. 제 1 모드일 때, 제 1 노즐(400)로 제 1 처리액을 토출함으로써, 제 1 처리액의 타력에 의해 기판의 세정이 가능하다. 제 2 모드일 때는, 도 7을 참조하면, 제어기(500)는 기판 상에 제 2 노즐(480)에 의해 형성된 수막에 제 1 노즐(400)을 접촉시킨다. 기판 상에 형성된 수막의 두께에 따라, 제어기(500)는 제 1 노즐(400)의 높이를 제어할 수 있다. 이 때, 제 1 노즐(400)의 제 1 토출구(414)는 수막에 잠길 수 있으나, 기판에 닿지 않도록 제공된다. 이후, 제어기(500)는 제 1 노즐(400)로 제 1 처리액을 공급하지 않으면서 수막에 진동자(436)에 의한 진동을 인가한다. 따라서, 수막의 진동에 의해 기판의 물리적 세정이 가능하다. 제 3 모드일 때 제어기(500)는, 도 8을 참조하면, 기판 상에 제 2 노즐(480)에 의해 형성된 수막에 제 1 노즐(400)을 접촉시킨다. 기판 상에 형성된 수막의 두께에 따라, 제어기(500)는 제 1 노즐(400)의 높이를 제어할 수 있다. 이 때, 제 1 노즐(400)의 제 1 토출구(414)는 수막에 잠길 수 있으나, 기판에 닿지 않도록 제공된다. 이후, 제어기(500)는 제 1 노즐(400)로 제 1 처리액을 공급하면서 수막에 진동자(436)에 의한 진동을 인가한다. 따라서, 제 1 처리액의 타력에 의해 세정이 가능함과 동시에, 수막의 진동에 의해 기판의 물리적 세정 또한 가능하다. 따라서, 제어기(500)는 기판의 종류 및 공정 또는 진동자(436)의 온오프 여부에 따라 다양한 기판 처리 방법을 선택할 수 있다. 따라서, 별도의 노즐의 추가 공급없이, 기판의 다양한 처리가 가능하다.
이상의 본 실시예에서는, 제 1 노즐(400)과 제 2 노즐(480)이 단일의 노즐암(382)에 제공되는 구조로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 제 1 노즐 (400)과 제 2 노즐(480)은 각각 독립적으로 제공될 수 있다. 또한, 제 2 노즐 (480)은 L자형으로 제공되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 기판에 평행하게 토출할 수 있는 다른 다양한 구조로 제공될 수 있다. 선택적으로, 제 2 노즐(480)은 기판에 수직하게 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 또한, 선택적으로, 제 2 노즐(480)은 기판에 경사지게 제 2 처리액을 공급할 수 있다.
이상에서 설명한 기판 처리 장치는 기판 세정 공정 뿐만 아니라 다양한 공정에 사용될 수 있다. 일 예로, 기판 식각 공정에도 사용될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 별도의 린스액 부재를 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
320: 하우징
340: 스핀헤드
380: 분사유닛
382: 노즐암
400: 제 1 노즐
412: 분사유로
414: 제 1 토출구
436: 진동자
480: 제 2 노즐
500: 제어기

Claims (11)

  1. 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고
    상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되,
    상기 분사유닛은,
    내부에 상기 제 1 처리액이 흐르는 분사유로가 형성되고, 상기 분사유로를 흐르는 상기 제 1 처리액에 진동을 가하는 진동자가 설치되어 상기 스핀헤드에 지지된 기판으로 상기 제 1 처리액 분사가 가능한 제 1 노즐;
    제 2 처리액을 분사하는 제 2 노즐; 그리고
    상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐을 제어하여 복수의 처리 모드로 기판을 처리하는 제어기를 포함하되,
    상기 처리 모드는,
    상기 제 1 노즐의 상기 분사유로를 통해 흐르는 상기 제 1 처리액에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 상기 제 1 처리액을 토출하여 기판을 처리하는 제 1 모드; 및
    상기 제 2 노즐로부터 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 수막에 상기 제 1 노즐을 접촉시키고 상기 제 1 노즐로부터 상기 제 1 처리액의 공급없이 상기 수막에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 기판을 처리하는 제 2 모드를 가지는 기판 처리 장치
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 모드는, 상기 제 2 노즐로부터 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 수막에 상기 제 1 노즐을 접촉시키고 상기 제 1 노즐로 상기 제 1 처리액을 공급하면서 상기 수막에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 기판을 처리하는 제 3 모드를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 노즐은 내부에 상기 분사유로 및 상기 분사유로와 통하는 제 1 토출구가 저면에 형성된 몸체를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 진동자는 상기 몸체 내에서 상기 분사유로의 상부에 배치되는 압전소자를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때, 상기 분사유로는 링 형상의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가지고,
    상기 제 1 영역의 반지름은 상기 제 2 영역의 반지름보다 큰 기판처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때,
    상기 제 1 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 1 영역을 따라 일열로 제공되고, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 2 영역을 따라 이열로 제공되는 기판처리장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 처리액은 세정액이고,
    상기 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 혼합액인 기판처리장치.
  8. 기판을 처리하는 방법에 있어서, 내부에 제 1 처리액이 흐르는 분사유로 및 상기 제 1 처리액에 진동을 가하는 진동자를 포함하는 제 1 노즐로 기판 상에 상기 제 1 처리액을 분사하고 제 2 노즐로 상기 기판 상에 제 2 처리액을 분사하여 기판을 처리하되,
    상기 분사유로를 통해 흐르는 상기 제 1 처리액에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 상기 제 1 처리액을 토출하는 제 1 모드 및 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 수막에 상기 제 1 노즐을 접촉시키고 상기 제 1 노즐로부터 상기 제 1 처리액의 공급없이 상기 수막에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 기판을 처리하는 제 2 모드를 가지는 기판 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 노즐로부터 기판에 상기 제 2 처리액을 공급하여 상기 기판 상에 형성된 수막에 상기 제 1 노즐을 접촉시키고 상기 제 1 노즐로 상기 제 1 처리액을 공급하면서 상기 수막에 상기 진동자로부터 진동을 인가하여 기판을 처리하는 제 3 모드를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 노즐부재는 상기 제 1 처리액을 잉크젯 방식으로 분사하고,
    상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 적하 방식으로 분사하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 처리액은 세정액이고,
    상기 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 혼합액인 기판 처리 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190033667A (ko) * 2017-09-21 2019-04-01 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
WO2020004866A1 (ko) * 2018-06-25 2020-01-02 주식회사 에이치에스하이테크 기판 세정용 노즐 및 그 제조 방법
CN111183471A (zh) * 2017-10-04 2020-05-19 Ａｇｃ株式会社 显示器装置及电视装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190033667A (ko) * 2017-09-21 2019-04-01 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
CN111183471A (zh) * 2017-10-04 2020-05-19 Ａｇｃ株式会社 显示器装置及电视装置
CN111183471B (zh) * 2017-10-04 2022-01-14 Ａｇｃ株式会社 显示器装置及电视装置
WO2020004866A1 (ko) * 2018-06-25 2020-01-02 주식회사 에이치에스하이테크 기판 세정용 노즐 및 그 제조 방법
CN112335027A (zh) * 2018-06-25 2021-02-05 Hs高科技股份有限公司 用以清洁基板的喷头以及其制造方法
US20210331184A1 (en) 2018-06-25 2021-10-28 Hs Hi-Tech Co., Ltd. Nozzle for cleaning substrate and method of manufacturing the same
US11724268B2 (en) 2018-06-25 2023-08-15 Hs Hi-Tech Co., Ltd. Nozzle for cleaning substrate and method of manufacturing the same

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