WO2019163651A1 - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents

基板洗浄装置および基板洗浄方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019163651A1
WO2019163651A1 PCT/JP2019/005477 JP2019005477W WO2019163651A1 WO 2019163651 A1 WO2019163651 A1 WO 2019163651A1 JP 2019005477 W JP2019005477 W JP 2019005477W WO 2019163651 A1 WO2019163651 A1 WO 2019163651A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
nozzle
cleaning liquid
ultrasonic cleaning
ultrasonic
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/005477
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
知淳 石橋
Original Assignee
株式会社荏原製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社荏原製作所 filed Critical 株式会社荏原製作所
Priority to US16/971,857 priority Critical patent/US11660643B2/en
Priority to CN201980014614.6A priority patent/CN111771260A/zh
Priority to SG11202007852YA priority patent/SG11202007852YA/en
Priority to KR1020207026952A priority patent/KR102661662B1/ko
Publication of WO2019163651A1 publication Critical patent/WO2019163651A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/003—Cleaning involving contact with foam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0288—Ultra or megasonic jets

Definitions

  • the present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method for cleaning a substrate using an ultrasonic cleaning liquid.
  • Patent Document 1 A substrate cleaning apparatus that cleans a substrate using an ultrasonic cleaning liquid is known.
  • An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method having high cleaning power.
  • the first rotation mechanism includes a substrate rotation mechanism that rotates the substrate, and a first nozzle and a second nozzle that eject ultrasonic cleaning liquid toward a predetermined surface of the rotated substrate.
  • a substrate cleaning apparatus is provided in which the nozzle and the second nozzle are held in one housing.
  • the ultrasonic cleaning liquid from the first nozzle and the ultrasonic cleaning liquid from the second nozzle may reach the predetermined surface after being mixed with each other, or may be mixed with each other after reaching the predetermined surface.
  • first nozzle and the second nozzle are attached to the tip of an arm that revolves around a revolving axis, and sprays an ultrasonic cleaning liquid onto the first surface of the substrate.
  • the first nozzle injects ultrasonic cleaning liquid onto the first surface of the rotated substrate, and the second nozzle injects ultrasonic cleaning liquid onto the second surface opposite to the first surface of the rotated substrate. It is desirable to do.
  • first nozzle and / or the second nozzle spray an ultrasonic cleaning liquid on the edge portion of the substrate to be rotated.
  • the first nozzle and / or the second nozzle that sprays ultrasonic cleaning liquid onto the edge portion the ultrasonic cleaning liquid does not hit the bevel of the substrate to be rotated and reaches the edge portion of the substrate, Thereafter, it is desirable to spray the ultrasonic cleaning liquid from the edge portion toward the center.
  • the first nozzle and / or the second nozzle that sprays the ultrasonic cleaning liquid onto the edge portion the ultrasonic cleaning liquid lands on the center side of the edge portion of the substrate to be rotated, and then heads toward the edge portion. It is desirable to spray the ultrasonic cleaning liquid.
  • first nozzle and / or the second nozzle spray an ultrasonic cleaning liquid onto the rotating bevel of the substrate.
  • first nozzle and / or the second nozzle that sprays the ultrasonic cleaning liquid onto the bevel sprays the ultrasonic cleaning liquid in a tangential direction of the rotated substrate.
  • first nozzle and the second nozzle spray an ultrasonic cleaning liquid on the edge portion of the substrate while swinging in the vicinity of the substrate rotating mechanism.
  • the substrate cleaning apparatus is connected to the housing and supplies a flow path for supplying a cleaning liquid to the first nozzle and the second nozzle; a vibrator for applying ultrasonic waves to the cleaning liquid supplied from the flow path; A microbubble supply mechanism that is connected to the channel and introduces microbubbles into the cleaning liquid may be further provided.
  • a substrate cleaning apparatus is provided between the first nozzle and the second nozzle and the microbubble supply mechanism, and includes a filter configured to remove microbubbles introduced by the microbubble supply mechanism. Further, it may be provided.
  • the substrate cleaning is performed by injecting the ultrasonic cleaning liquid from the first nozzle and the second nozzle held in one housing toward the predetermined surface of the substrate while rotating the substrate.
  • a method is provided.
  • the ultrasonic cleaning liquid ejected from the first nozzle and the ultrasonic cleaning liquid ejected from the second nozzle are different from each other in at least one of the frequency, power, flow rate, temperature, and type of liquid of the ultrasonic cleaning liquid. desirable.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • the top view which shows schematic structure of the board
  • FIG. The side view which shows schematic structure of the board
  • substrate cleaning apparatus 4 '. 4 is a cross-sectional view of a head 431 of an ultrasonic cleaning liquid supply device 43.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a head 431 of an ultrasonic cleaning liquid supply device 43.
  • FIG. The figure which shows the example of arrangement
  • FIG. The figure which shows the example of arrangement
  • FIG. The figure which shows the example of arrangement
  • FIG. 1 The figure which shows an example of the ultrasonic cleaning liquid injection method to the surface of the board
  • FIG. The figure which shows an example of the ultrasonic cleaning liquid injection method to the surface of the board
  • FIG. The figure which shows arrangement
  • FIG. 9B The figure which looked at Drawing 9B from the upper part.
  • FIG. The figure which shows another example of the ultrasonic cleaning liquid injection method to the surface and the back surface of the board
  • FIG. The block diagram which shows schematic structure of the ultrasonic cleaning fluid supply apparatus 43 '.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • This substrate processing apparatus is used in a manufacturing process of a magnetic film in a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm or 450 mm, a flat panel, an image sensor such as a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) or a CCD (Charge Coupled Device), or an MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory).
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • CCD Charge Coupled Device
  • MRAM Magnetic Random Access Memory
  • the shape of the substrate is not limited to a circle, but may be a rectangular shape (square shape) or a polygonal shape.
  • the “edge” of the substrate refers to a flat portion near the outer periphery of the substrate surface, and more specifically, can be considered as a flat portion within a predetermined distance from the edge of the substrate.
  • the “bevel” of the substrate refers to a curved surface portion or a chamfered portion and a side surface portion having an angle from the substrate surface outside the edge.
  • the substrate processing apparatus includes a substantially rectangular housing 1, a load port 2 on which a substrate cassette for stocking a large number of substrates is placed, and one or a plurality of (four in the embodiment shown in FIG. 1) substrate polishing apparatuses 3.
  • One or a plurality of (two in the embodiment shown in FIG. 1) substrate cleaning devices 4, a substrate drying device 5, transport mechanisms 6a to 6d, and a control unit 7 are provided.
  • the load port 2 is disposed adjacent to the housing 1.
  • the load port 2 can be equipped with an open cassette, SMIF (Standard Mechanical Interface) pod, or FOUP (Front Opening Unified Pod).
  • SMIF pods and FOUPs are sealed containers that can maintain an environment independent of the external space by accommodating a substrate cassette inside and covering with a partition wall. Examples of the substrate include a semiconductor wafer.
  • the substrate polishing apparatus 3 for polishing the substrate, the substrate cleaning apparatus 4 for cleaning the polished substrate, and the substrate drying apparatus 5 for drying the cleaned substrate are accommodated in the housing 1.
  • the substrate polishing apparatus 3 is arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus, and the substrate cleaning apparatus 4 and the substrate drying apparatus 5 are also arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus.
  • Each of the substrate cleaning device 4 and the substrate drying device 5 is a substantially rectangular housing (not shown), and can be opened and closed by a shutter mechanism, and the substrate to be processed is opened from an opening / closing portion provided in the housing portion. It may be configured to take in and out.
  • the substrate cleaning device 4 and the substrate drying device 5 may be integrated, and the substrate cleaning process and the substrate drying process may be performed continuously in one unit.
  • the substrate cleaning device 4 performs contact cleaning using a pen-type cleaning tool and non-contact cleaning using ultrasonic cleaning water.
  • contact cleaning using a pen-type cleaning tool refers to contacting the lower end contact surface of a cylindrical pen-type cleaning tool extending in the vertical direction with a substrate in the presence of cleaning liquid, and rotating the cleaning tool. However, it is moved in one direction to scrub the surface of the substrate.
  • the substrate drying apparatus 5 includes a spin drying unit that blows IPA vapor from a moving spray nozzle toward a horizontally rotating substrate to dry the substrate, and further rotates the substrate at high speed to dry the substrate by centrifugal force. Can be used.
  • a transport mechanism 6a is arranged in a region surrounded by the load port 2 and the substrate polishing apparatus 3 and the substrate drying apparatus 5 located on the load port 2 side. Further, a transport mechanism 6 b is arranged in parallel with the substrate polishing apparatus 3, the substrate cleaning apparatus 4 and the substrate drying apparatus 5. The transport mechanism 6a receives the substrate before polishing from the load port 2 and delivers it to the transport mechanism 6b, or receives the dried substrate taken out from the substrate drying apparatus 5 from the transport mechanism 6b.
  • a transfer mechanism 6 c for transferring the substrate between the substrate cleaning apparatuses 4 is disposed, and between the substrate cleaning apparatus 4 and the substrate drying apparatus 5, the substrate cleaning apparatus 4 and the substrate drying are disposed.
  • a transport mechanism 6c that transfers substrates between the apparatuses 5 is disposed.
  • a control unit 7 for controlling the movement of each device of the substrate processing apparatus is disposed inside the housing 1.
  • this embodiment demonstrates using the aspect by which the control part 7 is arrange
  • FIG. 1 is a diagrammatic representation of the control part 7 positioned inside the housing 1, it is not restricted to this, The control part 7 may be arrange
  • the substrate cleaning device 4 includes a substrate rotation mechanism 41, a pen cleaning mechanism 42, and an ultrasonic cleaning liquid supply device 43, which are housed in a housing 44 having a shutter 44a. Further, each part in the substrate cleaning apparatus 4 is controlled by the control unit 7 in FIG.
  • the substrate rotation mechanism 41 includes a chuck claw 411 and a rotation drive shaft 412.
  • the chuck claw 411 is a holding member provided to hold the substrate W by holding the outer peripheral end (edge portion) of the substrate W to be cleaned.
  • four chuck claws 411 are provided, and an interval is provided between adjacent chuck claws 411 that does not hinder the movement of a robot hand (not shown) that transports the substrate W.
  • the chuck claws 411 are each connected to the rotation drive shaft 412 so that the surface of the substrate W can be held horizontally.
  • the substrate W is held by the chuck claws 411 so that the surface WA of the substrate W faces upward.
  • the rotation drive shaft 412 can be rotated around an axis extending perpendicularly to the surface of the substrate W, and the substrate W can be rotated in a horizontal plane by rotation around the axis of the rotation drive shaft 412. ing.
  • the controller 7 controls the rotation direction and the number of rotations of the rotation drive shaft 412.
  • the rotation speed may be constant or variable.
  • the rotation outside of the substrate rotation mechanism 41 covers the periphery of the substrate W, and rotates.
  • a rotating cup that rotates in synchronization with 412 may be provided.
  • the rotary cup may be configured such that a downflow airflow supplied into the unit from an FFU above the cleaning unit (not shown) passes through a hole provided in the rotary cup and escapes downward. By comprising in this way, it can prevent more reliably that a washing
  • the pen cleaning mechanism 42 includes a pen-type cleaning tool 421, an arm 422 that supports the pen-type cleaning tool 421, a moving mechanism 423 that moves the arm 422, a cleaning liquid nozzle 424, a rinse liquid nozzle 425, and a cleaning device 426.
  • the pen-type cleaning tool 421 is, for example, a cylindrical PVA (for example, sponge) cleaning tool, and is disposed above the substrate W held by the chuck claws 411 so that the axis is perpendicular to the substrate W. .
  • the pen-type cleaning tool 421 has a lower surface that cleans the substrate W, and an upper surface that is supported by the arm 422.
  • the arm 422 is a flat bar-like member, and is typically arranged so that its longitudinal direction is parallel to the substrate W.
  • the arm 422 supports the pen-shaped cleaning tool 421 at one end so as to be rotatable around its axis, and a moving mechanism 423 is connected to the other end.
  • the moving mechanism 423 moves the arm 422 vertically up and down and swings the arm 422 in a horizontal plane.
  • the movement of the arm 422 in the horizontal direction by the moving mechanism 423 is such that the locus of the pen-type cleaning tool 421 draws an arc around the other end of the arm 422.
  • the moving mechanism 423 can swing the pen-type cleaning tool 421 between the center of the substrate W and the retracted position outside the substrate W as indicated by an arrow A.
  • the moving mechanism 423 is controlled by the control unit 7.
  • the cleaning liquid nozzle 424 supplies a cleaning liquid such as a chemical liquid or pure water when cleaning the substrate W with the pen-type cleaning tool 421.
  • the rinse liquid nozzle 425 supplies a rinse liquid such as pure water to the substrate W.
  • the cleaning liquid nozzle 424 and the rinsing liquid nozzle 425 are desirably provided not only for the front surface WA of the substrate W but also for the back surface WB. The supply timing and supply amount of the cleaning liquid and the rinse liquid are controlled by the control unit 7.
  • the cleaning device 426 is disposed outside the position where the substrate W is disposed, and the moving mechanism 423 can move the pen-type cleaning tool 421 onto the cleaning device 426.
  • the cleaning device 426 cleans the pen type cleaning tool 421.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle 424 onto the substrate W, and the lower surface of the pen-type cleaning tool 421 contacts the surface WA of the substrate W so that the arm 422 is provided. By swinging, the substrate W is physically contact-cleaned.
  • the ultrasonic cleaning liquid supply device 43 is disposed on the opposite side of the pen cleaning mechanism 42 across the substrate W, and cleans the substrate W using a cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied (hereinafter also referred to as ultrasonic cleaning liquid). To do.
  • the ultrasonic cleaning liquid supply device 43 includes a head 431, an arm 432, an arm turning shaft 433, and the like.
  • the arm turning shaft 433 extends in the vertical direction, and one end of the arm 432 is attached to the upper end thereof.
  • the arm 432 extends in the horizontal direction, and a head 431 is fixed to the tip thereof.
  • the arm turning shaft 433 rotates, the arm 432 turns, and the ultrasonic cleaning liquid is supplied to the substrate W while the head 431 swings from the center to the outer periphery of the substrate W (arrow B).
  • the ultrasonic cleaning liquid supply device 43 will be described in detail later.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of another substrate cleaning apparatus 4 '.
  • the substrate cleaning device 4 ′ includes a spindle 51, a pen cleaning mechanism 42, and an ultrasonic cleaning liquid supply device 43.
  • the spindle 51 functions as a substrate rotating mechanism, which is different from the substrate cleaning apparatus 4 shown in FIGS. 2 and 3.
  • the spindle 51 supports the periphery of the substrate W with the surface facing up, and rotates in a horizontal plane. More specifically, the peripheral portion of the substrate W is positioned in a holding groove formed on the outer peripheral side surface of the top 51a provided on the spindle 51 and pressed inward to rotate (spin) the top 51a. W rotates.
  • frame is rephrased as a “gripping part” for gripping the substrate.
  • the “spindle” can also be called a “roller”. Since others are common to the substrate cleaning apparatus 4 shown in FIG. 2 and FIG. 3, detailed description is omitted.
  • the head 431 includes a housing 11, two nozzles 12 and 13 held in the housing 11, a flow path 14, and vibrators 15 and 16.
  • the cleaning liquid supplied from the outside via the flow path 14 branches in the housing 11 and is supplied to the nozzles 12 and 13 respectively.
  • the cleaning liquid is applied with ultrasonic waves by the vibrators 15 and 16 disposed inside the nozzles 12 and 13 to become ultrasonic cleaning liquid, and is ejected from the tips of the nozzles 12 and 13.
  • the nozzles 12 and 13 are desirably held by the housing 11 so that the ejection direction can be arbitrarily adjusted.
  • the position and angle of the ultrasonic cleaning liquid on the substrate W vary depending on the product by accurately determining the position and angle of the two nozzles. Can be prevented.
  • 5A and 5B show an example of branching from one flow path 14 to the nozzles 12 and 13, but a flow path for supplying the cleaning liquid to the nozzle 12 and a flow path for supplying the cleaning liquid to the nozzle 13 May be provided separately.
  • FIG. 5A is a configuration example in which ultrasonic cleaning liquid is ejected from the nozzles 12 and 13 to the outside of the housing 11.
  • FIG. 5B is a configuration example in which ultrasonic cleaning liquid is ejected from the nozzles 12 and 13 to the inside of the C-shaped casing 11.
  • the two nozzles 12 and 13 may be arranged in the same direction as the longitudinal direction of the arm 432 (FIG. 5C), may be arranged in an orthogonal direction (FIG. 5D), or are inclined at an arbitrary angle. It may be arranged in the direction to do (FIG. 5E).
  • the same ultrasonic cleaning liquid may be ejected from the two nozzles 12 and 13, or different ultrasonic cleaning liquids may be ejected.
  • the frequencies of the ultrasonic cleaning liquids may be different from each other.
  • the frequency of the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 12 may be about 0.8 to 1 MHz
  • the frequency of the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 13 may be about 2 to 3 MHz.
  • the former may be about 450 kHz, and the latter may be about 1 MHz.
  • the higher the frequency of the ultrasonic cleaning liquid the smaller foreign substances can be removed. Therefore, by ejecting ultrasonic cleaning liquids having different frequencies, foreign substances having different sizes can be removed.
  • the power of the ultrasonic cleaning liquid may be different from each other.
  • the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 12 may be 50 W
  • the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 13 may be 30 W.
  • the flow rates of the ultrasonic cleaning liquid may be different from each other.
  • the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 12 may be 1.0 L / second, and the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 13 may be 2.0 L / second.
  • the greater the flow rate of the cleaning liquid the greater the impact force when the cleaning liquid is supplied to the substrate, and thus it becomes easier to remove the foreign matter adhered more firmly on the substrate.
  • the smaller the flow rate of the cleaning liquid the smaller the impact force when the cleaning liquid is supplied to the substrate, which leads to the suppression of pattern collapse. Therefore, by ejecting ultrasonic cleaning liquids having different flow rates, it is possible to more effectively remove foreign substances having different adhesion forces to the substrate while suppressing the possibility of pattern collapse of the substrate.
  • a valve mechanism that is provided in a pipe connected to each nozzle and whose opening degree can be adjusted is conceivable.
  • the temperature of the ultrasonic cleaning liquid may be different from each other.
  • the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 12 may be set to a low temperature
  • the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle 13 may be set to a high temperature (60 to 80 degrees).
  • the types of liquids may be different from each other.
  • the nozzle 12 may spray a chemical solution with ultrasonic waves
  • the nozzle 13 may spray pure water with ultrasonic waves.
  • examples of the chemical solution include an acidic cleaning solution such as citric acid, oxalic acid, and nitric acid, or an alkaline cleaning solution such as organic alkali, ammonia water, and TMAH (tetramethylammonium hydroxide).
  • an acidic cleaning solution such as citric acid, oxalic acid, and nitric acid
  • an alkaline cleaning solution such as organic alkali, ammonia water, and TMAH (tetramethylammonium hydroxide).
  • the ultrasonic cleaning liquid from the two nozzles 12 and 13 may reach the surface of the substrate W after being mixed with each other. More specifically, the ultrasonic cleaning liquid (at least a part thereof) ejected from the two nozzles 12 and 13 may be mixed and mixed above the substrate W, and then dropped onto the substrate W.
  • the ultrasonic cleaning liquids from the two nozzles 12 and 13 may merge and mix on the substrate W.
  • the ultrasonic cleaning liquid from the two nozzles 12 and 13 may be mixed with each other after reaching the surface of the substrate W. More specifically, the ultrasonic cleaning liquid ejected from the two nozzles 12 and 13 is deposited on two different points (regions) on the substrate W that are spaced apart from each other, and then flows in a direction approaching each other and eventually merges and mixes. You may do it.
  • different ultrasonic cleaning liquids may be sprayed from the two nozzles 12 and 13 onto the surface of the substrate W. Therefore, various foreign substances can be removed and the cleaning power is improved.
  • the aspect of the substrate cleaning apparatus 4 is not limited to that shown in FIG.
  • the cleaning may be performed with a roll-type cleaning tool instead of the pen-type cleaning tool 421.
  • you may only wash
  • the substrate W instead of rotating the substrate W with the chuck claws 411 or the spindle 51, the substrate W may be supported on the stage from below and the stage may be rotated.
  • the number of nozzles is not limited to two, and a plurality of nozzles are not held by the housing 11 but may be nozzles independent of each other.
  • the ultrasonic cleaning liquid is ejected from the two nozzles 12 and 13 onto the surface of the substrate W.
  • ultrasonic cleaning liquid is ejected from the two nozzles 12 and 13 to the front surface and the back surface of the substrate W, respectively.
  • the two nozzles 12 and 13 in the head 431 are arranged in the vertical direction.
  • the nozzle 12 ejects the ultrasonic cleaning liquid downward, and the nozzle 13 ejects the ultrasonic cleaning liquid upward.
  • the nozzles 12 and 13 are respectively connected to the substrate W.
  • An ultrasonic cleaning liquid is sprayed on the front and back surfaces.
  • the nozzles 12 and 13 are illustrated as being slightly shifted, but this is for the purpose of helping understanding of the invention.
  • the nozzles 12 and 13 are arranged in the vertical direction.
  • an actuator 434 is connected to the head 431 so that the head 431 can move in a direction approaching or separating from the side of the substrate W as indicated by an arrow A in FIG.
  • the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed to an arbitrary position from the center of the substrate W to the edge portion.
  • the head 431 is preferably retracted from the side of the substrate W so as not to interfere with the placement of the substrate W when the substrate is held by the chuck claws 411 of the substrate rotation mechanism 41. Further, as indicated by the arrow B, it is desirable that the head 431 is rotatable in a horizontal plane.
  • the spray angle of the ultrasonic cleaning liquid with respect to the substrate W viewed from above can be arbitrarily adjusted, or the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed while swinging with respect to the substrate W. Further, the chuck claw 411 of the substrate rotation mechanism 41 may be cleaned with an ultrasonic cleaning liquid.
  • the nozzles 12 and 13 may inject ultrasonic cleaning liquid onto the edge portions of the front surface and the back surface of the substrate W, respectively. More specifically, the nozzle 12 causes the ultrasonic cleaning liquid to land on the edge portion of the surface of the substrate W, and then the ultrasonic cleaning liquid on the surface of the substrate W in a direction from the landing point toward the center. Inject. On the other hand, in the nozzle 13, the ultrasonic cleaning liquid is deposited on the edge portion on the back surface of the substrate W, and the ultrasonic cleaning liquid is sprayed on the back surface of the substrate W in the direction from the edge portion toward the center. Thereby, it is possible to clean the substrate W from the edge portion to the center.
  • the ultrasonic cleaning solution does not hit the bevel of the substrate W. This is to prevent foreign matters such as particles washed away from the substrate W from adhering to and contaminating the front and back surfaces of the substrate W including the edge portion.
  • the nozzles 12 and 13 may spray an ultrasonic cleaning liquid onto the bevel of the substrate W.
  • the ultrasonic cleaning liquid contaminated by the cleaning of the bevel contaminates the surface and the back surface of the substrate W.
  • an ultrasonic cleaning liquid is sprayed from the nozzles 12 and 13 in the radial direction of the substrate W, At least a part of the ultrasonic cleaning liquid that hits the bevel may be directed toward the center of the substrate W.
  • the ultrasonic cleaning liquids from the two nozzles 12 and 13 may be mixed with each other and then hit the bevel of the substrate W.
  • the ultrasonic cleaning liquid from the two nozzles 12 and 13 may be joined by the bevel of the substrate W.
  • the position where the ultrasonic cleaning liquid hits the substrate W can be changed by driving the actuator 434 connected to the head 431 so as to move the head 431 toward and away from the side of the substrate W.
  • the substrate can be thoroughly cleaned by changing the position of the landing liquid within the front and back surfaces of the substrate W while supplying the ultrasonic cleaning solution.
  • the ultrasonic cleaning liquid is first supplied to the bevel of the substrate W to clean the bevel portion, and then the ultrasonic cleaning liquid is supplied to the front and back surfaces of the substrate W to clean the front and back surfaces. Good.
  • the nozzle 12 lands on the center side of the edge portion of the surface of the substrate W, and sprays ultrasonic cleaning liquid on the surface of the substrate W in the direction from the landing point toward the edge portion. Also good.
  • the nozzle 13 may land on the center side from the edge portion on the back surface of the substrate W, and spray the ultrasonic cleaning liquid on the back surface of the substrate W in the direction from the landing point to the edge portion.
  • the ultrasonic cleaning liquid that has reached the edge portion on the surface of the substrate W falls along the bevel of the substrate W.
  • an ultrasonic cleaning liquid may be sprayed on the surface of the board
  • the nozzle 12 and the nozzle 13 may be nozzles independent of each other, and using a head 431 having a C-shaped casing 11 as shown in FIG. 5B, the edge of the substrate W is sandwiched between the casing 11 and The ultrasonic cleaning liquid may be sprayed in a direction toward the edge of the substrate.
  • the bevel can be cleaned from the landing point on the front and back surfaces of the substrate W.
  • a cleaning method is effective in which the bevel is finally cleaned.
  • the substrate cleaning apparatus 4 ′ that rotates the substrate W with the top 51 a shown in FIG. 4, the top 51 a that contacts the contaminated bevel is also contaminated. 9D, since the ultrasonic cleaning liquid reaches the top 51a, the top 51a itself can be cleaned.
  • the discharge direction of the ultrasonic cleaning liquid may not be the center of the substrate in plan view. Furthermore, as shown in FIG. 9E, the ultrasonic cleaning liquid may be sprayed while the nozzles 12 and 13 are swung at the edge portion of the substrate W and above and below the vicinity of the top 51a. Such swinging is realized by a support turning mechanism of the nozzles 12 and 13 (not shown). For example, the actuator 434 may swing the nozzles 12 and 13. Also by this, since the ultrasonic cleaning liquid reaches the top 51a, the top 51a itself can be cleaned.
  • the front and back surfaces of the substrate W can be cleaned at the same time, and the cleaning power is improved.
  • the edge portions on both sides of the substrate W and the bevel can be cleaned.
  • the substrate cleaning device 4 ′ (FIG. 4) for rotating the substrate W by the top 51a or the substrate cleaning device for rotating the substrate W by supporting the substrate W on the lower surface
  • the edge portion and the bevel are formed on the entire circumference of the substrate W. Can be washed.
  • the substrate cleaning apparatus 4 (FIGS. 2 and 3) that rotates the substrate W with the chuck claws 411 can also clean the edge portion and the bevel except for the portion held by the chuck claws 411 of the substrate W.
  • the nozzles 12 and 13 may spray the ultrasonic cleaning liquid toward different positions on the substrate W.
  • the nozzle 12 may spray the ultrasonic cleaning liquid near the center of the front surface of the substrate W and the nozzle 12 may spray the edge portion of the back surface of the substrate W.
  • the first embodiment and the second embodiment may be appropriately combined.
  • the front surface and the back surface of the substrate W are separated from each other. It is desirable to perform cleaning using the head 431 while cleaning with a cleaning means.
  • Other cleaning means include scrub cleaning with a roll sponge or pencil type sponge, two-fluid cleaning, or cleaning with another ultrasonic cleaning liquid supply nozzle.
  • the third embodiment described below introduces microbubbles into the ultrasonic cleaning liquid, and can be combined with the first embodiment and / or the second embodiment.
  • FIG. 10 is a block diagram showing a schematic configuration of the ultrasonic cleaning liquid supply device 43 ′. Note that the casing 11, the flow path 14, and the vibrators 15 and 16 shown in FIG. 5A and the like are omitted.
  • the ultrasonic cleaning liquid supply device 43 ′ includes a microbubble supply mechanism 21.
  • the microbubble supply mechanism 21 is connected to the flow path 14 and introduces microbubbles into the cleaning liquid supplied to the nozzles 12 and 13 through the flow path 14.
  • Gases introduced as microbubbles are hydrogen, ozone, carbon dioxide, etc., and functional water is generated by dissolving such gases.
  • the microbubble supply mechanism 21 may control the concentration of the dissolved gas. Around the microvalve, the concentration of dissolved gas increases. However, the microvalve itself may weaken the cleaning energy by ultrasonic waves and may reduce the cleaning power.
  • the ultrasonic cleaning liquid supply device 43 ′ includes the filter 22.
  • the filter 22 removes microbubbles.
  • the mesh size of the filter 22 is preferably 100 nm or less or 10 nm or less.
  • Such an ultrasonic cleaning liquid supply device 43 ′ is provided in the substrate cleaning device. Then, the generated ultrasonic cleaning liquid containing gas is supplied to the nozzles 12 and 13 and sprayed onto the substrate W. As described above, in the third embodiment, since the gas is dissolved in the ultrasonic cleaning liquid, the cleaning power is further improved. In particular, since ultrasonic cleaning using cavitation is physical cleaning by applying ultrasonic waves to a liquid containing dissolved gas, an ultrasonic cleaning liquid in which a high-concentration gas is dissolved has extremely high cleaning power.

Abstract

洗浄力が高い基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。　基板を回転させる基板回転機構と、回転される前記基板の所定面に向かって超音波洗浄液を噴射する第１ノズルおよび第２ノズルと、を備え、前記第１ノズルと前記第２ノズルは、１つの筐体に保持されている、基板洗浄装置が提供される。

Description

基板洗浄装置および基板洗浄方法
　本発明は、超音波洗浄液を用いて基板を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
　超音波洗浄液を用いて基板を洗浄する基板洗浄装置が知られている（特許文献１）。
特開２０１７－１６２８８９号公報
　本発明の課題は、洗浄力が高い基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することである。
　本発明の一態様によれば、基板を回転させる基板回転機構と、回転される前記基板の所定面に向かって超音波洗浄液を噴射する第１ノズルおよび第２ノズルと、を備え、前記第１ノズルと前記第２ノズルは、１つの筐体に保持されている、基板洗浄装置が提供される。
　前記第１ノズルからの超音波洗浄液と前記第２ノズルからの超音波洗浄液は、互いに混ざり合った後に前記所定面に達してもよいし、前記所定面に達した後に互いに混ざり合ってもよい。
　前記第１ノズルと前記第２ノズルは旋回軸を中心に旋回するアームの先端に取り付けられ、前記基板の第１面に超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　前記第１ノズルは回転される前記基板の第１面に超音波洗浄液を噴射し、前記第２ノズルは回転される前記基板の前記第１面と反対側の第２面に超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、回転される前記基板のエッジ部分に超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　前記エッジ部分に超音波洗浄液を噴射する前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、超音波洗浄液が、回転される前記基板のべべルには当たらず前記基板のエッジ部分に着液し、その後、エッジ部分から中心に向かうように超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　前記エッジ部分に超音波洗浄液を噴射する前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、超音波洗浄液が、回転される前記基板のエッジ部分より中心側に着液し、その後、エッジ部分に向かうように超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、回転される前記基板のべべルに超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　前記べべルに超音波洗浄液を噴射する前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、回転される前記基板の接線方向に超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板回転機構の近傍を揺動しながら前記基板のエッジ部分に超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。
　基板洗浄装置は、前記筐体に接続され、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルに洗浄液を供給する流路と、前記流路から供給された洗浄液に超音波を付与する振動子と、前記流路に接続され、洗浄液にマイクロバブルを導入するマイクロバブル供給機構をさらに備えてもよい。
　基板洗浄装置は、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルと、前記マイクロバブル供給機構と、の間に設置され、前記マイクロバブル供給機構により導入されたマイクロバブルを除去するように構成されたフィルタをさらに備えてもよい。
　本発明の別の態様によれば、基板を回転させながら、前記基板の所定面に向かって、１つの筐体に保持された第１ノズルおよび第２ノズルから超音波洗浄液を噴射する、基板洗浄方法が提供される。
　前記第１ノズルから噴射される超音波洗浄液と前記第２ノズルから噴射される超音波洗浄液は、超音波洗浄液の周波数、電力、流量、温度および液の種類のうちの少なくとも１つが互いに異なるのが望ましい。
　洗浄力が向上する。
一実施形態に係る基板処理装置の概略上面図。 基板洗浄装置４の概略構成を示す平面図。 基板洗浄装置４の概略構成を示す側面図。 別の基板洗浄装置４’の概略構成を示す斜視図。 超音波洗浄液供給装置４３のヘッド４３１の断面図。 超音波洗浄液供給装置４３のヘッド４３１の断面図。 ノズル１２，１３の配置例を示す図。 ノズル１２，１３の配置例を示す図。 ノズル１２，１３の配置例を示す図。 基板Ｗの表面への超音波洗浄液噴射法の一例を示す図。 基板Ｗの表面への超音波洗浄液噴射法の一例を示す図。 基板Ｗの表面への超音波洗浄液噴射法の一例を示す図。 第２の実施形態におけるノズル１２，１３の配置を示す図。 基板Ｗとヘッド４３１の位置関係を上方から見た図。 基板Ｗの表面および裏面への超音波洗浄液噴射法の一例を示す図。 基板Ｗの表面および裏面への超音波洗浄液噴射法の別の例を示す図。 図９Ｂを上方から見た図。 基板Ｗの表面および裏面への超音波洗浄液噴射法の別の例を示す図。 基板Ｗの表面および裏面への超音波洗浄液噴射法の別の例を示す図。 超音波洗浄液供給装置４３’の概略構成を示すブロック図。
　以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
　（第１の実施形態）
　図１は、一実施形態に係る基板処理装置の概略上面図である。本基板処理装置は、直径３００ｍｍあるいは４５０ｍｍの半導体ウエハ、フラットパネル、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）やＣＣＤ（Charge Coupled Device）などのイメージセンサ、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）における磁性膜の製造工程
において、種々の基板を処理するものである。また、基板の形状は円形に限られず、矩形形状（角形状）や、多角形形状のものであってもよい。なお、本明細書において、基板の「エッジ」とは基板表面の外周付近の平坦部を指し、より詳細には、基板の縁から所定距離内の平坦部と考えることができる。また、本明細書において、基板の「ベベル」とはエッジより外側の基板表面から角度を有する曲面部あるいは面取り部、および側面部のことを指す。
　基板処理装置は、略矩形状のハウジング１と、多数の基板をストックする基板カセットが載置されるロードポート２と、１または複数（図１に示す態様では４つ）の基板研磨装置３と、１または複数（図１に示す態様では２つ）の基板洗浄装置４と、基板乾燥装置５と、搬送機構６ａ～６ｄと、制御部７とを備えている。
　ロードポート２は、ハウジング１に隣接して配置されている。ロードポート２には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦポッド、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。基板としては、例えば半導体ウエハ等を挙げることができる。
　基板を研磨する基板研磨装置３、研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置４、洗浄後の基板を乾燥させる基板乾燥装置５は、ハウジング１内に収容されている。基板研磨装置３は、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、基板洗浄装置４および基板乾燥装置５も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。また、基板洗浄装置４および基板乾燥装置５は、それぞれ、図示しない略矩形状の筐体であって、シャッター機構により開閉自在とされ筐体部に設けられた開閉部から被処理対象の基板を出し入れするように構成されていてもよい。あるいは、変形実施例としては、基板洗浄装置４および基板乾燥装置５を一体化し、基板洗浄処理と基板乾燥処理とを連続的に１つのユニット内で行うようにしてもよい。
　本実施形態では、基板洗浄装置４が、ペン型洗浄具を用いた接触洗浄と、超音波洗浄水を用いた非接触洗浄とを行う。詳細は後述するが、ペン型洗浄具を用いた接触洗浄とは、洗浄液の存在下で、鉛直方向に延びる円柱状のペン型洗浄具の下端接触面を基板に接触させ、洗浄具を自転させながら一方向に向けて移動させて、基板の表面をスクラブ洗浄するものである。
　基板乾燥装置５は、水平に回転する基板に向けて、移動する噴射ノズルからＩＰＡ蒸気を噴出して基板を乾燥させ、さらに基板を高速で回転させて遠心力によって基板を乾燥させるスピン乾燥ユニットが使用され得る。
　ロードポート２、ロードポート２側に位置する基板研磨装置３および基板乾燥装置５に囲まれた領域には、搬送機構６ａが配置されている。また、基板研磨装置３ならびに基板洗浄装置４および基板乾燥装置５と平行に、搬送機構６ｂが配置されている。搬送機構６ａは、研磨前の基板をロードポート２から受け取って搬送機構６ｂに受け渡したり、基板乾燥装置５から取り出された乾燥後の基板を搬送機構６ｂから受け取ったりする。
　２つの基板洗浄装置４間に、これら基板洗浄装置４間で基板の受け渡しを行う搬送機構６ｃが配置され、基板洗浄装置４と基板乾燥装置５との間に、これら基板洗浄装置４と基板乾燥装置５間で基板の受け渡しを行う搬送機構６ｃが配置されている。
　さらに、ハウジング１の内部には、基板処理装置の各機器の動きを制御する制御部７が配置されている。本実施形態では、ハウジング１の内部に制御部７が配置されている態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、ハウジング１の外部に制御部７が配置されてもよい。
　図２および図３は、それぞれ基板洗浄装置４の概略構成を示す平面図および側面図である。基板洗浄装置４は、基板回転機構４１と、ペン洗浄機構４２と、超音波洗浄液供給装置４３とを備え、これらがシャッタ４４ａを有する筐体４４内に収納されている。また、基板洗浄装置４内の各部は図１の制御部７により制御される。
　基板回転機構４１は、チャック爪４１１と、回転駆動軸４１２とを有する。
　チャック爪４１１は、洗浄対象である基板Ｗの外周端部（エッジ部分）を把持して基板Ｗを保持するように設けられた保持部材である。本実施形態では、チャック爪４１１が４つ設けられており、隣り合うチャック爪４１１同士の間には、基板Ｗを搬送するロボットハンド（不図示）の動きを阻害しない間隔が設けられている。チャック爪４１１は、基板Ｗの面を水平にして保持できるように、それぞれ回転駆動軸４１２に接続されている。本実施形態では、基板Ｗの表面ＷＡが上向きとなるように、基板Ｗがチャック爪４１１に保持される。
　回転駆動軸４１２は、基板Ｗの面に対して垂直に延びる軸線まわりに回転することができ、回転駆動軸４１２の軸線まわりの回転により基板Ｗを水平面内で回転させることができるように構成されている。回転駆動軸４１２の回転方向や回転数は制御部７が制御する。回転数は一定でもよいし、可変でもよい。
　また、後述する洗浄液や超音波洗浄液が飛散するのを防止するために、基板回転機構４１（より具体的には、そのチャック爪４１１）の外側にあって基板Ｗの周囲を覆い、回転駆動軸４１２と同期して回転する回転カップを設けてもよい。
　また、この回転カップは、図示しない洗浄ユニット上部のＦＦＵからユニット内に供給されるダウンフローの気流が回転カップに設けられた孔を通過して下方に逃げるように構成されていてもよい。このように構成することで、洗浄液や超音波洗浄液が飛散するのをより確実に防止できる。
　ペン洗浄機構４２は、ペン型洗浄具４２１と、ペン型洗浄具４２１を支持するアーム４２２と、アーム４２２を移動させる移動機構４２３と、洗浄液ノズル４２４と、リンス液ノズル４２５と、クリーニング装置４２６とを有する。
　ペン型洗浄具４２１は、例えば円柱状のＰＶＡ（例えばスポンジ）製洗浄具であり、チャック爪４１１に保持された基板Ｗの上方に、軸線が基板Ｗと垂直になるように配設されている。ペン型洗浄具４２１は、その下面が基板Ｗを洗浄し、その上面がアーム４２２に支持されている。
　アーム４２２は平棒状の部材であり、典型的には長手方向が基板Ｗと平行になるように配設されている。アーム４２２は、一端でペン型洗浄具４２１をその軸線まわりに回転可能に支持しており、他端に移動機構４２３が接続されている。
　移動機構４２３は、アーム４２２を鉛直上下に移動させるとともに、アーム４２２を水平面内で揺動させる。移動機構４２３によるアーム４２２の水平方向への揺動は、アーム４２２の上記他端を中心として、ペン型洗浄具４２１の軌跡が円弧を描く態様となっている。移動機構４２３は、矢印Ａで示すように、基板Ｗの中心と基板Ｗの外側の退避位置との間でペン型洗浄具４２１を揺動させることができる。移動機構４２３は制御部７によって制御される。
　洗浄液ノズル４２４は、ペン型洗浄具４２１で基板Ｗを洗浄する際に、薬液や純水などの洗浄液を供給する。リンス液ノズル４２５は純水などのリンス液を基板Ｗに供給する。洗浄液ノズル４２４およびリンス液ノズル４２５は、基板Ｗの表面ＷＡ用のもののみならず、裏面ＷＢ用のものを設けるのが望ましい。洗浄液やリンス液の供給タイミングや供給量などは、制御部７によって制御される。
　クリーニング装置４２６は基板Ｗの配置位置より外側に配置され、移動機構４２３はペン型洗浄具４２１をクリーニング装置４２６上に移動させることができる。クリーニング装置４２６はペン型洗浄具４２１を洗浄する。
　以上説明したペン洗浄機構４２において、基板Ｗが回転した状態で、洗浄液ノズル４２４から洗浄液を基板Ｗ上に供給しつつ、ペン型洗浄具４２１の下面が基板Ｗの表面ＷＡに接触してアーム４２２を揺動させることで、基板Ｗが物理的に接触洗浄される。
　超音波洗浄液供給装置４３は、基板Ｗを挟んで、ペン洗浄機構４２とは反対側に配置され超音波が与えられた洗浄液（以下、超音波洗浄液ともいう）を用いて基板Ｗを非接触洗浄する。
　超音波洗浄液供給装置４３は、ヘッド４３１、アーム４３２およびアーム旋回軸４３３などから構成される。アーム旋回軸４３３は鉛直方向に延びており、その上端にアーム４３２の一端が取り付けられている。アーム４３２は水平方向に延びており、その先端にヘッド４３１が固定されている。アーム旋回軸４３３が回転することによりアーム４３２が旋回し、基板Ｗの中心から外周にかけてヘッド４３１が揺動しながら（矢印Ｂ）、超音波洗浄液を基板Ｗに供給する。超音波洗浄液供給装置４３については、後により詳しく説明する。
　図４は、別の基板洗浄装置４’の概略構成を示す斜視図である。基板洗浄装置４’は、スピンドル５１と、ペン洗浄機構４２と、超音波洗浄液供給装置４３とを備えている。この基板洗浄装置４’では、スピンドル５１が基板回転機構として機能し、この点が図２および図３に示す基板洗浄装置４と異なる。
　スピンドル５１は、表面を上にして基板Ｗの周縁部を支持し、水平面内で回転させる。より具体的には、スピンドル５１の上部に設けたコマ５１ａの外周側面に形成した把持溝内に基板Ｗの周縁部を位置させて内方に押し付け、コマ５１ａを回転（自転）させることにより基板Ｗが回転する。ここで、「コマ」は基板を把持するための「把持部」と言い換えられる。また、「スピンドル」は「ローラー」と言い換えることもできる。その他は、図２および図３に示す基板洗浄装置４と共通するため、詳細な説明を省略する。
　図５Ａおよび図５Ｂは、本実施形態におけるヘッド４３１を模式的に示す断面図である。ヘッド４３１は、筐体１１と、筐体１１に保持された２つのノズル１２，１３と、流路１４、振動子１５，１６とを有する。流路１４を介して外部から供給された洗浄液は筐体１１内で分岐して、ノズル１２，１３にそれぞれ供給される。そして、洗浄液は、ノズル１２，１３の内部にそれぞれ配置された振動子１５，１６によって超音波が与えられて超音波洗浄液となって、ノズル１２，１３の先端から噴射される。ノズル１２，１３は、噴射方向を任意に調整できるように筐体１１に保持されるのが望ましい。
　２つのノズル１２、１３は筐体１１に保持されているので、２つのノズルの位置、角度を正確に定めることで、超音波洗浄液の基板Ｗ上の噴射位置、噴射角度が製品ごとにばらつくことを防ぐことができる。
　なお、図５Ａおよび図５Ｂでは、１つの流路１４からノズル１２，１３に分岐する例を示しているが、ノズル１２に洗浄液を供給する流路と、ノズル１３に洗浄液を供給する流路とを別個に設けてもよい。
　図５Ａは、ノズル１２，１３から筐体１１の外側に超音波洗浄液が噴射される構成例である。図５Ｂは、ノズル１２，１３からＣ字状の筐体１１の内側に超音波洗浄液が噴射される構成例である。
　また、２つのノズル１２，１３は、アーム４３２の長手方向と同じ方向に配置されてもよいし（図５Ｃ）、直交する方向に配置されてもよいし（図５Ｄ）、任意の角度だけ傾斜する方向に配置されてもよい（図５Ｅ）。
　ここで、２つのノズル１２，１３から同じ超音波洗浄液が噴射されてもよいし、互いに異なる超音波洗浄液が噴射されてもよい。
　異なる超音波洗浄液の具体例として、超音波洗浄液の周波数が互いに異なっていてもよい。一例として、ノズル１２からの超音波洗浄液の周波数を０．８～１ＭＨｚ程度とし、ノズル１３からの超音波洗浄液の周波数を２～３ＭＨｚ程度としてもよい。あるいは、前者を４５０ｋＨｚ程度とし、後者を１ＭＨｚ程度としてもよい。
　一般に超音波洗浄液の周波数が高いほど小さな異物を除去できるため、周波数が異なる超音波洗浄液を噴射することで、大きさが異なる異物を除去できる。
　別の例として、超音波洗浄液の電力が互いに異なっていてもよい。一例として、ノズル１２からの超音波洗浄液を５０Ｗとし、ノズル１３からの超音波洗浄液を３０Ｗとしてもよい。
　一般に、洗浄液中に超音波を照射すると、ある瞬間には減圧力、ある瞬間には圧縮力として作用する。洗浄液に減圧力が作用している瞬間において、気泡が発生し、これにより周囲の洗浄液分子が衝突して、衝撃波を発生することで汚れを破壊するものである。従って、超音波を発生させる電力が大きくなるほど、液粒子の振動が大きくなり、これにより発生する加速度が大きくなって衝撃波も大きくなるため、より小さな異物を除去できる。電力が異なる超音波洗浄液を噴射することで、大きさが異なる異物を除去できる。
　また別の例として、超音波洗浄液の流量が互いに異なっていてもよい。一例として、ノズル１２からの超音波洗浄液を１．０Ｌ／秒とし、ノズル１３からの超音波洗浄液を２．０Ｌ／秒としてもよい。
　一般に、洗浄液の流量が多いほど、基板に洗浄液が供給される際の打撃力が大きくなるため、基板上により強固に付着していた異物を除去しやすくなる。他方で、洗浄液の流量が少ないほど、基板に洗浄液が供給される際の打撃力が小さくなるため、パターン倒壊の抑制につながる。そのため、流量が異なる超音波洗浄液を噴射することで、基板のパターン倒壊のおそれを抑制しながら、基板に対する付着力が異なる異物をより効果的に除去できる。また、この場合の流量調整機構としては、それぞれのノズルに接続される管に設けられ開度が調整可能とされたバルブ機構が考えられる。
　また別の例として、超音波洗浄液の温度が互いに異なっていてもよい。一例として、ノズル１２からの超音波洗浄液を低温とし、ノズル１３からの超音波洗浄液を高温（６０～８０度）としてもよい。
　一般に、洗浄液の温度が多いほど、超音波の強さが弱まるので、温度が異なる超音波洗浄液を噴射することで、基板への衝撃力を抑制しながら基板に対する付着力が異なる異物をより効果的に除去できる。温度調整機構としては、公知の冷却装置、あるいは加温装置を設けることが考えられる。
　また別の例として、液の種類が互いに異なっていてもよい。一例として、ノズル１２からは薬液に超音波を与えたものを噴射し、ノズル１３からは純水に超音波を与えたものを噴射してもよい。
　ここで、薬液としては、例えば、クエン酸系、シュウ酸、硝酸などの酸性洗浄液、あるいは有機アルカリ、アンモニア水、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などのアルカリ洗浄液が挙げられる。
　また、２つのノズル１２，１３からの超音波洗浄液の噴射法も種々考えられる。なお、以下の図では、超音波洗浄液供給装置４３における筐体１１、流路１４および振動子１５，１６を省略し、ノズル１２，１３のみを図示する。
　図６Ａに示すように、２つのノズル１２，１３からの超音波洗浄液が互いに混ざり合った後に基板Ｗの表面に達するようにしてもよい。より詳細には、２つのノズル１２，１３から噴射された超音波洗浄液（の少なくとも一部）が基板Ｗの上方で合流して混ざり合い、その後に基板Ｗに落下するようにしてもよい。
　図６Ｂに示すように、２つノズル１２，１３からの超音波洗浄液が基板Ｗ上で合流して混ざり合うようにしてもよい。
　図６Ｃに示すように、２つのノズル１２，１３からの超音波洗浄液が基板Ｗの表面に達した後に互いに混ざり合うようにしてもよい。より詳細には、２つのノズル１２，１３から噴射された超音波洗浄液が基板Ｗ上の互いに離間した異なる２点（領域）に着液し、その後互いに近づく方向に流れてやがて合流して混ざり合うようにしてもよい。
　このように、第１の実施形態では、２つのノズル１２，１３から基板Ｗの表面に互いに異なる超音波洗浄液を噴射してもよい。そのため、種々の異物を除去でき、洗浄力が向上する。
　なお、基板洗浄装置４の態様は図２などに示したものに限られない。例えば、ペン型洗浄具４２１ではなくロール型洗浄具で洗浄するものであってもよい。また、洗浄具を用いることなく超音波洗浄液で洗浄するのみであってもよい。さらに、チャック爪４１１やスピンドル５１で基板Ｗを回転させるのではなく、基板Ｗを下方からステージ上に支持してステージを回転させてもよい。また、ノズルの数は２つに限られないし、筐体１１によって複数のノズルが保持されるのではなく、互いに独立したノズルであってもよい。
　（第２の実施形態）
　上述した第１の実施形態は、２つのノズル１２，１３から基板Ｗの表面に超音波洗浄液を噴射するものであった。次に説明する第２の実施形態は、２つのノズル１２，１３から基板Ｗの表面および裏面にそれぞれ超音波洗浄液を噴射するものである。以下、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
　本実施形態においては、図７および図８に示すように、ヘッド４３１における２つのノズル１２，１３が鉛直方向に配置される。そして、ノズル１２は下方に向かって超音波洗浄液を噴射し、ノズル１３は上方に向かって超音波洗浄液を噴射する。そして、ノズル１２とノズル１３との間に基板Ｗを配置することにより、言い換えると、図示しない取り付け部品により基板Ｗの側方にヘッド４３１を配置することにより、ノズル１２，１３からそれぞれ基板Ｗの表面および裏面に超音波洗浄液が噴射される。なお、図８において、ノズル１２、１３をわずかにずらして図示しているが、発明の理解を助けるためであり、本実施形態においては、ノズル１２、１３は鉛直方向にそろえて配置される。
　また、ヘッド４３１にはアクチュエータ４３４が連結されており、図８の矢印Ａに示すように、ヘッド４３１が基板Ｗの側方に近接、離反する向きに移動できるようになっていることが望ましい。これにより、基板Ｗの中心からエッジ部分にわたる任意の位置に超音波洗浄液を噴射できる。また、ヘッド４３１は基板Ｗの側方から退避することにより、基板回転機構４１のチャック爪４１１で基板を保持する際の基板Ｗの載置を邪魔しないようになっていることが望ましい。また、矢印Ｂで示すように、ヘッド４３１は水平面内で回転可能であるのが望ましい。これにより、上方から見た基板Ｗに対する超音波洗浄液の噴射角度を任意に調整できたり、基板Ｗに対して揺動しながら超音波洗浄液を噴射できたりする。さらに、基板回転機構４１のチャック爪４１１を超音波洗浄液で洗浄してもよい。
　２つのノズル１２，１３からの超音波洗浄液の噴射法は種々考えられる。
　図９Ａに示すように、ノズル１２，１３は基板Ｗのそれぞれ表面および裏面のエッジ部分に超音波洗浄液を噴射してもよい。より詳しくは、ノズル１２は、超音波洗浄液が基板Ｗの表面のエッジ部分に着液し、その後、基板Ｗの表面上で超音波洗浄液が着液点から中心に向かうような方向に超音波洗浄液を噴射する。一方、ノズル１３は、超音波洗浄液が基板Ｗの裏面のエッジ部分に着液し、かつ、基板Ｗの裏面上でエッジ部分から中心に向かう方向に超音波洗浄液を噴射する。これにより、基板Ｗのエッジ部分から中心までを洗浄できる。
　なお、この場合、基板Ｗのべべルには超音波洗浄液が当たらないようにするのが望ましい。基板Ｗから洗い流されたパーティクル等の異物がエッジ部を含む基板Ｗの表面および裏面に、付着して汚染することを防ぐためである。
　図９Ｂに示すように、ノズル１２、１３は基板Ｗのべべルに超音波洗浄液を噴射してもよい。ここで、べべルから洗い流された異物が超音波洗浄液とともに基板Ｗの表面および裏面にできるだけ達しないよう、ノズル１２，１３から基板Ｗの接線方向に超音波洗浄液を噴射するのがよい（図９Ｃ）。これにより、べべルの洗浄によって汚染した超音波洗浄液が基板Ｗの表面および裏面を汚染してしまうことを抑制できる。なお、べべルの汚染がそれほど問題にならないのであれば（表面および裏面の汚染度と同程度かそれ以下であれば）、ノズル１２，１３から基板Ｗの径方向に超音波洗浄液を噴射し、べべルに当たった超音波洗浄液の少なくとも一部が基板Ｗの中心に向かうようにしてもよい。
　ここで、基板Ｗのエッジ部分およびベベルの両方を洗浄する場合、アクチュエータ４３４を利用して、まずベベルを洗浄し（図９Ｂ）、次いでエッジ部分を洗浄する（図９Ａ）のが望ましい。ベベル洗浄時に洗浄後の汚染された超音波洗浄液が基板Ｗの表面に飛散することがあるが、ベベル洗浄後にエッジ部分を洗浄することで基板Ｗの表面に汚染された超音波洗浄液が残るのを抑制できるためである。
　なお、図６Ａに示した例と同様に、２つのノズル１２，１３からの超音波洗浄液が互いに混ざり合った後に基板Ｗのベベルに当たるようにしてもよく、図６Ｂに示した例と同様に、２つノズル１２，１３からの超音波洗浄液が基板Ｗのベベルで合流するようにしてもよい。
　なお、ヘッド４３１に連結されたアクチュエータ４３４を駆動させてヘッド４３１を基板Ｗの側方に近接、離反する向きに移動させることにより、超音波洗浄液が基板Ｗに当たる位置を変化させることができる。例えば、超音波洗浄液を供給しながら、基板Ｗの表面および裏面内で着液位置を変化させることにより、基板をまんべんなく洗浄できる。また、１つのヘッド４３１で、まず基板Ｗのベベルに超音波洗浄液を供給してベベル部を洗浄した後、基板Ｗの表面および裏面に超音波洗浄液を供給して表面および裏面を洗浄してもよい。
　図９Ｄに示すように、ノズル１２は基板Ｗの表面のエッジ部分より中心側に着液し、かつ、基板Ｗの表面上で着液点からエッジ部分に向かう方向に超音波洗浄液を噴射してもよい。同様に、ノズル１３は基板Ｗの裏面のエッジ部分より中心側に着液し、かつ、基板Ｗの裏面上で着液点からエッジ部分に向かう方向に超音波洗浄液を噴射してもよい。基板Ｗの表面上でエッジ部分に達した超音波洗浄液は基板Ｗのべべルを伝って落下する。
　なお、図９Ｄに示すように基板Ｗの表面に超音波洗浄液を噴射し、次いでベベルを洗浄してもよい（図９Ｂ）し、その逆の順でもよいし、両者を交互に繰り返してもよい。
　基板Ｗの表面上で着液した超音波洗浄液は基板Ｗのエッジ方向に流れるので、超音波洗浄液の排出性が向上する。なお、ノズル１２とノズル１３は互いに独立したノズルであってもよく、図５Ｂに示すようなＣ字型筐体１１を有するヘッド４３１を使って、筐体１１で基板Ｗのエッジを挟むようにして、超音波洗浄液を基板のエッジに向かう方向に噴射するようにしてもよい。
　これにより、基板Ｗの表面および裏面の着液点から外側（エッジ部分を含む）のみならずべべルも洗浄できる。べべルの汚染度が大きい場合には、べべルが最後に洗浄されるこのような洗浄法が有効である。また、図４に示すコマ５１ａで基板Ｗを回転させる基板洗浄装置４’においては、汚染したべべルに接触するコマ５１ａも汚染する。図９Ｄに示す噴射法によれば、超音波洗浄液がコマ５１ａにも達するため、コマ５１ａ自体も洗浄できる。
　超音波洗浄液の吐出方向は、平面視で基板中心向きでなくてもよい。さらに、図９Ｅに示すように、基板Ｗのエッジ部分かつコマ５１ａ近傍の上方および下方にて、それぞれノズル１２，１３を揺動させながら超音波洗浄液を噴射してもよい。このような揺動は、図示しないノズル１２、１３の支持旋回機構によって実現される。例えば、アクチュエータ４３４がノズル１２、１３を揺動してもよい。これによっても、超音波洗浄液がコマ５１ａに達するため、コマ５１ａ自体を洗浄できる。
　このように、第２の実施形態によれば、基板Ｗの表面および裏面を同時に洗浄でき、洗浄力が向上する。特に、基板Ｗにおける両面のエッジ部分や、べべルの洗浄も可能となる。また、コマ５１ａで基板Ｗを回転させる基板洗浄装置４’（図４）や、基板Ｗを下面で支持して回転させる基板洗浄装置であれば、基板Ｗの全周にわたってエッジ部分およびべべルを洗浄できる。チャック爪４１１で基板Ｗを回転させる基板洗浄装置４（図２および図３）でも、基板Ｗのチャック爪４１１で保持される部分を除けばエッジ部分およびべべルを洗浄できる。
　なお、ノズル１２，１３が基板Ｗの異なる位置に向かって超音波洗浄液を噴射してもよい。例えば、ノズル１２は基板Ｗの表面の中心近傍に、ノズル１２は基板Ｗの裏面のエッジ部分に超音波洗浄液を噴射してもよい。また、第１の実施形態と第２の実施形態とを適宜組み合わせてもよい。
　また、ヘッド４３１から供給された超音波洗浄液により基板Ｗのエッジ部あるいはベベル部から洗い流された異物が基板Ｗの表面あるいは裏面に再付着することを防ぐため、基板Ｗの表面および裏面を他の洗浄手段で洗浄しながら、ヘッド４３１を用いた洗浄を行うことが望ましい。他の洗浄手段とは、ロールスポンジまたはペンシル型スポンジによるスクラブ洗浄、２流体洗浄、あるいは他の超音波洗浄液供給ノズルによる洗浄が挙げられる。
（第３の実施形態）
　次に説明する第３の実施形態は超音波洗浄液にマイクロバブルを導入するものであり、第１の実施形態および／または第２の実施形態と組み合わせることができる。
　図１０は、超音波洗浄液供給装置４３’の概略構成を示すブロック図である。なお、図５Ａなどに示した筐体１１、流路１４および振動子１５，１６は省略している。
　超音波洗浄液供給装置４３’はマイクロバブル供給機構２１を備える。マイクロバブル供給機構２１は流路１４に接続され、流路１４を通じてノズル１２，１３に供給する洗浄液にマイクロバブルを導入する。マイクロバブルとして導入される気体は、水素、オゾン、二酸化炭素などであり、このような気体を溶存させることによって機能水が生成される。また、マイクロバブル供給機構２１は溶存させる気体の濃度を制御してもよい。マイクロバルブの周囲では、溶存気体の濃度が高くなる。しかしながら、マイクロバルブ自体は超音波による洗浄エネルギーを弱めてしまい、洗浄力を低下させる可能性がある。
　そこで、超音波洗浄液供給装置４３’はフィルタ２２を備えるのが望ましい。フィルタ２２によってマイクロバブルが除去される。なお、フィルタ２２のメッシュサイズは、例えば１００ｎｍ以下あるいは１０ｎｍ以下が好適である。
　このような超音波洗浄液供給装置４３’が基板洗浄装置に設けられる。そして、生成された、気体を含む超音波洗浄液がノズル１２，１３に供給され、基板Ｗに噴射される。
　このように、第３の実施形態では、超音波洗浄液に気体を溶存させるため、さらに洗浄力が向上する。特に、キャビテーションを利用した超音波洗浄は、溶存気体を含む液体に超音波を作用させることによる物理洗浄であるため、高濃度の気体が溶存した超音波洗浄液は洗浄力が極めて高くなる。
　上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。
４，４’　基板洗浄装置
４１　基板回転機構
４２　ペン洗浄機構
４３　超音波洗浄液供給装置
４３１　ヘッド
４３２　アーム
４３３　アーム旋回軸
５１　スピンドル
１１　筐体
１２，１３　ノズル
１４　流路
１５，１６　振動子
２１　マイクロバブル供給機構
２２　フィルタ

Claims (14)

  1. 　基板を回転させる基板回転機構と、
    　回転される前記基板の所定面に向かって超音波洗浄液を噴射する第１ノズルおよび第２ノズルと、を備え、
    　前記第１ノズルと前記第２ノズルは、１つの筐体に保持されている、基板洗浄装置。
  2. 　前記第１ノズルからの超音波洗浄液と前記第２ノズルからの超音波洗浄液は、互いに混ざり合った後に前記所定面に達するか、前記所定面に達した後に互いに混ざり合う、請求項１に記載の基板洗浄装置。
  3. 　前記第１ノズルと前記第２ノズルは旋回軸を中心に旋回するアームの先端に取り付けられ、前記基板の第１面に超音波洗浄液を噴射する、請求項１または２に記載の基板洗浄装置。
  4. 　前記第１ノズルは回転される前記基板の第１面に超音波洗浄液を噴射し、
    　前記第２ノズルは回転される前記基板の前記第１面と反対側の第２面に超音波洗浄液を噴射する、請求項１に記載の基板洗浄装置。
  5. 　前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、回転される前記基板のエッジ部分に超音波洗浄液を噴射する、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板洗浄装置。
  6. 　前記エッジ部分に超音波洗浄液を噴射する前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、超音波洗浄液が、回転される前記基板のべべルには当たらず前記基板のエッジ部分に着液し、その後、エッジ部分から中心に向かうように超音波洗浄液を噴射する、請求項５に記載の基板洗浄装置。
  7. 　前記エッジ部分に超音波洗浄液を噴射する前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、超音波洗浄液が、回転される前記基板のエッジ部分より中心側に着液し、その後、エッジ部分に向かうように超音波洗浄液を噴射する、請求項５に記載の基板洗浄装置。
  8. 　前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、回転される前記基板のべべルに超音波洗浄液を噴射する、請求項１に記載の基板洗浄装置。
  9. 　前記べべルに超音波洗浄液を噴射する前記第１ノズルおよび／または前記第２ノズルは、回転される前記基板の接線方向に超音波洗浄液を噴射する、請求項８に記載の基板洗浄装置。
  10. 　前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記基板回転機構の近傍を揺動しながら前記基板のエッジ部分に超音波洗浄液を噴射する、請求項１に記載の基板洗浄装置。
  11. 　前記筐体に接続され、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルに洗浄液を供給する流路と、
    　前記流路から供給された洗浄液に超音波を付与する振動子と、
    　前記流路に接続され、洗浄液にマイクロバブルを導入するマイクロバブル供給機構と、をさらに備える、請求項１乃至１０のいずれかに記載の基板洗浄装置。
  12. 　前記第１ノズルおよび前記第２ノズルと、前記マイクロバブル供給機構と、の間に設置され、前記マイクロバブル供給機構により導入されたマイクロバブルを除去するように構成されたフィルタをさらに備える、請求項１１に記載の基板洗浄装置。
  13. 　基板を回転させながら、前記基板の所定面に向かって、１つの筐体に保持された第１ノズルおよび第２ノズルから超音波洗浄液を噴射する、基板洗浄方法。
  14. 　前記第１ノズルから噴射される超音波洗浄液と前記第２ノズルから噴射される超音波洗浄液は、超音波洗浄液の周波数、電力、流量、温度および液の種類のうちの少なくとも１つが互いに異なる、請求項１３に記載の基板洗浄方法。
PCT/JP2019/005477 2018-02-23 2019-02-15 基板洗浄装置および基板洗浄方法 WO2019163651A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/971,857 US11660643B2 (en) 2018-02-23 2019-02-15 Substrate cleaning device and substrate cleaning method
CN201980014614.6A CN111771260A (zh) 2018-02-23 2019-02-15 基板清洗装置和基板清洗方法
SG11202007852YA SG11202007852YA (en) 2018-02-23 2019-02-15 Substrate cleaning device and substrate cleaning method
KR1020207026952A KR102661662B1 (ko) 2018-02-23 2019-02-15 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018030564A JP7364322B2 (ja) 2018-02-23 2018-02-23 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2018-030564 2018-02-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019163651A1 true WO2019163651A1 (ja) 2019-08-29

Family

ID=67688436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/005477 WO2019163651A1 (ja) 2018-02-23 2019-02-15 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11660643B2 (ja)
JP (2) JP7364322B2 (ja)
CN (1) CN111771260A (ja)
SG (1) SG11202007852YA (ja)
WO (1) WO2019163651A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7345642B2 (ja) * 2020-05-01 2023-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のカップの洗浄方法、及び基板処理装置
JP7470785B2 (ja) * 2020-05-15 2024-04-18 株式会社荏原製作所 洗浄装置および洗浄方法
JP7464467B2 (ja) 2020-07-01 2024-04-09 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置
CN113289995B (zh) * 2021-05-14 2022-04-22 无锡亚电智能装备有限公司 晶圆容纳盒清洗设备及晶圆容纳盒清洗方法
CN117299666A (zh) * 2022-06-23 2023-12-29 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 基板处理设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065575A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Nikon Corp 基板洗浄装置
JP2000216126A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法およびその装置
JP2002124504A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2007311756A (ja) * 2006-04-20 2007-11-29 Pre-Tech Co Ltd 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
JP2015013250A (ja) * 2013-07-04 2015-01-22 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
JP2016012645A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
WO2017154673A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理装置および基板乾燥装置
US20170271145A1 (en) * 2016-03-21 2017-09-21 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Method and an apparatus for cleaning substrates

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3813672B2 (ja) 1996-11-05 2006-08-23 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
JP3981064B2 (ja) 2003-10-22 2007-09-26 株式会社カイジョー 両面式超音波シャワー洗浄装置
JP4519541B2 (ja) * 2004-06-24 2010-08-04 株式会社東芝 超音波洗浄装置
JP2006310456A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パーティクル除去方法および基板処理装置
JP2008036557A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 気体溶解装置、基板洗浄ユニット、気体溶解方法および基板洗浄方法
JP2008198879A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2015185813A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP6941920B2 (ja) 2016-03-08 2021-09-29 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理装置および基板乾燥装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065575A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Nikon Corp 基板洗浄装置
JP2000216126A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法およびその装置
JP2002124504A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2007311756A (ja) * 2006-04-20 2007-11-29 Pre-Tech Co Ltd 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
JP2015013250A (ja) * 2013-07-04 2015-01-22 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
JP2016012645A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
WO2017154673A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理装置および基板乾燥装置
US20170271145A1 (en) * 2016-03-21 2017-09-21 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Method and an apparatus for cleaning substrates

Also Published As

Publication number Publication date
US11660643B2 (en) 2023-05-30
KR20200123194A (ko) 2020-10-28
US20210129194A1 (en) 2021-05-06
JP7364322B2 (ja) 2023-10-18
JP2019145734A (ja) 2019-08-29
CN111771260A (zh) 2020-10-13
JP7224403B2 (ja) 2023-02-17
JP2021185602A (ja) 2021-12-09
SG11202007852YA (en) 2020-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019163651A1 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TWI724115B (zh) 基板洗淨裝置、基板洗淨方法、基板處理裝置及基板乾燥裝置
TWI529798B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TWI586488B (zh) 基板洗淨裝置
JP2013089797A (ja) 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
KR102338647B1 (ko) 기판 세정 장치
JP2009231628A (ja) 基板処理装置
CN108028191B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP6473248B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、および基板洗浄方法
JP7290695B2 (ja) 超音波洗浄装置および洗浄具のクリーニング装置
KR102661662B1 (ko) 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
JP7149869B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
WO2019150683A1 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、超音波洗浄液供給装置および記録媒体
JP6934918B2 (ja) 基板洗浄装置
CN107004593B (zh) 基板清洗装置
JP6612176B2 (ja) 基板洗浄装置
JP6966917B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2021057356A (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置および記録媒体
JP2017204495A (ja) 基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19758078

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207026952

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19758078

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1