JP5680699B2 - 基板洗浄方法および基板洗浄装置 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 450
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 292
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 79
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 204
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 59
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 51
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 15
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 12
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Special Spraying Apparatus (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
10 回転保持部
11 スピンベース
20 処理カップ
30 スプラッシュガード
50 ノズル駆動部
60,160,260,360 洗浄ノズル
61,161,261,361 筒状体
62,162,262,362 圧電素子
64,164,264,364 吐出孔
65 電源
70 供給配管
75 排出配管
76 バルブ
90 制御部
111 支持台
W 基板
Claims (20)
- 基板に洗浄液の液滴を吐出して洗浄する基板洗浄装置であって、
基板から所定の間隔を隔てて基板に対向する位置に配置され、内側に中空空間が形成された石英の筒状体の壁面に複数の吐出孔を穿設した洗浄ノズルと、
前記洗浄ノズルに常時連続して洗浄液を送給しつつ、洗浄処理を行うときには前記筒状体の内部における洗浄液の液圧を上昇させることによって前記複数の吐出孔のそれぞれから洗浄液を流出させ、固定された所定周波数の交流電圧により発生した振動によって前記複数の吐出孔のそれぞれから流れ出る洗浄液の液流を分断する液滴生成手段と、
を備え、
前記液滴生成手段により、洗浄処理中には、前記複数の吐出孔のそれぞれにて平均液滴径が15μm以上200μm以下であり、液滴径の分布が3σ(σは標準偏差)で前記平均液滴径の10%以下に収まっている洗浄液の液滴のみを生成して所定の液滴流量にて基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項1記載の基板洗浄装置において、
前記液滴生成手段により、平均液滴速度が20メートル毎秒以上100メートル毎秒以下であり、液滴速度の分布が3σ(σは標準偏差)で前記平均液滴速度の10%以下に収まっている液滴のみを基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項1または請求項2記載の基板洗浄装置において、
前記複数の吐出孔から前記液滴を10ミリリットル毎分以上の液滴流量にて基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
基板を回転する回転手段と、
前記洗浄ノズルを前記基板の上方にて揺動する揺動手段と、
を備え、
前記回転手段によって回転する基板の上方にて前記洗浄ノズルを揺動させつつ、前記洗浄液の液滴を前記洗浄ノズルから回転する基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項4記載の基板洗浄装置において、
前記洗浄ノズルからの液滴吐出を停止した後、前記回転手段が基板の回転数を上昇させて当該基板の乾燥処理を行うことを特徴とする基板洗浄装置。 - 半導体基板に洗浄液の液滴を吐出して洗浄する基板洗浄装置であって、
半導体基板から所定の間隔を隔てて半導体基板に対向する位置に配置され、内側に中空空間が形成された石英の筒状体の壁面に複数の吐出孔を穿設した洗浄ノズルと、
前記洗浄ノズルに常時連続して洗浄液を送給しつつ、洗浄処理を行うときには前記筒状体の内部における洗浄液の液圧を上昇させることによって前記複数の吐出孔のそれぞれから洗浄液を流出させ、固定された所定周波数の交流電圧により発生した振動によって前記複数の吐出孔のそれぞれから流れ出る洗浄液の液流を分断する液滴生成手段と、
を備え、
前記液滴生成手段により、洗浄処理中には、前記複数の吐出孔のそれぞれにて平均液滴径が15μm以上30μm以下であり、液滴径の分布が3σ(σは標準偏差)で2μm以下に収まっている洗浄液の液滴のみを生成して所定の液滴流量にて半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項6記載の基板洗浄装置において、
前記液滴生成手段により、平均液滴速度が20メートル毎秒以上60メートル毎秒以下であり、液滴速度の分布が3σ(σは標準偏差)で5メートル毎秒以下に収まっている液滴のみを半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項6または請求項7記載の基板洗浄装置において、
前記複数の吐出孔から前記液滴を10ミリリットル毎分以上の液滴流量にて半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項6から請求項8のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
半導体基板を回転する回転手段と、
前記洗浄ノズルを前記半導体基板の上方にて揺動する揺動手段と、
を備え、
前記回転手段によって回転する半導体基板の上方にて前記洗浄ノズルを揺動させつつ、前記洗浄液の液滴を前記洗浄ノズルから回転する半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項9記載の基板洗浄装置において、
前記洗浄ノズルからの液滴吐出を停止した後、前記回転手段が半導体基板の回転数を上昇させて当該半導体基板の乾燥処理を行うことを特徴とする基板洗浄装置。 - 基板に洗浄液の液滴を吐出して洗浄する基板洗浄方法であって、
基板から所定の間隔を隔てて基板に対向する位置に配置され、内側に中空空間が形成された石英の筒状体の壁面に複数の吐出孔を穿設した洗浄ノズルに常時連続して洗浄液を送給しつつ、洗浄処理を行うときには前記筒状体の内部における洗浄液の液圧を上昇させることによって前記複数の吐出孔のそれぞれから洗浄液を流出させ、固定された所定周波数の交流電圧により発生した振動によって前記複数の吐出孔のそれぞれから流れ出る洗浄液の液流を分断することにより、洗浄処理中には、前記複数の吐出孔のそれぞれにて平均液滴径が15μm以上200μm以下であり、液滴径の分布が3σ(σは標準偏差)で前記平均液滴径の10%以下に収まっている洗浄液の液滴のみを生成して所定の液滴流量にて基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項11記載の基板洗浄方法において、
平均液滴速度が20メートル毎秒以上100メートル毎秒以下であり、液滴速度の分布が3σ(σは標準偏差)で前記平均液滴速度の10%以下に収まっている液滴のみを基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項11または請求項12記載の基板洗浄方法において、
前記液滴を10ミリリットル毎分以上の液滴流量にて基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項11から請求項13のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
基板を回転しつつ前記洗浄ノズルを当該基板の上方にて揺動し、前記洗浄液の液滴を回転する基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項14記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄ノズルからの液滴吐出を停止した後、基板の回転数を上昇させて当該基板の乾燥処理を行うことを特徴とする基板洗浄方法。 - 半導体基板に洗浄液の液滴を吐出して洗浄する基板洗浄方法であって、
半導体基板から所定の間隔を隔てて半導体基板に対向する位置に配置され、内側に中空空間が形成された石英の筒状体の壁面に複数の吐出孔を穿設した洗浄ノズルに常時連続して洗浄液を送給しつつ、洗浄処理を行うときには前記筒状体の内部における洗浄液の液圧を上昇させることによって前記複数の吐出孔のそれぞれから洗浄液を流出させ、固定された所定周波数の交流電圧により発生した振動によって前記複数の吐出孔のそれぞれから流れ出る洗浄液の液流を分断することにより、洗浄処理中には、前記複数の吐出孔のそれぞれにて平均液滴径が15μm以上30μm以下であり、液滴径の分布が3σ(σは標準偏差)で2μm以下に収まっている洗浄液の液滴のみを生成して所定の液滴流量にて半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項16記載の基板洗浄方法において、
平均液滴速度が20メートル毎秒以上60メートル毎秒以下であり、液滴速度の分布が3σ(σは標準偏差)で5メートル毎秒以下に収まっている液滴のみを半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項16または請求項17記載の基板洗浄方法において、
前記液滴を10ミリリットル毎分以上の液滴流量にて半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項16から請求項18のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
半導体基板を回転しつつ前記洗浄ノズルを当該半導体基板の上方にて揺動し、前記洗浄液の液滴を回転する半導体基板に向けて吐出することを特徴とする基板洗浄方法。 - 請求項19記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄ノズルからの液滴吐出を停止した後、半導体基板の回転数を上昇させて当該半導体基板の乾燥処理を行うことを特徴とする基板洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013092248A JP5680699B2 (ja) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013092248A JP5680699B2 (ja) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008221157A Division JP5261077B2 (ja) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013165291A JP2013165291A (ja) | 2013-08-22 |
JP5680699B2 true JP5680699B2 (ja) | 2015-03-04 |
Family
ID=49176432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013092248A Active JP5680699B2 (ja) | 2013-04-25 | 2013-04-25 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5680699B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102181099B1 (ko) * | 2014-04-17 | 2020-11-20 | 주식회사 케이씨텍 | 비접촉식 웨이퍼 세정 장치 |
JP7055720B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-04-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板回転装置、基板洗浄装置および基板処理装置ならびに基板回転装置の制御方法 |
KR102304312B1 (ko) * | 2019-08-28 | 2021-09-23 | 한국기계연구원 | 실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법 및 메가소닉 세정 모듈 |
CN112735983B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-12-16 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种单晶圆载体清洗高度集成装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0777209B2 (ja) * | 1992-01-31 | 1995-08-16 | 株式会社国際電気エルテック | 噴射形超音波洗浄装置 |
JP2000000533A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法及び基板洗浄ノズル並びに基板洗浄装置 |
JP2000133626A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 基板洗浄装置 |
KR100604458B1 (ko) * | 1999-10-12 | 2006-07-26 | 세즈 아메리카, 인크. | 에어로솔과 가스를 이용한 물체의 건조 및 세척 장치와 그방법 |
JP2002011419A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-15 | Hitachi Ltd | 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置 |
JP2002110624A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Kaijo Corp | 半導体基板の表面処理方法及び装置 |
JP2004179323A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005044866A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005266534A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sekisui Chem Co Ltd | マスク基板用レジスト除去装置 |
JP2006128332A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007027270A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sony Corp | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2007237157A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Kazumasa Onishi | 超音波洗浄装置 |
TW200807520A (en) * | 2006-03-24 | 2008-02-01 | Applied Materials Inc | Methods and apparatus for cleaning a substrate |
JP4938357B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-05-23 | ナノミストテクノロジーズ株式会社 | 洗浄方法と洗浄装置 |
-
2013
- 2013-04-25 JP JP2013092248A patent/JP5680699B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013165291A (ja) | 2013-08-22 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140213 |
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