KR102304312B1 - 실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법 및 메가소닉 세정 모듈 - Google Patents

실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법 및 메가소닉 세정 모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 타겟으로부터 미세한 파티클들을 분리 세정하는 메가소닉 세정 모듈에 사용되어, 메가소닉이 인가된 세정액을 타겟에 직접 분사하는 실리콘 웨이퍼 노즐을 제조하는 제조방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법은, 실리콘 웨이퍼의 양면 중 제1면에 알루미늄층을 형성하는 제1단계, 상기 실리콘 웨이퍼의 다른 제2면에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 포토레지스트층을 패터닝 하는 제2단계, 상기 포토레지스트층 패턴을 따라 상기 실리콘 웨이퍼에 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 분사홀들을 형성하는 제3단계, 상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거하는 제4단계, 및 상기 실리콘 웨이퍼를 컷팅하여 실리콘 스택을 형성하는 제5단계를 포함한다.

Description

실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법 및 메가소닉 세정 모듈 {Si WAFER NOZZLE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MEGASONIC CLEANING MODULE}
본 발명은 실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법 및 메가소닉 세정 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 타겟으로부터 미세한 파티클들을 분리 세정하는 메가소닉 세정 모듈(Megasonic Cleaning Module)과 이에 사용되는 실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법에 관한 것이다.
알려진 바에 따르면, 반도체 웨이퍼, 자기 디스크, 광학 렌즈 및 유리 기판 등의 제조 과정에서 세정 작업은 수율과 밀접한 관계가 있다. 따라서 완벽한 세정을 위하여, 세정 장치가 지속적으로 개발되고 있다.
일례로써, 반도체의 웨이퍼를 세정하는 세정 장치는 수백 kHz 이상의 초음파에 의하여 세정액을 웨이퍼에 분사하여 웨이퍼에 잔류하는 파티클들을 분리 세정하는 초음파 노즐을 사용하고 있다.
대한민국등록특허 제0437333호는 초음파 노즐을 포함하는 웨이퍼 세정장치를 개시한다. 초음파 노즐은 내부에 진동소자를 구비하여, 수로로 공급되는 세정액에 초음파를 인가하고, 초음파가 인가된 세정액을 노즐팁에 형성된 오리피스를 통해 외부로 분사하여 웨이퍼를 세정한다.
일반적으로 노즐팁은 석영(quartz)으로 형성되는 데, 초음파 노즐이 노즐팁과 일체로 형성되므로 오리피스 또는 홀을 형성하는 과정에서 불량이 발생되는 경우, 석영으로 이루어지는 초음파 노즐 전체를 버리고 다른 것으로 초은파 노즐을 재가공하여야 한다. 또한 노즐팁에 오리피스 또는 홀을 복수로 형성하는 경우, 불량의 가능성은 더욱 높아진다.
즉 종래의 초음파 노즐은 석영의 노즐팁에 오리피스 또는 홀을 직접 레이저 가공하므로 노즐팁의 가공비가 더욱 상승하고, 노즐팁의 불량율이 높아지는 문제점을 가진다.
본 발명의 목적은 타겟으로부터 미세한 파티클들을 분리 세정하는 메가소닉 세정 모듈에 사용되어, 메가소닉이 인가된 세정액을 타겟에 직접 분사하는 실리콘 웨이퍼 노즐을 제공하는 것이다. 본 발명의 목적은 상기 실리콘 웨이퍼 노즐을 제조하는 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 상기 실리콘 웨이퍼 노즐을 사용하여 타겟으로부터 미세한 파티클들을 분리 세정하는 메가소닉 세정 모듈을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 상기 실리콘 웨이퍼 노즐을 적용하므로 제조 비용을 낮추며 불량율을 낮추는 메가소닉 세정 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법은, 실리콘 웨이퍼의 양면 중 제1면에 알루미늄층을 형성하는 제1단계, 상기 실리콘 웨이퍼의 다른 제2면에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 포토레지스트층을 패터닝 하는 제2단계, 상기 포토레지스트층 패턴을 따라 상기 실리콘 웨이퍼에 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 분사홀들을 형성하는 제3단계, 상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거하는 제4단계, 및 상기 실리콘 웨이퍼를 컷팅하여 실리콘 스택을 형성하는 제5단계를 포함한다.
상기 제1단계는 알루미늄을 기상 증착하여 상기 알루미늄층을 형성할 수 있다.
상기 제3단계는 딥 리액티브 이온 에칭(deep Reactive Ion Etching) 공정으로 상기 분사홀들을 형성할 수 있다.
상기 제4단계는 Ÿ‡ 에칭(wet etching)으로 상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 노즐은, 메가소닉 세정 모듈에서 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하도록 세정액 분사측에 구비되고 실리콘 웨이퍼를 컷팅하여 형성되는 실리콘 스택, 및 상기 실리콘 스택에 구비되는 복수의 분사홀들을 포함한다.
상기 분사홀들은 직경(D) 10~50㎛로 형성될 수 있고, 20㎛로 형성될 수 있다.
상기 분사홀들은 직경(D): 높이(H)의 비가 1:15~20일 수 있다.
상기 실리콘 웨이퍼는 두께(t)가 150~350㎛로 형성될 수 있고, 250㎛로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 메가소닉 세정 모듈은, 세정액 공급구에 연결되는 세정액 수용 공간을 내부에 형성하고, 상기 세정액 수용 공간의 양측에 제1개구와 제2개구를 구비하는 바디, 상기 제1개구에 설치되고 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 복수의 분사홀을 구비하는 실리콘 웨이퍼 노즐, 및 상기 제2개구에 설치되어 상기 세정액 수용 공간에 공급된 세정액에 메가소닉을 인가하는 진동소자를 포함한다.
상기 바디는 상기 제1개구에 중심을 향하여 돌출되는 지지부를 구비하고, 상기 실리콘 웨이퍼 노즐은 상기 지지부에 장착될 수 있다.
상기 실리콘 웨이퍼 노즐은 상기 세정액 수용 공간을 형성하는 상기 바디의 내면에 결합되는 스냅링으로 고정될 수 있다.
상기 바디는 석영(quartz)로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 메가소닉 세정 모듈은, 세정액 공급구에 연결되는 세정액 수용 공간을 내부에 형성하고, 상기 세정액 수용 공간의 일측에 개구를 구비하는 바디, 상기 개구의 반대측에서 상기 바디의 내부에 설치되어 상기 세정액 수용 공간에 공급된 세정액에 메가소닉을 인가하는 진동소자, 및 상기 개구에 설치되고 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 복수의 분사홀을 구비하는 실리콘 웨이퍼 노즐을 포함한다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예는 복수의 분사홀들을 구비한 실리콘 웨이퍼 노즐을 바디에 조립하여 구비하므로 메가소닉이 인가된 세정액을 타겟에 분사하여 타겟으로부터 미세한 파티클들을 분리하여 세정할 수 있다.
또한, 일 실시예는 분사홀들을 구비한 실리콘 웨이퍼 노즐을 바디와 별도로 구비하여 조립하므로 메가소닉 세정 모듈을 제조하는 과정에서 분사홀들이 불량인 경우, 실리콘 웨이퍼 노즐만을 교체할 수 있게 하여 제조 비용을 낮추며, 메가소닉 세정 모듈의 불량률을 낮출 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 노즐의 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 2는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조 공정에 사용되는 마스크의 부분 사진이다.
도 3은 도 1의 제조방법으로 제조된 실리콘 웨이퍼를 컷팅 하기 전 상태의 평면도이다.
도 4는 분사홀들이 형성된 실리콘 웨이퍼의 부분 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 메가소닉 세정 모듈의 단면도이다.
도 6은 실리콘 웨이퍼 노즐의 분사홀들에서 분사되는 메가소닉 인가된 액적들이 타겟의 파티클들을 세정하는 상태의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼 노즐의 제조방법을 도시한 순서도이다. 도 1을 참조하면, 일 실시예의 실리콘 웨이퍼 노즐의 제조방법은 제1단계(ST1), 제2단계(ST2), 제3단계(ST3), 제4단계(ST4) 및 제5단계(ST5)를 포함한다.
제1단계(ST1)는 실리콘 웨이퍼(W)를 준비하고, 준비된 실리콘 웨이퍼(W)의 양면 중 제1면(S1)에 알루미늄층(Al)을 형성한다. 예를 들면, 제1단계(ST1)는 알루미늄을 기상 증착하여 실리콘 웨이퍼(W)에 알루미늄층(Al)을 형성한다. 알루미늄층(Al)은 제3단계(ST3)의 딥 리액티브 이온 에칭 공정 시, 실리콘 웨이퍼(W)를 지지하면서 에칭 이온에 대하여 스토퍼 역할을 하고, 제4단계(ST4)에서 제거된다.
실리콘 웨이퍼(W)는 두께(t)가 150~350㎛로 형성될 수 있고, 이후 공정들의 원활하고 효율적인 구현을 위하여 250㎛로 형성될 수도 있다. 실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t)가 150㎛ 미만인 경우, 제조된 실리콘 웨이퍼 노즐의 강도가 약하여 쉽게 파손될 수 있다. 실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t)가 350㎛ 초과인 경우, 제3단계(ST3)에서 분사홀들(SH)을 형성하기 어려울 수 있다.
도 2는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조 공정에 사용되는 마스크의 부분 사진이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 제2단계(ST2)에서 제2면(S2)에 도포된 포토레지스트를 노광 및 현상하여 포토레지스트층(PR)을 형성할 때, 마스크(M)가 사용된다. 마스크(M)는 분사홀들(SH)에 대응하는 위치에 마스크 홀들(MH)을 구비한다.
제2단계(ST2)는 실리콘 웨이퍼(W)의 다른 제2면(S2)에 포토레지스트를 도포하고, 마스크(M)를 사용하여 노광 및 현상하여 포토레지스트층(PR)을 패터닝 한다. 즉 제2단계(ST2)는 제2면(S2)에 패턴을 가지는 포토레지스트층(PR)을 형성한다.
도 3은 도 1의 제조방법으로 제조된 실리콘 웨이퍼를 컷팅 하기 전 상태의 평면도이고, 도 4는 분사홀들이 형성된 실리콘 웨이퍼의 부분 사진이다. 도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 제3단계(ST3)는 포토레지스트층(PR) 패턴을 따라 실리콘 웨이퍼(W)에 분사홀들(SH)을 형성한다.
예를 들면, 제3단계(ST3)는 딥 리액티브 이온 에칭(deep RIE, Reactive Ion Etching) 공정으로 분사홀들(SH)을 형성한다. 딥 반응 이온 에칭 공정은 패터닝 된 포토 레지스트를 따라 실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t) 전체인 150~350㎛를 관통하는 분사홀들(SH)을 가공한다. 이때, 실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t)는 분사홀들(SH)의 높이(H)를 동일하게 형성한다.
즉 분사홀들(SH)은 높이(H)가 150~350㎛ 일 때, 분사홀들(SH)은 직경(D) 10~50㎛로 형성될 수 있고, 분사홀들(SH)은 높이(H)가 250㎛ 일 때, 20㎛로 형성될 수도 있다.
즉, 분사홀들(SH)은 직경(D): 높이(H = t(두께))의 비가 1:15~20일 수 있다. 실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t)가 150~350㎛일 경우, 분사홀들(SH)은 직경(D) 10~50㎛로 형성될 수 있다.
실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t)(분사홀들(SH)의 높이(H)) 150~350㎛와 분사홀들(SH)의 직경(D) 10~50㎛의 관계를 벗어나는 경우, 즉 직경(D)에 비하여 두께(t)(높이(H))가 지나치게 큰 경우, 딥 리액티브 이온 에칭 공정에서 분사홀들(SH)이 두께(t) 전체에 형성되지 않을 수 있고, 직경(D)에 비하여 두께(t)(높이(H))가 지나치게 작은 경우 딥 리액티브 이온 에칭 공정이 낭비될 수도 있다.
그리고 실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t)(분사홀들(SH)의 높이(H))가 250㎛일 경우, 분사홀들(SH)은 직경(D) 20㎛로 형성될 수 있다. 이 경우, 직경(D)에 비하여 두께(t)(높이(H))가 적절하여 분사홀들(SH)이 두께(t) 범위 전체에 형성되고, 딥 리액티브 이온 에칭 공정이 낭비되지 않을 수 있다.
제4단계(ST4)는 알루미늄층(Al)과 포토레지스트층(PR)을 제거한다. 일례로써, 제4단계(ST4)는 Ÿ‡ 에칭(wet etching)으로 알루미늄층(Al)과 포토레지스트층(PR)을 제거한다. 따라서 실리콘 웨이퍼(W)는 분사홀들(SH)을 형성하고 있다. 알루미늄층(Al)은 딥 리액티브 이온 에칭 공정시, 실리콘 웨이퍼(W)를 지지하면서 에칭 이온에 대하여 스토퍼 역할을 한 후, 제4단계(ST4)에서 제거된다.
제5단계(ST5)는 실리콘 웨이퍼(W)를 컷팅하여 실리콘 스택(WS)을 형성한다. 하나의 실리콘 웨이퍼(W)를 사용하여 복수의 실리콘 스택들(WS)을 제조하므로 실리콘 스택(WS)의 대량 생산을 가능하게 하고, 제조 비용을 크게 저감시킬 수 있다.
메가소닉 세정 모듈(MCM)을 형성하는 바디(10)의 형상에 따라 실리콘 스택(WS)은 원형 또는 사각형으로 컷팅되어, 실리콘 웨이퍼 노즐(20)을 형성할 수 있다(도 5 참조).
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 메가소닉 세정 모듈의 단면도이고, 도 6은 실리콘 웨이퍼 노즐의 분사홀들에서 분사되는 메가소닉 인가된 액적들이 타겟의 파티클들을 세정하는 상태의 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 메가소닉 세정 모듈(MCM)은 바디(10), 실리콘 웨이퍼 노즐(20) 및 진동자(30)를 포함한다.
바디(10)는 세정액 공급구(11)에 연결되는 세정액 수용 공간(12)을 내부에 형성하고, 세정액 수용 공간(12)의 양측에 제1개구(101)와 제2개구(102)를 구비한다. 도시하지 않았으나, 바디는 제1개구 측만 개방되고 제2개구를 구비하지 않을 수도 있다.
일례로써, 바디(10)는 석영(quartz)으로 형성된다. 세정액 공급구(11)에는 정량펌프(미도시)가 연결되어 세정액(일례로써 DI워터)을 세정액 수용 공간(12)으로 공급한다.
실리콘 웨이퍼 노즐(20)은 바디(10)의 제1개구(101)에 설치되고 복수의 분사홀들(SH)을 구비한다. 이를 위하여, 바디(10)는 제1개구(101)에 중심을 향하여 돌출되는 지지부(13)를 구비한다. 따라서 실리콘 웨이퍼 노즐(20)은 지지부(13)에 장착된다.
실리콘 웨이퍼 노즐(20)은 세정액 수용 공간(12)을 형성하는 바디(10)의 내면에 결합되는 스냅링(14)으로 고정된다. 도시하지는 않았으나, 실리콘 웨이퍼 노즐은 지지부에 접착제 또는 양면 테이프로 접착될 수 있다.
진동자(30)는 바디(10)의 제2개구(102)에 설치되어 세정액 수용 공간(12)에 공급된 세정액에 메가소닉을 인가한다. 진동자(30)는 정밀전원장치(미도시)에 연결되어 메가소닉을 발생시키는 전력을 공급받는다. 제2개구가 구비되지 않는 경우, 진동자를 바디의 내측에 먼저 조립되고, 실리콘 웨이퍼 노즐을 후에 조립할 수 있다.
또한, 제2개구(102)에는 덮개(15)가 설치되어, 진동자(30)가 외부 환경에 노출되는 것이 방지된다. 일례로써, 진동자(30)는 압전소자(piezoelectric element)로 형성될 수 있다.
메가소닉 세정 모듈(MCM)에서, 정량펌프의 구동으로 세정액이 세정액 공급구(11)를 통하여 세정액 수용 공간(12)으로 공급되고, 정밀전원장치의 구동으로 진동자(30)가 구동된다.
따라서 진동자(30)에서 발생되는 메가소닉이 세정액으로 전달되고, 메가소닉이 인가된 세정액(L)은 실리콘 웨이퍼 노즐(20)의 분사홀들(SH)을 통하여 분사된다. 메가소닉이 인가된 세정액(L), 즉 액적들은 분사력(F)을 가지고 타겟(TG)에 부착된 파티클들(P)을 분리하여 세정한다.
분사홀들(SH)의 직경(D)이 10~50㎛이고, 높이(H)(=실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t))가 150~350㎛인 경우, 파티클들(P)은 5~50nm의 크기를 가질 수 있다. 분사홀들(SH)의 직경(D) 및 높이(H)에 따라 메가소닉이 인가된 세정액(L)의 분사력(F)으로 5~50nm의 크기의 파티클들(P)을 효과적으로 세정할 수 있다.
따라서 분사홀들(SH)의 직경(D)이 20㎛이고, 높이(H)(=실리콘 웨이퍼(W)의 두께(t))가 250㎛인 경우, 파티클들(P)은 10nm의 크기를 가질 수 있다. 분사홀들(SH)의 직경(D) 및 높이(H)에 따라 메가소닉이 인가된 세정액(L)의 분사력(F)으로 10nm의 크기의 파티클들(P)을 효과적으로 분리하여 세정할 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니고 청구범위와 발명의 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
10: 바디 11: 세정액 공급구
12: 세정액 수용 공간 13: 지지부
14: 스냅링 15: 덮개
20: 실리콘 웨이퍼 노즐 30: 진동자
101: 제1개구 102: 제2개구
Al: 알루미늄층 D: 직경
F; 분사력 H: 높이
L: 세정액 M: 마스크
MCM: 메가소닉 세정 모듈 MH: 마스크 홀
P: 파티클 PR: 포토레지스트층
S1: 제1면 S2: 제2면
SH: 분사홀 t: 두께
TG: 타겟 W: 실리콘 웨이퍼
WS: 실리콘 스택

Claims (13)

  1. 실리콘 웨이퍼의 양면 중 제1면에 알루미늄층을 형성하는 제1단계;
    상기 실리콘 웨이퍼의 다른 제2면에 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상하여 포토레지스트층을 패터닝 하는 제2단계;
    상기 제2단계로 형성된 포토레지스트층 패턴을 따라 상기 실리콘 웨이퍼에 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 분사홀들을 형성하는 제3단계;
    상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거하는 제4단계; 및
    상기 실리콘 웨이퍼를 컷팅하여 실리콘 스택을 형성하는 제5단계
    를 포함하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1단계는
    알루미늄을 기상 증착하여 상기 알루미늄층을 형성하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3단계는
    딥 리액티브 이온 에칭(deep Reactive Ion Etching) 공정으로 상기 분사홀들을 형성하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제4단계는
    Ÿ‡ 에칭(wet etching)으로 상기 알루미늄층과 상기 포토레지스트층을 제거하는 실리콘 웨이퍼 노즐 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 실리콘 스택; 및
    상기 실리콘 스택에 구비되는 복수의 분사홀들
    을 포함하는 실리콘 웨이퍼 노즐.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 분사홀들은
    직경(D) 10~50㎛로 형성되는 실리콘 웨이퍼 노즐.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 분사홀들은
    직경(D): 높이(H)의 비가 1:15~20인 실리콘 웨이퍼 노즐.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼는
    두께(t)가 150~350㎛로 형성되는 실리콘 웨이퍼 노즐.
  9. 세정액 공급구에 연결되는 세정액 수용 공간을 내부에 형성하고, 상기 세정액 수용 공간의 양측에 제1개구와 제2개구를 구비하는 바디;
    상기 제1개구에 설치되고 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하는 복수의 분사홀을 구비하는 실리콘 웨이퍼 노즐; 및
    상기 제2개구에 설치되어 상기 세정액 수용 공간에 공급된 세정액에 메가소닉을 인가하는 진동소자
    를 포함하며,
    상기 실리콘 웨이퍼 노즐은
    상기 세정액 수용 공간을 형성하는 상기 바디의 내면에 결합되는 스냅링으로 고정되는 메가소닉 세정 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 바디는
    상기 제1개구에 중심을 향하여 돌출되는 지지부를 구비하고,
    상기 실리콘 웨이퍼 노즐은
    상기 지지부에 장착되는 메가소닉 세정 모듈.
  11. 삭제
  12. 제9항에 있어서,
    상기 바디는
    석영(quartz)으로 형성되는 메가소닉 세정 모듈.
  13. 세정액 공급구에 연결되는 세정액 수용 공간을 내부에 형성하고, 상기 세정액 수용 공간의 일측에 개구를 구비하는 바디;
    상기 개구의 반대측에서 상기 바디의 내부에 설치되어 상기 세정액 수용 공간에 공급된 세정액에 메가소닉을 인가하는 진동소자; 및
    상기 개구에 설치되고 메가소닉이 인가된 세정액을 분사하도록 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 실리콘 스택에 구비되는 복수의 분사홀을 구비하는 실리콘 웨이퍼 노즐
    을 포함하는 메가소닉 세정 모듈.
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