JP2002131891A - フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液 - Google Patents
フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液Info
- Publication number
- JP2002131891A JP2002131891A JP2000328304A JP2000328304A JP2002131891A JP 2002131891 A JP2002131891 A JP 2002131891A JP 2000328304 A JP2000328304 A JP 2000328304A JP 2000328304 A JP2000328304 A JP 2000328304A JP 2002131891 A JP2002131891 A JP 2002131891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- cleaning
- resist
- cleaning liquid
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスクに付着したマスクパターンを形
成するためのレジストを除去するための洗浄方法と洗浄
液とを提供する。 【解決手段】 洗浄液として、主成分となる縮合リン酸
アンモニウム、補助剤となる尿素またはその変態成分お
よび酸を含む水溶性の洗浄液６を用いる。その洗浄液６
を洗浄槽５に入れ、レジストの残渣を含む異物が付着し
たフォトマスク１を洗浄液６に浸漬して、異物を除去す
る。
成するためのレジストを除去するための洗浄方法と洗浄
液とを提供する。 【解決手段】 洗浄液として、主成分となる縮合リン酸
アンモニウム、補助剤となる尿素またはその変態成分お
よび酸を含む水溶性の洗浄液６を用いる。その洗浄液６
を洗浄槽５に入れ、レジストの残渣を含む異物が付着し
たフォトマスク１を洗浄液６に浸漬して、異物を除去す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの洗
浄方法およびそれに用いられる洗浄液に関し、特に、フ
ォトマスクに塗布された、マスクパターンを形成するた
めのフォトマスク用レジストを除去するためのフォトマ
スクの洗浄方法と、そのような洗浄に用いられる洗浄液
とに関するものである。
浄方法およびそれに用いられる洗浄液に関し、特に、フ
ォトマスクに塗布された、マスクパターンを形成するた
めのフォトマスク用レジストを除去するためのフォトマ
スクの洗浄方法と、そのような洗浄に用いられる洗浄液
とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体基
板上に所定のパターニングを施すために、ガラスフォト
マスク（以下、「フォトマスク」と記す。）を用いて写
真製版処理が行なわれる。そのフォトマスクには、所定
のパターンが形成された遮光膜が形成されている。
板上に所定のパターニングを施すために、ガラスフォト
マスク（以下、「フォトマスク」と記す。）を用いて写
真製版処理が行なわれる。そのフォトマスクには、所定
のパターンが形成された遮光膜が形成されている。
【０００３】フォトマスクの遮光膜は、フォトマスクの
全面に形成した、たとえばクロムなどの遮光膜となる金
属膜にフォトマスク用レジスト（以下、「レジスト」と
記す。）を塗布し、所定の写真製版およびエッチング処
理を施すことによって形成される。エッチング処理の
後、フォトマスクの表面に存在するレジストが洗浄液に
よって除去される。その除去は具体的に以下のように行
われる。
全面に形成した、たとえばクロムなどの遮光膜となる金
属膜にフォトマスク用レジスト（以下、「レジスト」と
記す。）を塗布し、所定の写真製版およびエッチング処
理を施すことによって形成される。エッチング処理の
後、フォトマスクの表面に存在するレジストが洗浄液に
よって除去される。その除去は具体的に以下のように行
われる。
【０００４】まず、有機溶剤によりレジストの大部分を
フォトマスクから剥離させて除去する。次に、フォトマ
スクを硫酸と過酸化水素水の混合液に浸漬して、遮光膜
の表面に存在するレジスト残渣を除去する。次に、フォ
トマスクをアンモニアと過酸化水素水の混合液に浸漬し
て、フォトマスクのガラス表面に付着した異物を除去す
る。従来、フォトマスクはこのように洗浄されていた。
フォトマスクから剥離させて除去する。次に、フォトマ
スクを硫酸と過酸化水素水の混合液に浸漬して、遮光膜
の表面に存在するレジスト残渣を除去する。次に、フォ
トマスクをアンモニアと過酸化水素水の混合液に浸漬し
て、フォトマスクのガラス表面に付着した異物を除去す
る。従来、フォトマスクはこのように洗浄されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フォトマスクの洗浄方法では次のような問題があった。
図９に示すように、フォトマスク１０１の遮光膜１０２
の表面に付着したレジストの残渣を含む異物１０４は、
上述したように、硫酸と過酸化水素水の混合液にフォト
マスクを浸漬することによって洗浄除去される。このと
き、遮光膜１０２の表面は硫酸を含む洗浄液によって、
その表面がエッチングされることになる。
フォトマスクの洗浄方法では次のような問題があった。
図９に示すように、フォトマスク１０１の遮光膜１０２
の表面に付着したレジストの残渣を含む異物１０４は、
上述したように、硫酸と過酸化水素水の混合液にフォト
マスクを浸漬することによって洗浄除去される。このと
き、遮光膜１０２の表面は硫酸を含む洗浄液によって、
その表面がエッチングされることになる。
【０００６】そのため、図１０に示すように、当初、膜
厚ｔ１であった遮光膜１０２の膜厚は、洗浄後にはエッ
チングされた分だけ薄くなって膜厚ｔ２となる。遮光膜
１０２の表面がエッチングされることで、遮光膜１０２
の表面に付着していた異物１０４が表面から離れて洗浄
液に取り込まれ、異物１０４が除去されることになる。
厚ｔ１であった遮光膜１０２の膜厚は、洗浄後にはエッ
チングされた分だけ薄くなって膜厚ｔ２となる。遮光膜
１０２の表面がエッチングされることで、遮光膜１０２
の表面に付着していた異物１０４が表面から離れて洗浄
液に取り込まれ、異物１０４が除去されることになる。
【０００７】ところが、図１１に示すように、フォトマ
スク１０１が硫酸を含む洗浄液に浸漬された状態では、
金属からなる遮光膜１０２の表面電位に起因して、遮光
膜１０２の表面から一旦離れた異物１０４が遮光膜１０
２の表面に再付着する傾向にある。
スク１０１が硫酸を含む洗浄液に浸漬された状態では、
金属からなる遮光膜１０２の表面電位に起因して、遮光
膜１０２の表面から一旦離れた異物１０４が遮光膜１０
２の表面に再付着する傾向にある。
【０００８】また、硫酸の場合、その粘度が高く、硫酸
に含まれる異物を効果的に除去する薬液フィルターがな
いために、そのような硫酸に含まれる異物も遮光膜１０
２の表面に付着する傾向にある。その結果、再付着する
異物により清浄度の高いフォトマスクを得ることが困難
であった。
に含まれる異物を効果的に除去する薬液フィルターがな
いために、そのような硫酸に含まれる異物も遮光膜１０
２の表面に付着する傾向にある。その結果、再付着する
異物により清浄度の高いフォトマスクを得ることが困難
であった。
【０００９】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、１つの目的はフォトマスクの遮光膜
に付着した異物を効果的に除去することができるフォト
マスクの洗浄方法を提供することであり、他の目的は、
そのような洗浄方法に用いられる洗浄液を提供すること
である。
されたものであり、１つの目的はフォトマスクの遮光膜
に付着した異物を効果的に除去することができるフォト
マスクの洗浄方法を提供することであり、他の目的は、
そのような洗浄方法に用いられる洗浄液を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトマス
クの洗浄方法は、フォトマスクに塗布された、マスクパ
ターンを形成するためのフォトマスク用レジストを除去
するためのフォトマスクの洗浄方法であって、主成分と
なる縮合リン酸アンモニウムと、補助剤となる尿素また
はその変態成分と、酸とを含む洗浄液を用いてレジスト
を除去するレジスト除去工程を備えている。
クの洗浄方法は、フォトマスクに塗布された、マスクパ
ターンを形成するためのフォトマスク用レジストを除去
するためのフォトマスクの洗浄方法であって、主成分と
なる縮合リン酸アンモニウムと、補助剤となる尿素また
はその変態成分と、酸とを含む洗浄液を用いてレジスト
を除去するレジスト除去工程を備えている。
【００１１】このフォトマスクの洗浄方法によれば、遮
光膜の表面と異物との間に反発力が作用して、遮光膜か
ら一旦除去された異物を遮光膜に再付着させることなく
効果的に除去することができることが判明した。また、
遮光膜に大きなダメージを与えることもないことも判明
した。
光膜の表面と異物との間に反発力が作用して、遮光膜か
ら一旦除去された異物を遮光膜に再付着させることなく
効果的に除去することができることが判明した。また、
遮光膜に大きなダメージを与えることもないことも判明
した。
【００１２】フォトマスクの洗浄を容易に行なうため
に、レジスト除去工程はフォトマスクを洗浄液に浸漬す
る工程を含んでいることが好ましい。
に、レジスト除去工程はフォトマスクを洗浄液に浸漬す
る工程を含んでいることが好ましい。
【００１３】またより清浄度の高いフォトマスクの洗浄
を行なうために、レジスト除去工程は洗浄液をフォトマ
スクに噴きつける工程を含んでいることがさらに好まし
い。
を行なうために、レジスト除去工程は洗浄液をフォトマ
スクに噴きつける工程を含んでいることがさらに好まし
い。
【００１４】さらに、遮光膜に付着した異物の除去効果
を高めるために、レジスト除去工程は洗浄液に超音波を
印加する工程を含んでいること、洗浄液の温度を８０℃
以上１００℃以下とすること、あるいは界面活性剤を含
んでいることが好ましい。
を高めるために、レジスト除去工程は洗浄液に超音波を
印加する工程を含んでいること、洗浄液の温度を８０℃
以上１００℃以下とすること、あるいは界面活性剤を含
んでいることが好ましい。
【００１５】本発明に係る洗浄液は、フォトマスクに塗
布された、マスクパターンを形成するためのフォトマス
ク用レジストを除去するための洗浄液であって、主成分
となる縮合リン酸アンモニウムと補助剤となる尿素また
はその変態成分と酸とを含んでいる。
布された、マスクパターンを形成するためのフォトマス
ク用レジストを除去するための洗浄液であって、主成分
となる縮合リン酸アンモニウムと補助剤となる尿素また
はその変態成分と酸とを含んでいる。
【００１６】この洗浄液によれば、遮光膜の表面と異物
との間に反発力が作用することが確認され、遮光膜から
一旦除去された異物を遮光膜に再付着させることなく効
果的に除去することができることが判明した。しかも、
遮光膜に大きなダメージを与えることがないことが判明
した。
との間に反発力が作用することが確認され、遮光膜から
一旦除去された異物を遮光膜に再付着させることなく効
果的に除去することができることが判明した。しかも、
遮光膜に大きなダメージを与えることがないことが判明
した。
【００１７】遮光膜に付着した異物の除去効果を高める
とともに、遮光膜へのダメージを抑制する観点から、酸
はリン酸またはオルトリン酸であることが好ましい。
とともに、遮光膜へのダメージを抑制する観点から、酸
はリン酸またはオルトリン酸であることが好ましい。
【００１８】また、遮光膜に付着した異物を効果的に除
去するために、洗浄液は界面活性剤を含んでいることが
好ましい。
去するために、洗浄液は界面活性剤を含んでいることが
好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 本発明の実施の形態１に係るレジストを除去するための
フォトマスクの洗浄方法とその洗浄に用いられる洗浄液
について説明する。
フォトマスクの洗浄方法とその洗浄に用いられる洗浄液
について説明する。
【００２０】図１に示すように、フォトマスク１の遮光
膜２は、フォトマスク１の表面に形成したレジスト３の
パターンをマスクとして、遮光膜２となる金属膜（図示
せず）に所定のエッチング処理を施すことによって形成
される。次に、レジスト３が残ったフォトマスク１を、
まず、有機溶剤に浸漬して（図示せず）、レジスト３の
大部分を遮光膜２から剥離させる。このとき、有機溶剤
ではレジスト３を完全に除去することができない。
膜２は、フォトマスク１の表面に形成したレジスト３の
パターンをマスクとして、遮光膜２となる金属膜（図示
せず）に所定のエッチング処理を施すことによって形成
される。次に、レジスト３が残ったフォトマスク１を、
まず、有機溶剤に浸漬して（図示せず）、レジスト３の
大部分を遮光膜２から剥離させる。このとき、有機溶剤
ではレジスト３を完全に除去することができない。
【００２１】そこで次に、図２に示すように、遮光膜２
の表面に付着したレジスト残渣を含む異物４を、所定の
洗浄液にて除去することになる。
の表面に付着したレジスト残渣を含む異物４を、所定の
洗浄液にて除去することになる。
【００２２】ここで、その洗浄液について説明する。洗
浄液は、主成分となる縮合リン酸アンモニウム、補助剤
となる尿素またはその変態成分および酸を含む水溶性の
洗浄液である。縮合リン酸アンモニウムとしては、重合
度２００以下の縮合リン酸アンモニウムであることが望
ましい。
浄液は、主成分となる縮合リン酸アンモニウム、補助剤
となる尿素またはその変態成分および酸を含む水溶性の
洗浄液である。縮合リン酸アンモニウムとしては、重合
度２００以下の縮合リン酸アンモニウムであることが望
ましい。
【００２３】これは、縮合リン酸アンモニウムの重合度
が２００を超えると、縮合リン酸アンモニウムが十分に
溶解せずに洗浄効果が低下するからである。重合度が２
００以下であれば、縮合リン酸アンモニウムのモノマー
であっても洗浄効果が得られることが確認された。
が２００を超えると、縮合リン酸アンモニウムが十分に
溶解せずに洗浄効果が低下するからである。重合度が２
００以下であれば、縮合リン酸アンモニウムのモノマー
であっても洗浄効果が得られることが確認された。
【００２４】また、酸としては、フォトマスクに形成さ
れた遮光膜の溶解性の観点から、リン酸またはオルトリ
ン酸であることが望ましい。さらに、遮光膜に付着した
異物を効果的に除去するために洗浄液に界面活性剤を加
えることも望ましい。
れた遮光膜の溶解性の観点から、リン酸またはオルトリ
ン酸であることが望ましい。さらに、遮光膜に付着した
異物を効果的に除去するために洗浄液に界面活性剤を加
えることも望ましい。
【００２５】次に、上述した洗浄液を用いた洗浄方法に
ついて説明する。図３に示すように、洗浄槽５に上記洗
浄液６を入れる。次に、異物が付着したフォトマスク１
を洗浄液６に浸漬する。このとき、洗浄液６の温度を８
０℃以上１００℃以下に設定することが望ましい。洗浄
液の温度が８０℃よりも低い温度では、異物を効果的に
除去することが困難である。一方、洗浄液の温度が１０
０℃を超えると、水分の蒸発が顕著になって洗浄液の濃
度の制御が困難になる。
ついて説明する。図３に示すように、洗浄槽５に上記洗
浄液６を入れる。次に、異物が付着したフォトマスク１
を洗浄液６に浸漬する。このとき、洗浄液６の温度を８
０℃以上１００℃以下に設定することが望ましい。洗浄
液の温度が８０℃よりも低い温度では、異物を効果的に
除去することが困難である。一方、洗浄液の温度が１０
０℃を超えると、水分の蒸発が顕著になって洗浄液の濃
度の制御が困難になる。
【００２６】洗浄液６にフォトマスク１を適当な時間浸
漬することで、遮光膜２の表面がエッチングされること
になる。なお、図１に示す遮光膜２は、遮光膜のパター
ンの一部を示しているのに対して、図３に示す遮光膜２
はパターンの全体を示す。
漬することで、遮光膜２の表面がエッチングされること
になる。なお、図１に示す遮光膜２は、遮光膜のパター
ンの一部を示しているのに対して、図３に示す遮光膜２
はパターンの全体を示す。
【００２７】このように洗浄液６にフォトマスク１を浸
漬することで、図４に示すように、当初、膜厚ｔ１であ
った遮光膜２の膜厚は、洗浄後にはエッチングされた分
だけ薄くなって膜厚ｔ２となる。なお、この実施の形態
でいう膜厚ｔ２は、当初の膜厚ｔ１よりも薄くなること
を示したものであり、従来技術において説明した洗浄後
における膜厚ｔ２と同じ膜厚になることを意味するもの
ではない。
漬することで、図４に示すように、当初、膜厚ｔ１であ
った遮光膜２の膜厚は、洗浄後にはエッチングされた分
だけ薄くなって膜厚ｔ２となる。なお、この実施の形態
でいう膜厚ｔ２は、当初の膜厚ｔ１よりも薄くなること
を示したものであり、従来技術において説明した洗浄後
における膜厚ｔ２と同じ膜厚になることを意味するもの
ではない。
【００２８】次に、フォトマスク１をアンモニアと過酸
化水素水の混合液に浸漬して（図示せず）、フォトマス
ク１のガラス表面に付着した異物を除去する。その後、
フォトマスク１を乾燥させて洗浄処理が完了する。
化水素水の混合液に浸漬して（図示せず）、フォトマス
ク１のガラス表面に付着した異物を除去する。その後、
フォトマスク１を乾燥させて洗浄処理が完了する。
【００２９】この洗浄方法によれば、特に図４に示す工
程において、遮光膜２の表面がエッチングされること
で、遮光膜２の表面に付着していた異物４は表面から離
れることになる。このとき、図５に示すように一旦遮光
膜２の表面から離れた異物４が遮光膜２の表面に再付着
するのが抑制され、高い洗浄効果が得られることが判明
した。
程において、遮光膜２の表面がエッチングされること
で、遮光膜２の表面に付着していた異物４は表面から離
れることになる。このとき、図５に示すように一旦遮光
膜２の表面から離れた異物４が遮光膜２の表面に再付着
するのが抑制され、高い洗浄効果が得られることが判明
した。
【００３０】これは、従来、硫酸を用いて洗浄していた
場合では、金属膜からなる遮光膜の表面電位に起因して
一旦遮光膜の表面から離れた異物が遮光膜の表面に引き
寄せられて再付着していたのと比較すると、本洗浄液を
用いて洗浄する場合には、むしろ遮光膜２の表面と異物
４との間に反発力が作用して、異物４の再付着が抑制さ
れるものと考えられる。
場合では、金属膜からなる遮光膜の表面電位に起因して
一旦遮光膜の表面から離れた異物が遮光膜の表面に引き
寄せられて再付着していたのと比較すると、本洗浄液を
用いて洗浄する場合には、むしろ遮光膜２の表面と異物
４との間に反発力が作用して、異物４の再付着が抑制さ
れるものと考えられる。
【００３１】また、洗浄液６そのものに含まれる異物も
既存の薬液フィルターによって除去することができるた
め、硫酸の場合のように、既存の薬液フィルターでは薬
液に含まれる異物を除去することができないということ
がなくなり、フォトマスク１の清浄度をさらに高めるこ
とができることがわかった。
既存の薬液フィルターによって除去することができるた
め、硫酸の場合のように、既存の薬液フィルターでは薬
液に含まれる異物を除去することができないということ
がなくなり、フォトマスク１の清浄度をさらに高めるこ
とができることがわかった。
【００３２】さらに、この洗浄液を用いた洗浄方法では
遮光膜がある程度エッチングされることになるが、遮光
膜に与えるダメージも洗浄する時間を調節したり、洗浄
液に含まれる酸としてリン酸またはオルトリン酸とする
ことで問題のないレベルとすることができることが確認
された。
遮光膜がある程度エッチングされることになるが、遮光
膜に与えるダメージも洗浄する時間を調節したり、洗浄
液に含まれる酸としてリン酸またはオルトリン酸とする
ことで問題のないレベルとすることができることが確認
された。
【００３３】実施の形態２ 本発明の実施の形態２に係る洗浄方法について説明す
る。なお、実施の形態２〜４においては、実施の形態１
において説明した洗浄液による洗浄工程だけを説明し、
その前後の工程については前述した工程と同様なので、
その説明を省略する。
る。なお、実施の形態２〜４においては、実施の形態１
において説明した洗浄液による洗浄工程だけを説明し、
その前後の工程については前述した工程と同様なので、
その説明を省略する。
【００３４】実施の形態１においては、フォトマスクを
洗浄液に浸漬することによって、フォトマスクに付着し
たレジスト等の異物を洗浄する場合について説明した。
実施の形態２においては、実施の形態１において説明し
た洗浄液をフォトマスクに噴射することによって洗浄す
る方法について説明する。
洗浄液に浸漬することによって、フォトマスクに付着し
たレジスト等の異物を洗浄する場合について説明した。
実施の形態２においては、実施の形態１において説明し
た洗浄液をフォトマスクに噴射することによって洗浄す
る方法について説明する。
【００３５】すなわち、図６に示すように、ノズル７か
ら洗浄液をフォトマスク１に向けて噴射する。このと
き、レジスト等の異物が付着した遮光膜２に向けて重点
的に噴射しながら、フォトマスク１の全面に洗浄液６を
まんべなく噴きつけることで、フォトマスク１に付着し
た異物を完全に除去することができる。
ら洗浄液をフォトマスク１に向けて噴射する。このと
き、レジスト等の異物が付着した遮光膜２に向けて重点
的に噴射しながら、フォトマスク１の全面に洗浄液６を
まんべなく噴きつけることで、フォトマスク１に付着し
た異物を完全に除去することができる。
【００３６】特に、この洗浄方法では、フォトマスク１
には常に新鮮な洗浄液６が噴きつけられることになり、
フォトマスク１に異物が再付着するのをほぼ完全になく
すことができる。その結果、フォトマスク１の清浄度を
さらに高めることができることがわかった。
には常に新鮮な洗浄液６が噴きつけられることになり、
フォトマスク１に異物が再付着するのをほぼ完全になく
すことができる。その結果、フォトマスク１の清浄度を
さらに高めることができることがわかった。
【００３７】なお、この場合には、洗浄液の温度として
は特に限定されないが、実施の形態１において説明した
ように、洗浄液の温度を８０℃以上１００℃以下にする
ことで、フォトマスク１に付着しているレジスト等の異
物を効果的に除去することができる。
は特に限定されないが、実施の形態１において説明した
ように、洗浄液の温度を８０℃以上１００℃以下にする
ことで、フォトマスク１に付着しているレジスト等の異
物を効果的に除去することができる。
【００３８】実施の形態３ 本実施の形態では、実施の形態１において説明した洗浄
液に超音波を印加してフォトマスクを洗浄する方法につ
いて説明する。
液に超音波を印加してフォトマスクを洗浄する方法につ
いて説明する。
【００３９】図７に示すように、洗浄槽として、たとえ
ば底面に超音波振動子８が装着された洗浄槽５を用い
る。その洗浄槽５に洗浄液６を入れて、レジストなどの
異物の付着したフォトマスク１を浸漬する。そして、超
音波振動子８により洗浄液６を振動させる。
ば底面に超音波振動子８が装着された洗浄槽５を用い
る。その洗浄槽５に洗浄液６を入れて、レジストなどの
異物の付着したフォトマスク１を浸漬する。そして、超
音波振動子８により洗浄液６を振動させる。
【００４０】この洗浄方法では、特に洗浄液６が振動す
ることで、フォトマスク１に付着した異物をより効果的
に除去することができる。
ることで、フォトマスク１に付着した異物をより効果的
に除去することができる。
【００４１】なお、この場合にも、洗浄液の温度を８０
℃以上１００℃以下にすることで、超音波の印加ととも
にフォトマスク１に付着しているレジスト等の異物をさ
らに効果的に除去することができる。
℃以上１００℃以下にすることで、超音波の印加ととも
にフォトマスク１に付着しているレジスト等の異物をさ
らに効果的に除去することができる。
【００４２】実施の形態４ 本実施の形態においては、洗浄液に超音波を印加して洗
浄する他の方法について説明する。
浄する他の方法について説明する。
【００４３】図８に示すように、ノズルとして、先端部
分に超音波振動子９が装着されたノズル７を用いる。そ
のノズル７からレジストなどの異物が付着したフォトマ
スク１に向けて洗浄液を噴射する。ノズル７から噴射す
る洗浄液には、超音波振動子９によって超音波が印加さ
れる。
分に超音波振動子９が装着されたノズル７を用いる。そ
のノズル７からレジストなどの異物が付着したフォトマ
スク１に向けて洗浄液を噴射する。ノズル７から噴射す
る洗浄液には、超音波振動子９によって超音波が印加さ
れる。
【００４４】超音波が印加された洗浄液をフォトマスク
の遮光膜２に重点的に噴きつけながら、フォトマスク１
の全面にまんべんなく噴きつけることで、レジストなど
の異物を完全に除去することができる。
の遮光膜２に重点的に噴きつけながら、フォトマスク１
の全面にまんべんなく噴きつけることで、レジストなど
の異物を完全に除去することができる。
【００４５】この洗浄方法では、フォトマスク１に常に
新鮮な洗浄液が噴きつけられることに加えて、洗浄液に
超音波が印加されていることで、除去された異物をフォ
トマスク１の表面に再付着させることなく、より確実に
除去することができる。
新鮮な洗浄液が噴きつけられることに加えて、洗浄液に
超音波が印加されていることで、除去された異物をフォ
トマスク１の表面に再付着させることなく、より確実に
除去することができる。
【００４６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記の説明ではなくて特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記の説明ではなくて特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００４７】
【発明の効果】本発明に係るフォトマスクの洗浄方法に
よれば、遮光膜の表面と異物との間に反発力が作用し
て、遮光膜から一旦除去された異物を遮光膜に再付着さ
せることなく効果的に除去することができることが判明
した。また、遮光膜に大きなダメージを与えることもな
いことも判明した。
よれば、遮光膜の表面と異物との間に反発力が作用し
て、遮光膜から一旦除去された異物を遮光膜に再付着さ
せることなく効果的に除去することができることが判明
した。また、遮光膜に大きなダメージを与えることもな
いことも判明した。
【００４８】フォトマスクの洗浄を容易に行なうため
に、レジスト除去工程はフォトマスクを洗浄液に浸漬す
る工程を含んでいることが好ましい。
に、レジスト除去工程はフォトマスクを洗浄液に浸漬す
る工程を含んでいることが好ましい。
【００４９】またより清浄度の高いフォトマスクの洗浄
を行なうために、レジスト除去工程は洗浄液をフォトマ
スクに噴きつける工程を含んでいることがさらに好まし
い。
を行なうために、レジスト除去工程は洗浄液をフォトマ
スクに噴きつける工程を含んでいることがさらに好まし
い。
【００５０】さらに、遮光膜に付着した異物の除去効果
を高めるために、レジスト除去工程は洗浄液に超音波を
印加する工程を含んでいること、洗浄液の温度を８０℃
以上１００℃以下とすること、あるいは界面活性剤を含
んでいることが好ましい。
を高めるために、レジスト除去工程は洗浄液に超音波を
印加する工程を含んでいること、洗浄液の温度を８０℃
以上１００℃以下とすること、あるいは界面活性剤を含
んでいることが好ましい。
【００５１】本発明に係る洗浄液によれば、遮光膜の表
面と異物との間に反発力が作用することが確認され、遮
光膜から一旦除去された異物を遮光膜に再付着させるこ
となく効果的に除去することができることが判明した。
しかも、遮光膜に大きなダメージを与えることがないこ
とが判明した。
面と異物との間に反発力が作用することが確認され、遮
光膜から一旦除去された異物を遮光膜に再付着させるこ
となく効果的に除去することができることが判明した。
しかも、遮光膜に大きなダメージを与えることがないこ
とが判明した。
【００５２】遮光膜に付着した異物の除去効果を高める
とともに、遮光膜へのダメージを抑制する観点から、酸
はリン酸またはオルトリン酸であることが好ましい。
とともに、遮光膜へのダメージを抑制する観点から、酸
はリン酸またはオルトリン酸であることが好ましい。
【００５３】また、遮光膜に付着した異物を効果的に除
去するために、洗浄液は界面活性剤を含んでいることが
好ましい。
去するために、洗浄液は界面活性剤を含んでいることが
好ましい。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る洗浄方法の一工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】 同実施の形態において、図１に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。
に行われる工程を示す断面図である。
【図３】 同実施の形態において、図２に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。
に行われる工程を示す断面図である。
【図４】 同実施の形態において、図３に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。
に行われる工程を示す断面図である。
【図５】 同実施の形態において、図４に示す工程の後
に行われる工程を示す断面図である。
に行われる工程を示す断面図である。
【図６】 本発明の実施の形態２に係る洗浄方法の一工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図７】 本発明の実施の形態３に係る洗浄方法の一工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図８】 本発明の実施の形態４に係る洗浄方法の一工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図９】 従来のフォトマスクの洗浄方法の一工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１０】 図９に示す工程の後に行われる工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図１１】 図１０に示す工程の後に行われる工程を示
す断面図である。
す断面図である。
１ フォトマスク、２ 遮光膜、３ レジスト、４ 異
物、５ 洗浄槽、６洗浄液、７ ノズル、８、９ 超音
波振動子。
物、５ 洗浄槽、６洗浄液、７ ノズル、８、９ 超音
波振動子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 3/04 Ｃ１１Ｄ 3/04 3/06 3/06 3/26 3/26 7/08 7/08 7/16 7/16 7/32 7/32 17/08 17/08 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ (71)出願人 397020283 フアインポリマーズ株式会社 東京都中央区日本橋本町４丁目11番２号 (72)発明者 田中 眞一郎 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 村中 誠志 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 菅野 至 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山本 博正 大阪府大阪市中央区伏見町三丁目３番７号 岸本産業株式会社内 (72)発明者 大串 建 千葉県東葛飾郡関宿町西高野353 フアイ ンポリマーズ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BB21 BB30 BB38 2H096 AA24 LA02 LA03 3B201 AA02 AB01 BB02 BB21 BB82 BB92 BB94 BB96 CB01 4H003 DA15 DC04 EA08 EA11 EB18 ED02 FA06 FA21
Claims (9)
- 【請求項１】 フォトマスクに塗布された、マスクパタ
ーンを形成するためのフォトマスク用レジストを除去す
るためのフォトマスクの洗浄方法であって、 主成分となる縮合リン酸アンモニウムと、補助剤となる
尿素またはその変態成分と、酸とを含む洗浄液を用いて
前記レジストを除去するレジスト除去工程を備えた、フ
ォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項２】 前記レジスト除去工程は、前記洗浄液を
前記フォトマスクに噴きつける工程を含む、請求項１記
載のフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項３】 前記レジスト除去工程は、前記フォトマ
スクを前記洗浄液に浸漬する工程を含む、請求項１記載
のフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項４】 前記レジスト除去工程は、前記洗浄液に
超音波を印加する工程を含む、請求項１〜３のいずれか
に記載のフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項５】 前記洗浄液の温度は８０℃以上１００℃
以下である、請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマ
スクの洗浄方法。 - 【請求項６】 前記洗浄液は界面活性剤を含む、請求項
１〜５のいずれかに記載のフォトマスクの洗浄方法。 - 【請求項７】 フォトマスクに塗布された、マスクパタ
ーンを形成するためのフォトマスク用レジストを除去す
るための洗浄液であって、 主成分となる縮合リン酸アンモニウムと、 補助剤となる尿素またはその変態成分と、 酸とを含む、洗浄液。 - 【請求項８】 前記酸はリン酸またはオルトリン酸であ
る、請求項７記載の洗浄液。 - 【請求項９】 界面活性剤をさらに含む、請求項７また
は８に記載の洗浄液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000328304A JP2002131891A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000328304A JP2002131891A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002131891A true JP2002131891A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18805177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000328304A Withdrawn JP2002131891A (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002131891A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101240333B1 (ko) | 2007-08-24 | 2013-03-07 | 삼성전자주식회사 | 마스크 표면에 흡착된 이온 분석 장치 및 방법 |
| JP2013154315A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、およびインクジェット記録装置 |
| KR20190042184A (ko) * | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 세메스 주식회사 | 포토 마스크 세정 방법 |
| CN114247695A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-03-29 | 安徽应友光电科技有限公司 | 一种关于OLED掩膜版open mask表面镁银材料的清洗方法 |
-
2000
- 2000-10-27 JP JP2000328304A patent/JP2002131891A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101240333B1 (ko) | 2007-08-24 | 2013-03-07 | 삼성전자주식회사 | 마스크 표면에 흡착된 이온 분석 장치 및 방법 |
| JP2013154315A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、およびインクジェット記録装置 |
| KR20190042184A (ko) * | 2017-10-16 | 2019-04-24 | 세메스 주식회사 | 포토 마스크 세정 방법 |
| KR102041309B1 (ko) | 2017-10-16 | 2019-11-06 | 세메스 주식회사 | 포토 마스크 세정 방법 |
| CN114247695A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-03-29 | 安徽应友光电科技有限公司 | 一种关于OLED掩膜版open mask表面镁银材料的清洗方法 |
| CN114247695B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-08-29 | 安徽应友光电科技有限公司 | 一种关于OLED掩膜版open mask表面镁银材料的清洗方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3690619B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP3441715B2 (ja) | 水性リンス組成物及びそれを用いた方法 | |
| JP2005191587A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2002131891A (ja) | フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液 | |
| JP2009267192A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| KR101366904B1 (ko) | 드라이 에칭 잔사 제거를 위한 박리액 조성물 및 이를이용한 박리방법 | |
| KR102304312B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 노즐과 그 제조방법 및 메가소닉 세정 모듈 | |
| JP2983356B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2002131890A (ja) | フォトマスクの洗浄方法およびそれに用いられる洗浄液 | |
| JP2001102369A (ja) | レジスト除去方法 | |
| JPH08144075A (ja) | メタル上の異物の除去方法およびその装置 | |
| JP4019656B2 (ja) | 板状基板の流体処理方法および処理装置 | |
| JPH0364758A (ja) | フォトレジスト剥離方法 | |
| JP2888732B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003142475A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1062965A (ja) | フォトマスクの洗浄装置及びフォトマスクの洗浄方法 | |
| JPH10276055A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
| TW200413501A (en) | Solution for removal residue of post dry etch | |
| JP2008244323A (ja) | ステンシルマスク | |
| KR100441710B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| JP2010021320A (ja) | エッチング方法 | |
| JPH1079366A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
| JPS6053954A (ja) | フォトマスク洗浄方法 | |
| KR100823035B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPH0575110B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080108 |