JPS6053954A - フォトマスク洗浄方法 - Google Patents
フォトマスク洗浄方法Info
- Publication number
- JPS6053954A JPS6053954A JP58163081A JP16308183A JPS6053954A JP S6053954 A JPS6053954 A JP S6053954A JP 58163081 A JP58163081 A JP 58163081A JP 16308183 A JP16308183 A JP 16308183A JP S6053954 A JPS6053954 A JP S6053954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- mask
- washing
- cleaning
- liq
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体、磁気バブル素子、光応用部品等の製造
時に用いる微細加工用転写マスクの洗浄方法に関する。
時に用いる微細加工用転写マスクの洗浄方法に関する。
（従来技術の説＃ｌ）
半導体集積回路等の製造において、回路のパターン形成
に、例えば、クロム、酸化クロム、低反射クロム、その
他等の材料を用いたフォトマスクを介してパターン転写
を行うのが常法である。
に、例えば、クロム、酸化クロム、低反射クロム、その
他等の材料を用いたフォトマスクを介してパターン転写
を行うのが常法である。
この場合、より微細なパターンを形成するためには、マ
スクとレジストとを密着（コンタクト）して露光するの
がよい、しかしながら、このコンタクト露光を行えば、
必らずマスク面にレジストが付着してマスクを汚し、こ
のマスクを次のレジストパターン形成に用いると、この
汚れが原因となって、パターン切れ等が起り、歩留りの
低下を招いていた。
スクとレジストとを密着（コンタクト）して露光するの
がよい、しかしながら、このコンタクト露光を行えば、
必らずマスク面にレジストが付着してマスクを汚し、こ
のマスクを次のレジストパターン形成に用いると、この
汚れが原因となって、パターン切れ等が起り、歩留りの
低下を招いていた。
また、マスクの清浄が不充分であると、マスクに塵芥或
いはレジスト等の付着物が残存してしまう。この場合、
両者を密着くさせると、これら残存物のためマスクとレ
ジストとの間に、ギャップが形成され、これがため、密
着露光が得られず、パターン寸法に設計値とのずれが生
じ、歩留りの低下を来たす。
いはレジスト等の付着物が残存してしまう。この場合、
両者を密着くさせると、これら残存物のためマスクとレ
ジストとの間に、ギャップが形成され、これがため、密
着露光が得られず、パターン寸法に設計値とのずれが生
じ、歩留りの低下を来たす。
このため、マスクの再使用に際し、このマスクを充分に
洗浄し、付着物を予め完全に除去することが必要である
。従来から用いられているマスク清浄する方法として、
ガスジェット洗浄、高分子膜の塗布と剥離とによる清掃
方法、ブラシャスボンジ等によるスクラッピング方法、
高圧水スプレーによる方法、酸、アルカリ、有機洗剤に
浸漬させて行う洗浄方法等がある。これらの洗浄方法で
ほ経験的に完全清浄が困難で、使用に耐えると思われる
程度までの汚れの低減には少なくとも３０分程度という
相当長い時間が掛っていた。従って、従来より完全清浄
でかつ早急に洗浄できる方法が望まれていた。
洗浄し、付着物を予め完全に除去することが必要である
。従来から用いられているマスク清浄する方法として、
ガスジェット洗浄、高分子膜の塗布と剥離とによる清掃
方法、ブラシャスボンジ等によるスクラッピング方法、
高圧水スプレーによる方法、酸、アルカリ、有機洗剤に
浸漬させて行う洗浄方法等がある。これらの洗浄方法で
ほ経験的に完全清浄が困難で、使用に耐えると思われる
程度までの汚れの低減には少なくとも３０分程度という
相当長い時間が掛っていた。従って、従来より完全清浄
でかつ早急に洗浄できる方法が望まれていた。
（発明の目的）
本発明の目的は従来よりも極めて短い時間で完全に清浄
出来るフォトレジストの洗浄方法を提供するにある。
出来るフォトレジストの洗浄方法を提供するにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、洗浄液として過酸化水素水
と濃硫酸との混合液を使用し、これに超音波洗浄を併用
することを特徴とする。
と濃硫酸との混合液を使用し、これに超音波洗浄を併用
することを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、本発明の実施例につき説明する。
木兄明哀等はクロム、酸化クロム及び低反射クロム材料
のマスクに夫々付着した色々な有機系の材料からなるレ
ジストに対して数々の実験を行った結果、洗浄液として
過酸化水素水と濃硫酸との混合液を使用し、この混合液
中にレジストが付着したマスクを浸漬させる洗浄に、超
音波洗浄を併用することにより、従来要駿た洗浄時間よ
りも遥に短時間で、しかも、マスクにイづ着したレジス
トを完全に清浄することが出来るということを見いだし
た。この場合使用した超音波の周波数はマスクに付着し
たレジストを除去する目的から当然マスク或いは基板等
を痛めない範囲の周波数を使用した。
のマスクに夫々付着した色々な有機系の材料からなるレ
ジストに対して数々の実験を行った結果、洗浄液として
過酸化水素水と濃硫酸との混合液を使用し、この混合液
中にレジストが付着したマスクを浸漬させる洗浄に、超
音波洗浄を併用することにより、従来要駿た洗浄時間よ
りも遥に短時間で、しかも、マスクにイづ着したレジス
トを完全に清浄することが出来るということを見いだし
た。この場合使用した超音波の周波数はマスクに付着し
たレジストを除去する目的から当然マスク或いは基板等
を痛めない範囲の周波数を使用した。
本発明を以下の実施例及び比較例によって説明する。こ
こで述べる実施例は本発明の範囲内の好ましい特定の条
件の下で説明しているが、それは単なる例示にすぎない
ものであり、この発明がこの実施例にのみ限定されるも
のではないことに理解されたい。
こで述べる実施例は本発明の範囲内の好ましい特定の条
件の下で説明しているが、それは単なる例示にすぎない
ものであり、この発明がこの実施例にのみ限定されるも
のではないことに理解されたい。
実施例
以前にパターン転写のための接触露光に用いたためレジ
ストが付着したマスクを、洗浄液すなわち容積比でｌ：
ｌの割合で過酸化水素水と濃硫酸とを混合した混合液に
、浸漬し、そしてマスクをこの洗浄液に浸漬させた状態
で、１ｏ分間超音波洗浄を行った。次に、マスクを洗浄
液から取り出して純水でリンスした後、この洗浄したマ
スクを金属顕微鏡で観察したところ完全にレジストが除
去されていて、マスクが完全清浄状態にあることが確認
された。
ストが付着したマスクを、洗浄液すなわち容積比でｌ：
ｌの割合で過酸化水素水と濃硫酸とを混合した混合液に
、浸漬し、そしてマスクをこの洗浄液に浸漬させた状態
で、１ｏ分間超音波洗浄を行った。次に、マスクを洗浄
液から取り出して純水でリンスした後、この洗浄したマ
スクを金属顕微鏡で観察したところ完全にレジストが除
去されていて、マスクが完全清浄状態にあることが確認
された。
比較例
これに対し、」二連の実施例２同様にレジストが付着し
ているマスクを同様な体積比の過酸化水素水と濃硫酸と
の混合液に浸漬させのみで、この場合には超音波洗浄を
併用しなかった。洗浄液から取り出したマスクを同様に
金属顕微鏡で観察したところ、マスクに付着しているレ
ジストは除去されず残存していることが確認された。
ているマスクを同様な体積比の過酸化水素水と濃硫酸と
の混合液に浸漬させのみで、この場合には超音波洗浄を
併用しなかった。洗浄液から取り出したマスクを同様に
金属顕微鏡で観察したところ、マスクに付着しているレ
ジストは除去されず残存していることが確認された。
以」−説明したように、本発明によれば、過酸化水素水
と濃硫酸との混合液を洗浄液として用い、これに超音波
洗浄を併用してマスクの洗浄を極めて良好かつ迅速に行
うことが出来るが、それは次のような理由によるものと
考えられる。すなわち濃硫酸と過酸化水素水との溶媒は
酸化力が強く、マスクの付着物を酸化することが出来、
一方、超音波の作用により溶媒との反応層は速やかに除
去されるので、マスク表面に常に新しい酸化作用を有す
る溶媒を供給出来ることとなり、従って、汚れを非常に
早く除去出来るものと思われる。
と濃硫酸との混合液を洗浄液として用い、これに超音波
洗浄を併用してマスクの洗浄を極めて良好かつ迅速に行
うことが出来るが、それは次のような理由によるものと
考えられる。すなわち濃硫酸と過酸化水素水との溶媒は
酸化力が強く、マスクの付着物を酸化することが出来、
一方、超音波の作用により溶媒との反応層は速やかに除
去されるので、マスク表面に常に新しい酸化作用を有す
る溶媒を供給出来ることとなり、従って、汚れを非常に
早く除去出来るものと思われる。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかのように、本発明のフォトマ
スクの洗浄方法によれば、一旦使用したためマスクに付
着したレジスト、或いは、予めマスクに付着している塵
芥等を従来よりも著しく早くしかも完全に除去出来ると
いう利点がある。
スクの洗浄方法によれば、一旦使用したためマスクに付
着したレジスト、或いは、予めマスクに付着している塵
芥等を従来よりも著しく早くしかも完全に除去出来ると
いう利点がある。
従って、本発明により処理されたマスクをパターン転写
に再使用しても、密着露光が可能となりパターン切れが
起らず、パターン寸法を設計値通りに形成し得るので、
従来よりも歩留りを著しく高めることが出来る。
に再使用しても、密着露光が可能となりパターン切れが
起らず、パターン寸法を設計値通りに形成し得るので、
従来よりも歩留りを著しく高めることが出来る。
従って、本発明の洗浄方法は半導体集積回路、磁気バブ
ル素子或いは光応用部品等の製造時に用いるフォトマス
クの洗浄に利用して好適である。
ル素子或いは光応用部品等の製造時に用いるフォトマス
クの洗浄に利用して好適である。
Claims (1)
- 微細加工用転写フォトマスクの洗浄に当り、該フォトマ
スクを過酸化水素水と濃硫酸との混合液に浸漬させなが
ら超音波洗浄することを特徴とするフォトマスク洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163081A JPS6053954A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | フォトマスク洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163081A JPS6053954A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | フォトマスク洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6053954A true JPS6053954A (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=15766818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163081A Pending JPS6053954A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | フォトマスク洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088946A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Hoya Corp | クロムマスクの洗浄方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021681A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-03-07 | ||
| JPS57119347A (en) * | 1981-01-17 | 1982-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for washing photomask |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP58163081A patent/JPS6053954A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021681A (ja) * | 1973-05-24 | 1975-03-07 | ||
| JPS57119347A (en) * | 1981-01-17 | 1982-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for washing photomask |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6088946A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Hoya Corp | クロムマスクの洗浄方法 |
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