JPH0575110B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0575110B2 JPH0575110B2 JP11255487A JP11255487A JPH0575110B2 JP H0575110 B2 JPH0575110 B2 JP H0575110B2 JP 11255487 A JP11255487 A JP 11255487A JP 11255487 A JP11255487 A JP 11255487A JP H0575110 B2 JPH0575110 B2 JP H0575110B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ethylene glycol
- acetate
- solution
- resist
- ether
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウエハー上にレジストをスピンコート法等によ
り塗布した場合、ウエハーの裏面やエツジ部分に
付着した不要レジストをエチレングリコール系溶
液とエステル系溶液との混合液を用いて洗浄、除
去を行なう。
り塗布した場合、ウエハーの裏面やエツジ部分に
付着した不要レジストをエチレングリコール系溶
液とエステル系溶液との混合液を用いて洗浄、除
去を行なう。
本発明はレジスト除去方法に係り、特に例えば
ウエハー裏面やエツジ部に付着した不要レジスト
を除去する方法に関するものである。
ウエハー裏面やエツジ部に付着した不要レジスト
を除去する方法に関するものである。
半導体装置の製造の際に用いる、微細パターン
を転写するリソグラフイー技術においてホトレジ
ストをスピンコート法によりウエハーに塗布する
工程がしばしば用いられている。
を転写するリソグラフイー技術においてホトレジ
ストをスピンコート法によりウエハーに塗布する
工程がしばしば用いられている。
レジストをウエハー（基板）上にスピンコート
法を用いて塗布した場合ウエハーのエツジ部や裏
面のパターニングに無関係な領域に不要なレジス
トが球状に近い状態で付着する。特にウエハーエ
ツジ部の不要レジストはウエハー移動の際カセツ
ト等と接触してゴミの要因となり、またウエハー
裏面に付着した不要レジストは露光時のdefocus
の要因となり精度の高いパターンが形成されず歩
留りが低下する。そのためエステル系溶液を用い
てウエハー裏面及びエツジ部の吹き付け洗浄を行
なつて来た。
法を用いて塗布した場合ウエハーのエツジ部や裏
面のパターニングに無関係な領域に不要なレジス
トが球状に近い状態で付着する。特にウエハーエ
ツジ部の不要レジストはウエハー移動の際カセツ
ト等と接触してゴミの要因となり、またウエハー
裏面に付着した不要レジストは露光時のdefocus
の要因となり精度の高いパターンが形成されず歩
留りが低下する。そのためエステル系溶液を用い
てウエハー裏面及びエツジ部の吹き付け洗浄を行
なつて来た。
しかしながら最近解像性を向上させるために用
いられ主流となつてきた高解像ノボラツクレジス
トはエステル系溶液には難溶な感光剤が多く含ま
れておりこのエステル系溶液のみでは不要レジス
トを十分に洗浄、除去することが不可能となつて
きた。
いられ主流となつてきた高解像ノボラツクレジス
トはエステル系溶液には難溶な感光剤が多く含ま
れておりこのエステル系溶液のみでは不要レジス
トを十分に洗浄、除去することが不可能となつて
きた。
上記問題点は本発明によれば基板表面上にノボ
ラツク系ポジレジストを塗布した際、該基板の裏
面及び端部に付着した不要レジストをエチレング
リコール系溶液とエステル系溶液の混合液（この
混合液において、該エチレングリコール系溶液は
体積％で30％以上70％以下で混合されている）で
除去することを特徴とするレジスト除去方法によ
つて解決される。
ラツク系ポジレジストを塗布した際、該基板の裏
面及び端部に付着した不要レジストをエチレング
リコール系溶液とエステル系溶液の混合液（この
混合液において、該エチレングリコール系溶液は
体積％で30％以上70％以下で混合されている）で
除去することを特徴とするレジスト除去方法によ
つて解決される。
本発明ではノボラツク系ポジレジストが高解度
を目的として、従来単独で用いられていたエステ
ル系溶液に難溶の感光剤を含むため有効である。
を目的として、従来単独で用いられていたエステ
ル系溶液に難溶の感光剤を含むため有効である。
また本願で用いるエチレングリコール溶液とし
てはエチレングリコール、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、エチレングリコールジエチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチ
レングリコールモノブチルエーテルアセテート、
及びエチレングリコールジブチルエーテルアセテ
ートがあげられる。
てはエチレングリコール、エチレングリコールモ
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エチルエーテル、エチレングリコールジエチルエ
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セテート、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチ
レングリコールモノブチルエーテルアセテート、
及びエチレングリコールジブチルエーテルアセテ
ートがあげられる。
該エチレングリコール溶液はエステル系溶液と
の混合液中に体積％で30％以上70％以下であるこ
とが好ましく、エチレングリコール系溶液が30％
未満では洗浄効果が低下し、一方70％を超えると
乾燥（揮発）性が低下する。
の混合液中に体積％で30％以上70％以下であるこ
とが好ましく、エチレングリコール系溶液が30％
未満では洗浄効果が低下し、一方70％を超えると
乾燥（揮発）性が低下する。
本発明によれば感光剤溶解性の高いエチレング
リコール系溶液を使用するためのレジストの洗
浄・除去効果が大となる。
リコール系溶液を使用するためのレジストの洗
浄・除去効果が大となる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
シリコンウエハー１上に、高解像ノボラツク系
レジストの１種であるTSMR−8800レジスト２
（東京応化製）を2000〜7000rpmでスピンコート
した後、ウエハー裏面及びエツジ部に付着した不
要レジスト３を例えばエチレングリコールモノエ
チルエーテル及び酢酸ブチルの１：１洗浄液（混
合液）４（体積比）でノズル５から吹き付け洗浄
除去した。３秒間の吹き付け洗浄で不要レジスト
は完全に除去された。その後５秒間のスピン乾燥
により洗浄混合液を完全に乾燥した。図で６はチ
ヤツクを示す。
レジストの１種であるTSMR−8800レジスト２
（東京応化製）を2000〜7000rpmでスピンコート
した後、ウエハー裏面及びエツジ部に付着した不
要レジスト３を例えばエチレングリコールモノエ
チルエーテル及び酢酸ブチルの１：１洗浄液（混
合液）４（体積比）でノズル５から吹き付け洗浄
除去した。３秒間の吹き付け洗浄で不要レジスト
は完全に除去された。その後５秒間のスピン乾燥
により洗浄混合液を完全に乾燥した。図で６はチ
ヤツクを示す。
比較のために従来のエステル系溶液のみで上記
実施例と同様の洗浄を行なつたところレジスト残
渣がウエハ裏面及びエツジ部に認められた。
実施例と同様の洗浄を行なつたところレジスト残
渣がウエハ裏面及びエツジ部に認められた。
第２図は本発明に係るエステル系溶液／エチレ
ングリコール系溶液の混合比に対する洗浄能力及
びスピン乾燥3000rpmでの乾燥時間との関係を示
す図である。第２図によればエチレングリコール
系溶液が30体積％以上であれば不要レジスト除去
が可能である。またエチレングリコール系溶液が
70体積％以下に抑えると乾燥速度を10秒以内に抑
えることができた。
ングリコール系溶液の混合比に対する洗浄能力及
びスピン乾燥3000rpmでの乾燥時間との関係を示
す図である。第２図によればエチレングリコール
系溶液が30体積％以上であれば不要レジスト除去
が可能である。またエチレングリコール系溶液が
70体積％以下に抑えると乾燥速度を10秒以内に抑
えることができた。
以上説明したように本発明によればノボラツク
系ポジレジストのような高解像度のレジストのウ
エハーへのスピンコートにおいて生じる不要レジ
ストを能率的に除去することが可能である。
系ポジレジストのような高解像度のレジストのウ
エハーへのスピンコートにおいて生じる不要レジ
ストを能率的に除去することが可能である。
第１図は本発明の実施例を説明するための模式
図であり、第２図は本発明に係るエステル系溶
液／エチレングリコール系溶液の混合比に対する
洗浄能力及びスピン乾燥3000rpmでの乾燥時間と
の関係を示す図である。 １……ウエハー、２……レジスト、３……不要
レジスト部、４……洗浄液、５……ノズル、６…
…チヤツク。
図であり、第２図は本発明に係るエステル系溶
液／エチレングリコール系溶液の混合比に対する
洗浄能力及びスピン乾燥3000rpmでの乾燥時間と
の関係を示す図である。 １……ウエハー、２……レジスト、３……不要
レジスト部、４……洗浄液、５……ノズル、６…
…チヤツク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジストの除去方法であつて基板表面上にノ
ボラツク系ポジレジストを塗布した際、該基板の
裏面及び端部に付着した不要レジストをエチレン
グリコール系溶液とエステル系溶液の混合液（こ
の混合液において、該エチレングリコール系溶液
は体積％で30％以上70％以下で混合されている）
で除去することを特許とする、前記方法。 ２ 前記エチレングリコール系溶液がエチレング
リコール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチ
レングリコールジエチルエーテルアセテート、エ
チレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールジブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノブチルエーテルアセテート、及びエチレン
グリコールジブチルエーテルアセテートの群から
選択されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３ 前記エステル系溶液が酢酸ブチル、酢酸プロ
ピル、酢酸アミル、及び酢酸イソアルミの群から
選択されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11255487A JPS63278057A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11255487A JPS63278057A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | レジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278057A JPS63278057A (ja) | 1988-11-15 |
| JPH0575110B2 true JPH0575110B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=14589568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11255487A Granted JPS63278057A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278057A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2950407B2 (ja) * | 1996-01-29 | 1999-09-20 | 東京応化工業株式会社 | 電子部品製造用基材の製造方法 |
| US6015467A (en) * | 1996-03-08 | 2000-01-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of removing coating from edge of substrate |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11255487A patent/JPS63278057A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63278057A (ja) | 1988-11-15 |
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