JPH06124887A - 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置Info
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- JPH06124887A JPH06124887A JP27650691A JP27650691A JPH06124887A JP H06124887 A JPH06124887 A JP H06124887A JP 27650691 A JP27650691 A JP 27650691A JP 27650691 A JP27650691 A JP 27650691A JP H06124887 A JPH06124887 A JP H06124887A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板周辺のレジストを残渣をも含めて除
去でき、よって基板周辺のレジストによる汚染、ダスト
発生を抑えることができる半導体装置の製造方法、及び
これに使用できる基板洗浄装置の提供。 【構成】半導体基板１上にフォトレジスト２を形成し、
基板１周辺部のフォトレジスト２を洗浄除去する工程を
有する半導体装置の製造方法において、フォトレジスト
溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程にお
ける残渣除去のための第２の洗浄工程とを少なくとも備
え、例えば第２の洗浄は、第１の洗浄（位置（ａ））よ
りも洗浄位置が基板周辺側にある（位置（ｂ））か、あ
るいは第１の洗浄よりもレジスト溶解性が低い条件で洗
浄を行う半導体装置の製造方法、及びこれに用いる基板
洗浄装置。
去でき、よって基板周辺のレジストによる汚染、ダスト
発生を抑えることができる半導体装置の製造方法、及び
これに使用できる基板洗浄装置の提供。 【構成】半導体基板１上にフォトレジスト２を形成し、
基板１周辺部のフォトレジスト２を洗浄除去する工程を
有する半導体装置の製造方法において、フォトレジスト
溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程にお
ける残渣除去のための第２の洗浄工程とを少なくとも備
え、例えば第２の洗浄は、第１の洗浄（位置（ａ））よ
りも洗浄位置が基板周辺側にある（位置（ｂ））か、あ
るいは第１の洗浄よりもレジスト溶解性が低い条件で洗
浄を行う半導体装置の製造方法、及びこれに用いる基板
洗浄装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
及びこの製造方法に使用することができる基板洗浄装置
に関する。本発明は、ＬＳＩその他各種の半導体装置の
製造の際に使用することができ、例えば、微細な半導体
集積回路の製造に好ましく利用することができる。
及びこの製造方法に使用することができる基板洗浄装置
に関する。本発明は、ＬＳＩその他各種の半導体装置の
製造の際に使用することができ、例えば、微細な半導体
集積回路の製造に好ましく利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストを用いたリソグラフィ技
術は、半導体装置製造に際しての不可欠な技術となって
いる。
術は、半導体装置製造に際しての不可欠な技術となって
いる。
【０００３】ところで近年、半導体装置例えばＬＳＩの
高集積化、高性能化の進展に伴い、クリーン度及び工程
間、装置間の汚染防止についてますます厳しいものが要
求されている。
高集積化、高性能化の進展に伴い、クリーン度及び工程
間、装置間の汚染防止についてますます厳しいものが要
求されている。
【０００４】ところが、リソグラフィ工程後の半導体基
板（ウェハー）の周辺にはレジストが残っており、これ
がダスト発生の原因となる。また、次以降の工程を汚染
してしまう。
板（ウェハー）の周辺にはレジストが残っており、これ
がダスト発生の原因となる。また、次以降の工程を汚染
してしまう。
【０００５】基板周辺のレジストによるダストは、次の
ようにして発生すると考えられる。 ステッパー（投影露光装置）におけるウェハー位置決
め用ピンとレジストとの接触。 次工程（エッチング、イオンインプランテーション
等）における位置決めピンとレジストとの接触。 位置決めピン（爪）によってレジストに圧力がかかり
焼き付く。このレジストが次々工程以降ではがれてダス
トとなる。
ようにして発生すると考えられる。 ステッパー（投影露光装置）におけるウェハー位置決
め用ピンとレジストとの接触。 次工程（エッチング、イオンインプランテーション
等）における位置決めピンとレジストとの接触。 位置決めピン（爪）によってレジストに圧力がかかり
焼き付く。このレジストが次々工程以降ではがれてダス
トとなる。
【０００６】また、このダストは、汚染の原因となる。
例えば次のような汚染がもたらされるものである。 レジスト中の重金属（Ｎａ、Ｆｅ等）が濃縮され、ウ
ェハー表面に残る。これがウェハー内に拡散する（自己
汚染）。 レジスト中の金属が拡散炉内で、となりのウェハーに
飛んで拡散する。 レジスト中の金属が拡散炉内壁に付着し次のロットの
ウェハーに拡散し汚染する。 レジストの主成分（Ｃ）が拡散し、結晶欠陥を起こ
す。 ＣＶＤ膜にむらが発生する。
例えば次のような汚染がもたらされるものである。 レジスト中の重金属（Ｎａ、Ｆｅ等）が濃縮され、ウ
ェハー表面に残る。これがウェハー内に拡散する（自己
汚染）。 レジスト中の金属が拡散炉内で、となりのウェハーに
飛んで拡散する。 レジスト中の金属が拡散炉内壁に付着し次のロットの
ウェハーに拡散し汚染する。 レジストの主成分（Ｃ）が拡散し、結晶欠陥を起こ
す。 ＣＶＤ膜にむらが発生する。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】上記したように、ウ
ェハー周辺に残るレジストによる汚染、ダスト発生は問
題になっており、これを除去することが強く要求されて
いる。
ェハー周辺に残るレジストによる汚染、ダスト発生は問
題になっており、これを除去することが強く要求されて
いる。
【０００８】そこで近年、ウェハー周辺のレジストを除
去する方法として、エッジ露光法（周辺露光法）、及び
エッジリンス法（サイドリンス法）が提案されている。
去する方法として、エッジ露光法（周辺露光法）、及び
エッジリンス法（サイドリンス法）が提案されている。
【０００９】エッジ露光法とは、レジスト塗布後、ウェ
ハー周辺に光をあててその部分のレジストを感光させ、
現像時に除去するものである。その構成例を図６に示
す。図６のように、光源７であるランプ等の光をグラス
ファイバー等の光伝達手段６により導いて、基板１上の
レジスト２の基板周辺部に該当する部分を露光するもの
である。図中１１は基板１を回転可能に支持する支持台
をなすウェハーチャックである。
ハー周辺に光をあててその部分のレジストを感光させ、
現像時に除去するものである。その構成例を図６に示
す。図６のように、光源７であるランプ等の光をグラス
ファイバー等の光伝達手段６により導いて、基板１上の
レジスト２の基板周辺部に該当する部分を露光するもの
である。図中１１は基板１を回転可能に支持する支持台
をなすウェハーチャックである。
【００１０】しかしこの方法は、装置が高価なうえ、レ
ジストが発泡し、レジストが飛び散ってダストとなる問
題がある。
ジストが発泡し、レジストが飛び散ってダストとなる問
題がある。
【００１１】エッジ露光におけるレジスト発泡の原因は
次の２つであり、その防止は困難である。 レジスト中の感光剤であるナフトキノンジアジドは、
光があたると窒素Ｎ2を出して、Ｈ2 Ｏと反応し、イン
デンカルボン酸となる。このＮ2 が急激に発生するた
め、レジストからうまく抜けず、レジスト中で泡状にな
り、レジストが破裂する。この発泡を抑えるには、エッ
ジ露光の照度を落とす必要があるが、スループットが悪
くなる。 一般にレジストの密着性を向上するため、ＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）でウェハー表面を疎水性に
変えることが行われる。このＨＭＤＳとレジストの感光
剤がエッジ露光によって急激に反応し、レジストが発泡
する。
次の２つであり、その防止は困難である。 レジスト中の感光剤であるナフトキノンジアジドは、
光があたると窒素Ｎ2を出して、Ｈ2 Ｏと反応し、イン
デンカルボン酸となる。このＮ2 が急激に発生するた
め、レジストからうまく抜けず、レジスト中で泡状にな
り、レジストが破裂する。この発泡を抑えるには、エッ
ジ露光の照度を落とす必要があるが、スループットが悪
くなる。 一般にレジストの密着性を向上するため、ＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）でウェハー表面を疎水性に
変えることが行われる。このＨＭＤＳとレジストの感光
剤がエッジ露光によって急激に反応し、レジストが発泡
する。
【００１２】特にＡｌパターンや、イオンインプランテ
ーションパターンに使用するレジストは厚いため（例え
ば２μｍ厚）、この発泡を抑えるのは困難である。更
に、ステッパーでのダスト発生は抑えられない。
ーションパターンに使用するレジストは厚いため（例え
ば２μｍ厚）、この発泡を抑えるのは困難である。更
に、ステッパーでのダスト発生は抑えられない。
【００１３】一方エッジリンス法とは、図７（ａ）に示
すように、レジスト２を形成した半導体基板（ウェハ
ー）１（上面を図７（ｂ）に示し、図７（ｂ）ではレジ
ストを特に細点を施して示す）周辺にレジスト溶剤３を
噴射し、基板１周辺のレジスト２を溶解除去するもので
ある。除去時の状態を７（ｃ）に示す。この洗浄は、一
般に支持台１１（ウェハーチャック）を回転して、基板
１をスピンさせながら行う。図７（ｄ）に、７（ｂ）に
対応して示すように、この洗浄によって、基板１の周辺
部におけるレジスト２は除去される。図７（ｄ）中、１
ａはこの洗浄除去により、レジスト２がなくなった部分
を示す。
すように、レジスト２を形成した半導体基板（ウェハ
ー）１（上面を図７（ｂ）に示し、図７（ｂ）ではレジ
ストを特に細点を施して示す）周辺にレジスト溶剤３を
噴射し、基板１周辺のレジスト２を溶解除去するもので
ある。除去時の状態を７（ｃ）に示す。この洗浄は、一
般に支持台１１（ウェハーチャック）を回転して、基板
１をスピンさせながら行う。図７（ｄ）に、７（ｂ）に
対応して示すように、この洗浄によって、基板１の周辺
部におけるレジスト２は除去される。図７（ｄ）中、１
ａはこの洗浄除去により、レジスト２がなくなった部分
を示す。
【００１４】このエッジリンス法は、基板１の周辺部の
レジスト２を除去する手段としてすぐれた方法ではある
が、従来の技術によれば、一見レジストを完全に除去で
きたようでも、ＳＥＭによって精密に観察すると、レジ
ストが残っていることが本発明者の検討により判明し
た。即ち、電子顕微鏡使用のＳＥＭ観察にあっては、チ
ャージアップ防止のため、導電体である金を蒸着して行
われるのが通常であるが、本発明者は金蒸着無しでＳＥ
Ｍ観察したところ、エッジリンスによってもレジスト残
渣があることがわかったものである。一般に金蒸着無し
だと、レジストが帯電し、よく見えるようになる。な
お、特開平１−２５３９２３号公報に、ガスを用いて塗
布膜を吹き付け除去する技術が開示されているが、ガス
を用いる手法は洗浄液によるリンスのように良好な塗膜
除去はできず、特に本発明が除去しようとする残渣につ
いては、ガスによる除去は不可能と考えられる。
レジスト２を除去する手段としてすぐれた方法ではある
が、従来の技術によれば、一見レジストを完全に除去で
きたようでも、ＳＥＭによって精密に観察すると、レジ
ストが残っていることが本発明者の検討により判明し
た。即ち、電子顕微鏡使用のＳＥＭ観察にあっては、チ
ャージアップ防止のため、導電体である金を蒸着して行
われるのが通常であるが、本発明者は金蒸着無しでＳＥ
Ｍ観察したところ、エッジリンスによってもレジスト残
渣があることがわかったものである。一般に金蒸着無し
だと、レジストが帯電し、よく見えるようになる。な
お、特開平１−２５３９２３号公報に、ガスを用いて塗
布膜を吹き付け除去する技術が開示されているが、ガス
を用いる手法は洗浄液によるリンスのように良好な塗膜
除去はできず、特に本発明が除去しようとする残渣につ
いては、ガスによる除去は不可能と考えられる。
【００１５】このような微小なエッジリンス残渣は、次
のように生ずるものと推定される。図８及び図９を参照
する。図８（ａ）に示すエッジリンス後の基板１の部分
破断拡大図である図８（ｂ）、及び図９に示すとおり、
エッジリンスが終了した時、エッジリンス用溶剤はレジ
スト膜２に接触して残っており（図９（ａ）参照）、こ
の残った溶剤にレジスト２が更に溶け出す。この溶剤は
ウェハーの回転によって図９（ｂ）に示し、また図９
（ｃ）に示すように振り切られるが、この時含まれるレ
ジストが残渣１０となってしまう（図８（ｂ）も参
照）。この残渣の根本的な原因は、エッジリンスの最後
までレジストが溶け出すことにあると考られる。
のように生ずるものと推定される。図８及び図９を参照
する。図８（ａ）に示すエッジリンス後の基板１の部分
破断拡大図である図８（ｂ）、及び図９に示すとおり、
エッジリンスが終了した時、エッジリンス用溶剤はレジ
スト膜２に接触して残っており（図９（ａ）参照）、こ
の残った溶剤にレジスト２が更に溶け出す。この溶剤は
ウェハーの回転によって図９（ｂ）に示し、また図９
（ｃ）に示すように振り切られるが、この時含まれるレ
ジストが残渣１０となってしまう（図８（ｂ）も参
照）。この残渣の根本的な原因は、エッジリンスの最後
までレジストが溶け出すことにあると考られる。
【００１６】
【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点を除去し
て、半導体基板周辺のレジストを残渣をも含めて除去で
き、よって基板周辺のレジストによる汚染、ダスト発生
を抑えることができる半導体装置の製造方法、及びこれ
に使用できる基板洗浄装置を提供せんとするものであ
る。
て、半導体基板周辺のレジストを残渣をも含めて除去で
き、よって基板周辺のレジストによる汚染、ダスト発生
を抑えることができる半導体装置の製造方法、及びこれ
に使用できる基板洗浄装置を提供せんとするものであ
る。
【００１７】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、半導体基板上にフォトレジストを形成し、基板周
辺部のフォトレジストを洗浄除去する工程を有する半導
体装置の製造方法において、フォトレジスト溶剤による
第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程における残渣除
去のための第２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体
装置の製造方法であって、これにより、第２の洗浄工程
によって残渣をも除去でき、よって上記目的が達成でき
る。
明は、半導体基板上にフォトレジストを形成し、基板周
辺部のフォトレジストを洗浄除去する工程を有する半導
体装置の製造方法において、フォトレジスト溶剤による
第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程における残渣除
去のための第２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体
装置の製造方法であって、これにより、第２の洗浄工程
によって残渣をも除去でき、よって上記目的が達成でき
る。
【００１８】本出願の請求項２の発明は、半導体基板上
にフォトレジストを形成し、基板周辺部のフォトレジス
トを洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法に
おいて、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、
該第１の洗浄工程よりも洗浄位置が基板周辺側にある第
２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装置の製造方
法であって、これにより、第１の洗浄工程におけるより
更に基板周辺側を第２の洗浄工程で洗浄除去することに
より、残渣以外のレジストには影響を及ぼすことなく、
基板周辺の残渣を良好に洗浄でき、よって上記目的が達
成できる。
にフォトレジストを形成し、基板周辺部のフォトレジス
トを洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法に
おいて、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、
該第１の洗浄工程よりも洗浄位置が基板周辺側にある第
２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装置の製造方
法であって、これにより、第１の洗浄工程におけるより
更に基板周辺側を第２の洗浄工程で洗浄除去することに
より、残渣以外のレジストには影響を及ぼすことなく、
基板周辺の残渣を良好に洗浄でき、よって上記目的が達
成できる。
【００１９】本出願の請求項３の発明は、半導体基板上
にフォトレジストを形成し、基板周辺部のフォトレジス
トを洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法に
おいて、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、
該第１の洗浄工程よりもレジスト溶解性が低い条件で洗
浄を行う第２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装
置の製造方法であって、第２の洗浄工程ではレジストの
溶解性の小さい条件で洗浄を行うので、レジストに影響
は及ぼさず、溶け易くなっている残渣のみを洗浄するた
め、特に洗浄部を基板周辺へ更に移さなくても残渣だけ
を良好に除去でき、よって上記目的が達成できる。
にフォトレジストを形成し、基板周辺部のフォトレジス
トを洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法に
おいて、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、
該第１の洗浄工程よりもレジスト溶解性が低い条件で洗
浄を行う第２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装
置の製造方法であって、第２の洗浄工程ではレジストの
溶解性の小さい条件で洗浄を行うので、レジストに影響
は及ぼさず、溶け易くなっている残渣のみを洗浄するた
め、特に洗浄部を基板周辺へ更に移さなくても残渣だけ
を良好に除去でき、よって上記目的が達成できる。
【００２０】本出願の請求項４の発明は、半導体装置の
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、洗浄液を吐出する吐出口
が洗浄位置可変に設けられていることを特徴とする基板
洗浄装置であって、これにより請求項２の発明を容易に
実現できる。
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、洗浄液を吐出する吐出口
が洗浄位置可変に設けられていることを特徴とする基板
洗浄装置であって、これにより請求項２の発明を容易に
実現できる。
【００２１】本出願の請求項５の発明は、半導体装置の
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、洗浄液を吐出する吐出口
が複数設けられていることを特徴とする基板洗浄装置で
あって、これにより請求項２の発明を容易に実現でき
る。
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、洗浄液を吐出する吐出口
が複数設けられていることを特徴とする基板洗浄装置で
あって、これにより請求項２の発明を容易に実現でき
る。
【００２２】本出願の請求項６の発明は、半導体装置の
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、２以上の性質の異なる洗
浄液の吐出を切換え可能にする機構が設けられているこ
とを特徴とする基板洗浄装置であって、これにより請求
項３の発明を容易に実現できる。
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、２以上の性質の異なる洗
浄液の吐出を切換え可能にする機構が設けられているこ
とを特徴とする基板洗浄装置であって、これにより請求
項３の発明を容易に実現できる。
【００２３】本出願の請求項７の発明は、半導体装置の
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、洗浄液の温度条件を変え
る温調手段と、該温度条件の異なる洗浄液の吐出を切換
え可能にする機構が設けられていることを特徴とする基
板洗浄装置であって、これにより請求項３の発明を容易
に実現できる。
製造の際に半導体基板周辺部のフォトレジストを洗浄除
去する基板洗浄装置において、洗浄液の温度条件を変え
る温調手段と、該温度条件の異なる洗浄液の吐出を切換
え可能にする機構が設けられていることを特徴とする基
板洗浄装置であって、これにより請求項３の発明を容易
に実現できる。
【００２４】
【実施例】以下本出願の各発明の実施例について、図面
を参照して説明する。但し当然のことではあるが、各発
明は以下述べる実施例によって限定を受けるものではな
い。
を参照して説明する。但し当然のことではあるが、各発
明は以下述べる実施例によって限定を受けるものではな
い。
【００２５】実施例１ この実施例は、ダストや汚染を嫌う微細に集積化された
半導体装置の製造に、本発明を適用したものである。
半導体装置の製造に、本発明を適用したものである。
【００２６】本実施例においては、図１に示すように、
洗浄液を吐出する吐出口４が洗浄位置可変に（図１の
（ａ）（ｂ）で示す位置に任意に移動可能に）設けられ
ている基板洗浄装置を用いる。
洗浄液を吐出する吐出口４が洗浄位置可変に（図１の
（ａ）（ｂ）で示す位置に任意に移動可能に）設けられ
ている基板洗浄装置を用いる。
【００２７】この装置を使用して、半導体基板上にフォ
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のための第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程を図１の
（ａ）の位置に溶剤吐出口４があるときに行い、かつこ
の第１の洗浄工程よりも洗浄位置が基板周辺側にある第
２の洗浄工程を、基板周辺側に移動した図１の（ｂ）の
位置に溶剤吐出口４があるときに行うようにしたもので
ある（図２も参照）。
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のための第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程を図１の
（ａ）の位置に溶剤吐出口４があるときに行い、かつこ
の第１の洗浄工程よりも洗浄位置が基板周辺側にある第
２の洗浄工程を、基板周辺側に移動した図１の（ｂ）の
位置に溶剤吐出口４があるときに行うようにしたもので
ある（図２も参照）。
【００２８】更に詳しくは、本実施例においては、半導
体基板１にフォトレジスト２を塗布した後、エッジリン
スノズルである溶剤吐出口４から溶剤３を吐出して、レ
ジスト２を除去する。
体基板１にフォトレジスト２を塗布した後、エッジリン
スノズルである溶剤吐出口４から溶剤３を吐出して、レ
ジスト２を除去する。
【００２９】その後、図示（ａ）点から（ｂ）点に溶剤
吐出口４を移動し、再度溶剤を吐出する。
吐出口４を移動し、再度溶剤を吐出する。
【００３０】（ｂ）点では、レジスト膜はなく、残渣が
残っている。図２に拡大して示すとおりである。よって
これを溶剤で除去する。ここで、残渣は溶剤を充分含ん
でおり、レジスト膜より溶けやすい。従ってこれにより
充分な洗浄がなされ、残渣は残らない。用いる溶剤は、
レジスト溶剤となり得るものなら任意であるが、一般に
は、レジスト塗布に用いる溶剤（レジスト専用溶剤）を
用いるのでよい。
残っている。図２に拡大して示すとおりである。よって
これを溶剤で除去する。ここで、残渣は溶剤を充分含ん
でおり、レジスト膜より溶けやすい。従ってこれにより
充分な洗浄がなされ、残渣は残らない。用いる溶剤は、
レジスト溶剤となり得るものなら任意であるが、一般に
は、レジスト塗布に用いる溶剤（レジスト専用溶剤）を
用いるのでよい。
【００３１】また、実施にあたっては、（ａ）点から
（ｂ）点へ吐出口４を移動しながら溶剤を吐出するよう
にしてもよい。
（ｂ）点へ吐出口４を移動しながら溶剤を吐出するよう
にしてもよい。
【００３２】本実施例では、具体的には、（ａ）点はウ
ェハーエッジから５ｍｍ、（ｂ）点は４ｍｍの位置とし
た。
ェハーエッジから５ｍｍ、（ｂ）点は４ｍｍの位置とし
た。
【００３３】エッジリンスの残渣の原因は、レジスト
に、エッジリンスの溶剤が最後まで接触していることに
あると考えられるが、本実施例によれば、この残渣をほ
ぼ完全に除去して、レジストによるダスト等の発生を防
止できる。
に、エッジリンスの溶剤が最後まで接触していることに
あると考えられるが、本実施例によれば、この残渣をほ
ぼ完全に除去して、レジストによるダスト等の発生を防
止できる。
【００３４】実施例２ この実施例も、実施例１と同様な半導体装置の製造に本
発明を具体化したものである。
発明を具体化したものである。
【００３５】本実施例においては、図３に示すように、
洗浄液である溶剤３を吐出する吐出口４ａ，４ｂが複数
（ここでは２本）設けられている基板洗浄装置を用い
る。
洗浄液である溶剤３を吐出する吐出口４ａ，４ｂが複数
（ここでは２本）設けられている基板洗浄装置を用い
る。
【００３６】この装置を使用して、半導体基板上にフォ
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のための第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程を図３の
溶剤吐出口４ａを用いて行い、かつこの第１の洗浄工程
よりも洗浄位置が基板周辺側にある第２の洗浄工程を基
板周辺側に位置する溶剤吐出口４ｂを用いて行うように
したものである。
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のための第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程を図３の
溶剤吐出口４ａを用いて行い、かつこの第１の洗浄工程
よりも洗浄位置が基板周辺側にある第２の洗浄工程を基
板周辺側に位置する溶剤吐出口４ｂを用いて行うように
したものである。
【００３７】即ち、本実施例では、エッジリンスノズル
である吐出口を２本（吐出口４ａ及び４ｂ）を各々位置
を変えて設ける。最初に、吐出口４ａのノズルでレジス
ト膜２を除去し、次に吐出口４ｂのノズルで残渣を除去
する。
である吐出口を２本（吐出口４ａ及び４ｂ）を各々位置
を変えて設ける。最初に、吐出口４ａのノズルでレジス
ト膜２を除去し、次に吐出口４ｂのノズルで残渣を除去
する。
【００３８】本実施例も、実施例１と同様の効果を有す
る。
る。
【００３９】実施例３ この実施例も、実施例１と同様な半導体装置の製造に本
発明を具体化したものである。
発明を具体化したものである。
【００４０】本実施例においては、図４に示すように、
２以上の性質の異なる洗浄液３Ａ，３Ｂの吐出を切換え
可能にする機構５（ここでは電磁弁を使用）が設けられ
ている基板洗浄装置を用いる。
２以上の性質の異なる洗浄液３Ａ，３Ｂの吐出を切換え
可能にする機構５（ここでは電磁弁を使用）が設けられ
ている基板洗浄装置を用いる。
【００４１】この装置を使用して、半導体基板上にフォ
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のため第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、該第
１の洗浄工程よりもレジスト溶解性が低い条件で洗浄を
行う第２の洗浄工程と行うようにしたものである。
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のため第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、該第
１の洗浄工程よりもレジスト溶解性が低い条件で洗浄を
行う第２の洗浄工程と行うようにしたものである。
【００４２】本実施例においては、２種類以上の溶剤を
エッジリンス用溶剤として吐出する。エッジリンス工程
の途中で、溶剤を切換える。具体的には、まず、ノズル
である溶剤吐出口４からエッジリンス用溶剤のＥＣＡ
（エチルセロソルブアセテート）を吐出し、レジスト膜
２を除去する。その後、より溶解性の弱い溶剤であるエ
タノールを吐出し、残渣を除去する。
エッジリンス用溶剤として吐出する。エッジリンス工程
の途中で、溶剤を切換える。具体的には、まず、ノズル
である溶剤吐出口４からエッジリンス用溶剤のＥＣＡ
（エチルセロソルブアセテート）を吐出し、レジスト膜
２を除去する。その後、より溶解性の弱い溶剤であるエ
タノールを吐出し、残渣を除去する。
【００４３】ＥＣＡによってレジスト膜は除去される
が、残渣は残ってしまう。この残渣のみを溶解除去する
ため、エタノールで洗浄する。
が、残渣は残ってしまう。この残渣のみを溶解除去する
ため、エタノールで洗浄する。
【００４４】残渣は溶剤を多量に含んでおり、エタノー
ルに溶け易くなっている。一方、レジスト膜２はエタノ
ールには溶けない。よって残渣のみが、エタノールで除
去される。
ルに溶け易くなっている。一方、レジスト膜２はエタノ
ールには溶けない。よって残渣のみが、エタノールで除
去される。
【００４５】本実施例において、溶解性の低い溶剤とし
て、エタノール以外には、ヘキサン、ベンゼン、トルエ
ン、メタノール、酢酸メチル、Ｎ−メチルカプロラクタ
ン、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等を用いることができる（なおベ
ンゼン、トルエンは安全上の問題があるので、この点を
留意する必要がある）。
て、エタノール以外には、ヘキサン、ベンゼン、トルエ
ン、メタノール、酢酸メチル、Ｎ−メチルカプロラクタ
ン、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等を用いることができる（なおベ
ンゼン、トルエンは安全上の問題があるので、この点を
留意する必要がある）。
【００４６】実施例４ この実施例も、実施例１と同様な半導体装置の製造に本
発明を具体化したものである。
発明を具体化したものである。
【００４７】本実施例においては、図５に示すように、
洗浄液の温度条件を変える温調手段６１，６２と、該温
度条件の異なる洗浄液の吐出を切換え可能にする機構５
（ここでは電磁弁を使用）が設けられている基板洗浄装
置を用いた。
洗浄液の温度条件を変える温調手段６１，６２と、該温
度条件の異なる洗浄液の吐出を切換え可能にする機構５
（ここでは電磁弁を使用）が設けられている基板洗浄装
置を用いた。
【００４８】この装置を使用して、半導体基板上にフォ
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のための第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、該第
１の洗浄工程よりもレジスト溶解性が低い条件で洗浄を
行う第２の洗浄工程とを行うようにしたものである。
トレジスト２を形成した半導体基板１の、基板１周辺部
のフォトレジスト２を洗浄除去する場合に、フォトレジ
スト溶剤による第１の洗浄工程と、この第１の洗浄工程
における残渣除去のための第２の洗浄工程とを行うに際
し、フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、該第
１の洗浄工程よりもレジスト溶解性が低い条件で洗浄を
行う第２の洗浄工程とを行うようにしたものである。
【００４９】本実施例においては、温度の異なる溶剤を
２つ以上接続し、エッジリンス工程の途中でウェハー上
の溶剤の温度が変化するようにする。具体的には、まず
エッジリンスノズルである吐出口４から２３℃に制御さ
れたエッジリンス液を吐出しレジスト膜を除去する。そ
の後、今度は１５℃に制御されたエッジリンス液を吐出
し残渣を除去する。
２つ以上接続し、エッジリンス工程の途中でウェハー上
の溶剤の温度が変化するようにする。具体的には、まず
エッジリンスノズルである吐出口４から２３℃に制御さ
れたエッジリンス液を吐出しレジスト膜を除去する。そ
の後、今度は１５℃に制御されたエッジリンス液を吐出
し残渣を除去する。
【００５０】ここでは溶剤として、フェノールノボラッ
ク系ポジレジストに対して、ＥＣＡを用いた。
ク系ポジレジストに対して、ＥＣＡを用いた。
【００５１】図５中、６１は溶剤温度を２３℃に制御す
る温調手段である温調器、６２は溶剤温度を１５℃に制
御する温調手段である温調器、７は恒温水、８は熱交換
器（ウォータージャケット）である。
る温調手段である温調器、６２は溶剤温度を１５℃に制
御する温調手段である温調器、７は恒温水、８は熱交換
器（ウォータージャケット）である。
【００５２】有機溶剤の溶解性は、その温度に比例し、
温度が低いと溶解性は落ちる。よって、１５℃位に冷や
された溶剤は、レジストを溶かすことができない。
温度が低いと溶解性は落ちる。よって、１５℃位に冷や
された溶剤は、レジストを溶かすことができない。
【００５３】一方、残渣は溶剤を多量に含んでおり、溶
け易くなっているため、これは冷却された溶剤にも容易
に溶ける。よって、第２の洗浄工程において、残渣のみ
が選択的に除去される。
け易くなっているため、これは冷却された溶剤にも容易
に溶ける。よって、第２の洗浄工程において、残渣のみ
が選択的に除去される。
【００５４】本実施例において、上記温度差は５℃以上
が望ましい。
が望ましい。
【００５５】
【発明の効果】上述したように、本出願の各発明によれ
ば、半導体基板周辺のレジストを残渣をも含めて除去で
き、よって基板周辺のレジストには汚染、ダスト発生を
抑えることができる半導体装置の製造方法、及びこれに
使用できる基板洗浄装置を提供することができる。
ば、半導体基板周辺のレジストを残渣をも含めて除去で
き、よって基板周辺のレジストには汚染、ダスト発生を
抑えることができる半導体装置の製造方法、及びこれに
使用できる基板洗浄装置を提供することができる。
【図１】実施例１の構成図である。
【図２】実施例１の詳細図であるとともに、溶剤吐出位
置を更に詳しく示すものである。
置を更に詳しく示すものである。
【図３】実施例２の構成図である。
【図４】実施例３の構成図である。
【図５】実施例４の構成図である。
【図６】従来技術を説明する図であり、エッジ露光法を
示す図である。
示す図である。
【図７】従来技術を説明する図であり、従来のエッジリ
ンス法を示す図である。
ンス法を示す図である。
【図８】従来技術の問題点を説明する図であり、エッジ
リンス残渣を示す図である。
リンス残渣を示す図である。
【図９】従来技術の問題点を説明する図であり、エッジ
リンス残渣の原因を説明する図である。
リンス残渣の原因を説明する図である。
１ 半導体基板（ウェハー） ２ フォトレジスト ３ 溶剤（洗浄液） ４，４ａ，４ｂ 溶剤（洗浄液）吐出口 ５ 切換え機構（電磁弁） ６１，６２ 温調手段（温調器）
Claims (7)
- 【請求項１】半導体基板上にフォトレジストを形成し、
基板周辺部のフォトレジストを洗浄除去する工程を有す
る半導体装置の製造方法において、 フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、 この第１の洗浄工程における残渣除去のための第２の洗
浄工程とを少なくとも備える半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体基板上にフォトレジストを形成し、
基板周辺部のフォトレジストを洗浄除去する工程を有す
る半導体装置の製造方法において、 フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、 該第１の洗浄工程よりも洗浄位置が基板周辺側にある第
２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】半導体基板上にフォトレジストを形成し、
基板周辺部のフォトレジストを洗浄除去する工程を有す
る半導体装置の製造方法において、 フォトレジスト溶剤による第１の洗浄工程と、 該第１の洗浄工程よりもレジスト溶解性が低い条件で洗
浄を行う第２の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】半導体装置の製造の際に半導体基板周辺部
のフォトレジストを洗浄除去する基板洗浄装置におい
て、 洗浄液を吐出する吐出口が洗浄位置可変に設けられてい
ることを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項５】半導体装置の製造の際に半導体基板周辺部
のフォトレジストを洗浄除去する基板洗浄装置におい
て、 洗浄液を吐出する吐出口が複数設けられていることを特
徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項６】半導体装置の製造の際に半導体基板周辺部
のフォトレジストを洗浄除去する基板洗浄装置におい
て、 ２以上の性質の異なる洗浄液の吐出を切換え可能にする
機構が設けられていることを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項７】半導体装置の製造の際に半導体基板周辺部
のフォトレジストを洗浄除去する基板洗浄装置におい
て、 洗浄液の温度条件を変える温調手段と、該温度条件の異
なる洗浄液の吐出を切換え可能にする機構が設けられて
いることを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27650691A JPH06124887A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27650691A JPH06124887A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124887A true JPH06124887A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17570418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27650691A Pending JPH06124887A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124887A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779816A (en) * | 1997-01-30 | 1998-07-14 | Trinh; Tieu T. | Nozzle and system for use in wafer cleaning procedures |
| JP2002343704A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Nec Corp | 塗付膜形成方法およびその装置 |
| US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| US6615854B1 (en) * | 1999-05-19 | 2003-09-09 | Ebara Corporation | Wafer cleaning apparatus |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
| JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| JP2013153135A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2017082065A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2017147328A (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法 |
| WO2017141736A1 (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20200033993A (ko) | 2015-06-03 | 2020-03-30 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP27650691A patent/JPH06124887A/ja active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779816A (en) * | 1997-01-30 | 1998-07-14 | Trinh; Tieu T. | Nozzle and system for use in wafer cleaning procedures |
| US7037853B2 (en) | 1999-05-19 | 2006-05-02 | Ebara Corporation | Wafer cleaning apparatus |
| US6615854B1 (en) * | 1999-05-19 | 2003-09-09 | Ebara Corporation | Wafer cleaning apparatus |
| US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| JP2002343704A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Nec Corp | 塗付膜形成方法およびその装置 |
| US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
| JP2007220890A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| US8084194B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate edge treatment for coater/developer |
| JP2013153135A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US11437252B2 (en) | 2011-12-28 | 2022-09-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20190094324A (ko) * | 2011-12-28 | 2019-08-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US9859136B2 (en) | 2011-12-28 | 2018-01-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US10707102B2 (en) | 2011-12-28 | 2020-07-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20200033993A (ko) | 2015-06-03 | 2020-03-30 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법 |
| WO2017082065A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2017092244A (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 |
| US10854480B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-12-01 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Film processing unit, substrate processing apparatus and substrate processing method |
| WO2017141736A1 (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10591820B2 (en) | 2016-02-17 | 2020-03-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN108604536A (zh) * | 2016-02-17 | 2018-09-28 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
| KR20180099803A (ko) | 2016-02-17 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US10754251B2 (en) | 2016-02-17 | 2020-08-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Development unit, substrate processing apparatus, development method and substrate processing method |
| JP2017147329A (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2017147328A (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法 |
| CN108604536B (zh) * | 2016-02-17 | 2023-02-14 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
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