WO2017082065A1 - 膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

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正也 浅井
将彦 春本
幸司 金山
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Abstract

スピンチャックにより基板が保持されつつ回転され、基板に塗布液が吐出される。基板から外方に飛散する塗布液は、外カップにより受け止められる。外カップの洗浄のため、カップ洗浄ノズルから吐出された洗浄液が、第１の案内部を通して外カップの内周面に吐出される。これにより、外カップに付着する塗布液およびその固化物等が溶解され、外カップから除去される。続いて、カップ洗浄ノズルから吐出された金属用除去液が、第２の案内部を通して外カップの内周面に吐出される。これにより、外カップに残存する金属成分が溶解され、外カップから除去される。

Description

膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法
　本発明は、膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法に関する。
　半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。例えば、基板がスピンチャックにより水平に保持されつつ回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にノズルからレジスト液が吐出されることにより、基板の上面全体に塗布膜としてレジスト膜が形成される。このような装置においては、基板から飛散するレジスト液等の処理液を受け止めるため、スピンチャックを取り囲むように飛散防止部材が設けられる。飛散防止部材に付着する処理液が乾燥して固化すると、その固化物がパーティクルとなる可能性がある。そのため、溶剤等を用いて飛散防止部材の洗浄が行われる（例えば、特許文献１参照）。
特開平７－６６１１６号公報
　近年、より微細なパターンを形成するために、金属を含有する塗布膜（以下、金属含有塗布膜と呼ぶ。）を適用することが研究されている。発明者の実験によると、溶剤を用いて飛散防止部材を洗浄しても、金属成分が除去されず飛散防止部材に残存することが分かった。飛散防止部材に残存する金属成分により、基板または基板処理装置が汚染される可能性がある。また、金属成分により汚染された基板が露光装置に搬送されることにより、露光装置が汚染される可能性がある。
　本発明の目的は、金属による汚染を防止することが可能な膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
　（１）本発明の一局面に従う膜処理ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、回転保持部により保持される基板の被処理面に処理液を供給する処理液供給部と、回転保持部により保持される基板の外周端部を取り囲むように配置され、回転保持部により回転される基板から飛散する処理液を受け止める飛散防止部材と、金属を溶解させる第１の除去液を飛散防止部材に供給するように構成される除去液供給部とを備える。
　この膜処理ユニットにおいては、回転保持部により基板が回転されつつ基板の被処理面に処理液が供給され、基板から飛散した処理液が飛散防止部材により受け止められる。そのため、飛散防止部材に処理液が付着する。また、基板上に形成されている膜が処理液によって処理される場合には、その膜の成分が処理液とともに飛散防止部材に付着する。処理液または基板上の膜に金属が含まれていると、飛散防止部材に金属が付着する可能性がある。上記の構成によれば、飛散防止部材に第１の除去液が供給されるので、飛散防止部材に付着する金属を溶解させて除去することができる。したがって、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止される。その結果、基板または他の装置が金属によって汚染されることが防止される。
　（２）処理液供給部は、基板の被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液を処理液として供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するように構成されてもよい。この場合、基板に供給される金属含有塗布液中の金属が飛散防止部材に付着していても、その金属を溶解させて除去することができる。したがって、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止される。
　（３）基板の被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液が供給されることにより金属含有塗布膜が形成された後に基板に露光処理が行われ、処理液供給部は、露光処理後の基板の被処理面に現像液を処理液として供給するように構成されてもよい。この場合、現像液によって溶解された金属含有塗布膜中の金属が飛散防止部材に付着していても、その金属を溶解させて除去することができる。したがって、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止される。
　（４）除去液供給部は、塗布液を溶解させる第２の除去液を飛散防止部材に供給するように構成されてもよい。この場合、飛散防止部材に付着する塗布液を溶解させて除去することができる。
　（５）膜処理ユニットは、第１および第２の除去液案内部を有する案内部材をさらに備え、除去液供給部は、案内部材の第１の除去液案内部に向けて第１の除去液を吐出する第１の吐出ノズルと、案内部材の第２の除去液案内部に向けて第２の除去液を吐出する第２の吐出ノズルとを含み、第１および第２の除去液案内部は、第１および第２の吐出ノズルから吐出された第１および第２の除去液を飛散防止部材にそれぞれ導くように設けられてもよい。
　この場合、第１および第２の吐出ノズルから吐出される第１および第２の除去液が案内部材により飛散防止部材に適切に供給される。それにより、飛散防止部材から金属および塗布液を効率良く除去することができる。
　（６）第１の除去液案内部は、飛散防止部材の第１の領域に第１の除去液を導くように設けられ、第２の除去液案内部は、飛散防止部材の第１の領域よりも上方の第２の領域に第２の除去液を導くように設けられてもよい。この場合、第１の除去液案内部を通して飛散防止部材の第１の領域に第１の除去液が供給された後に第２の除去液案内部を通して飛散防止部材の第２の領域に第２の除去液が供給された場合に、第２の除去液によって第１の除去液を十分に洗い流すことができる。
　（７）膜処理ユニットは、除去液案内部を有する案内部材をさらに備え、除去液供給部は、案内部材の除去液案内部に向けて第１および第２の除去液を選択的に吐出する吐出ノズルを含み、除去液案内部は、吐出ノズルから吐出された第１および第２の除去液を飛散防止部材にそれぞれ導くように設けられてもよい。この場合、簡単な構成で効率良く飛散防止部材に第１の除去液および第２の除去液を供給することができる。
　（８）膜処理ユニットは、飛散防止部材に吐出された第１および第２の除去液を分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備えてもよい。この場合、使用者は、使用済みの第１の除去液と使用済みの第２の除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、第１および第２の除去液の回収コストおよび廃棄コストを削減することができる。
　（９）膜処理ユニットは、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、金属を溶解させる第３の除去液を回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットをさらに備えてもよい。この場合、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。これにより、基板の周縁部から金属が拡散されることが防止される。
　（１０）本発明の他の局面に従う基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成する上記の膜処理ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える。
　この基板処理装置においては、露光装置による露光処理前の基板の被処理面に膜処理ユニットにより金属含有塗布膜が形成され、露光装置による露光処理後の基板に現像処理ユニットにより現像処理が行われる。これにより、基板の被処理面に微細なパターンを形成することができる。また、上記の膜処理ユニットが用いられるので、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止される。それにより、基板、または基板処理装置もしくは露光装置の内部が金属によって汚染されることが防止される。
　（１１）本発明のさらに他の局面に従う基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に金属を含む金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う上記の膜処理ユニットとを備える。
　この基板処理装置においては、露光装置による露光処理前の基板の被処理面に膜形成ユニットにより金属含有塗布膜が形成され、露光装置による露光処理後の基板に膜処理ユニットにより現像処理が行われる。これにより、基板の被処理面に微細なパターンを形成することができる。また、上記の膜処理ユニットが用いられるので、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止される。それにより、基板、または基板処理装置もしくは露光装置の内部が金属によって汚染されることが防止される。
　（１２）本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、回転保持部により基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、前記回転保持部により保持される基板の被処理面に処理液供給部により金属および塗布液を含む金属含有塗布液を供給することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、前記回転保持部により保持される基板の外周端部を取り囲むように配置される飛散防止部材により、前記回転保持部により回転される基板から飛散する金属含有塗布液を受け止めるステップと、金属を溶解させる第１の除去液を除去液供給部により前記飛散防止部材に供給するステップとを備える。
　この基板処理方法によれば、回転保持部により基板が回転されつつ基板の被処理面に処理液が供給されることにより、基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成される。この場合、飛散防止部材に第１の除去液が供給されるので、基板に供給された金属含有塗布液中の金属が飛散防止部材に付着していても、その金属を溶解させて除去することができる。したがって、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止される。その結果、基板、または装置の内部もしくは周辺部が金属によって汚染されることが防止される。
　（１３）本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、基板の前記被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液を供給することにより金属含有塗布膜を形成するステップと、前記金属含有塗布膜が形成された基板に露光処理を行うステップと、露光処理後の基板を回転保持部により水平姿勢で保持して回転させるステップと、前記回転保持部により保持される基板の被処理面に処理液供給部により現像液を供給するステップと、前記回転保持部により保持される基板の外周端部を取り囲むように配置される飛散防止部材により、前記回転保持部により回転される基板から飛散する現像液を受け止めるステップと、金属を溶解させる第１の除去液を除去液供給部により前記飛散防止部材に供給するステップとを備える。
　この基板処理方法によれば、基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成された後、基板に露光処理が行われる。その後、回転保持部により基板が回転されつつ基板の被処理面に現像液が供給される。これにより、基板の現像処理が行われる。この場合、飛散防止部材に第１の除去液が供給されるので、現像液によって溶解された金属含有塗布膜中の金属が飛散防止部材に付着していても、その金属を溶解させて除去することができる。したがって、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止される。その結果、基板、または装置の内部もしくは周辺部が金属によって汚染されることが防止される。
　本発明によれば、飛散防止部材から金属が拡散されることが防止され、基板等が金属によって汚染されることが防止される。
図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図２は図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 図３は塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。 図４はスピンユニットの詳細について説明するための模式的側面図である。 図５はスピンユニットの詳細について説明するための模式的側面図である。 図６はカップ洗浄部材の部分拡大断面図である。 図７はカップの洗浄処理の具体例について説明するための図である。 図８は回収ユニットの他の例について説明するための図である。 図９は図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 図１０は金属除去ユニットの第１の構成例を示す図である。 図１１は金属除去ユニットの第２の構成例を示す図である。 図１２は搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。 図１３は搬送機構を示す斜視図である。 図１４はカップ洗浄機構の他の例について説明するための図である。 図１５はスピンユニットの他の例について説明するための模式的側面図である。 図１６は現像処理ユニットの一例を示す模式的側面図である。
　以下、本発明の一実施の形態に係る膜処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
　（１）基板処理装置
　図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
　図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。本例において、露光装置１５は、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet；超紫外線）により基板Ｗに露光処理を行う。ＥＵＶの波長は、１３ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。
　図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
　第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１～ＰＡＳＳ４（図１２参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図１２参照）が設けられる。
　第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５～ＰＡＳＳ８（図１２参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図１２参照）が設けられる。
　洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２（図１２参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
　また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、後述のエッジ露光部ＥＥＷ（図１２参照）および後述の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図１２参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ－ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
　（２）塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部
　図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１～２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１～３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１～３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
　（２－１）塗布処理ユニット
　図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す模式的平面図である。図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、ノズル搬送機構６０、２組のスピンユニット６１および２組のノズルユニット６２を含む。ノズル搬送機構６０は、把持部６０１、一対の第１のガイドレール６０２、第２のガイドレール６０３および一対のシリンダ６０４を含む。一対の第１のガイドレール６０２は、２組のスピンユニット６１および２組のノズルユニット６２を挟むように互いに平行に配置される。第２のガイドレール６０３は、一対の第１のガイドレール６０２に対して直交するように配置される。第２のガイドレール６０３の両端部は一対のシリンダ６０４を介して一対の第１のガイドレール６０２にそれぞれ取り付けられる。第２のガイドレール６０３は、第１のガイドレール６０２に沿って移動可能であり、かつ一対のシリンダ６０４により第１のガイドレール６０２に対して昇降可能である。第２のガイドレール６０３に沿って移動可能に把持部６０１が設けられる。
　各スピンユニット６１は、スピンチャック６１１（図２）、カップ６１２およびエッジリンスノズル６１３を含む。スピンチャック６１１は、基板Ｗを保持した状態で、後述のモータ７１（図４）により回転駆動される。カップ６１２はスピンチャック６１１により保持される基板Ｗの外周端部を取り囲むように設けられる。スピンユニット６１の詳細については後述する。
　各ノズルユニット６２は、複数のノズル６２０および複数の待機ポットＷＰを含む。各ノズル６２０は、対応する待機ポットＷＰにおいて待機する。各ノズル６２０には、塗布液配管４１１を通して、金属および塗布液を含む金属含有塗布液が供給される。金属は、金属分子または金属酸化物等の金属成分を含む。本例では、金属成分として、例えばＳｎ（スズ）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）またはＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）が用いられる。また、塗布液として、反射防止膜用の塗布液およびレジスト膜用の塗布液が用いられる。
　なお、スピンユニット６１およびノズルユニット６２の各々の数は、２つに限定されない。スピンユニット６１およびノズルユニット６２がそれぞれ１つのみ設けられてもよく、または３つ以上設けられてもよい。また、スピンユニット６１の数とノズルユニット６２の数とが異なってもよい。
　ノズル搬送機構６０は、把持部６０１によりいずれかのノズル６２０を把持し、そのノズル６２０を基板Ｗの上方に移動させる。その状態で、スピンチャック６１１が回転しつつノズル６２０から金属含有塗布液が吐出される。それにより、回転する基板Ｗ上に金属含有塗布液が塗布される。
　本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４のノズル６２０に、反射防止膜用の塗布液を含む金属含有塗布液が供給され、塗布処理室２１，２３のノズル６２０に、レジスト膜用の塗布液を含む金属含有塗布液が供給される。以下、金属含有塗布液により形成される反射防止膜およびレジスト膜を金属含有塗布膜と総称する。
　エッジリンスノズル６１３は、スピンチャック６１１により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。ここで、被処理面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいう。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの被処理面において、基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。
　エッジリンスノズル６１３は、基板Ｗの周縁部から金属含有塗布膜を除去するための膜除去液を吐出する。膜除去液は、第２の除去液の例である。膜除去液として、シンナー、酢酸ブチル（butyl acetate）、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＰＧＭＥ（propyleneglycolmonomethyl ether：プロピレングリコールモノメチルエーテル）を含む有機溶媒のほか、ＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）、または、アンモニアおよび過酸化水素水を含む水溶液等が用いられてもよい。
　スピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１３から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出される。これにより、基板Ｗの周縁部に塗布された塗布液が溶解されて除去される。
　図４および図５は、スピンユニット６１の詳細について説明するための模式的側面図である。なお、図４および図５においては、エッジリンスノズル６１３の図示が省略される。図４に示すように、スピンユニット６１は、モータ７１および一対の昇降機構７２をさらに含む。モータ７１の回転軸７１ａは鉛直に配置される。スピンチャック６１１は、回転軸７１ａの上端部に固定される。スピンチャック６１１の下方における回転軸７１ａの部分には、外方に突出するように固定部７１ｂが設けられる。
　一対の昇降機構７２は、それぞれ例えばシリンダからなり、昇降板７３を水平に支持する。昇降板７３には、開口７３ａ、排液口７３ｂおよび排気口７３ｃが形成される。モータ７１の回転軸７１ａが開口７３ａ内に配置される。排液口７３ｂには配管４２１が接続される、配管４２１は、配管４２１ａ，４２１ｂに分岐して回収タンクＴＡ１，ＴＡ２に延びる。配管４２１ａには回収バルブＶ１が介挿され、配管４２１ｂには回収バルブＶ２が介挿される。配管４２１，４２１ａ，４２１ｂ、回収タンクＴＡ１，ＴＡ２および回収バルブＶ１，Ｖ２により回収ユニット６１Ａが構成される。回収バルブＶ１，Ｖ２が選択的に開かれることにより、排液口７３ｂから排出される液体が回収タンクＴＡ１，ＴＡ２に選択的に導かれる。本例では、膜除去液および後述の洗浄液が回収タンクＴＡ１に導かれ、後述の金属用除去液が回収タンクＴＡ２に導かれる。回収タンクＴＡ１，ＴＡ２に加えて、金属含有塗布液を回収するための回収タンクが設けられてもよい。また、排液口７３ｂから排出される各液を回収せずに廃棄するための配管が別途設けられてもよい。排気口７３ｃには配管４２２が接続される。配管４２２は、工場の排気ラインに延びる。
　昇降板７３の上面に、カップ６１２が設けられる。カップ６１２は、外カップ６１２ａおよび内カップ６１２ｂを含む。内カップ６１２ｂの上部には、外方に向かって斜め下方に延びる整流部７４が設けられる。整流部７４は、塗布処理ユニット１２９に供給されるダウンフローが基板Ｗの周囲に均一に流れて排気口７３ｃに導かれるように気体を整流する。
　昇降板７３の上方でかつ内カップ６１２ｂの内方にベース部７５が設けられる。ベース部７５の上面には、複数のバックリンスノズル８１、複数のカップ洗浄ノズル８２、および複数のカップ洗浄ノズル８３が設けられる。複数のバックリンスノズル８１は、鉛直上方に向けられる。複数のカップ洗浄ノズル８２は、複数のバックリンスノズル８１の外方にそれぞれ設けられ、複数のカップ洗浄ノズル８３は、複数のカップ洗浄ノズル８２の外方にそれぞれ設けられる。
　各バックリンスノズル８１および各カップ洗浄ノズル８２には、図示しない洗浄液供給源から洗浄液が供給される。本例において、バックリンスノズル８１およびカップ洗浄ノズル８２に供給される洗浄液は、図３のエッジリンスノズル６１３から吐出される膜除去液と同じである。各バックリンスノズル８１は、スピンチャック６１１により保持される基板Ｗの裏面に洗浄液を吐出する。
　各カップ洗浄ノズル８３には、図示しない金属用除去液供給源から金属用除去液が供給される。金属用除去液は、第１の除去液の例である。金属用除去液として、アルカリ性除去液または酸性除去液が用いられる。アルカリ性除去液は、例えばアンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液である。アルカリ性除去液は、例えばＴＭＡＨであってもよい。酸性除去液は、例えば希フッ酸を含む水溶液である。酸性除去液は、例えば硫酸および過酸化水素を含む水溶液であってもよいし、酢酸を含む水溶液であってもよい。また、金属用除去液としてキレート剤を含む水溶液が用いられてもよい。キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含んでもよい。金属用除去液は、金属含有塗布液に含まれる金属成分を溶解除去可能である。
　ベース部７５の内周部から上方に突出するように支持部７５ａが設けられる。支持部７５ａ上に、円板状のカップ洗浄部材７６が支持される。カップ洗浄部材７６には、複数の孔部ＨＬが設けられる。各孔部ＨＬ内にバックリンスノズル８１が配置される。カップ洗浄ノズル８２，８３およびカップ洗浄部材７６によりカップ洗浄機構ＣＭが構成される。
　一対の昇降機構７２により昇降板７３が昇降され、昇降板７３と一体的にカップ６１２（外カップ６１２ａおよび内カップ６１２ｂ）が昇降される。カップ６１２は、処理位置、搬入搬出位置および洗浄位置の間で昇降される。図４においては、カップ６１２が処理位置にある。搬入搬出位置は、処理位置よりも低く、洗浄位置は、搬入搬出位置よりも低い。
　カップ６１２が図４の処理位置にある場合、外カップ６１２ａの上端部がスピンチャック６１１により保持される基板Ｗよりも高い位置にあり、整流部７４の上端部が基板Ｗの下面の周縁部に近接する。その状態で、スピンチャック６１１により保持される基板Ｗが回転されつつ図３のノズル６２０から基板Ｗに金属含有塗布液が吐出され、基板Ｗ上に金属含有塗布膜が形成される。基板Ｗから外方に飛散する金属含有塗布液は、外カップ６１２ａにより受け止められる。
　カップ６１２が搬入搬出位置にある状態では、外カップ６１２ａの上端部がスピンチャック６１１により保持される基板Ｗよりも低くなる。その状態で、図１および後述の図１２の搬送機構１２７，１２８によりスピンチャック６１１に基板Ｗが載置され、またはスピンチャック６１１から基板Ｗが受け取られる。
　カップ６１２が洗浄位置にある状態で、カップ６１２の洗浄処理が行われる。洗浄処理が行われる期間は、例えば、塗布処理ユニット１２９において基板Ｗの処理が一定時間以上休止される期間である。図５においては、カップ６１２が洗浄位置にある。図５に示すように、カップ洗浄部材７６は、固定部７１ｂに支持されることにより、支持部７５ａから離間する。この場合、カップ洗浄部材７６は、図示しない固定機構により、固定部７１ｂに固定される。例えば、カップ洗浄部材７６の下面から突出するようにピンが設けられ、固定部７１ｂに凹部が設けられる。カップ洗浄部材７６のピンが固定部７１ｂの凹部に嵌合されることにより、カップ洗浄部材７６が固定部７１ｂに固定される。これにより、モータ７１の回転軸７１ａとともにカップ洗浄部材７６が回転される。
　図６は、カップ洗浄部材７６の部分拡大断面図である。図６に示すように、カップ洗浄部材７６には、第１および第２の案内部７６ａ，７６ｂが形成される。第１および第２の案内部７６ａ，７６ｂは、それぞれカップ洗浄部材７６の下面から周縁部に向かって湾曲して延びるように凹状に設けられる。また、第１および第２の案内部７６ａ，７６ｂは、それぞれ図４の回転軸７１ａに関して回転対称に環状に設けられる。第２の案内部７６ｂの下端開口は、第１の案内部７６ａの下端開口よりも外側に位置し、第２の案内部７６ｂの外端部は、第１の案内部７６ａの外端部より下方に位置する。
　カップ洗浄部材７６の外周面から第１の案内部７６ａの外端部にかけて複数の吐出口８５ａが周方向に並ぶように形成され、カップ洗浄部材７６の外周面から第２の案内部７６ｂの外端部にかけて複数の吐出口８５ｂが周方向に並ぶように形成される。複数の吐出口８５ｂは複数の吐出口８５ａより下方に位置する。
　カップ６１２が図５の洗浄位置にある場合、カップ洗浄ノズル８２が第１の案内部７６ａに向けられ、カップ洗浄ノズル８３が第２の案内部７６ｂに向けられる。また、カップ洗浄部材７６の吐出口８５ａ，８５ｂが、整流部７４の上端部よりも高い位置にあり、かつ外カップ６１２ａの上端部よりも低い位置にある。
　図７は、カップ６１２の洗浄処理の具体例について説明するための図である。図７（ａ）に示すように、まず、カップ洗浄部材７６が回転されつつカップ洗浄ノズル８２から第１の案内部７６ａに洗浄液が吐出される。吐出された洗浄液は、第１の案内部７６ａを通して吐出口８５ａに導かれ、吐出口８５ａから外カップ６１２ａの内周面に吐出される。この場合、カップ洗浄部材７６が回転されているので、外カップ６１２ａの内周面の周方向の全体にわたって洗浄液が供給される。これにより、外カップ６１２ａに付着する塗布液およびその固化物等が溶解され、外カップ６１２ａから除去される。
　続いて、図７（ｂ）に示すように、カップ洗浄部材７６が回転されつつカップ洗浄ノズル８３から第２の案内部７６ｂに金属用除去液が吐出される。吐出された金属用除去液は、第２の案内部７６ｂを通して吐出口８５ｂに導かれ、吐出口８５ｂから外カップ６１２ａの内周面に吐出される。この場合も、カップ洗浄部材７６が回転されているので、外カップ６１２ａの内周面の周方向の全体にわたって金属用除去液が供給される。
　上記のようにして洗浄液が外カップ６１２ａに供給されても、金属含有塗布膜に含有される金属成分が十分に除去されず、外カップ６１２ａに残存する可能性がある。そこで、洗浄液に加えて、金属用除去液が外カップ６１２ａに供給される。これにより、外カップ６１２ａに残存する金属成分が溶解され、外カップ６１２ａから除去される。
　次に、図７（ｃ）に示すように、カップ洗浄部材７６が回転されつつ再度カップ洗浄ノズル８２から第１の案内部７６ａに洗浄液が吐出される。これにより、外カップ６１２ａに付着する金属用除去液が洗い流される。複数の吐出口８５ａは、複数の吐出口８５ｂよりも上方に位置するので、吐出口８５ａから吐出された洗浄液は、吐出口８５ｂから吐出された金属用除去液よりも外カップ６１２ａの内周面の高い位置に到達し、その位置から外カップ６１２ａの内周面を伝って下方に流れる。それにより、外カップ６１２ａの内周面において、洗浄液が供給される領域は、金属用除去液が供給される領域よりも広い。したがって、洗浄液により金属用除去液が十分に洗い流され、外カップ６１２ａに金属用除去液が残存することが防止される。なお、金属用除去液を洗い流すため、カップ洗浄ノズル８２から洗浄液の代わりに純水が吐出されてもよい。
　カップ洗浄ノズル８２から洗浄液が吐出される期間には、図４の回収バルブＶ１が開かれ、回収バルブＶ２が閉じられる。これにより、排液口７３ｂから排出される洗浄液が図４の回収タンクＴＡ１に導かれる。一方、カップ洗浄ノズル８３から金属用除去液が吐出される期間には、図４の回収バルブＶ１が閉じられ、回収バルブＶ２が開かれる。これにより、排液口７３ｂから排出される金属用除去液が図４の回収タンクＴＡ２に導かれる。このように、使用済みの洗浄液と使用済みの金属用除去液とが分離して回収されることにより、使用者は、洗浄液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。したがって、除去液の回収コストおよび廃棄コストを低減することができる。
　図７の例では、外カップ６１２ａに洗浄液、金属用除去液および洗浄液（または純水）が順に供給されるが、本発明はこれに限定されない。最初に洗浄液でなく金属用除去液が外カップ６１２ａに供給され、続けて洗浄液がカップ６１２に供給されてもよい、この場合、金属用除去液によって外カップ６１２ａから金属成分が除去された後、洗浄液によって塗布液および固化物等が外カップ６１２ａから除去され、かつ金属用除去液が洗い流される。
　また、図７の例では、カップ６１２の洗浄処理に１種類の金属用除去液のみが用いられるが、複数種類の金属用除去液が用いられてもよい。この場合、複数種類の金属用除去液が順に外カップ６１２ａに供給されてもよく、いずれかの金属用除去液が選択的に外カップ６１２ａに供給されてもよい。
　また、図７の例では、カップ洗浄部材７６の吐出口８５ａ，８５ｂから外カップ６１２ａに各液が吐出されるが、内カップ６１２ｂの整流部７４にも各液が吐出されてもよい。例えば、吐出口８５ａ，８５ｂを縦長形状とすることにより、各液の供給範囲が上下に拡がり、整流部７４にも各液を吐出することができる。また、吐出口８５ａとして、外カップ６１２ａに向けられる孔部と整流部７４に向けられる孔部とがそれぞれ形成され、同様に吐出口８５ｂとして、外カップ６１２ａに向けられる孔部と整流部７４に向けられる孔部とがそれぞれ形成されてもよい。
　洗浄液および金属用除去液を回収するための構成は、上記の例に限定されない。図８は、回収ユニット６１Ａの他の例について説明するための図である。図８の例について、図４の例と異なる点を説明する。
　図８の例では、配管４２１が分離タンクＴＡ３に接続される。また、分離タンクＴＡ３が配管４２１ａ，４２１ｂを介して回収タンクＴＡ１，ＴＡ２に接続される。この場合、カップ６１２の排液口７３ｂから洗浄液および金属用除去液が共通の分離タンクＴＡ３に導かれる。
　ここで、洗浄液と金属用除去液とは互いに異なる比重を有し、金属用除去液の比重は洗浄液の比重よりも大きい。そのため、回収タンクＴＡ３内においては、洗浄液の層ＬＡ１と金属用除去液の層ＬＡ２とが上下に分離するように形成される。そこで、回収タンクＴＡ３には、層ＬＡ１と層ＬＡ２との境界面を検出する境界検出部ＢＳが設けられる。境界検出部ＢＳとしては、例えば静電容量式の液面レベルセンサが用いられる。これに代えて、フロート式、光学式、超音波式、電導率式、ピエゾ共振式等の他の方式の液面レベルセンサが境界検出部ＢＳとして用いられてもよい。
　分離タンクＴＡ３には、層ＬＡ１と層ＬＡ２との境界面の下限高さＬ１および上限高さＬ２が設定される。上限高さＬ２は下限高さＬ１よりも上方に位置する。分離タンクＴＡ３には、上限高さＬ２よりも高い位置に配管４２１ａが取り付けられ、下限高さＬ１よりも低い位置に配管４２１ｂが取り付けられる。
　例えば、境界検出部ＢＳにより検出される境界面の高さが下限高さＬ１未満である場合、回収バルブＶ２が閉じられる。これにより、洗浄液が配管４２１ｂを通して回収タンクＴＡ２に導かれることが防止される。この場合、回収バルブＶ１は開かれてもよいし、閉じられてもよい。境界検出部ＢＳにより検出される境界面の高さが下限高さＬ１以上でありかつ上限高さＬ２未満である場合、回収バルブＶ１，Ｖ２が開かれる。これにより、洗浄液および金属用除去液が配管４２１ａ，４２１ｂを通して回収タンクＴＡ１，ＴＡ２にそれぞれ導かれる。境界検出部ＢＳにより検出される境界面の高さが上限高さＬ２以上である場合、回収バルブＶ２が開かれ、回収バルブＶ１が閉じられる。これにより、金属用除去液が回収配管４２１ｂを通して回収タンクＴＡ２に導かれる。また、金属用除去液が回収配管４２１ａを通して回収タンクＴＡ１に導かれることが防止される。
　このように、図８の例では、洗浄液および金属用除去液の比重に基づいて、使用済みの洗浄液と使用済みの金属用除去液とが分離される。これにより、洗浄液と金属用除去液とを完全に分離して回収することが可能となる。この場合、使用者は、洗浄液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、各液の回収コストおよび廃棄コストを低減することができる。
　（２－２）現像処理ユニットおよび洗浄乾燥処理ユニット
　図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
　現像処理ユニット１３９においては、後述のモータ３５ａ（図１６）によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
　洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいては、有機溶剤または純水を用いて露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。ここで、裏面とは基板Ｗの被処理面と反対側の面をいう。
　（３）熱処理部
　図９は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図９に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
　熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１（図１）、搬送部１２２（図１）および熱処理部１２３の動作を制御する。
　熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
　熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。
　熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１（図１）、搬送部１３２（図１）および熱処理部１３３の動作を制御する。
　（４）金属除去ユニット
　上記のように、図３のスピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１３から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出されることにより、基板Ｗの周縁部に塗布された塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の金属含有塗布膜が除去される。しかしながら、基板Ｗの周縁部には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している可能性がある。また、基板Ｗの裏面に金属含有塗布液が回り込んだ場合には、基板Ｗの裏面には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。
　基板Ｗの周縁部または裏面に金属成分が付着した状態で基板Ｗが基板処理装置１００内で搬送されると、基板処理装置１００の内部および露光装置１５の内部に金属成分による汚染が発生する。そこで、洗浄乾燥処理部１６２には、露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去する複数（本例では６つ）の金属除去ユニットＭＲが設けられる。
　本例では、３つの金属除去ユニットＭＲと残り３つの金属除去ユニットＭＲとでは、異なる金属用除去液が用いられる。この場合、金属含有塗布液に含有された金属成分の種類に応じて、適した金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去することができる。
　図１０は、金属除去ユニットＭＲの第１の構成例を示す図である。図１０に示すように、金属除去ユニットＭＲには、モータ１、スピンチャック３、カップ４、２つの裏面洗浄ノズル７、周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９が設けられる。スピンチャック３は、鉛直軸の周りで回転可能にモータ１の回転軸２の上端に取り付けられる。カップ４は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ４の下部には排気部５および排液部６が形成される。
　２つの裏面洗浄ノズル７は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。周縁部洗浄ノズル８は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。周縁部洗浄ノズル８から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。
　気体供給部９は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの略中央部の上方に配置される。気体供給部９から基板Ｗの被処理面の略中央部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体供給部９から噴出される気体は、基板Ｗの被処理面の略中央部に拡散する。これにより、周縁部洗浄ノズル８から吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。
　図１１は、金属除去ユニットＭＲの第２の構成例を示す図である。図１１に示すように、第２の構成例における金属除去ユニットＭＲには、図１０の周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９に代えて気液供給ノズル１０が設けられる。気液供給ノズル１０は、水平方向に並ぶ液体ノズル１０ａおよび気体ノズル１０ｂを含む。気液供給ノズル１０は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。ここで、気体ノズル１０ｂは、液体ノズル１０ａよりも基板Ｗの中心の近くに配置される。
　液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。気体ノズル１０ｂから基板Ｗの周縁部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体ノズル１０ｂから気体が噴出される基板Ｗの位置は、液体ノズル１０ａから金属用除去液が吐出される位置よりも基板Ｗの中心に近い。そのため、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液は、気体ノズル１０ｂから噴出される気体により基板Ｗの中心に向かうことが妨げられる。これにより、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。
　図１０および図１１の金属除去ユニットＭＲにおいては、周縁部洗浄ノズル８または液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が供給されるので、基板Ｗの周縁部における金属含有塗布膜中の金属成分が溶解され、基板Ｗの被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。また、裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属用除去液が供給されるので、金属含有塗布液が基板Ｗの裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板Ｗの裏面に付着した金属含有塗布液中の金属成分が除去される。
　また、本例では、熱処理部１２３により金属含有塗布膜が硬化された後の基板Ｗが金属除去ユニットＭＲに搬送されるので、金属除去ユニットＭＲにおいて気体供給部９または気体ノズル１０ｂから基板Ｗに気体が吐出されても金属含有塗布膜の膜厚に影響しない。これらの結果、基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜を均一な厚みに形成することができる。
　（５）搬送部
　図１２は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１２に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
　塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図９）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図９）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図９）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図９）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
　搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
　上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、複数のエッジ露光部ＥＥＷおよび複数の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰが設けられる。
　載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
　エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
　基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
　基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
　載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
　次に、搬送機構１２７について説明する。図１３は、搬送機構１２７を示す斜視図である。図１２および図１３に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図１２に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。
　ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。
　移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗの外周部を保持するためのハンドＨ１，Ｈ２，Ｈ３が取り付けられる。ハンドＨ１～Ｈ３は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。ハンドＨ１はハンドＨ２よりも上方に配置され、ハンドＨ２はハンドＨ３よりも上方に配置される。
　上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１～Ｈ３を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１２）および上段熱処理部３０１（図９）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
　なお、図１２に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。また、本実施の形態においては、図１の搬送機構１４２は、搬送機構１２７と同様の３つのハンドＨ１～Ｈ３を有する。
　（６）基板処理
　図１、図２、図９および図１２を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１２）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１２）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
　第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図１２）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１２）に順に搬送する。
　この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
　また、搬送機構１２７は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ６（図１２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１２）に搬送する。
　搬送機構１２８（図１２）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）、冷却ユニットＣＰ（図９）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１２）に順に搬送する。
　また、搬送機構１２８（図１２）は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８（図１２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１２）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図９）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図９）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
　第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図１２）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１（図１２）に搬送する。
　また、搬送機構１３７（図１２）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図９）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図９）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１２）に順に搬送する。
　この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
　搬送機構１３８（図１２）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図１２）に搬送する。
　また、搬送機構１３８（図１２）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いてインターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図９）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図９）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図９）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１２）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
　洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４２（図１）は、下段のハンドＨ３を用いて載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２（図１２）に載置された基板Ｗを金属除去ユニットＭＲ（図９）に搬送する。また、搬送機構１４２は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて、金属除去ユニットＭＲの基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１（図１２）または載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図１２）に搬送する。搬送機構１４１（図１）は、金属除去ユニットＭＲから載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２に搬送された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳ（図２）、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図１２）に順に搬送する。
　この場合、金属除去ユニットＭＲにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面に残存する金属成分の除去が行われる。また、洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。続いて、エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。その後、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
　また、搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１２）に載置された露光処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図９）に順に搬送する。この場合、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
　搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図１２）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５（図１）の基板搬入部に搬送する。また、搬送機構１４６は、露光装置１５の基板搬出部から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１２）に搬送する。露光装置１５においては、極めて短い波長を有するＥＵＶにより基板Ｗに露光処理が行われる。この場合、基板Ｗ上の塗布膜に金属成分が含有されているので、ＥＵＶ光の吸収が効率良く行われることにより、微細な露光パターンを高い解像度で形成することができる。なお、露光方法はこれに限定されず、他の方法により基板Ｗに露光処理が行われてもよい。
　上記の基板Ｗの搬送によれば、金属成分が除去される前の基板Ｗと金属成分が除去された後の基板Ｗとが搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２の異なるハンドにより保持される。これにより、金属成分が除去された後の基板Ｗに搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２のハンドを介して金属成分が付着することが防止される。これにより、搬送機構を介した金属汚染の拡大が防止される。
　（７）効果
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、塗布処理ユニット１２９のカップ６１２に洗浄液および金属用除去液が供給されることによってカップ６１２の洗浄処理が行われる。それにより、カップ６１２に付着する塗布液およびその固化物が除去されるとともに、カップ６１２に残留する金属成分が除去される。したがって、カップ６１２から金属成分が拡散することが防止される。その結果、基板Ｗ、基板処理装置１００および露光装置１５の内部が金属によって汚染されることが防止される。
　（８）カップ洗浄機構の他の例
　図１４は、カップ洗浄機構ＣＭの他の例について説明するための図である。図１４の例について、図４の例と異なる点を説明する。
　図１４のカップ洗浄機構ＣＭは、図４のカップ洗浄ノズル８２，８３のうちカップ洗浄ノズル８２のみを含む。また、カップ洗浄部材７６に、図４の第１および第２の案内部７６ａ，７６ｂのうち第１の案内部７６ａのみが設けられる。カップ洗浄ノズル８２には、図示しない洗浄液供給源および金属用除去液供給源から洗浄液および金属用除去液が選択的に供給される。この場合、カップ洗浄ノズル８２からカップ洗浄部材７６の第１の案内部７６ａに洗浄液および金属用除去液がそれぞれ吐出される。それにより、共通の複数の吐出口８５ａから外カップ６１２ａに洗浄液および金属用除去液がそれぞれ吐出される。
　本例においても、洗浄液が外カップ６１２ａに吐出されることにより、外カップ６１２ａに付着する塗布液およびその固化物等が除去される。また、金属用除去液が外カップ６１２ａに吐出されることにより、外カップ６１２ａに残存する金属成分が除去される。また、洗浄液が再度外カップ６１２ａに吐出されることにより、外カップ６１２ａに付着する金属用除去液が洗い流される。これにより、外カップ６１２ａを清浄化することができる。また、図４の例と比べて、カップ洗浄機構ＣＭの構成が簡単になる。
　なお、外カップ６１２ａの洗浄処理時に、図４の昇降機構７２によって外カップ６１２ａが昇降されてもよい。例えば、洗浄液が吐出される期間には、外カップ６１２ａが第１の高さに維持され、金属用除去液が吐出される期間には、外カップ６１２ａが第１の高さよりも高い第２の高さに維持されてもよい。この場合、図７の例と同様に、外カップ６１２ａの内周面上において、金属用除去液が供給される領域よりも洗浄液が供給される領域が広くなる。それにより、洗浄液によって金属用除去液が十分に洗い流され、外カップ６１２ａに金属用除去液が残存することが防止される。
　また、上記のように、外カップ６１２ａに金属用除去液が供給された後、洗浄液の代わりに純水が供給されてもよい。また、最初に金属用除去液が外カップ６１２ａに供給され、その後に洗浄液が外カップ６１２ａに供給されてもよい。また、複数種類の金属用除去液が用いられてもよい。また、洗浄液および金属用除去液を回収するために、図４の回収ユニット６１Ａが用いられてもよく、あるいは図８の回収ユニット６１Ａが用いられてもよい。さらに、外カップ６１２ａに加えて内カップ６１１ｂの整流部７４にも洗浄液および金属用除去液が供給されてもよい。
　あるいは、塗布液を溶解させる性質を有する金属用除去液がカップ洗浄ノズル８３に供給されてもよい。この場合、カップ６１２に金属用除去液が供給されることにより、カップ６１２から塗布液および固化物が除去され、同時に金属成分が除去される。これにより、簡単な構成で効率良くカップ６１２を清浄化することができる。
　（９）スピンユニットの他の例
　図１５は、スピンユニット６１の他の例について説明するための模式的側面図である。図１５のスピンユニット６１について、図４のスピンユニット６１と異なる点を説明する。
　図１５のスピンユニット６１は、図４の構成に加えて、エッジリンスノズル６１４およびバックリンスノズル８６をさらに備える。エッジリンスノズル６１４は、エッジリンスノズル６１３と同様に、スピンチャック６１１により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。バックリンスノズル８６は、バックリンスノズル８１と同様に、スピンチャック６１１により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。
　エッジリンスノズル６１３，６１４には、供給配管６１３ｐ，６１４ｐがそれぞれ接続される。供給配管６１３ｐ，６１４ｐには、それぞれ供給バルブ６１３ｖ，６１４ｖが介挿される。バックリンスノズル８１，８６には、それぞれ供給配管６１５ｐ，６１６ｐが接続される。供給配管６１５ｐ，６１６ｐには、それぞれ供給バルブ６１５ｖ，６１６ｖが介挿される。
　エッジリンスノズル６１３およびバックリンスノズル８１には、供給配管６１３ｐ，６１５ｐを通してそれぞれ前述した膜除去液および洗浄液が供給され、エッジリンスノズル６１４およびバックリンスノズル８６には、供給配管６１４ｐ，６１６ｐを通してそれぞれ金属用除去液が供給される。
　基板Ｗ上に金属含有塗布膜が形成された後、スピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１３から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル８１から基板Ｗの裏面に洗浄液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に塗布された塗布液が溶解されて除去される。
　その後、スピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１４から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル８６から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が溶解されて除去される。
　エッジリンスノズル６１３およびバックリンスノズル８１からそれぞれ膜除去液および洗浄液が吐出される期間には、回収バルブＶ１が開かれ、回収バルブＶ２が閉じられる。これにより、排液口７３ｂから排出される膜除去液および洗浄液が回収タンクＴＡ１に導かれる。一方、エッジリンスノズル６１４およびバックリンスノズル８６から金属用除去液が吐出される期間には、回収バルブＶ１が閉じられ、回収バルブＶ２が開かれる。これにより、排液口７３ｂから排出される金属用除去液が回収タンクＴＡ２に導かれる。
　このように、図１５のスピンユニット６１においては、基板Ｗ上に金属含有塗布膜が形成されるとともに、基板Ｗの周縁部および裏面から塗布液および金属成分が除去されるので、基板Ｗを金属除去ユニットＭＲに搬送する必要がない。そのため、基板Ｗの搬送時間を短縮することができ、スループットを高めることができる。また、金属除去ユニットＭＲを設けなくてもよいので、基板処理装置１００の小型化および装置コストの削減が可能となる。
　また、カップ６１２の洗浄処理時と同様に、使用済みの膜除去液および洗浄液と、使用済みの金属用除去液とが分離して回収される。これにより、使用者は、膜除去液および洗浄液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。したがって、除去液の回収コストおよび廃棄コストを低減することができる。
　なお、本例では、膜除去液を吐出するエッジリンスノズル６１３と金属用除去液を吐出するエッジリンスノズル６１５とが別個に設けられるが、膜除去液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のエッジリンスノズルが設けられてもよい。同様に、洗浄液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のバックリンスノズルが設けられてもよい。あるいは、金属用除去液が塗布液を溶解させる性質を有してもよい。この場合、エッジリンスノズル６１３およびバックリンスノズル８１が設けられなくてもよい。
　また、図１５のスピンユニット６１には、図４の回収ユニット６１Ａが設けられるが、これに代えて、図８の回収ユニット６１Ａが設けられてもよい。また、他の構成により２種類の除去液が分離回収されてもよい。例えば、カップ６１２が２種類の除去液を分離して回収可能な２重カップであってもよい。
　（１０）他の実施の形態
　（１０－１）
　上記実施の形態では、カップ洗浄機構ＣＭが塗布処理ユニット１２９に設けられるが、本発明はこれに限定されない。カップ洗浄機構ＣＭが現像処理ユニット１３９に設けられてもよい。図１６は、現像処理ユニット１３９の一例を示す模式的側面図である。図１６の現像処理ユニット１３９は、図２のスピンチャック３５およびカップ３７に加えて、カップ洗浄部材７６およびカップ洗浄ノズル８２，８３を含む。図１６のカップ洗浄機構ＣＭは、図４のカップ洗浄機構ＣＭと同様の構成を有する。それにより、カップ３７に洗浄液および金属用除去液がそれぞれ供給される。
　現像処理ユニット１３９では、図１のスリットノズル３８から基板Ｗの被処理面に現像液が供給されることにより、露光処理後の金属含有塗布膜の一部が溶解される。その後、スピンチャック３５により基板Ｗが回転されつつ図示しないリンスノズルから基板Ｗ上にリンス液が供給されることにより、基板Ｗ上の現像液が洗い流される。この場合、基板Ｗ上の現像液および溶解された金属含有塗布膜が、リンス液とともに基板Ｗの外方に飛散し、カップ３７により受け止められる。したがって、カップ３７には塗布液および金属成分が付着する。
　そこで、図１６の現像処理ユニット１３９においては、カップ３７に洗浄液および金属用除去液がそれぞれ供給されることにより、カップ３７に付着する塗布液および金属成分が除去される。その結果、カップ３７から金属が拡散されることが防止される。
　また、図４または図８の回収ユニット６１Ａが現像処理ユニット１３９に設けられてもよい。これにより、カップ３７に供給された洗浄液および金属用除去液を分離して回収することができる。
　（１０－２）
　上記実施の形態では、カップ洗浄ノズル８２，８３から吐出された洗浄液および金属用除去液がカップ洗浄部材７６の第１および第２の案内部７６ａ，７６ｂを通して外カップ６１２ａに導かれるが、本発明はこれに限定されない。例えば、外カップ６１２ａに向けて洗浄液および金属用除去液を吐出するようにカップ洗浄ノズル８２，８３が設けられてもよい。また、カップ洗浄ノズル８２，８３の一方が外カップ６１２ａに洗浄液および金属用除去液の一方を直接的に供給し、カップ洗浄ノズル８２，８３の他方がカップ洗浄部材７６を介して外カップ６１２ａに洗浄液および金属用除去液の他方を供給してもよい。また、カップ洗浄ノズル８２が設けられず、ブラシ等により塗布液およびその固化物が除去されてもよい。
　（１０－３）
　上記実施の形態において、反射防止液およびレジスト液の両方に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。反射防止液およびレジスト液の一方に金属成分が含有されなくてもよい。また、ハードマスク（ＨＭ）膜等の他の膜を形成するための塗布液に金属成分が含有されていてもよい。この場合、金属成分として、例えば酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化タングステン（ＷＯｘ）または酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）が塗布液に含有される。
　（１０－４）
　上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１～Ｈ３は基板Ｗの外周部を保持するが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１～Ｈ３は、基板Ｗを吸着することにより基板Ｗの裏面を保持してもよい。
　（１０－５）
　上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つのハンドＨ１～Ｈ３を有することが好ましいが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は２つ以下のハンドを有してもよいし、４つ以上のハンドを有してもよい。
　（１０－６）
　上記形態において、洗浄乾燥処理部１６１に複数の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが配置され、洗浄乾燥処理部１６２に複数の金属除去ユニットＭＲが配置されるが、本発明はこれに限定されない。一部または全部の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが洗浄乾燥処理部１６２に配置されてもよいし、一部または全部の金属除去ユニットＭＲが洗浄乾燥処理部１６１に配置されてもよい。
　（１０－７）
　上記実施の形態において、塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル６１３が設けられるが、本発明はこれに限定されない。例えば、塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル６１３が設けられず、金属除去ユニットＭＲにエッジリンスノズル６１３が設けられてもよい。この場合、金属除去ユニットＭＲにおいて基板Ｗの周縁部に膜除去液および金属用除去液が供給される。使用後の膜除去液および金属用除去液を回収するために、図４または図８の例と同様の回収ユニットが金属除去ユニットＭＲに設けられてもよい。
　（１０－８）
　上記実施の形態において、インターフェイスブロック１４にエッジ露光部ＥＥＷが設けられるが、本発明はこれに限定されない。エッジ露光部ＥＥＷはインターフェイスブロック１４に設けられず、第１の処理ブロック１２の上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２に設けられてもよい。この場合、レジスト膜の形成後、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７に載置される前に基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。
　（１０－９）
　金属除去ユニットＭＲが他の場所に設けられてもよい。例えば、第１または第２の処理ブロック１２，１３に金属除去ユニットＭＲが設けられてもよい。また、現像処理ユニット１３９において、基板Ｗの周縁部および裏面に金属用除去液が供給されることにより、基板Ｗの周縁部および裏面から金属成分が除去されてもよい。また、第１の処理ブロック１２と第２の処理ブロック１３との間に、金属除去ユニットＭＲを含む他の処理ブロックが配置されてもよい。
　（１１）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
　上記実施の形態においては、塗布処理ユニット１２９または現像処理ユニット１３９が膜処理ユニットの例であり、スピンチャック６１１またはスピンチャック３５が回転保持部の例であり、ノズル６２０またはスリットノズル３８が処理液供給部の例であり、カップ６１２またはカップ３７が飛散防止部材の例であり、カップ洗浄ノズル８３が除去液供給部の例である。また、カップ洗浄部材７６が案内部材の例であり、第２の案内部７６ｂが第１の除去液案内部の例であり、第１の案内部７６ａが第２の除去液案内部の例であり、カップ洗浄ノズル８３が第１の吐出ノズルの例であり、カップ洗浄ノズル８２が第２の吐出ノズルの例であり、回収ユニット６１Ａが除去液回収ユニットの例であり、エッジリンスノズル６１３が周縁部除去液供給ユニットの例である。また、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、現像処理ユニット１３９が現像処理ユニットの例である。
　請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
　本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

Claims (13)

  1. 基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
    　前記回転保持部により保持される基板の被処理面に処理液を供給する処理液供給部と、
    　前記回転保持部により保持される基板の外周端部を取り囲むように配置され、前記回転保持部により回転される基板から飛散する処理液を受け止める飛散防止部材と、
    　金属を溶解させる第１の除去液を前記飛散防止部材に供給するように構成される除去液供給部とを備える、膜処理ユニット。
  2. 前記処理液供給部は、基板の前記被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液を前記処理液として供給することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成するように構成される、請求項１記載の膜処理ユニット。
  3. 基板の前記被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液が供給されることにより金属含有塗布膜が形成された後に基板に露光処理が行われ、
    　前記処理液供給部は、露光処理後の基板の前記被処理面に現像液を前記処理液として供給するように構成される、請求項１記載の膜処理ユニット。
  4. 前記除去液供給部は、前記塗布液を溶解させる第２の除去液を前記飛散防止部材に供給するように構成される、請求項２または３記載の膜処理ユニット。
  5. 第１および第２の除去液案内部を有する案内部材をさらに備え、
    　前記除去液供給部は、
    　前記案内部材の前記第１の除去液案内部に向けて前記第１の除去液を吐出する第１の吐出ノズルと、
    　前記案内部材の前記第２の除去液案内部に向けて前記第２の除去液を吐出する第２の吐出ノズルとを含み、
    　前記第１および第２の除去液案内部は、前記第１および第２の吐出ノズルから吐出された前記第１および第２の除去液を前記飛散防止部材にそれぞれ導くように設けられる、請求項４記載の膜処理ユニット。
  6. 前記第１の除去液案内部は、前記飛散防止部材の第１の領域に前記第１の除去液を導くように設けられ、
    　前記第２の除去液案内部は、前記飛散防止部材の前記第１の領域よりも上方の第２の領域に前記第２の除去液を導くように設けられる、請求項５記載の膜処理ユニット。
  7. 除去液案内部を有する案内部材をさらに備え、
    　前記除去液供給部は、前記案内部材の前記除去液案内部に向けて前記第１および第２の除去液を選択的に吐出する吐出ノズルを含み、
    　前記除去液案内部は、前記吐出ノズルから吐出された前記第１および第２の除去液を前記飛散防止部材にそれぞれ導くように設けられる、請求項４記載の膜処理ユニット。
  8. 前記飛散防止部材に吐出された前記第１および第２の除去液を分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備える、請求項４～７のいずれか一項に記載の膜処理ユニット。
  9. 基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように、前記金属を溶解させる第３の除去液を前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットをさらに備える、請求項２記載の膜処理ユニット。
  10. 基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    　前記露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に前記金属含有塗布膜を形成する請求項２記載の膜処理ユニットと、
    　前記露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える、基板処理装置。
  11. 基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    　前記露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に金属を含む金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、
    　前記露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う請求項３記載の膜処理ユニットとを備える、基板処理装置。
  12. 回転保持部により基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、
    　前記回転保持部により保持される基板の被処理面に処理液供給部により金属および塗布液を含む金属含有塗布液を供給することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、
    　前記回転保持部により保持される基板の外周端部を取り囲むように配置される飛散防止部材により、前記回転保持部により回転される基板から飛散する金属含有塗布液を受け止めるステップと、
    　金属を溶解させる第１の除去液を除去液供給部により前記飛散防止部材に供給するステップとを備える、基板処理方法。
  13. 基板の前記被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液を供給することにより金属含有塗布膜を形成するステップと、
    　前記金属含有塗布膜が形成された基板に露光処理を行うステップと、
    　露光処理後の基板を回転保持部により水平姿勢で保持して回転させるステップと、
    　前記回転保持部により保持される基板の被処理面に処理液供給部により現像液を供給するステップと、
    　前記回転保持部により保持される基板の外周端部を取り囲むように配置される飛散防止部材により、前記回転保持部により回転される基板から飛散する現像液を受け止めるステップと、
    　金属を溶解させる第１の除去液を除去液供給部により前記飛散防止部材に供給するステップとを備える、基板処理方法。
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