TWI692827B - 膜處理單元、基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

膜處理單元、基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

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TWI692827B
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金山幸司
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

藉由旋轉夾頭一面保持基板一面使其旋轉，對基板噴出塗佈液。自基板向外側飛散之塗佈液由外承杯接住。為了洗淨外承杯，自承杯洗淨噴嘴噴出之洗淨液經由第1導引部噴出至外承杯之內周面。藉此，附著於外承杯之塗佈液及其固化物等溶解，並自外承杯被除去。繼而，自承杯洗淨噴嘴噴出之金屬用除去液經由第2導引部噴出至外承杯之內周面。藉此，殘留於外承杯之金屬成分溶解，並自外承杯被除去。

Description

膜處理單元、基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種膜處理單元、基板處理裝置及基板處理方法。
於製造半導體器件等之微影步驟中，藉由於基板上供給抗蝕液等塗佈液而形成塗佈膜。例如，基板藉由旋轉夾頭一面水平地保持一面旋轉。於該狀態下，藉由自噴嘴向基板之上表面之大致中央部噴出抗蝕液，而於基板之整個上表面形成作為塗佈膜之抗蝕膜。於此種裝置中，為了接住自基板飛散之抗蝕液等處理液，以包圍旋轉夾頭之方式設置防飛散構件。若附著於防飛散構件之處理液乾燥而固化，則有其固化物成為顆粒之可能性。因此，使用溶劑等進行防飛散構件之洗淨(例如參照專利文獻1)。 [專利文獻1]日本專利特開平7-66116號公報
[發明所欲解決之問題] 近年來，為了形成更微細之圖案，研究出應用含有金屬之塗佈膜(以下稱為含金屬之塗佈膜)。根據發明者之實驗，可知即便使用溶劑洗淨防飛散構件，金屬成分亦無法除去而殘留於防飛散構件。有因殘留於防飛散構件之金屬成分而污染基板或基板處理裝置之可能性。又，有因受金屬成分污染之基板被搬送至曝光裝置而污染曝光裝置之可能性。 本發明之目的在於提供一種能夠防止因金屬所致之污染之膜處理單元、基板處理裝置及基板處理方法。 [解決問題之技術手段] (1)按照本發明之一態樣之膜處理單元具備：旋轉保持部，其以水平姿勢保持基板並使其旋轉；處理液供給部，其對由旋轉保持部保持之基板之被處理面供給處理液；防飛散構件，其以包圍由旋轉保持部保持之基板之外周端部之方式配置，接住從由旋轉保持部旋轉之基板飛散之處理液；及除去液供給部，其構成為將使金屬溶解之第1除去液供給至防飛散構件。 於該膜處理單元中，一面藉由旋轉保持部使基板旋轉一面對基板之被處理面供給處理液，自基板飛散之處理液由防飛散構件接住。因此，處理液會附著於防飛散構件。又，於藉由處理液處理形成於基板上之膜之情形時，該膜之成分與處理液一併附著於防飛散構件。若處理液或基板上之膜中含有金屬，則有金屬附著於防飛散構件之可能性。根據上述構成，由於對防飛散構件供給第1除去液，故而可使附著於防飛散構件之金屬溶解而除去。因此，防止金屬自防飛散構件擴散。其結果為，防止基板或其他裝置被金屬污染。 (2)亦可為，處理液供給部構成為藉由將含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液作為處理液供給至基板之被處理面而於被處理面形成含金屬之塗佈膜。於此情形時，即便供給至基板之含金屬之塗佈液中之金屬附著於防飛散構件，亦可使該金屬溶解而除去。因此，防止金屬自防飛散構件擴散。 (3)亦可為，於藉由對基板之被處理面供給含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液而形成含金屬之塗佈膜後，對基板進行曝光處理，處理液供給部構成為將顯影液作為處理液供給至曝光處理後之基板之被處理面。於此情形時，即便藉由顯影液溶解之含金屬之塗佈膜中之金屬附著於防飛散構件，亦可使該金屬溶解而除去。因此，防止金屬自防飛散構件擴散。 (4)亦可為，除去液供給部構成為將使塗佈液溶解之第2除去液供給至防飛散構件。於此情形時，可使附著於防飛散構件之塗佈液溶解而除去。 (5)亦可為，膜處理單元進而具備具有第1及第2除去液導引部之導引構件，除去液供給部包含：第1噴出噴嘴，其導引構件之第1除去液導引部噴出第1除去液；及第2噴出噴嘴，其導引構件之第2除去液導引部噴出第2除去液；且第1及第2除去液導引部以將自第1及第2噴出噴嘴噴出之第1及第2除去液分別導引至防飛散構件之方式設置。 於此情形時，自第1及第2噴出噴嘴噴出之第1及第2除去液藉由導引構件適當地供給至防飛散構件。藉此，可自防飛散構件高效率地除去金屬及塗佈液。 (6)亦可為，第1除去液導引部以將第1除去液導引至防飛散構件之第1區域之方式設置，第2除去液導引部以將第2除去液導引至防飛散構件之較第1區域更上方之第2區域之方式設置。於此情形時，可於經由第1除去液導引部對防飛散構件之第1區域供給第1除去液後經由第2除去液導引部對防飛散構件之第2區域供給第2除去液之情形時藉由第2除去液充分地沖洗第1除去液。 (7)亦可為，膜處理單元進而具備具有除去液導引部之導引構件，除去液供給部包含嚮導引構件之除去液導引部選擇性地噴出第1及第2除去液之噴出噴嘴，除去液導引部以將自噴出噴嘴噴出之第1及第2除去液分別導引至防飛散構件之方式設置。於此情形時，以簡單之構成便可將第1除去液及第2除去液高效率地供給至防飛散構件。 (8)亦可為，膜處理單元進而具備除去液回收單元，該除去液回收單元以將噴出至防飛散構件之第1及第2除去液分離並回收之方式設置。於此情形時，使用者無需進行用以分離使用過之第1除去液與使用過之第2除去液之作業。藉此，可減少第1及第2除去液之回收成本及廢棄成本。 (9)亦可為，膜處理單元進而具備周緣部除去液供給單元，該周緣部除去液供給單元以於基板之被處理面之除周緣部以外之區域殘留含金屬之塗佈膜之方式，將使金屬溶解之第3除去液供給至由旋轉保持部旋轉之基板之被處理面之周緣部。於此情形時，防止金屬殘留於基板之周緣部。藉此，防止金屬自基板之周緣部擴散。 (10)按照本發明之另一態樣之基板處理裝置係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置者，且具備：上述膜處理單元，其於利用曝光裝置之曝光處理前，在基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜；及顯影處理單元，其於利用曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。 於該基板處理裝置中，藉由膜處理單元於利用曝光裝置之曝光處理前之基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜，藉由顯影處理單元對利用曝光裝置之曝光處理後之基板進行顯影處理。藉此，可於基板之被處理面形成微細之圖案。又，由於使用上述膜處理單元，故而防止金屬自防飛散構件擴散。藉此，防止基板、或基板處理裝置或曝光裝置之內部被金屬污染。 (11)按照本發明之又一態樣之基板處理裝置係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置者，且具備：膜形成單元，其於利用曝光裝置之曝光處理前，在基板之被處理面形成含有金屬之含金屬之塗佈膜；及上述膜處理單元，其於利用曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。 於該基板處理裝置中，藉由膜形成單元於利用曝光裝置之曝光處理前之基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜，藉由膜處理單元對利用曝光裝置之曝光處理後之基板進行顯影處理。藉此，可於基板之被處理面形成微細之圖案。又，由於使用上述膜處理單元，故而防止金屬自防飛散構件擴散。藉此，防止基板、或基板處理裝置或曝光裝置之內部被金屬污染。 (12)按照本發明之又一態樣之基板處理方法包括如下步驟：藉由旋轉保持部以水平姿勢保持基板並使其旋轉；藉由處理液供給部將含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液供給至由上述旋轉保持部保持之基板之被處理面，藉此於上述被處理面形成含金屬之塗佈膜；藉由以包圍由上述旋轉保持部保持之基板之外周端部之方式配置之防飛散構件，接住從由上述旋轉保持部旋轉之基板飛散之含金屬之塗佈液；及藉由除去液供給部將使金屬溶解之第1除去液供給至上述防飛散構件。 根據該基板處理方法，一面藉由旋轉保持部使基板旋轉一面對基板之被處理面供給處理液，藉此於基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜。於此情形時，由於對防飛散構件供給第1除去液，故而即便供給至基板之含金屬之塗佈液中之金屬附著於防飛散構件，亦可使該金屬溶解而除去。因此，防止金屬自防飛散構件擴散。其結果為，防止基板、或裝置之內部或周邊部被金屬污染。 (13)按照本發明之又一態樣之基板處理方法包括如下步驟：藉由對基板之上述被處理面供給含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液而形成含金屬之塗佈膜；對形成有上述含金屬之塗佈膜之基板進行曝光處理；藉由旋轉保持部以水平姿勢保持曝光處理後之基板並使其旋轉；藉由處理液供給部對由上述旋轉保持部保持之基板之被處理面供給顯影液；藉由以包圍由上述旋轉保持部保持之基板之外周端部之方式配置之防飛散構件，接住從由上述旋轉保持部旋轉之基板飛散之顯影液；及藉由除去液供給部將使金屬溶解之第1除去液供給至上述防飛散構件。 根據該基板處理方法，於在基板之被處理面形成含金屬之塗佈膜後，對基板進行曝光處理。其後，一面藉由旋轉保持部使基板旋轉一面對基板之被處理面供給顯影液。藉此，進行基板之顯影處理。於此情形時，由於對防飛散構件供給第1除去液，故而即便藉由顯影液溶解之含金屬之塗佈膜中之金屬附著於防飛散構件，亦可使該金屬溶解而除去。因此，防止金屬自防飛散構件擴散。其結果為，防止基板、或裝置之內部或周邊部被金屬污染。 [發明之效果] 根據本發明，防止金屬自防飛散構件擴散，防止基板等被金屬污染。
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之膜處理單元、基板處理裝置及基板處理方法進行說明。再者，於以下說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。 (1)基板處理裝置 圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。於圖1及圖2以後之特定圖中，為了明確位置關係，標註表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。 如圖1所示，基板處理裝置100具備裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成傳遞區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。於本例中，曝光裝置15藉由EUV(Extreme Ultra Violet，遠紫外線)對基板W進行曝光處理。EUV之波長為13 nm以上且14 nm以下。 如圖1所示，裝載區塊11包含複數個載體載置部111及搬送部112。於各載體載置部111載置多段地收納複數個基板W之載體113。於搬送部112設置主控制器114及搬送機構115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成元件。搬送機構115保持基板W並且搬送該基板W。 第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123以隔著搬送部122對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間設置供基板W載置之基板載置部PASS1～PASS4(參照圖12)。於搬送部122設置搬送基板W之搬送機構127、128(參照圖12)。 第2處理區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133以隔著搬送部132對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間設置供基板W載置之基板載置部PASS5～PASS8(參照圖12)。於搬送部132設置搬送基板W之搬送機構137、138(參照圖12)。 洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162以隔著搬送部163對向之方式設置。於搬送部163設置搬送機構141、142。於搬送部163與搬送部132之間設置載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(參照圖12)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2構成為可收容複數個基板W。 又，於搬送機構141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式設置基板載置部PASS9、下述邊緣曝光部EEW(參照圖12)及下述載置兼冷卻部P-CP(參照圖12)。載置兼冷卻部P-CP具備冷卻基板W之功能(例如冷卻板)。於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適於曝光處理之溫度。於搬入搬出區塊14B設置搬送機構146。搬送機構146進行基板W相對於曝光裝置15之搬入及搬出。 (2)塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部 圖2係表示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之內部構成之模式性側視圖。如圖2所示，於塗佈處理部121分層地設置塗佈處理室21、22、23、24。於各塗佈處理室21～24設置塗佈處理單元129。於顯影處理部131分層地設置顯影處理室31～34。於各顯影處理室31～34設置顯影處理單元139。 (2-1)塗佈處理單元 圖3係表示塗佈處理單元129之構成之模式性俯視圖。如圖3所示，各塗佈處理單元129包含噴嘴搬送機構60、2組旋轉單元61及2組噴嘴單元62。噴嘴搬送機構60包含抓持部601、一對第1導軌602、第2導軌603及一對汽缸604。一對第1導軌602以隔著2組旋轉單元61及2組噴嘴單元62之方式相互平行地配置。第2導軌603以相對於一對第1導軌602正交之方式配置。第2導軌603之兩端部經由一對汽缸604分別安裝於一對第1導軌602。第2導軌603可沿第1導軌602移動，且可藉由一對汽缸604相對於第1導軌602升降。可沿第2導軌603移動地設置抓持部601。 各旋轉單元61包含旋轉夾頭611(圖2)、承杯612及邊緣清洗噴嘴613。旋轉夾頭611於保持基板W之狀態下由下述馬達71(圖4)旋轉驅動。承杯612以包圍由旋轉夾頭611保持之基板W之外周端部之方式設置。關於旋轉單元61之詳細情況於下文敍述。 各噴嘴單元62包含複數個噴嘴620及複數個待機槽WP。各噴嘴620於對應之待機槽WP中待機。對各噴嘴620，經由塗佈液配管411供給含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液。金屬包含金屬分子或金屬氧化物等金屬成分。於本例中，作為金屬成分，使用例如Sn(錫)、HfO2 (氧化鉿)或ZrO2 (二氧化鋯)。又，作為塗佈液，使用抗反射膜用之塗佈液及抗蝕膜用之塗佈液。 再者，旋轉單元61及噴嘴單元62之各者之數量並不限定於2個。旋轉單元61及噴嘴單元62可分別僅設置1個，或者亦可設置3個以上。又，旋轉單元61之數量與噴嘴單元62之數量亦可不同。 噴嘴搬送機構60藉由抓持部601抓持任一噴嘴620，並使該噴嘴620向基板W之上方移動。於該狀態下，一面使旋轉夾頭611旋轉一面自噴嘴620噴出含金屬之塗佈液。藉此，於旋轉之基板W上塗佈含金屬之塗佈液。 於本實施形態中，對圖2之塗佈處理室22、24之噴嘴620供給含有抗反射膜用塗佈液之含金屬之塗佈液，對塗佈處理室21、23之噴嘴620供給含有抗蝕膜用塗佈液之含金屬之塗佈液。以下，將由含金屬之塗佈液形成之抗反射膜及抗蝕膜統稱為含金屬之塗佈膜。 邊緣清洗噴嘴613以朝向由旋轉夾頭611保持之基板W之被處理面之周緣部之方式配置。此處，所謂被處理面係指形成電路圖案等各種圖案之基板W之面。所謂基板W之周緣部係指於基板W之被處理面沿基板W之外周部之一定寬度之區域。 邊緣清洗噴嘴613噴出用以自基板W之周緣部除去含金屬之塗佈膜之膜除去液。膜除去液為第2除去液之例。作為膜除去液，除包含稀釋劑、乙酸丁酯(butyl acetate)、PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate，丙二醇單甲醚乙酸酯)、PGME(propyleneglycolmonomethyl ether，丙二醇單甲醚)之有機溶劑以外，亦可使用TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide，氫氧化四甲基銨)、或含有氨及過氧化氫水之水溶液等。 於藉由旋轉夾頭611旋轉基板W之狀態下，自邊緣清洗噴嘴613對基板W之周緣部噴出膜除去液。藉此，塗佈於基板W之周緣部之塗佈液溶解而被除去。 圖4及圖5係用以說明旋轉單元61之詳細情況之模式性側視圖。再者，於圖4及圖5中，省略邊緣清洗噴嘴613之圖示。如圖4所示，旋轉單元61進而包含馬達71及一對升降機構72。馬達71之旋轉軸71a鉛垂地配置。旋轉夾頭611固定於旋轉軸71a之上端部。於旋轉夾頭611之下方之旋轉軸71a之部分，以向外側突出之方式設置固定部71b。 一對升降機構72分別包含例如汽缸，且水平地支持升降板73。於升降板73形成開口73a、排液口73b及排氣口73c。馬達71之旋轉軸71a配置於開口73a內。於排液口73b連接配管421，配管421分支為配管421a、421b並延伸至回收槽TA1、TA2。於配管421a中介插設有回收閥V1，於配管421b中介插設有回收閥V2。由配管421、421a、421b、回收槽TA1、TA2及回收閥V1、V2構成回收單元61A。藉由選擇性地打開回收閥V1、V2，自排液口73b排出之液體選擇性地被導引至回收槽TA1、TA2。於本例中，膜除去液及下述洗淨液被導引至回收槽TA1，下述金屬用除去液被導引至回收槽TA2。除設置回收槽TA1、TA2以外，亦可設置用以回收含金屬之塗佈液之回收槽。又，亦可另外設置用以廢棄自排液口73b排出之各液而不進行回收之配管。於排氣口73c連接配管422。配管422延伸至工廠之排氣線。 於升降板73之上表面設置承杯612。承杯612包含外承杯612a及內承杯612b。於內承杯612b之上部，設置朝外側向斜下方延伸之整流部74。整流部74以使供給至塗佈處理單元129之降流於基板W之周圍均勻地流動並導引至排氣口73c之方式對氣體進行整流。 於升降板73之上方且內承杯612b之內側設置基底部75。於基底部75之上表面設置複數個背部清洗噴嘴81、複數個承杯洗淨噴嘴82、及複數個承杯洗淨噴嘴83。複數個背部清洗噴嘴81朝向鉛垂上方。複數個承杯洗淨噴嘴82分別設置於複數個背部清洗噴嘴81之外側，複數個承杯洗淨噴嘴83分別設置於複數個承杯洗淨噴嘴82之外側。 對各背部清洗噴嘴81及各承杯洗淨噴嘴82自未圖示之洗淨液供給源供給洗淨液。於本例中，供給至背部清洗噴嘴81及承杯洗淨噴嘴82之洗淨液係與自圖3之邊緣清洗噴嘴613噴出之膜除去液相同。各背部清洗噴嘴81對由旋轉夾頭611保持之基板W之背面噴出洗淨液。 對各承杯洗淨噴嘴83自未圖示之金屬用除去液供給源供給金屬用除去液。金屬用除去液為第1除去液之例。作為金屬用除去液，使用鹼性除去液或酸性除去液。鹼性除去液例如為含有氨及過氧化氫之水溶液。鹼性除去液例如亦可為TMAH。酸性除去液例如為含有稀氫氟酸之水溶液。酸性除去液例如可為含有硫酸及過氧化氫之水溶液，亦可為含有乙酸之水溶液。又，亦可使用含有螯合劑之水溶液作為金屬用除去液。螯合劑亦可包含選自由有機酸、有機酸之鹽、胺基酸、胺基酸之衍生物、無機鹼、無機鹼之鹽、烷基胺、烷基胺之衍生物、烷醇胺及烷醇胺之衍生物所組成之群中之一種或複數種。金屬用除去液可將含金屬之塗佈液中所含之金屬成分溶解除去。 以自基底部75之內周部向上方突出之方式設置支持部75a。於支持部75a上支持圓板狀之承杯洗淨構件76。於承杯洗淨構件76設置複數個孔部HL。於各孔部HL內配置背部清洗噴嘴81。由承杯洗淨噴嘴82、83及承杯洗淨構件76構成承杯洗淨機構CM。 藉由一對升降機構72將升降板73進行升降，且與升降板73一體地將承杯612(外承杯612a及內承杯612b)進行升降。承杯612於處理位置、搬入搬出位置及洗淨位置之間升降。於圖4中，承杯612位於處理位置。搬入搬出位置低於處理位置，且洗淨位置低於搬入搬出位置。 於承杯612位於圖4之處理位置之情形時，外承杯612a之上端部位於較由旋轉夾頭611保持之基板W高之位置，整流部74之上端部接近於基板W之下表面之周緣部。於該狀態下，一面使由旋轉夾頭611保持之基板W旋轉一面自圖3之噴嘴620對基板W噴出含金屬之塗佈液，於基板W上形成含金屬之塗佈膜。自基板W向外側飛散之含金屬之塗佈液由外承杯612a接住。 於承杯612位於搬入搬出位置之狀態下，外承杯612a之上端部低於由旋轉夾頭611保持之基板W。於該狀態下，藉由圖1及下述圖12之搬送機構127、128，將基板W載置於旋轉夾頭611，或自旋轉夾頭611接收基板W。 於承杯612位於洗淨位置之狀態下，進行承杯612之洗淨處理。進行洗淨處理之期間例如為於塗佈處理單元129中將基板W之處理暫停一定時間以上之期間。於圖5中，承杯612位於洗淨位置。如圖5所示，承杯洗淨構件76藉由支持於固定部71b而自支持部75a離開。於此情形時，承杯洗淨構件76藉由未圖示之固定機構被固定於固定部71b。例如，以自承杯洗淨構件76之下表面突出之方式設置銷，於固定部71b設置凹部。藉由將承杯洗淨構件76之銷嵌合至固定部71b之凹部，承杯洗淨構件76被固定於固定部71b。藉此，承杯洗淨構件76與馬達71之旋轉軸71a一併旋轉。 圖6係承杯洗淨構件76之局部放大剖視圖。如圖6所示，於承杯洗淨構件76形成第1及第2導引部76a、76b。第1及第2導引部76a、76b分別以自承杯洗淨構件76之下表面向周緣部彎曲地延伸之方式呈凹狀設置。又，第1及第2導引部76a、76b分別關於圖4之旋轉軸71a旋轉對稱地呈環狀設置。第2導引部76b之下端開口位於較第1導引部76a之下端開口更外側，第2導引部76b之外端部位於較第1導引部76a之外端部更下方。 自承杯洗淨構件76之外周面向第1導引部76a之外端部，複數個噴出口85a以沿圓周方向排列之方式形成，自承杯洗淨構件76之外周面向第2導引部76b之外端部，複數個噴出口85b以沿圓周方向排列之方式形成。複數個噴出口85b位於較複數個噴出口85a更下方。 於承杯612位於圖5之洗淨位置之情形時，承杯洗淨噴嘴82朝向第1導引部76a，承杯洗淨噴嘴83朝向第2導引部76b。又，承杯洗淨構件76之噴出口85a、85b位於較整流部74之上端部高之位置，且位於較外承杯612a之上端部低之位置。 圖7係用以說明承杯612之洗淨處理之具體例之圖。如圖7(a)所示，首先，一面使承杯洗淨構件76旋轉一面自承杯洗淨噴嘴82對第1導引部76a噴出洗淨液。噴出之洗淨液經由第1導引部76a導引至噴出口85a，自噴出口85a噴出至外承杯612a之內周面。於此情形時，由於承杯洗淨構件76旋轉，故而遍及外承杯612a之內周面之整個圓周方向地供給洗淨液。藉此，附著於外承杯612a之塗佈液及其固化物等溶解，自外承杯612a除去。 繼而，如圖7(b)所示，一面使承杯洗淨構件76旋轉一面自承杯洗淨噴嘴83對第2導引部76b噴出金屬用除去液。噴出之金屬用除去液經由第2導引部76b導引至噴出口85b，自噴出口85b噴出至外承杯612a之內周面。於此情形時，由於承杯洗淨構件76旋轉，故而遍及外承杯612a之內周面之整個圓周方向地供給金屬用除去液。 即便以上述方式將洗淨液供給至外承杯612a，含金屬之塗佈膜中含有之金屬成分亦無法充分地除去，有殘留於外承杯612a之可能性。因此，除洗淨液以外，亦將金屬用除去液供給至外承杯612a。藉此，殘留於外承杯612a之金屬成分溶解，自外承杯612a除去。 其次，如圖7(c)所示，一面使承杯洗淨構件76旋轉一面再次自承杯洗淨噴嘴82對第1導引部76a噴出洗淨液。藉此，沖洗附著於外承杯612a之金屬用除去液。由於複數個噴出口85a位於較複數個噴出口85b更上方，故而自噴出口85a噴出之洗淨液較自噴出口85b噴出之金屬用除去液到達至外承杯612a之內周面之更高位置，且自該位置沿著外承杯612a之內周面流向下方。藉此，於外承杯612a之內周面，供給洗淨液之區域大於供給金屬用除去液之區域。因此，藉由洗淨液充分地沖洗金屬用除去液，防止金屬用除去液殘留於外承杯612a。再者，為了沖洗金屬用除去液，亦可自承杯洗淨噴嘴82噴出純水代替洗淨液。 於自承杯洗淨噴嘴82噴出洗淨液之期間，打開圖4之回收閥V1，關閉回收閥V2。藉此，自排液口73b排出之洗淨液被導引至圖4之回收槽TA1。另一方面，於自承杯洗淨噴嘴83噴出金屬用除去液之期間，關閉圖4之回收閥V1，打開回收閥V2。藉此，自排液口73b排出之金屬用除去液被導引至圖4之回收槽TA2。如此，藉由將使用過之洗淨液與使用過之金屬用除去液分離並回收，使用者無需進行用以分離洗淨液與金屬用除去液之作業。因此，可減少除去液之回收成本及廢棄成本。 於圖7之例中，對外承杯612a依序供給洗淨液、金屬用除去液及洗淨液(或純水)，但本發明並不限定於此。亦可首先對外承杯612a供給金屬用除去液而非洗淨液，然後對承杯612供給洗淨液，於此情形時，於藉由金屬用除去液自外承杯612a除去金屬成分後，藉由洗淨液自外承杯612a除去塗佈液及固化物等，且沖洗金屬用除去液。 又，於圖7之例中，承杯612之洗淨處理僅使用1種金屬用除去液，但亦可使用複數種金屬用除去液。於此情形時，可將複數種金屬用除去液依序供給至外承杯612a，亦可將任一金屬用除去液選擇性地供給至外承杯612a。 又，於圖7之例中，自承杯洗淨構件76之噴出口85a、85b對外承杯612a噴出各液，但亦可對內承杯612b之整流部74亦噴出各液。例如，藉由將噴出口85a、85b設為縱長形狀，各液之供給範圍上下擴展，可對整流部74亦噴出各液。又，作為噴出口85a，分別形成朝向外承杯612a之孔部與朝向整流部74之孔部，同樣地，作為噴出口85b，亦可分別形成朝向外承杯612a之孔部與朝向整流部74之孔部。 用以回收洗淨液及金屬用除去液之構成並不限定於上述例。圖8係用以說明回收單元61A之另一例之圖。關於圖8之例，對與圖4之例不同之方面進行說明。 於圖8之例中，配管421連接於分離槽TA3。又，分離槽TA3經由配管421a、421b連接於回收槽TA1、TA2。於此情形時，自承杯612之排液口73b將洗淨液及金屬用除去液導引至共通之分離槽TA3。 此處，洗淨液與金屬用除去液具有互不相同之比重，金屬用除去液之比重大於洗淨液之比重。因此，於回收槽TA3內，洗淨液之層LA1與金屬用除去液之層LA2形成為上下分離。因此，於回收槽TA3設置檢測層LA1與層LA2之邊界面之BS。作為邊界檢測部BS，使用例如靜電電容式之液位感測器。亦可取而代之，使用浮式、光學式、超音波式、導電率式、壓電共振式等其他方式之液位感測器作為邊界檢測部BS。 於分離槽TA3設定層LA1與層LA2之邊界面之下限高度L1及L2。上限高度L2位於較下限高度L1更上方。於TA3中，在高於上限高度L2之位置安裝配管421a，在低於下限高度L1之位置安裝配管421b。 例如，於藉由邊界檢測部BS檢測之邊界面之高度未達下限高度L1之情形時，關閉回收閥V2。藉此，防止洗淨液經由配管421b導引至回收槽TA2。於此情形時，回收閥V1可打開，亦可關閉。於藉由邊界檢測部BS檢測之邊界面之高度為下限高度L1以上且未達上限高度L2之情形時，打開回收閥V1、V2。藉此，洗淨液及金屬用除去液經由配管421a、421b分別被導引至回收槽TA1、TA2。於藉由邊界檢測部BS檢測之邊界面之高度為上限高度L2以上之情形時，打開回收閥V2，關閉回收閥V1。藉此，金屬用除去液經由回收配管421b被導引至回收槽TA2。又，防止金屬用除去液經由回收配管421a被導引至回收槽TA1。 如此，於圖8之例中，基於洗淨液及金屬用除去液之比重，將使用過之洗淨液與使用過之金屬用除去液分離。藉此，可將洗淨液與金屬用除去液完全分離並回收。於此情形時，使用者無需進行用以分離洗淨液與金屬用除去液之作業。藉此，可減少各液之回收成本及廢棄成本。 (2-2)顯影處理單元及洗淨乾燥處理單元 如圖2所示，顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣地具備複數個旋轉夾頭35及複數個承杯37。又，如圖1所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之2個狹縫噴嘴38及使該等狹縫噴嘴38沿X方向移動之移動機構39。 於顯影處理單元139中，藉由下述馬達35a(圖16)使旋轉夾頭35旋轉。藉此，基板W旋轉。於該狀態下，狹縫噴嘴38一面移動一面對各基板W供給顯影液。藉此，進行基板W之顯影處理。 於洗淨乾燥處理部161設置複數個(本例中為3個)洗淨乾燥處理單元BSS。於各洗淨乾燥處理單元BSS中使用有機溶劑或純水進行曝光處理前之基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。此處，所謂背面係指基板W之與被處理面為相反側之面。 (3)熱處理部 圖9係表示圖1之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之內部構成之模式性側視圖。如圖9所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302設置複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。 於熱處理部123之最上部設置現場控制器LC1。現場控制器LC1基於來自圖1之主控制器114之指令，控制塗佈處理部121(圖1)、搬送部122(圖1)及熱處理部123之動作。 於熱處理單元PHP中進行基板W之加熱處理及冷卻處理。於密接強化處理單元PAHP中進行用以提高基板W與抗反射膜之密接性之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，於基板W塗佈HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)等密接強化劑並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。 熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304設置冷卻單元CP及複數個熱處理單元PHP。 於熱處理部133之最上部設置LC2。現場控制器LC2基於來自圖1之主控制器114之指令，控制顯影處理部131(圖1)、搬送部132(圖1)及熱處理部133之動作。 (4)金屬除去單元 如上所述，於藉由圖3之旋轉夾頭611使基板W旋轉之狀態下，自邊緣清洗噴嘴613對基板W之周緣部噴出膜除去液，藉此塗佈於基板W之周緣部之塗佈液溶解。藉此，將基板W之周緣部之含金屬之塗佈膜除去。然而，有於基板W之周緣部殘留含金屬之塗佈液中含有之金屬成分之可能性。又，於含金屬之塗佈液流回至基板W之背面之情形時，於基板W之背面殘留含金屬之塗佈液中含有之金屬成分。 若於在基板W之周緣部或背面附著有金屬成分之狀態下於基板處理裝置100內搬送基板W，則會於基板處理裝置100之內部及曝光裝置15之內部產生因金屬成分所致之污染。因此，於洗淨乾燥處理部162設置將附著於曝光處理前之基板W之周緣部及背面之金屬成分除去之複數個(本例中為6個)金屬除去單元MR。 於本例中，在3個金屬除去單元MR與剩餘3個金屬除去單元MR中使用不同之金屬用除去液。於此情形時，可根據含金屬之塗佈液中含有之金屬成分之種類，藉由適當之金屬除去單元MR將附著於基板W之周緣部及背面之金屬成分除去。 圖10係表示金屬除去單元MR之第1構成例之圖。如圖10所示，於金屬除去單元MR設置馬達1、旋轉夾頭3、承杯4、2個背面洗淨噴嘴7、周緣部洗淨噴嘴8及氣體供給部9。旋轉夾頭3可繞鉛垂軸旋轉地安裝於馬達1之旋轉軸2之上端。承杯4以包圍保持於旋轉夾頭3之基板W之周圍之方式配置。於承杯4之下部形成排氣部5及排液部6。 2個背面洗淨噴嘴7以朝向由旋轉夾頭3保持之基板W之背面之方式配置。自背面洗淨噴嘴7對基板W之背面噴出金屬用除去液。周緣部洗淨噴嘴8以朝向由旋轉夾頭3保持之基板W之周緣部之方式配置。自周緣部洗淨噴嘴8對基板W之周緣部噴出金屬用除去液。 氣體供給部9配置於由旋轉夾頭3保持之基板W之大致中央部之上方。自氣體供給部9對基板W之被處理面之大致中央部噴出惰性氣體、例如氮氣。於此情形時，自氣體供給部9噴出之氣體於基板W之被處理面之大致中央部擴散。藉此，防止自周緣部洗淨噴嘴8噴出之金屬用除去液附著於形成於基板W之被處理面之塗佈膜。 圖11係表示金屬除去單元MR之第2構成例之圖。如圖11所示，於第2構成例中之金屬除去單元MR，代替圖10之周緣部洗淨噴嘴8及氣體供給部9而設置氣液供給噴嘴10。氣液供給噴嘴10包含沿水平方向排列之液體噴嘴10a及氣體噴嘴10b。氣液供給噴嘴10以朝向由旋轉夾頭3保持之基板W之周緣部之方式配置。此處，氣體噴嘴10b配置於較液體噴嘴10a靠基板W之中心之附近。 自液體噴嘴10a對基板W之周緣部噴出金屬用除去液。自氣體噴嘴10b對基板W之周緣部噴出惰性氣體、例如氮氣。於此情形時，自氣體噴嘴10b噴出氣體之基板W之位置較自液體噴嘴10a噴出金屬用除去液之位置接近於基板W之中心。因此，防止自液體噴嘴10a噴出之金屬用除去液因自氣體噴嘴10b噴出之氣體而朝向基板W之中心。藉此，防止自液體噴嘴10a噴出之金屬用除去液附著於形成於基板W之被處理面之塗佈膜。 於圖10及圖11之金屬除去單元MR中，自周緣部洗淨噴嘴8或液體噴嘴10a對基板W之周緣部供給金屬用除去液，因此基板W之周緣部之含金屬之塗佈膜中之金屬成分溶解，於基板W之被處理面之除周緣部以外之區域殘留含金屬之塗佈膜。又，自背面洗淨噴嘴7對基板W之背面供給金屬用除去液，因此即便於含金屬之塗佈液流回至基板W之背面之情形時，亦會將背面之附著於基板W之背面之含金屬之塗佈液中之金屬成分除去。 又，於本例中，藉由熱處理部123使含金屬之塗佈膜硬化後之基板W被搬送至金屬除去單元MR，因此即便於金屬除去單元MR中自氣體供給部9或氣體噴嘴10b對基板W噴出氣體，亦不會對含金屬之塗佈膜之膜厚造成影響。該等之結果為，可於基板W之被處理面以均勻之厚度形成含金屬之塗佈膜。 (5)搬送部 圖12係表示搬送部122、132、163之內部構成之模式性側視圖。如圖12所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置搬送機構127，於下段搬送室126設置搬送機構128。又，於上段搬送室135設置搬送機構137，於下段搬送室136設置搬送機構138。 塗佈處理室21、22(圖2)與上段熱處理部301(圖9)隔著上段搬送室125而對向，塗佈處理室23、24(圖2)與下段熱處理部302(圖9)隔著下段搬送室126而對向。同樣地，顯影處理室31、32(圖2)與上段熱處理部303(圖9)隔著上段搬送室135而對向，顯影處理室33、34(圖2)與下段熱處理部304(圖9)隔著下段搬送室136而對向。 於搬送部112與上段搬送室125之間設置基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間設置基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間設置基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間設置基板載置部PASS7、PASS8。 於上段搬送室135與搬送部163之間設置載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置基板載置部PASS9、複數個邊緣曝光部EEW及複數個載置兼冷卻部P-CP。 載置兼緩衝部P-BF1構成為可利用搬送機構137及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2構成為可利用搬送機構138及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。又，基板載置部PASS9、邊緣曝光部EEW及載置兼冷卻部P-CP構成為可利用搬送機構141、142(圖1)及搬送機構146進行基板W之搬入及搬出。 於邊緣曝光部EEW中進行基板W之周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。藉由對基板W進行邊緣曝光處理，於其後之顯影處理時，將基板W之周緣部上之抗蝕膜除去。藉此，防止於顯影處理後基板W之周緣部與其他部分接觸之情形時，基板W之周緣部上之抗蝕膜剝離而成為顆粒。 於基板載置部PASS1及基板載置部PASS3載置自裝載區塊11向第1處理區塊12搬送之基板W，於基板載置部PASS2及基板載置部PASS4載置自第1處理區塊12向裝載區塊11搬送之基板W。 於基板載置部PASS5及基板載置部PASS7載置自第1處理區塊12向第2處理區塊13搬送之基板W，於基板載置部PASS6及基板載置部PASS8載置自第2處理區塊13向第1處理區塊12搬送之基板W。 於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2載置自第2處理區塊13向洗淨乾燥處理區塊14A搬送之基板W，於載置兼冷卻部P-CP載置自洗淨乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬送之基板W，於基板載置部PASS9載置自搬入搬出區塊14B向洗淨乾燥處理區塊14A搬送之基板W。 其次，對搬送機構127進行說明。圖13係表示搬送機構127之立體圖。如圖12及圖13所示，搬送機構127具備長條狀之導軌311、312。如圖12所示，導軌311於上段搬送室125內以沿上下方向延伸之方式固定於搬送部112側。導軌312於上段搬送室125內以沿上下方向延伸之方式固定於上段搬送室135側。 於導軌311與導軌312之間設置長條狀之導軌313。導軌313可上下移動地安裝於導軌311、312。於導軌313安裝移動構件314。移動構件314設置為可沿導軌313之長度方向移動。 於移動構件314之上表面可旋轉地設置長條狀之旋轉構件315。於旋轉構件315安裝用以保持基板W之外周部之手H1、H2、H3。手H1～H3設置為可沿旋轉構件315之長度方向移動。手H1配置於較手H2更上方，手H2配置於較手H3更上方。 藉由如上所述之構成，搬送機構127可於上段搬送室125內沿X方向及Z方向自由地移動。又，可使用手H1～H3對塗佈處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖12)及上段熱處理部301(圖9)進行基板W之交接。 再者，如圖12所示，搬送機構128、137、138具有與搬送機構127相同之構成。又，於本實施形態中，圖1之搬送機構142具有與搬送機構127相同之3個手H1～H3。 (6)基板處理 一面參照圖1、圖2、圖9及圖12一面說明基板處理。於裝載區塊11之載體載置部111(圖1)載置收容有未處理之基板W之載體113。搬送機構115自載體113向基板載置部PASS1、PASS3(圖12)搬送未處理之基板W。又，搬送機構115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖12)之處理過之基板W搬送至載體113。 於第1處理區塊12中，搬送機構127(圖12)使用中段及下段之手H2、H3將載置於基板載置部PASS1之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖9)、冷卻單元CP(圖9)及塗佈處理室22(圖2)。其次，搬送機構127使用手H2、H3將塗佈處理室22之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖9)、冷卻單元CP(圖9)、塗佈處理室21(圖2)、熱處理單元PHP(圖9)及基板載置部PASS5(圖12)。 於此情形時，於密接強化處理單元PAHP中對基板W進行密接強化處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗反射膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室22中藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗反射膜。繼而，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗蝕膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗蝕膜。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。 又，搬送機構127使用上段之手H1將載置於基板載置部PASS6(圖12)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖12)。 搬送機構128(圖12)使用中段及下段之手H2、H3將載置於基板載置部PASS3之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖9)、冷卻單元CP(圖9)及塗佈處理室24(圖2)。其次，搬送機構128使用手H2、H3將塗佈處理室24之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖9)、冷卻單元CP(圖9)、塗佈處理室23(圖2)、熱處理單元PHP(圖9)及基板載置部PASS7(圖12)。 又，搬送機構128(圖12)使用上段之手H1將載置於基板載置部PASS8(圖12)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖12)。塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖9)中之基板W之處理內容係與上述塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖9)中之基板W之處理內容分別相同。 於第2處理區塊13中，搬送機構137(圖12)使用下段之手H3將載置於基板載置部PASS5之抗蝕膜形成後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF1(圖12)。 又，搬送機構137(圖12)使用上段及中段之手H1、H2自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之熱處理單元PHP(圖9)取出曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構137使用手H1、H2將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖9)、顯影處理室31、32(圖2)中之任一者、熱處理單元PHP(圖9)及基板載置部PASS6(圖12)。 於此情形時，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於顯影處理之溫度後，於顯影處理室31、32中之任一者中藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。 搬送機構138(圖12)使用下段之手H3將載置於基板載置部PASS7之抗蝕膜形成後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF2(圖12)。 又，搬送機構138(圖12)使用上段及中段之手H1、H2自鄰接於傳遞區塊14之熱處理單元PHP(圖9)取出曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送機構138使用手H1、H2將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖9)、顯影處理室33、34(圖2)中之任一者、熱處理單元PHP(圖9)及基板載置部PASS8(圖12)。顯影處理室33、34及下段熱處理部304中之基板W之處理內容係與上述顯影處理室31、32及上段熱處理部303中之基板W之處理內容分別相同。 於洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送機構142(圖1)使用下段之手H3將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖12)之基板W搬送至金屬除去單元MR(圖9)。又，搬送機構142使用上段及中段之手H1、H2將金屬除去單元MR之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF1(圖12)或載置兼緩衝部P-BF2(圖12)。搬送機構141(圖1)將自金屬除去單元MR搬送至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之基板W依序搬送至洗淨乾燥處理單元BSS(圖2)、邊緣曝光部EEW及載置兼冷卻部P-CP(圖12)。 於此情形時，於金屬除去單元MR中進行殘留於基板W之周緣部及背面之金屬成分之除去。又，於洗淨乾燥處理單元BSS中進行基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。繼而，於邊緣曝光部EEW中進行基板W之邊緣曝光處理。其後，於載置兼冷卻部P-CP中將基板W冷卻至適於利用曝光裝置15(圖1)之曝光處理之溫度。 又，搬送機構142(圖1)將載置於基板載置部PASS9(圖12)之曝光處理後之基板W依序搬送至上段熱處理部303或下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖9)。於此情形時，於熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB)處理。 於搬入搬出區塊14B中，搬送機構146(圖1)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖12)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15(圖1)之基板搬入部。又，搬送機構146自曝光裝置15之基板搬出部取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖12)。於曝光裝置15中，藉由具有極短波長之EUV對基板W進行曝光處理。於此情形時，由於基板W上之塗佈膜中含有金屬成分，故而藉由高效率地進行EUV光之吸收，可以較高之解像度形成微細之曝光圖案。再者，曝光方法並不限定於此，亦可藉由其他方法對基板W進行曝光處理。 根據上述基板W之搬送，除去金屬成分前之基板W與除去金屬成分後之基板W由搬送機構127、128、137、138、142之不同之手保持。藉此，防止金屬成分經由搬送機構127、128、137、138、142之手附著於除去金屬成分後之基板W。藉此，防止經由搬送機構之金屬污染之擴大。 (7)效果 於本實施形態之基板處理裝置100中，藉由對塗佈處理單元129之承杯612供給洗淨液及金屬用除去液，而進行承杯612之洗淨處理。藉此，將附著於承杯612之塗佈液及其固化物除去，並且將殘留於承杯612之金屬成分除去。因此，防止金屬成分自承杯612擴散。其結果為，防止基板W、基板處理裝置100及曝光裝置15之內部被金屬污染。 (8)承杯洗淨機構之另一例 圖14係用以說明承杯洗淨機構CM之另一例之圖。關於圖14之例，對與圖4之例不同之方面進行說明。 圖14之承杯洗淨機構CM僅包含圖4之承杯洗淨噴嘴82、83中之承杯洗淨噴嘴82。又，於承杯洗淨構件76僅設置圖4之第1及第2導引部76a、76b中之第1導引部76a。對承杯洗淨噴嘴82自未圖示之洗淨液供給源及金屬用除去液供給源選擇性地供給洗淨液及金屬用除去液。於此情形時，自承杯洗淨噴嘴82對承杯洗淨構件76之第1導引部76a分別噴出洗淨液及金屬用除去液。藉此，自共通之複數個噴出口85a對外承杯612a分別噴出洗淨液及金屬用除去液。 於本例中，亦藉由將洗淨液噴出至外承杯612a，而除去附著於外承杯612a之塗佈液及其固化物等。又，藉由將金屬用除去液噴出至外承杯612a，而除去殘留於外承杯612a之金屬成分。又，藉由將洗淨液再次噴出至外承杯612a，而沖洗附著於外承杯612a之金屬用除去液。藉此，可使外承杯612a潔淨化。又，與圖4之例相比，承杯洗淨機構CM之構成變得簡單。 再者，於外承杯612a之洗淨處理時，亦可藉由圖4之升降機構72將外承杯612a進行升降。例如，亦可於噴出洗淨液之期間，將外承杯612a維持為第1高度，於噴出金屬用除去液之期間，將外承杯612a維持為高於第1高度之第2高度。於此情形時，與圖7之例同樣地，於外承杯612a之內周面上，供給洗淨液之區域變得大於供給金屬用除去液之區域。藉此，藉由洗淨液充分地沖洗金屬用除去液，防止金屬用除去液殘留於外承杯612a。 又，如上所述，亦可於對外承杯612a供給金屬用除去液後，代替洗淨液而供給純水。又，亦可首先將金屬用除去液供給至外承杯612a，其後將洗淨液供給至外承杯612a。又，亦可使用複數種金屬用除去液。又，為了回收洗淨液及金屬用除去液，可使用圖4之回收單元61A，或者亦可使用圖8之回收單元61A。進而，除對外承杯612a供給洗淨液及金屬用除去液以外，亦可對內承杯611b之整流部74亦供給洗淨液及金屬用除去液。 或者，亦可將具有使塗佈液溶解之性質之金屬用除去液供給至承杯洗淨噴嘴83。於此情形時，藉由對承杯612供給金屬用除去液，自承杯612除去塗佈液及固化物，同時除去金屬成分。藉此，以簡單之構成便可高效率地使承杯612潔淨化。 (9)旋轉單元之另一例 圖15係用以說明旋轉單元61之另一例之模式性側視圖。關於圖15之旋轉單元61，對與圖4之旋轉單元61不同之方面進行說明。 圖15之旋轉單元61除具備圖4之構成以外，進而具備邊緣清洗噴嘴614及背部清洗噴嘴86。邊緣清洗噴嘴614係與邊緣清洗噴嘴613同樣地以朝向由旋轉夾頭611保持之基板W之被處理面之周緣部之方式配置。背部清洗噴嘴86係與背部清洗噴嘴81同樣地以朝向由旋轉夾頭611保持之基板W之背面之方式配置。 於邊緣清洗噴嘴613、614分別連接供給配管613p、614p。於供給配管613p、614p分別中介插設有供給閥613v、614v。於背部清洗噴嘴81、86分別連接供給配管615p、616p。於供給配管615p、616p分別中介插設有供給閥615v、616v。 對邊緣清洗噴嘴613及背部清洗噴嘴81經由供給配管613p、615p分別供給上述膜除去液及洗淨液，對邊緣清洗噴嘴614及背部清洗噴嘴86經由供給配管614p、616p分別供給金屬用除去液。 於在基板W上形成含金屬之塗佈膜後，於藉由旋轉夾頭611使基板W旋轉之狀態下，自邊緣清洗噴嘴613對基板W之周緣部噴出膜除去液，並且自背部清洗噴嘴81對基板W之背面噴出洗淨液。於此情形時，塗佈於基板W之周緣部及背面之塗佈液溶解而被除去。 其後，於藉由旋轉夾頭611使基板W旋轉之狀態下，自邊緣清洗噴嘴614對基板W之周緣部噴出金屬用除去液，並且自背部清洗噴嘴86對基板W之背面噴出金屬用除去液。於此情形時，殘留於基板W之周緣部及背面之金屬成分溶解而被除去。 於自邊緣清洗噴嘴613及背部清洗噴嘴81分別噴出膜除去液及洗淨液之期間，打開回收閥V1，關閉回收閥V2。藉此，自排液口73b排出之膜除去液及洗淨液被導引至回收槽TA1。另一方面，於自邊緣清洗噴嘴614及背部清洗噴嘴86噴出金屬用除去液之期間，關閉回收閥V1，打開回收閥V2。藉此，自排液口73b排出之金屬用除去液被導引至回收槽TA2。 如此，於圖15之旋轉單元61中，於基板W上形成含金屬之塗佈膜，並且自基板W之周緣部及背面除去塗佈液及金屬成分，因此無需將基板W搬送至金屬除去單元MR。因此，可縮短基板W之搬送時間，可提高產出量。又，由於亦可不設置金屬除去單元MR，故而可實現基板處理裝置100之小型化及裝置成本之減少。 又，與承杯612之洗淨處理時同樣地，將使用過之膜除去液及洗淨液與使用過之金屬用除去液分離並回收。藉此，使用者無需進行用以分離膜除去液及洗淨液與金屬用除去液之作業。因此，可減少除去液之回收成本及廢棄成本。 再者，於本例中，噴出膜除去液之邊緣清洗噴嘴613與噴出金屬用除去液之邊緣清洗噴嘴615分別單獨地設置，但亦可設置選擇性地噴出膜除去液與金屬用除去液之共通之邊緣清洗噴嘴。同樣地，亦可設置選擇性地噴出洗淨液與金屬用除去液之共通之背部清洗噴嘴。或者，金屬用除去液亦可具有使塗佈液溶解之性質。於此情形時，亦可不設置邊緣清洗噴嘴613及背部清洗噴嘴81。 又，於圖15之旋轉單元61設置圖4之回收單元61A，但亦可取而代之而設置圖8之回收單元61A。又，亦可藉由其他構成將兩種除去液進行分離回收。例如，承杯612亦可為能將兩種除去液分離並回收之雙層承杯。 (10)其他實施形態 (10-1) 於上述實施形態中，承杯洗淨機構CM設置於塗佈處理單元129，但本發明並不限定於此。承杯洗淨機構CM亦可設置於顯影處理單元139。圖16係表示顯影處理單元139之一例之模式性側視圖。圖16之顯影處理單元139除包含圖2之旋轉夾頭35及承杯37以外，亦包含承杯洗淨構件76及承杯洗淨噴嘴82、83。圖16之承杯洗淨機構CM具有與圖4之承杯洗淨機構CM相同之構成。藉此，對承杯37分別供給洗淨液及金屬用除去液。 於顯影處理單元139中，藉由自圖1之狹縫噴嘴38對基板W之被處理面供給顯影液，曝光處理後之含金屬之塗佈膜之一部分溶解。其後，一面藉由旋轉夾頭35使基板W旋轉，一面自未圖示之清洗噴嘴對基板W上供給清洗液，藉此沖洗基板W上之顯影液。於此情形時，基板W上之顯影液及溶解之含金屬之塗佈膜與清洗液一併向基板W之外側飛散，由承杯37接住。因此，於承杯37附著塗佈液及金屬成分。 因此，於圖16之顯影處理單元139中，藉由對承杯37分別供給洗淨液及金屬用除去液，而除去附著於承杯37之塗佈液及金屬成分。其結果為，防止金屬自承杯37擴散。 又，圖4或圖8之回收單元61A亦可設置於顯影處理單元139。藉此，可將供給至承杯37之洗淨液及金屬用除去液分離並回收。 (10-2) 於上述實施形態中，自承杯洗淨噴嘴82、83噴出之洗淨液及金屬用除去液經由承杯洗淨構件76之第1及第2導引部76a、76b導引至外承杯612a，但本發明並不限定於此。例如，亦可以向外承杯612a噴出洗淨液及金屬用除去液之方式設置承杯洗淨噴嘴82、83。又，亦可承杯洗淨噴嘴82、83中之一者對外承杯612a直接供給洗淨液及金屬用除去液中之一者，承杯洗淨噴嘴82、83中之另一者經由承杯洗淨構件76對外承杯612a供給洗淨液及金屬用除去液中之另一者。又，亦可不設置承杯洗淨噴嘴82，而藉由刷等將塗佈液及其固化物除去。 (10-3) 於上述實施形態中，抗反射液及抗蝕液兩者中含有金屬成分，但本發明並不限定於此。亦可於抗反射液及抗蝕液中之一者中不含金屬成分。又，亦可於用以形成硬質遮罩(HM)膜等其他膜之塗佈液中含有金屬成分。於此情形時，作為金屬成分，例如於塗佈液中含有氧化鈦(TiOx )、氧化鎢(WOx )或氧化鋯(ZrOx )。 (10-4) 於上述實施形態中，搬送機構127、128、137、138、141之手H1～H3保持基板W之外周部，但本發明並不限定於此。搬送機構127、128、137、138、141之手H1～H3亦可藉由吸附基板W而保持基板W之背面。 (10-5) 於上述實施形態中，搬送機構127、128、137、138、141較佳為具有3個手H1～H3，但本發明並不限定於此。搬送機構127、128、137、138、141可具有2個以下之手，亦可具有4個以上之手。 (10-6) 於上述形態中，於洗淨乾燥處理部161配置複數個洗淨乾燥處理單元BSS，於洗淨乾燥處理部162配置複數個金屬除去單元MR，但本發明並不限定於此。可於洗淨乾燥處理部162配置一部分或全部之洗淨乾燥處理單元BSS，亦可於洗淨乾燥處理部161配置一部分或全部之金屬除去單元MR。 (10-7) 於上述實施形態中，於塗佈處理單元129設置邊緣清洗噴嘴613，但本發明並不限定於此。例如，亦可不於塗佈處理單元129設置邊緣清洗噴嘴613，而於金屬除去單元MR設置邊緣清洗噴嘴613。於此情形時，於金屬除去單元MR中對基板W之周緣部供給膜除去液及金屬用除去液。為了回收使用後之膜除去液及金屬用除去液，亦可於金屬除去單元MR設置與圖4或圖8之例相同之回收單元。 (10-8) 於上述實施形態中，於傳遞區塊14設置邊緣曝光部EEW，但本發明並不限定於此。邊緣曝光部EEW亦可不設置於傳遞區塊14，而設置於第1處理區塊12之上段熱處理部301及下段熱處理部302。於此情形時，於抗蝕膜形成後基板W載置於基板載置部PASS5、PASS7之前對基板W進行邊緣曝光處理。 (10-9) 金屬除去單元MR亦可設置於其他部位。例如，亦可於第1或第2處理區塊12、13設置金屬除去單元MR。又，亦可於顯影處理單元139中，藉由對基板W之周緣部及背面供給金屬用除去液而將金屬成分自基板W之周緣部及背面除去。又，亦可於第1處理區塊12與第2處理區塊13之間配置包含金屬除去單元MR之其他處理區塊。 (11)申請專利範圍之各構成元件與實施形態之各元件之對應關係 以下，對申請專利範圍之各構成元件與實施形態之各元件之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。 於上述實施形態中，塗佈處理單元129或顯影處理單元139為膜處理單元之例，旋轉夾頭611或旋轉夾頭35為旋轉保持部之例，噴嘴620或狹縫噴嘴38為處理液供給部之例，承杯612或承杯37為防飛散構件之例，承杯洗淨噴嘴83為除去液供給部之例。又，承杯洗淨構件76為導引構件之例，第2導引部76b為第1除去液導引部之例，第1導引部76a為第2除去液導引部之例，承杯洗淨噴嘴83為第1噴出噴嘴之例，承杯洗淨噴嘴82為第2噴出噴嘴之例，回收單元61A為除去液回收單元之例，邊緣清洗噴嘴613為周緣部除去液供給單元之例。又，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，顯影處理單元139為顯影處理單元之例。 作為申請專利範圍之各構成元件，亦可使用具有申請專利範圍所記載之構成或功能之其他各種元件。 [產業上之可利用性] 本發明可有效地用於各種基板之處理。
1‧‧‧馬達 2‧‧‧旋轉軸 3‧‧‧旋轉夾頭 4‧‧‧承杯 5‧‧‧排氣部 6‧‧‧排液部 7‧‧‧背面洗淨噴嘴 8‧‧‧周緣部洗淨噴嘴 9‧‧‧氣體供給部 10‧‧‧氣液供給噴嘴 10a‧‧‧液體噴嘴 10b‧‧‧氣體噴嘴 11‧‧‧裝載區塊 12‧‧‧第1處理區塊 13‧‧‧第2處理區塊 14‧‧‧傳遞區塊 14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊 14B‧‧‧搬入搬出區塊 15‧‧‧曝光裝置 21‧‧‧塗佈處理室 22‧‧‧塗佈處理室 23‧‧‧塗佈處理室 24‧‧‧塗佈處理室 31‧‧‧顯影處理室 32‧‧‧顯影處理室 33‧‧‧顯影處理室 34‧‧‧顯影處理室 35‧‧‧旋轉夾頭 35a‧‧‧馬達 37‧‧‧承杯 38‧‧‧狹縫噴嘴 39‧‧‧移動機構 60‧‧‧噴嘴搬送機構 61‧‧‧旋轉單元 61A‧‧‧回收單元 62‧‧‧噴嘴單元 71‧‧‧馬達 71a‧‧‧旋轉軸 71b‧‧‧固定部 72‧‧‧升降機構 73‧‧‧升降板 73a‧‧‧開口 73b‧‧‧排液口 73c‧‧‧排氣口 74‧‧‧整流部 75‧‧‧基底部 75a‧‧‧支持部 76‧‧‧承杯洗淨構件 76a‧‧‧第1導引部 76b‧‧‧第2導引部 81‧‧‧背部清洗噴嘴 82‧‧‧承杯洗淨噴嘴 83‧‧‧承杯洗淨噴嘴 85a‧‧‧噴出口 85b‧‧‧噴出口 86‧‧‧背部清洗噴嘴 100‧‧‧基板處理裝置 111‧‧‧載體載置部 112‧‧‧搬送部 113‧‧‧載體 114‧‧‧主控制器 115‧‧‧搬送機構 121‧‧‧塗佈處理部 122‧‧‧搬送部 123‧‧‧熱處理部 125‧‧‧上段搬送室 126‧‧‧下段搬送室 127‧‧‧搬送機構 128‧‧‧搬送機構 129‧‧‧塗佈處理單元 131‧‧‧顯影處理部 132‧‧‧搬送部 133‧‧‧熱處理部 135‧‧‧上段搬送室 136‧‧‧下段搬送室 137‧‧‧搬送機構 138‧‧‧搬送機構 139‧‧‧顯影處理單元 141‧‧‧搬送機構 142‧‧‧搬送機構 146‧‧‧搬送機構 161‧‧‧洗淨乾燥處理部 162‧‧‧洗淨乾燥處理部 163‧‧‧搬送部 301‧‧‧上段熱處理部 302‧‧‧下段熱處理部 303‧‧‧上段熱處理部 304‧‧‧下段熱處理部 311‧‧‧導軌 312‧‧‧導軌 313‧‧‧導軌 314‧‧‧移動構件 315‧‧‧旋轉構件 411‧‧‧塗佈液配管 421‧‧‧配管 421a‧‧‧配管 421b‧‧‧配管 422‧‧‧配管 601‧‧‧抓持部 602‧‧‧第1導軌 603‧‧‧第2導軌 604‧‧‧汽缸 611‧‧‧旋轉夾頭 612‧‧‧承杯 612a‧‧‧外承杯 612b‧‧‧內承杯 613‧‧‧邊緣清洗噴嘴 613p‧‧‧供給配管 613v‧‧‧供給閥 614‧‧‧邊緣清洗噴嘴 614p‧‧‧供給配管 614v‧‧‧供給閥 615p‧‧‧供給配管 615v‧‧‧供給閥 616p‧‧‧供給配管 616v‧‧‧供給閥 620‧‧‧噴嘴區塊 BS‧‧‧邊界檢測部 BSS‧‧‧洗淨乾燥處理單元 CM‧‧‧承杯洗淨機構 CP‧‧‧冷卻單元 EEW‧‧‧邊緣曝光部 HL‧‧‧孔部 H1‧‧‧手 H2‧‧‧手 H3‧‧‧手 LA1‧‧‧層 LA2‧‧‧層 LC1‧‧‧現場控制器 LC2‧‧‧現場控制器 L1‧‧‧下限高度 L2‧‧‧上限高度 MR‧‧‧金屬除去單元 PAHP‧‧‧密接強化處理單元 PASS1‧‧‧基板載置部 PASS2‧‧‧基板載置部 PASS3‧‧‧基板載置部 PASS4‧‧‧基板載置部 PASS5‧‧‧基板載置部 PASS6‧‧‧基板載置部 PASS7‧‧‧基板載置部 PASS8‧‧‧基板載置部 PASS9‧‧‧基板載置部 P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部 P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部 P-CP‧‧‧載置兼冷卻部 PHP‧‧‧熱處理單元 TA1‧‧‧回收槽 TA2‧‧‧回收槽 TA3‧‧‧分離槽 V1‧‧‧回收閥 V2‧‧‧回收閥 W‧‧‧基板 WP‧‧‧待機槽 X‧‧‧方向 Y‧‧‧方向 Z‧‧‧方向
圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖2係表示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之模式性側視圖。 圖3係表示塗佈處理單元之構成之模式性俯視圖。 圖4係用以說明旋轉單元之詳細情況之模式性側視圖。 圖5係用以說明旋轉單元之詳細情況之模式性側視圖。 圖6係承杯洗淨構件之局部放大剖視圖。 圖7(a)～(c)係用以說明承杯之洗淨處理之具體例之圖。 圖8係用以說明回收單元之另一例之圖。 圖9係表示圖1之熱處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之模式性側視圖。 圖10係表示金屬除去單元之第1構成例之圖。 圖11係表示金屬除去單元之第2構成例之圖。 圖12係表示搬送部之內部構成之模式性側視圖。 圖13係表示搬送機構之立體圖。 圖14係用以說明承杯洗淨機構之另一例之圖。 圖15係用以說明旋轉單元之另一例之模式性側視圖。 圖16係表示顯影處理單元之一例之模式性側視圖。
71b‧‧‧固定部
74‧‧‧整流部
75‧‧‧基底部
76‧‧‧承杯洗淨構件
76a‧‧‧第1導引部
76b‧‧‧第2導引部
81‧‧‧背部清洗噴嘴
82‧‧‧承杯洗淨噴嘴
83‧‧‧承杯洗淨噴嘴
85a‧‧‧噴出口
85b‧‧‧噴出口
612a‧‧‧外承杯
HL‧‧‧孔部

Claims (12)

  1. 一種膜處理單元，其具備：旋轉保持部，其以水平姿勢保持基板並使其旋轉；處理液供給部，其對由上述旋轉保持部保持之基板之被處理面供給處理液；防飛散構件，其以包圍由上述旋轉保持部保持之基板之外周端部之方式配置，接住從由上述旋轉保持部旋轉之基板飛散之處理液；及除去液供給部，其構成為將使含金屬之塗佈液中的塗佈液溶解之第2除去液及使上述含金屬之塗佈液中的金屬溶解之第1除去液供給至上述防飛散構件。
  2. 如請求項1之膜處理單元，其中上述處理液供給部構成為，藉由將上述含金屬之塗佈液作為上述處理液供給至基板之上述被處理面，而於上述被處理面形成含金屬之塗佈膜。
  3. 如請求項1之膜處理單元，其中於藉由對基板之上述被處理面供給上述含金屬之塗佈液而形成含金屬之塗佈膜後，對基板進行曝光處理，上述處理液供給部構成為將顯影液作為上述處理液供給至曝光處理後之基板之上述被處理面。
  4. 如請求項1之膜處理單元，其進而具備具有第1及第2除去液導引部之導引構件， 上述除去液供給部包含：第1噴出噴嘴，其向上述導引構件之上述第1除去液導引部噴出上述第1除去液；及第2噴出噴嘴，其向上述導引構件之上述第2除去液導引部噴出上述第2除去液；且上述第1及第2除去液導引部以將自上述第1及第2噴出噴嘴噴出之上述第1及第2除去液分別導引至上述防飛散構件之方式設置。
  5. 如請求項4之膜處理單元，其中上述第1除去液導引部以將上述第1除去液導引至上述防飛散構件之第1區域之方式設置，上述第2除去液導引部以將上述第2除去液導引至上述防飛散構件之較上述第1區域更上方之第2區域之方式設置。
  6. 如請求項1之膜處理單元，其進而具備具有除去液導引部之導引構件，上述除去液供給部包含向上述導引構件之上述除去液導引部選擇性地噴出上述第1及第2除去液之噴出噴嘴，且上述除去液導引部以將自上述噴出噴嘴噴出之上述第1及第2除去液分別導引至上述防飛散構件之方式設置。
  7. 如請求項3之膜處理單元，其進而具備除去液回收單元，該除去液回收單元以將噴出至上述防飛散構件之上述第1及第2除去液分離並回收之方式設置。
  8. 如請求項2之膜處理單元，其進而具備周緣部除去液供給單元，該周緣部除去液供給單元以於基板之上述被處理面之除周緣部以外之區域殘留上述含金屬之塗佈膜之方式，將使上述金屬溶解之第3除去液供給至由上述旋轉保持部旋轉之基板之上述被處理面之周緣部。
  9. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置者，且具備：如請求項2之膜處理單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理前，在基板之被處理面形成上述含金屬之塗佈膜；及顯影處理單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。
  10. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於對基板進行曝光處理之曝光裝置之方式配置者，且具備：膜形成單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理前，在基板之被處理面形成含有金屬之含金屬之塗佈膜；及如請求項3之膜處理單元，其於利用上述曝光裝置之曝光處理後，進行基板之顯影處理。
  11. 一種基板處理方法，其包括如下步驟：藉由旋轉保持部以水平姿勢保持基板並使其旋轉；藉由處理液供給部對由上述旋轉保持部保持之基板之被處理面供給 含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液，藉此於上述被處理面形成含金屬之塗佈膜；藉由以包圍由上述旋轉保持部保持之基板之外周端部之方式配置之防飛散構件，將從由上述旋轉保持部旋轉之基板飛散之含金屬之塗佈液接住；及藉由除去液供給部將使上述含金屬之塗佈液中的塗佈液溶解之第2除去液及使上述含金屬之塗佈液中的金屬溶解之第1除去液供給至上述防飛散構件。
  12. 一種基板處理方法，其包括如下步驟：藉由對基板之被處理面供給含有金屬及塗佈液之含金屬之塗佈液而形成含金屬之塗佈膜；對形成有上述含金屬之塗佈膜之基板進行曝光處理；藉由旋轉保持部以水平姿勢保持曝光處理後之基板並使其旋轉；藉由處理液供給部將顯影液供給至由上述旋轉保持部保持之基板之被處理面；藉由以包圍由上述旋轉保持部保持之基板之外周端部之方式配置之防飛散構件，將從由上述旋轉保持部旋轉之基板飛散之顯影液接住；及藉由除去液供給部將使上述含金屬之塗佈液中的塗佈液溶解之第2除去液及使上述含金屬之塗佈液中的金屬溶解之第1除去液供給至上述防飛散構件。
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