CN108352313A - 膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

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Abstract

一边由旋转卡盘保持基板一边旋转基板，向基板喷出涂敷液。从基板向外侧飞散的涂敷液由外杯接收。为了清洗外杯，从杯清洗喷嘴喷出的清洗液通过第一引导部向外杯的内周面喷出。由此，使附着于外杯的涂敷液及其固化物等溶解，并从外杯去除。接着，从杯清洗喷嘴喷出的金属用去除液通过第二引导部向外杯的内周面喷出。由此，使残留于外杯的金属成分溶解，并从外杯去除。

Description

膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体器件等的制造的光刻工序中，通过向基板上供给抗蚀液等涂敷液来形成涂敷膜。例如，一边由旋转卡盘将基板保持为水平一边旋转基板。在该状态下，通过从喷嘴向基板的上表面的大致中央部喷出抗蚀液，来在基板的整个上表面形成作为涂敷膜的抗蚀膜。在这种装置中，为了接收从基板飞散的抗蚀液等处理液，以包围旋转卡盘的方式设置有飞散防止构件。若附着于飞散防止构件的处理液干燥并固化，则该固化物有可能成为颗粒。因此，使用溶剂等来进行飞散防止构件的清洗(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开平7-66116号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来，为了形成更细微的图案，正研究着应用含有金属的涂敷膜(以下，称为含金属涂敷膜)。根据发明人的实验得知，即使使用溶剂对飞散防止构件进行清洗，也不能去除金属成分而导致其残留于飞散防止构件。基板或基板处理装置因残留于飞散防止构件的金属成分而有可能受到污染。另外，因向曝光装置搬运被金属成分污染的基板而导致曝光装置有可能被污染。
本发明的目的在于，提供一种能够防止被金属污染的膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法。
解决问题的技术方案
(1)本发明的一方面的膜处理单元具备：旋转保持部，将基板保持为水平姿势且旋转基板；处理液供给部，向由旋转保持部保持的基板的被处理面供给处理液；飞散防止构件，以包围由旋转保持部保持的基板的外周端部的方式配置，接收从由旋转保持部旋转的基板飞散的处理液；去除液供给部，向飞散防止构件供给使金属溶解的第一去除液。
在该膜处理单元中，一边由旋转保持部旋转基板一边向基板的被处理面供给处理液，由飞散防止构件接收从基板飞散的处理液。因此，在飞散防止构件上附着处理液。另外，在用处理液处理在基板上形成的膜的情况下，该膜的成分与处理液一起附着于飞散防止构件。若在处理液或基板上的膜中含有金属，则有可能在飞散防止构件上附着金属。根据上述的结构，由于向飞散防止构件供给第一去除液，因此能够使附着于飞散防止构件的金属溶解并去除。因此，防止金属从飞散防止构件扩散。结果，防止基板或其他装置被金属污染。
(2)所述处理液供给部可以构成为，通过向基板的被处理面供给作为处理液的含有金属和涂敷液的含金属涂敷液，来在被处理面形成含金属涂敷膜。该情况下，即使向基板供给的含金属涂敷液中的金属附着于飞散防止构件，也能够使该金属溶解并去除。因此，防止金属从飞散防止构件扩散。
(3)可以在通过向基板的被处理面供给含有金属和涂敷液的含金属涂敷液来形成含金属涂敷膜后，对基板进行曝光处理，处理液供给部构成为，向曝光处理后的基板的被处理面供给作为处理液的显影液。该情况下，即使被显影液溶解的含金属涂敷膜中的金属附着于飞散防止构件，也能够使该金属溶解并去除。因此，防止金属从飞散防止构件扩散。
(4)去除液供给部可以向飞散防止构件供给使涂敷液溶解的第二去除液。该情况下，能够使附着于飞散防止构件的涂敷液溶解并去除。
(5)膜处理单元还可以具备引导构件，所述引导构件具有第一和第二去除液引导部；去除液供给部包括：第一喷出喷嘴，向引导构件的第一去除液引导部喷出第一去除液；第二喷出喷嘴，向引导构件的第二去除液引导部喷出第二去除液，第一和第二去除液引导部以将从第一和第二喷出喷嘴喷出的第一和第二去除液分别向飞散防止构件引导的方式设置。
该情况下，通过引导构件向飞散防止构件适当地供给从第一和第二喷出喷嘴喷出的第一和第二去除液。由此，能够从飞散防止构件高效地去除金属和涂敷液。
(6)第一去除液引导部可以向飞散防止构件的第一区域引导第一去除液的方式设置，第二去除液引导部可以向飞散防止构件的比第一区域更靠上方的第二区域引导第二去除液的方式设置。该情况下，在通过第一去除液引导部向飞散防止构件的第一区域供给第一去除液后，通过第二去除液引导部向飞散防止构件的第二区域供给第二去除液的情况下，能够用第二去除液充分地冲洗第一去除液。
(7)膜处理单元还可以具备引导构件，所述引导构件具有去除液引导部，去除液供给部包括喷出喷嘴，所述喷出喷嘴向引导构件的去除液引导部有选择地喷出第一和第二去除液，去除液引导部以将从喷出喷嘴喷出的第一和第二去除液分别向飞散防止构件引导的方式设置。该情况下，能够通过简单的结构向飞散防止构件高效地供给第一去除液和第二去除液。
(8)膜处理单还可以具备去除液回收单元，去除液回收单元以将喷出到飞散防止构件的第一和第二去除液分离并回收的方式设置。该情况下，使用者无需进行用于将已使用的第一去除液和已使用的第二去除液进行分离的作业。由此，能够削减第一和第二去除液的回收成本和废弃成本。
(9)膜处理单元还可以具备周缘部去除液供给单元，周缘部去除液供给单元以在基板的所述被处理面的除周缘部之外的区域残留含金属涂敷膜的方式，向由旋转保持部旋转的基板的被处理面的周缘部供给使金属溶解的第三去除液。该情况下，能够防止在基板的周缘部残留金属。由此，能够防止金属从基板的周缘部扩散。
(10)本发明的另一方面的基板处理装置以与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻的方式配置，所述基板处理装置具备：上述的膜处理单元，在由曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成所述含金属涂敷膜；显影处理单元，在由曝光装置进行曝光处理后，进行基板的显影处理。
在该基板处理装置中，通过膜处理单元在由曝光装置进行曝光处理前的基板的被处理面形成含金属涂敷膜，通过显影处理单元对由曝光装置进行曝光处理后的基板进行显影处理。由此，能够在基板的被处理面形成细微的图案。另外，由于使用上述的膜处理单元，因此防止金属从飞散防止构件扩散。由此，能够防止基板、基板处理装置或曝光装置的内部被金属污染。
(11)本发明的又一方面的基板处理装置是以与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻的方式配置，基板处理装置具备：膜形成单元，在由所述曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成含有金属的含金属涂敷膜；上述的膜处理单元，在由曝光装置进行曝光处理后，进行基板的显影处理。
在该基板处理装置中，通过膜形成单元在由曝光装置进行曝光处理前的基板的被处理面形成含金属涂敷膜，通过膜处理单元对由曝光装置进行曝光处理后的基板进行显影处理。由此，能够在基板的被处理面形成细微的图案。另外，由于使用上述的膜处理单元，因此防止金属从飞散防止构件扩散。由此，防止基板、基板处理装置或曝光装置的内部被金属污染。
(12)本发明的又一方面的基板处理方法具备：由旋转保持部将基板保持为水平姿势且旋转基板的步骤；通过处理液供给部向由旋转保持部保持的基板的被处理面供给含有金属和涂敷液的含金属涂敷液，来在被处理面形成含金属涂敷膜的步骤；通过以包围由所述旋转保持部保持的基板的外周端部的方式配置的飞散防止构件，接收从由所述旋转保持部旋转的基板飞散的含金属涂敷液的步骤；通过去除液供给部向所述飞散防止构件供给使金属溶解的第一去除液的步骤。
根据该基板处理方法，通过一边由旋转保持部旋转基板一边向基板的被处理面供给处理液，在基板的被处理面形成含金属涂敷膜。该情况下，由于向飞散防止构件供给第一去除液，因此即使向基板供给的含金属涂敷液中的金属附着于飞散防止构件，也能够使该金属溶解并去除。因此，防止金属从飞散防止构件扩散。结果，防止基板、或装置的内部或周边部被金属污染。
(13)本发明的又一方面的基板处理方法具备：通过向基板的所述被处理面供给含有金属和涂敷液的含金属涂敷液，来形成含金属涂敷膜的步骤；对形成有所述含金属涂敷膜的基板进行曝光处理的步骤；由旋转保持部将曝光处理后的基板保持为水平姿势且旋转基板的步骤；通过处理液供给部向由所述旋转保持部保持的基板的被处理面供给显影液的步骤；通过以包围由所述旋转保持部保持的基板的外周端部的方式配置的飞散防止构件，接收从由所述旋转保持部旋转的基板飞散的显影液的步骤；通过去除液供给部向所述飞散防止构件供给使金属溶解的第一去除液的步骤。
根据该基板处理方法，在基板的被处理面形成含金属涂敷膜后，对基板进行曝光处理。然后，一边由旋转保持部旋转基板一边向基板的被处理面供给显影液。由此，进行基板的显影处理。该情况下，由于向飞散防止构件供给第一去除液，因此即使被显影液溶解的含金属涂敷膜中的金属附着于飞散防止构件，也能够使该金属溶解并去除。因此，防止金属从飞散防止构件扩散。结果，防止基板、装置的内部或周边部被金属污染。
发明效果
根据本发明，能够防止金属从飞散防止构件扩散，防止基板等被金属污染。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。
图2是示出图1的涂敷处理部、显影处理部和清洗干燥处理部的内部结构的示意性侧视图。
图3是示出涂敷处理单元的结构的示意性俯视图。
图4是用于详细说明旋转单元的示意性侧视图。
图5是用于详细说明旋转单元的示意性侧视图。
图6是杯清洗构件的局部放大剖视图。
图7是用于说明杯的清洗处理的具体例的图。
图8是用于说明回收单元的另一例的图。
图9是示出图1的热处理部和清洗干燥处理部的内部结构的示意性侧视图。
图10是示出金属去除单元的第一结构例的图。
图11是示出金属去除单元的第二结构例的图。
图12是示出搬运部的内部结构的示意性侧视图。
图13是示出搬运机构的立体图。
图14是用于说明杯清洗机构的另一例的图。
图15是用于说明旋转单元的另一例的示意性侧视图。
图16是示出显影处理单元的一例的示意性侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的一实施方式的膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法。另外，在以下的说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或者光掩膜用基板等。
(1)基板处理装置
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。为明确位置关系，在图1和图2以后的规定图中，标注用于表示相互正交的X方向、Y方向和Z方向的箭头。X方向和Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅垂方向。
如图1所示，基板处理装置100具有分度器区11、第一处理区12、第二处理区13、清洗干燥处理区14A和搬入搬出区14B。由清洗干燥处理区14A和搬入搬出区14B构成接口区14。曝光装置15配置成与搬入搬出区14B相邻。在本例中，曝光装置15通过EUV(ExtremeUltra Violet；超紫外线)对基板W进行曝光处理。EUV的波长是13nm以上14nm以下。
如图1所示，分度器区11包括多个容纳架载置部111和搬运部112。在各个容纳架载置部111载置多层地容纳多个基板W的容纳架113。在搬运部112设置有主控制器114和搬运机构115。主控制器114控制基板处理装置100的各种结构要素。搬运机构115一边保持基板W一边搬运该基板W。
第一处理区12包括涂敷处理部121、搬运部122和热处理部123。涂敷处理部121和热处理部123以夹着搬运部122相对的方式设置。在搬运部122和分度器区11之间设置有载置基板W的基板载置部PASS1-PASS4(参照图12)。在搬运部122设置有搬运基板W的搬运机构127、128(参照图12)。
第二处理区13包括显影处理部131、搬运部132和热处理部133。显影处理部131和热处理部133以夹着搬运部132相对的方式设置。在搬运部132和搬运部122之间设置有载置基板W的基板载置部PASS5-PASS8(参照图12)。在搬运部132设置有搬运基板W的搬运机构137、138(参照图12)。
清洗干燥处理区14A包括清洗干燥处理部161、162和搬运部163。清洗干燥处理部161、162以夹着搬运部163相对的方式设置。在搬运部163设置有搬运机构141、142。在搬运部163和搬运部132之间设置有载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(参照图12)。载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2能够容纳多个基板W。
另外，在搬运机构141、142之间，以与搬入搬出区14B相邻的方式设置有基板载置部PASS9、后述的边缘曝光部EEW(参照图12)和后述的载置兼冷却部P-CP(参照图12)。载置兼冷却部P-CP具有冷却基板W的功能(例如，冷却板)。在载置兼冷却部P-CP中，将基板W冷却为适合曝光处理的温度。在搬入搬出区14B设置有搬运机构146。搬运机构146对曝光装置15进行基板W的搬入和搬出。
(2)涂敷处理部、显影处理部和清洗干燥处理部
图2是示出图1的涂敷处理部121、显影处理部131和清洗干燥处理部161的内部结构的示意性侧视图。如图2所示，在涂敷处理部121分层地设置有涂敷处理室21、22、23、24。在各涂敷处理室21-24中设置有涂敷处理单元129。在显影处理部131分层地设置有显影处理室31-34。在各显影处理室31-34设置有显影处理单元139。
(2-1)涂敷处理单元
图3是示出涂敷处理单元129的结构的示意性俯视图。如图3所示，各涂敷处理单元129包括喷嘴搬运机构60、两组旋转单元61和两组喷嘴单元62。喷嘴搬运机构60包括把持部601、一对第一导轨602、第二导轨603和一对缸体604。一对第一导轨602以夹着两组旋转单元61和两组喷嘴单元62的方式彼此平行地配置。第二导轨603以与一对第一导轨602正交的方式配置。第二导轨603的两端部经由一对缸体604分别安装于一对第一导轨602。第二导轨603能够沿着第一导轨602移动，并且能够通过一对缸体604相对第一导轨602升降。能够沿着第二导轨603移动地设置把持部601。
各旋转单元61包括旋转卡盘611(图2)、杯612和边缘冲洗喷嘴613。旋转卡盘611在保持基板W的状态下，由后述的马达71(图4)旋转驱动。杯612以包围由旋转卡盘611保持的基板W的外周端部的方式设置。在后面对旋转单元61进行详述。
各喷嘴单元62包括多个喷嘴620和多个待机容器WP。各喷嘴620在对应的待机容器WP中待机。通过涂敷液配管411向各喷嘴620供给含有金属和涂敷液的含金属涂敷液。金属包括金属分子或金属氧化物等的金属成分。在本例中，作为金属成分，例如使用Sn(锡)、HfO2(氧化铪)或ZrO2(二氧化锆)。另外，作为涂敷液，使用防反射膜用的涂敷液和抗蚀膜用的涂敷液。
另外，旋转单元61和喷嘴单元62各自的数量并不限定于两个。旋转单元61和喷嘴单元62可以分别仅设置一个或设置三个以上。另外，旋转单元61的数量和喷嘴单元62的数量可以不同。
喷嘴搬运机构60由把持部601把持任意一个喷嘴620，将该喷嘴620移动到基板W的上方。该状态下，一边旋转卡盘611旋转一边从喷嘴620喷出含金属涂敷液。由此，在旋转的基板W上涂敷含金属涂敷液。
在本实施方式中，向图2的涂敷处理室22、24的喷嘴620供给含有防反射膜用的涂敷液的含金属涂敷液，向涂敷处理室21、23的喷嘴620供给含有抗蚀膜用的涂敷液的含金属涂敷液。以下，将由含金属涂敷液形成的防反射膜和抗蚀膜统称为含金属涂敷膜。
边缘冲洗喷嘴613以朝向由旋转卡盘611保持的基板W的被处理面的周缘部的方式配置。此处，被处理面是指形成电路图案等各种图案的基板W的面。基板W的周缘部是指基板W的被处理面的沿着基板W的外周部的恒定宽度的区域。
边缘冲洗喷嘴613喷出用于从基板W的周缘部去除含金属涂敷膜的去除液。膜去除液是第二去除液的例子。作为膜去除液，除含有稀释剂、乙酸丁酯(butyl acetate)、PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate：丙二醇甲醚乙酸酯)、PGME(propyleneglycol monomethyl ether：丙二醇甲醚)的有机溶剂之外，还可以使用TMAH(tetra methylammonium hydroxide：四甲基氢氧化铵)或含有氨和过氧化氢的水溶液等。
在由旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴613向基板W的周缘部喷出膜去除液。由此，使涂敷于基板W的周缘部的涂敷液溶解并去除涂敷液。
图4和图5是用于详细说明旋转单元61的示意性侧视图。另外，在图4和图5中，省略了边缘冲洗喷嘴613的图示。如图4所示，旋转单元61还包括马达71和一对升降机构72。马达71的旋转轴71a在铅垂方向上配置。旋转卡盘611固定于旋转轴71a的上端部。在旋转轴71a的在旋转卡盘611的下方的部分以向外侧突出的方式设置固定部71b。
一对升降机构72分别例如由缸体构成，将升降板73支撑为水平。在升降板73形成开口73a、排液口73b和排气口73c。马达71的旋转轴71a配置在开口73a内。在排液口73b连接配管421，配管421分支为配管421a、421b并延伸至回收罐TA1、TA2。在配管421a上安装回收阀V1，在配管421b上安装回收阀V2。回收单元61A由配管421、421a、421b、回收罐TA1、TA2和回收阀V1、V2构成。通过有选择地打开回收阀V1、V2，向回收罐TA1、TA2有选择地引导从排液口73b排出的液体。在本例中，向回收罐TA1引导膜去除液和后述的清洗液，向回收罐TA2引导后述的金属用去除液。除了回收罐TA1、TA2之外，还可以设置用于回收含金属涂敷液的回收罐。另外，也可以另行设置不回收从排液口73b排出的各种液体而废弃的配管。在排气口73c连接配管422。配管422延伸至工厂的排气管道。
在升降板73的上表面设置杯612。杯612包括外杯612a和内杯612b。在内杯612b的上部设置朝向外侧并向斜下方延伸的整流部74。整流部74以使向涂敷处理单元129供给的下降流朝向基板W的周围均匀地流动并向排气口73c引导的方式对气体进行整流。
在升降板73的上方且内杯612b的内侧设置基座部75。在基座部75的上表面设置多个背面冲洗喷嘴(back rinse nozzle)81、多个杯清洗喷嘴82和多个杯清洗喷嘴83。多个背面冲洗喷嘴81朝向铅垂上方。多个杯清洗喷嘴82分别设置于多个背面冲洗喷嘴81的外侧，多个杯清洗喷嘴83分别设置于多个杯清洗喷嘴82的外侧。
从未图示的清洗液供给源向各背面冲洗喷嘴81和各杯清洗喷嘴82供给清洗液。在本例中，向背面冲洗喷嘴81和杯清洗喷嘴82供给的清洗液，与从图3的边缘冲洗喷嘴613喷出的膜去除液相同。各背面冲洗喷嘴81向由旋转卡盘611保持的基板W的背面喷出清洗液。
从未图示的金属用去除液供给源向各杯清洗喷嘴83供给金属用去除液。金属用去除液是第一去除液的例子。作为金属用去除液，使用碱性去除液或酸性去除液。碱性去除液例如是含有氨和过氧化氢的水溶液。碱性去除液例如可以是TMAH。酸性去除液例如是含有稀氢氟酸的水溶液。酸性去除液例如可以是含有硫酸和过氧化氢的水溶液，也可以是含有乙酸的水溶液。另外，作为金属用去除液也可以使用含有螯合剂的水溶液。螯合剂可以含有从由有机酸、有机酸的盐、氨基酸、氨基酸的衍生物、无机碱、无机碱的盐、烷基胺、烷基胺的衍生物、烷醇胺和烷醇胺的衍生物组成的组中选择的一种或多种。金属用去除液能够使含金属涂敷液中所含的金属成分溶解并去除。
以从基座部75的内周部向上方突出的方式设置支撑部75a。在支撑部75a上支撑圆板状的杯清洗构件76。在杯清洗构件76设置多个孔部HL。在各孔部HL内配置背面冲洗喷嘴81。由杯清洗喷嘴82、83和杯清洗构件76构成杯清洗机构CM。
由一对升降机构72使升降板73升降，使杯612(外杯612a和内杯612b)与升降板73一体地升降。使杯612在处理位置、搬入搬出位置和清洗位置之间升降。在图4中，杯612位于处理位置。搬入搬出位置比处理位置更低，清洗位置比搬入搬出位置更低。
在杯612位于图4的处理位置的情况下，外杯612a的上端部位于比由旋转卡盘611保持的基板W更高的位置，整流部74的上端部与基板W的下表面的周缘部接近。该状态下，一边使由旋转卡盘611保持的基板W旋转一边从图3的喷嘴620向基板W喷出含金属涂敷液，在基板W上形成含金属涂敷膜。从基板W向外侧飞散的含金属涂敷液由外杯612a接收。
在杯612位于搬入搬出位置的状态中，外杯612a的上端部变得比由旋转卡盘611保持的基板W更低。该状态下，由图1和后述的图12的搬运机构127、128在旋转卡盘611上载置基板W，或从旋转卡盘611接收基板W。
在杯612位于清洗位置的状态下，进行杯612的清洗处理。进行清洗处理的期间例如是在涂敷处理单元129中基板W的处理暂停恒定时间以上的期间。在图5中，杯612位于清洗位置。如图5所示，通过由固定部71b支撑杯清洗构件76，使杯清洗构件76从支撑部75a离开。该情况下，杯清洗构件76由未图示的固定机构固定于固定部71b。例如，以从杯清洗构件76的下表面突出的方式设置销，在固定部71b设置凹部。通过使杯清洗构件76的销嵌合到固定部71b的凹部，将杯清洗构件76固定于固定部71b。由此，杯清洗构件76与马达71的旋转轴71a一起旋转。
图6是杯清洗构件76的局部放大剖视图。如图6所示，在杯清洗构件76形成第一和第二引导部76a、76b。第一和第二引导部76a、76b分别以从杯清洗构件76的下表面朝向周缘部弯曲地延伸的方式凹状地设置。另外，第一和第二引导部76a、76b分别关于图4的旋转轴71a旋转对称的环状地设置。第二引导部76b的下端开口位于比第一引导部76a的下端开口更靠外侧的位置，第二引导部76b的外端部位于比第一引导部76a的外端部更靠下方的位置。
从杯清洗构件76的外周面到第一引导部76a的外端部以沿着周向排列的方式形成多个喷出口85a，从杯清洗构件76的外周面到第二引导部76b的外端部以沿着周向排列的方式形成多个喷出口85b。多个喷出口85b位于比多个喷出口85a更靠下方的位置。
在杯612位于图5的清洗位置的情况下，杯清洗喷嘴82朝向第一引导部76a，杯清洗喷嘴83朝向第二引导部76b。另外，杯清洗构件76的喷出口85a、85b位于比整流部74的上端部更高的位置，且位于比外杯612a的上端部更低的位置。
图7是用于说明杯612的清洗处理的具体例图。如图7(a)所示，首先，一边使杯清洗构件76旋转一边从杯清洗喷嘴82向第一引导部76a喷出清洗液。喷出的清洗液通过第一引导部76a向喷出口85a引导，从喷出口85a向外杯612a的内周面喷出。该情况下，由于杯清洗构件76旋转，因此在外杯612a的内周面的整个周向范围内供给清洗液。由此，使附着于外杯612a的涂敷液及其固化物等溶解，从外杯612a去除涂敷液及其固化物等。
接着，如图7(b)所示，一边使杯清洗构件76旋转一边从杯清洗喷嘴83向第二引导部76b喷出金属用去除液。喷出的金属用去除液通过第二引导部76b向喷出口85b引导，从喷出口85b向外杯612a的内周面喷出。该情况下，由于杯清洗构件76旋转，因此在外杯612a的内周面的整个周向范围内供给金属用去除液。
即使如上述那样地向外杯612a供给清洗液，也无法充分地去除含金属涂敷膜含有的金属成分，金属成分有可能残留于外杯612a。因此，除清洗液之外，还向外杯612a供给金属用去除液。由此，使残留于外杯612a的金属成分溶解，从外杯612a去除金属成分。
接着，如图7(c)所示，一边使杯清洗构件76旋转一边重新从杯清洗喷嘴82向第一引导部76a喷出清洗液。由此，冲洗附着于外杯612a的金属用去除液。由于多个喷出口85a位于比多个喷出口85b更靠上方的位置，因此从喷出口85a喷出的清洗液到达比从喷出口85b喷出的金属用去除液到达外杯612a的内周面位置更高的位置，从该位置沿着外杯612a的内周面向下方流动。由此，在外杯612a的内周面中，供给清洗液的区域比供给金属用去除液的区域更宽。因此，由清洗液充分地冲洗金属用去除液，能够防止金属用去除液残留于外杯612a。另外，为了冲洗金属用去除液，可以从杯清洗喷嘴82喷出纯水来代替清洗液。
在从杯清洗喷嘴82喷出清洗液的期间，打开图4的回收阀V1，关闭回收阀V2。由此，向图4的回收罐TA1引导从排液口73b排出的清洗液。另一方面，在从杯清洗喷嘴83喷出金属用去除液的期间，关闭图4的回收阀V1，打开回收阀V2。由此，向图4的回收罐TA2引导从排液口73b排出的金属用去除液。这样，通过将已使用的清洗液和已使用的金属用去除液分离进行回收，使用者无需进行用于将清洗液和金属用去除液分离的作业。因此，能够降低去除液的回收成本和废弃成本。
在图7的例子中，向外杯612a依次供给清洗液、金属用去除液和清洗液(或纯水)，但本发明并不局限于此。可以最初向外杯612a供给金属用去除液而不是清洗液，接着向杯612供给清洗液，该情况下，在由金属用去除液从外杯612a去除金属成分后，由清洗液从外杯612a去除涂敷液和固化物等，且冲洗金属用去除液。
另外，在图7的例子中，在杯612的清洗处理中仅使用一种金属用去除液，但是也可使用多种金属用去除液。该情况下，可以向外杯612a依次供给多种金属用去除液，也可以有选择地向外杯612a供给任意一种金属用去除液。
另外，在图7的例子中，从杯清洗构件76的喷出口85a、85b向外杯612a喷出各种液体，也可以向内杯612b的整流部74喷出各种液体。例如，通过将喷出口85a、85b设成纵长形状，使各种液体的供给范围在上下方向上扩散，从而也能够向整流部74喷出各种液体。另外，作为喷出口85a，可以分别形成朝向外杯612a的孔部和朝向整流部74的孔部，同样地，作为喷出口85b，也可以形成朝向外杯612a的孔部和朝向整流部74的孔部。
用于回收清洗液和金属用去除液的结构并不限定于上述的例子。图8是用于说明回收单元61A的另一例的图。在图8的例子中，说明与图4的例子不同点。
在图8的例子中，配管421与分离罐TA3连接。另外，分离罐TA3经由配管421a、421b与回收罐TA1、TA2连接。该情况下，从杯612的排液口73b向共用的分离罐TA3引导清洗液和金属用去除液。
此处，清洗液和金属用去除液具有彼此不同的比重，金属用去除液的比重比清洗液的比重大。因此，在回收罐TA3内，清洗液的层LA1和金属用去除液的层LA2以上下分离的方式形成。因此，在回收罐TA3设置检测层LA1和层LA2的边界面的边界检测部BS。作为边界检测部BS，例如使用静电容量式的液面水平传感器。代替它，也可以将浮动式、光学式、超声波式、电导率式、压电谐振式等其他方式的液面水平传感器用作边界检测部BS。
在分离罐TA3上设定层LA1和层LA2的边界面的下限高度L1和上限高度L2。上限高度L2位于比下限高度L1更靠上方的位置。分离罐TA3在比上限高度L2更高的位置安装配管421a，且在比下限高度L1更低的位置安装配管421b。
例如，在由边界检测部BS检测的边界面的高度小于下限高度L1的情况下，关闭回收阀V2。由此，防止清洗液通过配管421b导向回收罐TA2。该情况下，可以打开回收阀V1，也可以关闭回收阀V1。在由边界检测部BS检测的边界面的高度是下限高度L1以上且小于上限高度L2的情况下，打开回收阀V1、V2。由此，清洗液和金属用去除液通过配管421a、421b分别导向回收罐TA1、TA2。在由边界检测部BS检测的边界面的高度是上限高度L2以上的情况下，打开回收阀V2，关闭回收阀V1。由此，金属用去除液通过回收配管421b导向回收罐TA2。另外，防止金属用去除液通过回收配管421a导向回收罐TA1。
这样，在图8的例子中，基于清洗液和金属用去除液的比重，使已使用的清洗液和已使用的金属用去除液分离。由此，能够将清洗液和金属用去除液完全分离并回收。该情况下，使用者无需进行用于将清洗液和金属用去除液分离的作业。由此，能够降低各种液体的回收成本和废弃成本。
(2-2)显影处理单元和清洗干燥处理单元
如图2所示，与涂敷处理单元129同样地，显影处理单元139也具有多个旋转卡盘35和多个杯37。另外，如图1所示，显影处理单元139具有喷出显影液的两个狭缝喷嘴38和使该狭缝喷嘴38在X方向上移动的移动机构39。
在显影处理单元139中，由后述的马达35a(图16)使旋转卡盘35旋转。由此，使基板W旋转。在该状态下，狭缝喷嘴38一边移动一边向各基板W供给显影液。由此，进行基板W的显影处理。
在清洗干燥处理部161设置有多个(本例中为三个)清洗干燥处理单元BSS。在各清洗干燥处理单元BSS中，使用有机溶剂或纯水来进行对曝光处理前的基板W的周缘部和背面的清洗和干燥处理。在此，背面是指基板W的与被处理面相反侧的面。
(3)热处理部
图9是示出图1的热处理部123、133和清洗干燥处理部162的内部结构的示意性侧视图。如图9所示，热处理部123具有设置于上方的上层热处理部301和设置于下方的下层热处理部302。在上层热处理部301和下层热处理部302设置有多个热处理单元PHP、多个紧贴强化处理单元PAHP和多个冷却单元CP。
在热处理部123的最上部设置有局部控制器LC1。局部控制器LC1基于来自图1的主控制器114的指令，控制涂敷处理部121(图1)、搬运部122(图1)和热处理部123的动作。
在热处理单元PHP中进行基板W的加热处理和冷却处理。在紧贴强化处理单元PAHP中进行用于提高基板W和防反射膜之间的紧贴性的紧贴强化处理。具体而言，在紧贴强化处理单元PAHP中，对基板W涂敷HMDS(六甲基二硅氮烷)等紧贴强化剂，并且对基板W进行加热处理。在冷却单元CP中进行基板W的冷却处理。
热处理部133具有设置于上方的上层热处理部303和设置于下方的下层热处理部304。在上层热处理部303和下层热处理部304设置有冷却单元CP和多个热处理单元PHP。
在热处理部133的最上部设置有局部控制器LC2。局部控制器LC2基于来自图1的主控制器114的指令，控制显影处理部131(图1)、搬运部132(图1)和热处理部133的动作。
(4)金属去除单元
如上所述，在由图3的旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，通过从边缘冲洗喷嘴613向基板W的周缘部喷出膜去除液，使涂敷于基板W的周缘部的涂敷液溶解。由此，去除基板W的周缘部的含金属涂敷膜。但是，在基板W的周缘部仍有可能残留有含金属涂敷液中所含的金属成分。另外，在含金属涂敷液蔓延到基板W背面的情况下，在基板W的背面残留有含金属涂敷液中所含的金属成分。
当在基板W的周缘部或背面附着有金属成分的状态下，将基板W搬运到基板处理装置100内时，基板处理装置100的内部和曝光装置15的内部产生由金属成分导致的污染。因此，在清洗干燥处理部162设置有用于去除附着于曝光处理前的基板W的周缘部和背面的金属成分的多个(本例中为六个)金属去除单元MR。
本例中，在三个金属去除单元MR和另外三个金属去除单元MR中，使用不同的金属用去除液。在该情况下，对应含金属涂敷液中所含的金属成分的种类，通过相应的金属去除单元MR来去除附着于基板W的周缘部和背面的金属成分。
图10是示出金属去除单元MR的第一结构例的图。如图10所示，在金属去除单元MR设置有马达1、旋转卡盘3、杯4、两个背面清洗喷嘴7、周缘部清洗喷嘴8和气体供给部9。旋转卡盘3以能够围绕铅垂轴旋转的方式安装于马达1的旋转轴2的上端。杯4配置成包围由旋转卡盘3保持的基板W的周围。在杯4的下部形成排气部5和排液部6。
两个背面清洗喷嘴7配置成面向由旋转卡盘3保持的基板W的背面。从背面清洗喷嘴7向基板W的背面喷出金属用去除液。周缘部清洗喷嘴8配置成面向由旋转卡盘3保持的基板W的周缘部。从周缘部清洗喷嘴8向基板W的周缘部喷出金属用去除液。
气体供给部9配置于由旋转卡盘3保持的基板W的大致中央部的上方。从气体供给部9向基板W的被处理面的大致中央部喷出非活性气体，例如氮气。在该情况下，从气体供给部9喷出的气体向基板W的被处理面的大致中央部扩散。由此，防止从周缘部清洗喷嘴8喷出的金属用去除液附着于在基板W的被处理面形成的涂敷膜上。
图11是示出金属去除单元MR的第二结构例的图。如图11所示，在第二结构例中的金属去除单元MR设置气液供给喷嘴10来替代图10的周缘部清洗喷嘴8和气体供给部9。气液供给喷嘴10包括在水平方向上排列的液体喷嘴10a和气体喷嘴10b。气液供给喷嘴10配置成面向由旋转卡盘3保持的基板W的周缘部。在此，气体喷嘴10b配置于比液体喷嘴10a更靠近基板W的中心的位置。
从液体喷嘴10a向基板W的周缘部喷出金属用去除液。从气体喷嘴10b向基板W的周缘部喷出非活性气体，例如氮气。在该情况下，从气体喷嘴10b喷出的气体到达基板W的位置与从液体喷嘴10a喷出的金属用去除液到达基板W的位置相比，更靠近基板W的中心。因此，从气体喷嘴10b喷出的气体阻碍从液体喷嘴10a喷出的金属用去除液流向基板W的中心。由此，防止从液体喷嘴10a喷出的金属用去除液附着于在基板W的被处理面形成的涂敷膜。
在图10和图11的金属去除单元MR中，由于从周缘部清洗喷嘴8或液体喷嘴10a向基板W的周缘部供给金属用去除液，因此使基板W的周缘部的含金属涂敷膜中的金属成分溶解，在基板W的被处理面的除了周缘部之外的区域残留含金属涂敷膜。另外，由于从背面清洗喷嘴7向基板W的背面供给金属用去除液，因此即使在含金属涂敷液蔓延到基板W的背面的情况下，也能去除附着于背面的基板W的背面的含金属涂敷液中的金属成分。
另外，在本例中，由于向金属去除单元MR搬运由热处理部123使含金属涂敷膜固化后的基板W，因此即使在金属去除单元MR中从气体供给部9或气体喷嘴10b向基板W喷出气体也不会对含金属涂敷膜的膜厚带来影响。这些结果，能够在基板W的被处理面以均匀的厚度形成含金属涂敷膜。
(5)搬运部
图12是示出搬运部122、132、163的内部结构的示意性侧视图。如图12所示，搬运部122具有上层搬运室125和下层搬运室126。搬运部132具有上层搬运室135和下层搬运室136。在上层搬运室125设置有搬运机构127，在下层搬运室126设置有搬运机构128。另外，在上层搬运室135设置有搬运机构137，在下层搬运室136设置有搬运机构138。
涂敷处理室21、22(图2)和上层热处理部301(图9)夹着上层搬运室125相对，涂敷处理室23、24(图2)和下层热处理部302(图9)夹着下层搬运室126相对。同样地，显影处理室31、32(图2)和上层热处理部303(图9)夹着上层搬运室135相对，显影处理室33、34(图2)和下层热处理部304(图9)夹着下层搬运室136相对。
在搬运部112和上层搬运室125之间设置有基板载置部PASS1、PASS2，在搬运部112和下层搬运室126之间设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬运室125和上层搬运室135之间设置有基板载置部PASS5、PASS6，在下层搬运室126和下层搬运室136之间设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上层搬运室135和搬运部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF1，在下层搬运室136和搬运部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF2。在搬运部163中以与搬入搬出区14B相邻的方式设置有基板载置部PASS9、多个边缘曝光部EEW和多个载置兼冷却部P-CP。
载置兼缓冲部P-BF1能够通过搬运机构137和搬运机构141、142(图1)来进行基板W的搬入和搬出。载置兼缓冲部P-BF2能够通过搬运机构138和搬运机构141、142(图1)来进行基板W的搬入和搬出。另外，基板载置部PASS9、边缘曝光部EEW和载置兼冷却部P-CP能够通过搬运机构141、142(图1)和搬运机构146来进行基板W的搬入和搬出。
在边缘曝光部EEW中进行基板W的周缘部的曝光处理(边缘曝光处理)。通过对基板W进行边缘曝光处理，在进行后续的显影处理时，去除基板W的周缘部上的抗蚀膜。由此，在显影处理后，在基板W的周缘部与其他部分接触的情况下，能够防止基板W的周缘部上的抗蚀膜剥离而变成颗粒。
在基板载置部PASS1和基板载置部PASS3载置从分度器区11向第一处理区12搬运的基板W，在基板载置部PASS2和基板载置部PASS4载置从第一处理区12向分度器区11搬运的基板W。
在基板载置部PASS5和基板载置部PASS7载置从第一处理区12向第二处理区13搬运的基板W，在基板载置部PASS6和基板载置部PASS8载置从第二处理区13向第一处理区12搬运的基板W。
在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2载置从第二处理区13向清洗干燥处理区14A搬运的基板W，在载置兼冷却部P-CP载置从清洗干燥处理区14A向搬入搬出区14B搬运的基板W，在基板载置部PASS9载置从搬入搬出区14B向清洗干燥处理区14A搬运的基板W。
接着，说明搬运机构127。图13是示出搬运机构127的立体图。如图12和图13所示，搬运机构127具备长条状的导轨311、312。如图12所示，导轨311在上层搬运室125内以沿上下方向延伸的方式固定于搬运部112侧。导轨312在上层搬运室125内以沿上下方向延伸的方式固定于上层搬运室135侧。
在导轨311和导轨312之间设置有长条状的导轨313。导轨313可上下移动地安装于导轨311、312。在导轨313安装有移动构件314。移动构件314设置成可在导轨313的长度方向上移动。
在移动构件314的上表面可旋转地设置长条状的旋转构件315。在旋转构件315安装有用于保持基板W的外周部的手部H1、H2、H3。手部H1-H3设置成可在旋转构件315的长度方向上移动。手部H1配置于比手部H2更靠上方的位置，手部H2配置于比手部H3更靠上方的位置。
根据如上所述的结构，搬运机构127能够在上层搬运室125内在X方向和Z方向上自由移动。另外，利用手部H1-H3对涂敷处理室21、22(图2)、基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(图12)和上层热处理部301(图9)进行基板W的交接。
另外，如图12所示，搬运机构128、137、138具有与搬运机构127相同的结构。另外，在本实施方式中，图1的搬运机构142具有与搬运机构127相同的三个手部H1-H3。
(6)基板处理
参照图1、图2、图9和图12说明基板处理。在分度器区11的容纳架载置部111(图1)载置容纳有未处理的基板W的容纳架113。搬运机构115将未处理的基板W从容纳架113搬运到基板载置部PASS1、PASS3(图12)。另外，搬运机构115将载置于基板载置部PASS2、PASS4(图12)的处理完的基板W搬运到容纳架113。
在第一处理区12中，搬运机构127(图12)利用中层和下层的手部H2、H3，将载置于基板载置部PASS1的未处理的基板W依次搬运至紧贴强化处理单元PAHP(图9)、冷却单元CP(图9)和涂敷处理室22(图2)。接着，搬运机构127利用手部H2、H3，将涂敷处理室22的基板W依次搬运至热处理单元PHP(图9)、冷却单元CP(图9)、涂敷处理室21(图2)、热处理单元PHP(图9)和基板载置部PASS5(图12)。
该情况下，在紧贴强化处理单元PAHP中，在对基板W进行了紧贴强化处理后，在冷却单元CP中将基板W冷却至适合于形成防反射膜的温度。接着，在涂敷处理室22中，通过涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成防反射膜。接着，在热处理单元PHP中对基板W进行热处理后，在冷却单元CP中将基板W冷却至适合于形成抗蚀膜的温度。接着，在涂敷处理室21中，通过涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成抗蚀膜。然后，在热处理单元PHP中对基板W进行热处理，该基板W被载置于基板载置部PASS5。
另外，搬运机构127利用上层的手部H1，将载置于基板载置部PASS6(图12)的显影处理后的基板W搬运到基板载置部PASS2(图12)。
搬运机构128(图12)利用中层和下层的手部H2、H3，将载置于基板载置部PASS3的未处理的基板W依次搬运到紧贴强化处理单元PAHP(图9)、冷却单元CP(图9)和涂敷处理室24(图2)。接着，搬运机构128利用手部H2、H3，将涂敷处理室24的基板W依次搬运到热处理单元PHP(图9)、冷却单元CP(图9)、涂敷处理室23(图2)、热处理单元PHP(图9)和基板载置部PASS7(图12)。
另外，搬运机构128(图12)利用上层的手部H1，将载置于基板载置部PASS8(图12)的显影处理后的基板W搬运到基板载置部PASS4(图12)。涂敷处理室23、24(图2)和下层热处理部302(图9)中的基板W的处理内容，分别与上述的涂敷处理室21、22(图2)和上层热处理部301(图9)中的基板W的处理内容相同。
在第二处理区13中，搬运机构137(图12)利用下层的手部H3，将载置于基板载置部PASS5的形成有抗蚀膜后的基板W搬运到载置兼缓冲部P-BF1(图12)。
另外，搬运机构137(图12)利用上层和中层的手部H1、H2，从与清洗干燥处理区14A相邻的热处理单元PHP(图9)中取出经曝光处理后且经热处理后的基板W。搬运机构137利用手部H1、H2，将该基板W依次搬运到冷却单元CP(图9)、显影处理室31、32(图2)中的任意一个、热处理单元PHP(图9)和基板载置部PASS6(图12)。
该情况下，在冷却单元CP中将基板W冷却至适合于显影处理的温度后，在显影处理室31、32中的任意一个中，通过显影处理单元139对基板W进行显影处理。然后，在热处理单元PHP中对基板W进行热处理，并将该基板W载置于基板载置部PASS6。
搬运机构138(图12)利用下层的手部H3，将载置于基板载置部PASS7的形成抗蚀膜后的基板W搬运到载置兼缓冲部P-BF2(图12)。
另外，搬运机构138(图12)利用上层和中层的手部H1、H2，从与接口区14相邻的热处理单元PHP(图9)中取出经曝光处理后且经热处理后的基板W。搬运机构138利用手部H1、H2，将该基板W依次搬运到冷却单元CP(图9)、显影处理室33、34(图2)中的任意一个、热处理单元PHP(图9)和基板载置部PASS8(图12)。显影处理室33、34和下层热处理部304中的基板W的处理内容，分别与上述的显影处理室31、32和上层热处理部303中的基板W的处理内容相同。
在清洗干燥处理区14A中，搬运机构142(图1)利用下层的手部H3将载置于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图12)的基板W搬运到金属去除单元MR(图9)。另外，搬运机构142利用上层和中层的手部H1、H2，将金属去除单元MR的基板W搬运到载置兼缓冲器部P-BF1(图12)或载置兼缓冲器部P-BF2(图12)。搬运机构141(图1)将从金属去除单元MR搬运到载置兼缓冲器部P-BF1、P-BF2的基板W依次搬运到清洗干燥处理单元BSS(图2)、边缘曝光部EEW和载置兼冷却部P-CP(图12)。
该情况下，在金属去除单元MR中，去除残留在基板W的周缘部和背面的金属成分。另外，在清洗干燥处理单元BSS中，对基板W的周缘部和背面进行清洗和干燥处理。接着，在边缘曝光部EEW中对基板W进行边缘曝光处理。然后，在载置兼冷却部P-CP中将基板W冷却至适合于曝光装置15(图1)中的曝光处理的温度。
另外，搬运机构142(图1)将载置于基板载置部PASS9(图12)的曝光处理后的基板W依次搬运到上层热处理部303或下层热处理部304中的热处理单元PHP(图9)。该情况下，在热处理单元PHP中进行曝光后烘烤(PEB)处理。
在搬入搬出区14B中，搬运机构146(图1)将载置于载置兼冷却部P-CP(图12)的曝光处理前的基板W搬运到曝光装置15(图1)的基板搬入部。另外，搬运机构146从曝光装置15的基板搬出部中取出曝光处理后的基板W，并将该基板W搬运到基板载置部PASS9(图12)。在曝光装置15中，通过具有极短波长的EUV来对基板W进行曝光处理。该情况下，由于在基板W上的涂敷膜中含有金属成分，因此能够通过高效地吸收EUV光，以高清晰度形成细微的曝光图案。另外，曝光方法并不局限于此，可以通过其他方法来对基板W进行曝光处理。
根据上述的基板W的搬运，由搬运机构127、128、137、138、142的不同的手部保持去除金属成分前的基板W和去除金属成分后的基板W。由此，防止金属成分经由搬运机构127、128、137、138、142的手部附着于去除金属成分后的基板W。由此，防止通过搬运机构金属污染扩大。
(7)效果
在本实施方式的基板处理装置100中，通过向涂敷处理单元129的杯612供给清洗液和金属用去除液来进行杯612的清洗处理。由此，去除附着于杯612的涂敷液及其固化物，并且去除残留于杯612的金属成分。因此，能够防止金属成分从杯612扩散。结果，能够防止基板W、基板处理装置100和曝光装置15的内部被金属污染。
(8)杯清洗机构的另一例
图14是用于说明杯清洗机构CM的另一例的图。在图14的例子中，说明与图4的例子不同点。
图14的杯清洗机构CM仅包括图4的杯清洗喷嘴82、83中的杯清洗喷嘴82。另外，在杯清洗构件76仅设置图4的第一和第二引导部76a、76b中的第一引导部76a。从未图示的清洗液供给源和金属用去除液供给源向杯清洗喷嘴82有选择地供给清洗液和金属用去除液。该情况下，从杯清洗喷嘴82向杯清洗构件76的第一引导部76a分别喷出清洗液和金属用去除液。由此，从共用的多个喷出口85a向外杯612a分别喷出清洗液和金属用去除液。
在本例中，也通过向外杯612a喷出清洗液，去除附着于外杯612a的涂敷液及其固化物等。另外，通过向外杯612a喷出金属用去除液，去除残留于外杯612a的金属成分。另外，通过重新向外杯612a喷出清洗液，冲洗附着于外杯612a的金属用去除液。由此，能够净化外杯612a。另外，与图4的例子比较，杯清洗机构CM的结构变得简单。
另外，在外杯612a的清洗处理时，可由图4的升降机构72使外杯612a升降。例如，在喷出清洗液的期间，外杯612a可维持于第一高度，在喷出金属用去除液的期间，外杯612a可维持于比第一高度更高的第二高度。该情况下，与图7的例子同样地，在外杯612a的内周面上，供给清洗液的区域变得比供给金属用去除液的区域更宽。由此，用清洗液充分地清洗金属用去除液，防止金属用去除液残留于外杯612a。
另外，如上所述，可以向外杯612a供给金属用去除液后，供给纯水来代替清洗液。另外，可以最初向外杯612a供给金属用去除液，之后向外杯612a供给清洗液。另外，可以使用多种金属用去除液。另外，为了回收清洗液和金属用去除液，可以使用图4的回收单元61A或者图8的回收单元61A。而且，除了外杯612a之外还可以向内杯611b的整流部74供给清洗液和金属用去除液。
或者，可以向杯清洗喷嘴83供给具有使涂敷液溶解的性质的金属用去除液。该情况下，通过向杯612供给金属用去除液，从杯612去除涂敷液和固化物，同时去除金属成分。由此，能够用简单的结构高效地净化杯612。
(9)旋转单元的另一例
图15是用于说明旋转单元61的另一例的示意性侧视图。对于图15的旋转单元61说明与图4的旋转单元61的不同点。
图15的旋转单元61除了图4的结构之外，还具备边缘冲洗喷嘴614和背面冲洗喷嘴86。边缘冲洗喷嘴614与边缘冲洗喷嘴613同样地，以面向由旋转卡盘611保持的基板W的被处理面的周缘部的方式配置。背面冲洗喷嘴86与背面冲洗喷嘴81同样地，以面向由旋转卡盘611保持的基板W的背面的方式配置。
在边缘冲洗喷嘴613、614分别连接供给配管613p、614p。在供给配管613p、614p上分别安装供给阀613v、614v。在背面冲洗喷嘴81、86分别连接供给配管615p、616p。在供给配管615p、616p上分别安装供给阀615v、616v。
通过供给配管613p、615p向边缘冲洗喷嘴613和背面冲洗喷嘴81分别供给前述的膜去除液和清洗液，通过供给配管614p、616p向边缘冲洗喷嘴614和背面冲洗喷嘴86分别供给金属用去除液。
在基板W上形成含金属涂敷膜后，由旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴613向基板W的周缘部喷出膜去除液，并且从背面冲洗喷嘴81向基板W的背面喷出清洗液。该情况下，使涂敷于基板W的周缘部和背面的涂敷液溶解并去除。
然后，在由旋转卡盘611使基板W旋转的状态下，从边缘冲洗喷嘴614向基板W的周缘部喷出金属用去除液，并且从背面冲洗喷嘴86向基板W的背面喷出金属用去除液。该情况下，使残留于基板W的周缘部和背面的金属成分溶解并去除。
在从边缘冲洗喷嘴613和背面冲洗喷嘴81分别喷出膜去除液和清洗液的期间，打开回收阀V1，关闭回收阀V2。由此，将从排液口73b排出的膜去除液和清洗液向回收罐TA1引导。另一方面，在从边缘冲洗喷嘴614和背面冲洗喷嘴86喷出金属用去除液的期间，关闭回收阀V1，打开回收阀V2。由此，将从排液口73b排出的金属用去除液向回收罐TA2引导。
这样，在图15的旋转单元61中，由于在基板W上形成含金属涂敷膜，并且从基板W的周缘部和背面去除涂敷液和金属成分，因此无需将基板W搬运到金属去除单元MR。因此，能够缩短基板W的搬运时间，从而能够提高处理能力。另外，由于不用设置金属去除单元MR，因此能够实现基板处理装置100小型化和装置成本的削减。
另外，与杯612的清洗处理时同样地，使已使用的膜去除液和清洗液与已使用的金属用去除液分离并回收。由此，使用者无需进行用于将膜去除液和清洗液与金属用去除液进行分离的作业。因此，能够降低去除液的回收成本和废弃成本。
另外，在本例中，单独设置喷出膜去除液的边缘冲洗喷嘴613和喷出金属用去除液的边缘冲洗喷嘴615，但是可以设置有选择地喷出膜去除液和金属用去除液的共用的边缘冲洗喷嘴。同样地，可以设置有选择地喷出清洗液和金属用去除液的共用的背面冲洗喷嘴。或者，金属用去除液可以具有使涂敷液溶解的性质。该情况下，可以不用设置边缘冲洗喷嘴613和背面冲洗喷嘴81。
另外，在图15的旋转单元61设置图4的回收单元61A，但是可以设置图8的回收单元61A来代替它。另外，可以通过其他结构使两种去除液分离并回收。例如，杯612可以是能够使两种去除液分离并回收的双重杯。
(10)其他实施方式
(10-1)
在上述实施方式中，杯清洗机构CM设置于涂敷处理单元129，但本发明并不局限于此。杯清洗机构CM可以设置于显影处理单元139。图16是出示显影处理单元139的一例的示意性侧视图。图16的显影处理单元139除了图2的旋转卡盘35和杯37之外，还包括杯清洗构件76和杯清洗喷嘴82、83。图16的杯清洗机构CM具有与图4的杯清洗机构CM相同的结构。由此，向杯37分别供给清洗液和金属用去除液。
在显影处理单元139中，通过从图1的狭缝喷嘴38向基板W的被处理面供给显影液，以使曝光处理后的含金属涂敷膜的一部分溶解。然后，通过一边由旋转卡盘35使基板W旋转一边从未图示的冲洗喷嘴向基板W上供给冲洗液，来冲洗基板W上的显影液。该情况下，基板W上的显影液和被溶解的含金属涂敷膜与冲洗液一起向基板W的外侧飞散，由杯37接收。因此，在杯37上附着涂敷液和金属成分。
因此，在图16的显影处理单元139中，通过向杯37分别供给清洗液和金属用去除液，来去除附着于杯37的涂敷液和金属成分。结果，防止金属从杯37扩散。
另外，可以在显影处理单元139设置图4或图8的回收单元61A。由此，能够将向杯37供给的清洗液和金属用去除液分离并回收。
(10-2)
在上述实施方式中，从杯清洗喷嘴82、83喷出的清洗液和金属用去除液通过杯清洗构件76的第一和第二引导部76a、76b向外杯612a引导，但本发明并不局限于此。例如，可以朝向外杯612a喷出清洗液和金属用去除液的方式设置杯清洗喷嘴82、83。另外，可以从杯清洗喷嘴82、83中的一个直接向外杯612a供给清洗液和金属用去除液中的一种，从杯清洗喷嘴82、83中的另一个通过杯清洗构件76向外杯612a供给清洗液和金属用去除液的另一种。另外，可以不用设置杯清洗喷嘴82，通过刷子等来去除涂敷液及其固化物。
(10-3)
在上述实施方式中，虽在防反射液和抗蚀液两者中含有金属成分，但本发明并不限于此。在防反射液和抗蚀液的一者中可以不含有金属成分。另外，可以在用于形成硬掩模(HM)等其他膜的涂敷液中含有金属成分。在该情况下，涂敷液中含有例如作为金属成分的氧化钛(TiOx)、氧化钨(WOx)或氧化锆(ZrOx)。
(10-4)
在上述实施方式中，搬运机构127、128、137、138、141的手部H1-H3保持基板W的外周部，但本发明并不限于此。搬运机构127、128、137、138、141的手部H1-H3，可以通过吸附基板W来保持基板W的背面。
(10-5)
在上述实施方式中，搬运机构127、128、137、138、141优选具有三个手部H1-H3，但本发明并不限于此。搬运机构127、128、137、138、141可以具有两个以下的手部，也可以具有四个以上的手部。
(10-6)
在上述实施方式中，在清洗干燥处理部161配置有多个清洗干燥处理单元BSS，并且在清洗干燥处理部162配置有多个金属去除单元MR，但本发明并不限于此。部分或全部清洗干燥处理单元BSS可以配置于清洗干燥处理部162，部分或全部金属去除单元MR可以配置于清洗干燥处理部161。
(10-7)
在上述实施方式中，在涂敷处理单元129中设置边缘冲洗喷嘴613，但本发明并不局限于此。例如，可以不用在涂敷处理单元129中设置边缘冲洗喷嘴613，在金属去除单元MR中设置边缘冲洗喷嘴613。该情况下，在金属去除单元MR中向基板W的周缘部供给膜去除液和金属用去除液。为了回收使用后的膜去除液和金属用去除液，可以在金属去除单元MR设置与图4或图8的例子相同的回收单元。
(10-8)
在上述实施方式中，在接口区14设置有边缘曝光部EEW，但本发明并不限于此。边缘曝光部EEW可不设置于接口区14，而设置于第一处理区12的上层热处理部301和下层热处理部302。该情况下，在形成抗蚀膜后且基板W载置于基板载置部PASS5、PASS7之前，对基板W进行边缘曝光处理。
(10-9)
可以将金属去除单元MR设置于其他场所。例如，可以在第一或第二处理区12、13设置金属去除单元MR。另外，在显影处理单元139中，可以通过向基板W的周缘部和背面供给金属用去除液，来从基板W的周缘部和背面去除金属成分。另外，可以在第一处理区12和第二处理区13之间，配置包括金属去除单元MR的其他处理区。
(11)权利要求的各结构要素与实施方式的各要素的对应关系
以下，将对权利要求的各结构要素与实施方式的各要素的对应的例子进行说明，但本发明并不限于下述的例子。
在上述实施方式中，涂敷处理单元129或显影处理单元139是膜处理单元的例子，旋转卡盘611或旋转卡盘35是旋转保持部的例子，喷嘴620或狭缝喷嘴38是处理液供给部的例子，杯612或杯37是飞散防止构件的例子，杯清洗喷嘴83是去除液供给部的例子。另外，杯清洗构件76是引导构件的例子，第二引导部76b是第一去除液引导部的例子，第一引导部76a是第二去除液引导部的例子，杯清洗喷嘴83是第一喷出喷嘴的例子，杯清洗喷嘴82是第二喷出喷嘴的例子，回收单元61A是去除液回收单元的例子，边缘冲洗喷嘴613是周缘部去除液供给单元的例子。另外，基板处理装置100是基板处理装置的例子，显影处理单元139是显影处理单元的例。
作为权利要求的各结构要素，可使用具有权利要求所记载的结构或功能的其他各种要素。
工业实用性
本发明能有效地应用于各种基板的处理。

Claims (13)

1.一种膜处理单元，其中，具备：
旋转保持部，将基板保持为水平姿势且旋转基板；
处理液供给部，向由所述旋转保持部保持的基板的被处理面供给处理液；
飞散防止构件，以包围由所述旋转保持部保持的基板的外周端部的方式配置，接收从由所述旋转保持部旋转的基板飞散的处理液；
去除液供给部，向所述飞散防止构件供给使金属溶解的第一去除液。
2.根据权利要求1所述的膜处理单元，其中，
所述处理液供给部构成为，通过向基板的所述被处理面供给作为所述处理液的含有金属和涂敷液的含金属涂敷液，来在所述被处理面形成含金属涂敷膜。
3.根据权利要求1所述的膜处理单元，其中，
在通过向基板的所述被处理面供给含有金属和涂敷液的含金属涂敷液来形成含金属涂敷膜后，对基板进行曝光处理，
所述处理液供给部构成为，向曝光处理后的基板的所述被处理面供给作为所述处理液的显影液。
4.根据权利要求2或3所述的膜处理单元，其中，
所述去除液供给部向所述飞散防止构件供给使所述涂敷液溶解的第二去除液。
5.根据权利要求4所述的膜处理单元，其中，
还具备引导构件，所述引导构件具有第一去除液引导部和第二去除液引导部；
所述去除液供给部包括：
第一喷出喷嘴，向所述引导构件的所述第一去除液引导部喷出所述第一去除液；
第二喷出喷嘴，向所述引导构件的所述第二去除液引导部喷出所述第二去除液，
所述第一去除液引导部和所述第二去除液引导部以将从所述第一喷出喷嘴和所述第二喷出喷嘴喷出的所述第一去除液和所述第二去除液分别向所述飞散防止构件引导的方式设置。
6.根据权利要求5所述的膜处理单元，其中，
所述第一去除液引导部以向所述飞散防止构件的第一区域引导所述第一去除液的方式设置，
所述第二去除液引导部以向所述飞散防止构件的比所述第一区域更靠上方的第二区域引导所述第二去除液的方式设置。
7.根据权利要求4所述的膜处理单元，其中，
还具备引导构件，所述引导构件具有去除液引导部，
所述去除液供给部包括喷出喷嘴，所述喷出喷嘴向所述引导构件的所述去除液引导部有选择地喷出所述第一去除液和所述第二去除液，
所述去除液引导部以将从所述喷出喷嘴喷出的所述第一去除液和所述第二去除液分别向所述飞散防止构件引导的方式设置。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的膜处理单元，其中，
还具备去除液回收单元，所述去除液回收单元以喷出到所述飞散防止构件的所述第一去除液和所述第二去除液分离并回收的方式设置。
9.根据权利要求2所述的膜处理单元，其中，
还具备周缘部去除液供给单元，所述周缘部去除液供给单元以在基板的所述被处理面的除周缘部之外的区域残留所述含金属涂敷膜的方式，向由所述旋转保持部旋转的基板的所述被处理面的周缘部供给使所述金属溶解的第三去除液。
10.一种基板处理装置，以与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻的方式配置，其中，所述基板处理装置具备：
权利要求2所述的膜处理单元，在由所述曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成所述含金属涂敷膜；
显影处理单元，在由所述曝光装置进行曝光处理后，进行基板的显影处理。
11.一种基板处理装置，以与对基板进行曝光处理的曝光装置相邻的方式配置，其中，所述基板处理装置具备：
膜形成单元，在由所述曝光装置进行曝光处理前，在基板的被处理面形成含有金属的含金属涂敷膜；
权利要求3所述的膜处理单元，在由所述曝光装置进行曝光处理后，进行基板的显影处理。
12.一种基板处理方法，其中，具备：
由旋转保持部将基板保持为水平姿势且旋转基板的步骤；
通过处理液供给部向由所述旋转保持部保持的基板的被处理面供给含有金属和涂敷液的含金属涂敷液，来在所述被处理面形成含金属涂敷膜的步骤；
通过以包围由所述旋转保持部保持的基板的外周端部的方式配置的飞散防止构件，接收从由所述旋转保持部旋转的基板飞散的含金属涂敷液的步骤；
通过去除液供给部向所述飞散防止构件供给使金属溶解的第一去除液的步骤。
13.一种基板处理方法，其中，具备：
通过向基板的所述被处理面供给含有金属和涂敷液的含金属涂敷液，来形成含金属涂敷膜的步骤；
对形成有所述含金属涂敷膜的基板进行曝光处理的步骤；
由旋转保持部将曝光处理后的基板保持为水平姿势且旋转基板的步骤；
通过处理液供给部向由所述旋转保持部保持的基板的被处理面供给显影液的步骤；
通过以包围由所述旋转保持部保持的基板的外周端部的方式配置的飞散防止构件，接收从由所述旋转保持部旋转的基板飞散的显影液的步骤；
通过去除液供给部向所述飞散防止构件供给使金属溶解的第一去除液的步骤。
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