JP2001319910A

JP2001319910A - 液処理装置

Info

Publication number: JP2001319910A
Application number: JP2000135224A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Taniyama; 博己谷山; Hironobu Nishi; 寛信西
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-05-08
Filing date: 2000-05-08
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の周縁を、デバイス作成領域に悪影響を
及ぼすことなく処理し、かつ、処理する周縁の幅を微細
に制御できる液処理装置を提供する。【解決手段】基板の一方の面側から基板周縁に薬液を
噴射し、他方の面側の周縁に薬液を回り込ませる。回り
込ませた薬液により、基板周縁を処理するとともに、該
基板の他方の面側に備えられた回り込み制御部材によ
り、基板の処理幅を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液処理装置に関
し、特に、メッキ処理された基板の周縁を洗浄する装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体等の電子デバイスの製造工程に
は、ウェハ等の基板に対し薄膜を形成するプロセスが含
まれる。例えば、金属配線を有する半導体ウェハの製造
には、ＰＶＤ等でシード層を形成した後、メッキ処理に
より金属薄膜を形成するプロセスが含まれる。

【０００３】また、半導体デバイスの製造工程では、周
縁の薄膜が除去されずに存在すると、搬送時にキャリア
との接触により薄膜が剥がれて飛散して、パーティクル
を発生し、キャリア及びデバイスを汚染することがあ
る。

【０００４】特に、半導体ウェハのＣｕ配線の製造プロ
セスでは、ＣｕがＳｉ及びＳｉＯ_２に対して強い影響力
を持つため、これらの問題が重要となる。メッキ処理直
後のウェハには、図７に示すように、Ｃｕシード膜７
２、Ｃｕメッキ膜７１が周縁７３に存在し、これらの不
用な膜が剥離すると、キャリア等がＣｕで汚染されるこ
とになる。

【０００５】上述の、周縁から剥離した薄膜によるデバ
イスの汚染は、デバイスの高密度化が進む中では、デバ
イスの歩留まりの低下につながる。そのため、基板の周
縁を洗浄（エッチング）して、周縁の薄膜を除去する必
要がある。

【０００６】このための、基板周縁の洗浄方法は、例え
ば、レジスト膜を塗布した基板の周縁にレジスト溶剤を
噴射して基板周縁の不用な膜を除去する方法が知られて
いる。この方法は、基板表面の上方から、ノズル等で周
縁にレジスト溶剤を噴射して洗浄処理を行うものであ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法は、溶剤によるレジスト膜の除去に関する方法であ
り、除去には化学反応が必要な、金属薄膜の形成された
メッキ処理基板周縁の洗浄には単純には適用できない。
また、この方法をメッキ処理基板周縁の洗浄に用いた場
合には、噴射された洗浄液や薄膜の溶解物が、基板表面
上に飛散し、デバイス作成領域に悪影響を与えるという
問題があり、さらに、周縁の洗浄幅を微細に制御するこ
とは不可能であった。

【０００８】従って、本発明の目的は、基板の周縁を、
デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄することがで
き、かつ、基板周縁の洗浄幅を微細に制御することがで
きる液処理装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液処理装置
は、被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該被処理体
の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、前記被処理
体の一方の面側に配置され、前記被処理体保持手段が前
記被処理体を保持し、かつ、回転させている状態で、該
被処理体の他方の面に、該被処理体の他方の面の周縁部
に所定の処理を施すための処理液を供給する処理液供給
手段と、前記被処理体の他方の面側に配置され、前記処
理液供給手段により供給された処理液の、前記被処理体
の他方の面中心部への回り込みを抑制する、回り込み抑
制手段とを備えることを特徴とする。

【００１０】上記構成によれば、例えば、メッキ処理さ
れた基板周縁の洗浄を行うとき、基板のメッキ処理され
た面の反対側の面の周縁に処理液を供給して、処理液の
回り込みにより基板のメッキ処理された面の周縁を処理
することができるとともに、処理液の回り込みの量を制
御することが可能となる。

【００１１】上記液処理装置において、前記回り込み抑
制手段は、前記被処理体基板のいずれかの面の近傍に配
置された部材から構成されていてもよい。

【００１２】上記液処理装置において、前記回り込み抑
制手段は、流体を前記被処理体のいずれかの面の周縁に
向けて射出により供給してもよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の実施の形態
に係る半導体基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置につ
いて、以下図面を参照して説明する。

【００１４】図１〜図３は、本発明の実施の形態に係る
半導体基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置１１の全体
構成を示す図であり、図１は３次元立体図、図２は平面
図、図３は側面図である。図に示すように、このメッキ
処理装置１１は、カセットステーション２１と、処理ス
テーション２２とから構成される。

【００１５】カセットステーション２１は、外部からウ
ェハカセット単位で装置１１に供給されるウェハをカセ
ット２３ａからメッキ処理装置１１に搬入し、または、
メッキ処理後のウェハをメッキ処理装置１１からカセッ
ト２３ｂに搬出する。

【００１６】カセットステーション２１には、カセット
戴置台２４が設けられ、メッキ処理されるウェハを収納
したウェハカセット２３ａが外部から供給される。ま
た、戴置台２４では、メッキ処理されたウェハが搬出用
のカセット２３ｂに収納される。

【００１７】上述した戴置台２４でのウェハの搬送は、
第１搬送機構２５によって行われる。第１搬送機構２５
は、戴置台２４上に複数戴置されたウェハカセット２３
にアクセス可能なように、ｘ軸方向に移動可能であり、
かつ、ｚ軸方向に昇降可能である。また、処理ステーシ
ョン２２から戴置台２４へウェハを搬送できるように、
ｚ軸を中心として回転可能である。

【００１８】なお、カセットステーション２１及び処理
ステーション２２には、清浄空気のダウンフローによっ
て内部の雰囲気は清浄に保たれている。

【００１９】処理ステーション２２は、ウェハに一枚ず
つメッキ処理を行うメッキ処理ユニット２６およびメッ
キ処理後の洗浄と乾燥を行う洗浄乾燥ユニット２７を、
それぞれ複数台、所定の位置に備える。

【００２０】メッキ処理ユニット２６では、シード層が
形成されたウェハにメッキ処理が施され、例えば、ウェ
ハ上にＣｕ薄膜が形成される。また、洗浄乾燥ユニット
２７では、後述するように、メッキ処理されたウェハの
表面、裏面および周縁を薬液、純水等の洗浄液で洗浄
（エッチング）され、洗浄後、Ｎ_２パージ下でウェハを
高速回転させて、ウェハの乾燥が行われる。

【００２１】処理ステーション２２には、図２に示すよ
うに中心部に第２搬送機構２９が設けられ、その周りに
は各処理ユニットが放射状に配置されている。また、図
１、図３に示すように、処理ステーションは上下２段で
構成されている。処理ステーション２２の上段および下
段は、それぞれ、第２搬送機構２９を中心として放射状
に配置された４つの処理ユニットから構成されており、
処理ステーション２２は８つのユニットを有している。

【００２２】図１、図３に示す実施形態では、下段に４
つのメッキ処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユ
ニット２７と２つのエクストラユニット２８が配置され
た装置構成を示す。

【００２３】処理ステーション２２内でのウェハの搬送
は第２搬送機構２９によって行われる。第２搬送機構２
９は、第１搬送機構２５によりカセットステーション２
１から搬入されて、処理ステーション２２内の戴置部３
０に戴置されたウェハを受け取り、下段のメッキ処理ユ
ニット２６のいずれかに搬送する。メッキ処理が終了
後、さらに、洗浄乾燥ユニット２７に送る。最後に、第
２搬送機構２９は、メッキ処理ユニット２６および洗浄
乾燥ユニット２７を経たウェハを戴置部３０に送り、第
１搬送機構２５がこれを受け取ってカセット２３に収納
する。また、ここで、戴置部３０を介さず、第１搬送機
構２５が直接洗浄乾燥ユニットからウェハを受け取るこ
ともできる。この場合、カセットステーション２１と処
理ステーション２２との間の側壁にゲートを設けること
により、パーティクル等による汚染を防ぐことができ
る。

【００２４】第２搬送機構２９は、上述した２段構成で
ある処理ステーション２２内の各処理ユニットにアクセ
ス可能なように、ｚ軸を中心として回転可能であり、か
つ、ｚ軸方向に昇降可能である。

【００２５】また、第２搬送機構２９は３本のアームを
備え、一本は戴置部３０からメッキ処理ユニット２６へ
のウェハの搬送、一本はメッキ処理ユニット２６から洗
浄乾燥ユニット２７へのウェハの搬送、一本は洗浄乾燥
ユニット２７から戴置部３０への搬送専用として、パー
ティクル、薬液等による汚染を最小限としている。

【００２６】上述の実施形態では、下段に４つのメッキ
処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユニット２７
と２つのエクストラユニット２８が配置された装置構成
としたが、他にエクストラユニット２８を活用した装置
構成も可能である。例えば、下段に４つのメッキ処理ユ
ニット２６、上段に１つのメッキ処理ユニット２６と３
つの洗浄乾燥ユニット２７とした構成も可能である。

【００２７】また、エクストラユニット２８は、メッキ
処理ユニット２６、洗浄乾燥ユニット２７と組み合わせ
可能な他の処理ユニット、例えば、メッキ処理後のアニ
ーリングを行うアニーリングユニットとすることも可能
である。

【００２８】以下、洗浄乾燥ユニット２７を構成する洗
浄装置について説明する。図４は本実施形態の洗浄装置
の構成を示す。本実施形態の洗浄装置は、一側にゲート
バルブ４１６を備えた、第２搬送機構２９の出入口４１
７が形成された方形のハウジング４０１内に、上面が開
口した略円筒形状のカップ４０２が設けられている。こ
のカップ４０２は、制御部４１８により制御されるカッ
プ駆動部４０３により上下に駆動可能である。

【００２９】ここで、制御部４１８は演算処理装置と処
理プログラム等を記憶しているＲＯＭ等から構成され、
洗浄装置全体の動きを制御するものである。以下、制御
部４１８の働きについては、全体を理解しやすいももと
するため、説明を省く。

【００３０】ハウジング４０１の中心位置には、回転駆
動体４０４が配置されている。この回転駆動体４０４は
ハウジング４０１外に設けられている中空モータ４０５
の駆動によって所定の回転数で回転する。この回転駆動
体４０４の上に、所定の間隔を隔てて回転テーブル４０
６がこの回転駆動体４０４に固定されている。

【００３１】回転駆動体４０４の第１シャフト４０７の
内部には、第２シャフト４０８が形成されている。この
第２シャフト４０８の上には裏面洗浄ノズル４０９が固
定されており、ウェハＷが保持部材に保持された場合
に、ウェハＷと回転テーブル４０６の間に存在する。

【００３２】図５に示すように、裏面洗浄ノズル４０９
は、第２シャフト４０８に固定された部分を中心として
４本の棒状体が十字状に回転テーブル４０６の周縁まで
伸びた構造を有する。棒状体の内部は中空であり、第２
シャフト４０８の内部を通る管４１０と連通している。
この管４１０を通って純水が、裏面洗浄ノズル４０９の
棒状体の上方に開いた穴５１から上方に供給される。

【００３３】さらに、第１シャフト４０７と第２シャフ
ト４０８の間の空間にはガス流路４１１が形成されてお
り、不活性ガス、例えばＮ_２ガスが吹き出されるように
なっている。吹き出された不活性ガスは、回転テーブル
４０６の表面に沿って回転テーブル４０６の周縁部へと
流れる。したがって、この回転テーブル４０６は、ガス
拡散板としての機能も併せ持っている。

【００３４】この不活性ガスは、回転処理中、即ちウェ
ハＷに対して洗浄処理を行っている間は、回転テーブル
４０６の下面中心から外方へと吹き出され、回転テーブ
ル４０６周縁部、即ちウェハＷの周縁部から外方へと排
気されているので、ウェハＷの裏面へのパーティクル等
の侵入を防止することができる。したがって、ウェハＷ
の裏面の汚染を防止することができる。カップ４０２と
回転駆動体４０４の間の空間には、排気口４１２が設け
られ、排気及び洗浄液等の廃液を含んだ排気が流れる。

【００３５】図５に示すように、回転テーブル４０６に
は、３つの保持部材５２が支持部材５３により回転テー
ブル４０６の周縁部にそれぞれ１２０°の角度で等間隔
に取り付けられている。保持部材５２は、第２搬送機構
２９によりメッキ処理装置内に搬送されたウェハＷを保
持する部材である。図６に示すように、保持部材５２
は、上側の保持部５４と下側の付勢部５５とが一体とな
った構成を有している。保持部５４には上端に段差が形
成され、この段差によりウェハＷを保持する。保持部５
４は支持部材５３の上端部に設定された回動支点５６で
支持部材５３と結合されている。保持部材５２はこの回
動支点５６を中心として回動可能である。付勢部５５の
重量は保持部５４よりも大きく設定されており、これに
より、付勢部５５は保持部材５２の重錘として働く。

【００３６】回転駆動体４０４によりウェハＷは高速で
回転するので、ウェハＷを安定して保持する必要があ
る。このため、保持部材５２はウェハＷを保持部５４の
段差だけでなく、付勢部５５による付勢によってウェハ
Ｗの周縁部を保持する構造となっている。

【００３７】すなわち、ウェハＷは回転していない状態
で保持部材５２に戴置され、その保持部５４に保持され
る。そして、回転テーブル４０６が回転すると、付勢部
５５に作用する遠心力によって、付勢部５５はさらに外
方へと移動しようとし、その結果、保持部材５２の保持
部５４側は回転テーブル４０６の中心側へと押され、さ
らにウェハＷは強固に保持されることになる。また、保
持部材５２の保持部５４は、図に示すように、前面から
見た場合凸状に形成されていて、ウェハＷを保持部５４
の段差で、点接触により保持している。

【００３８】回転テーブル４０６の上方には、主洗浄ノ
ズル４１４が備えられている。主洗浄ノズル４１４は、
第１洗浄液槽４１９につながっており、第１洗浄液槽４
１９に貯蔵された洗浄薬液を所定の供給速度でノズル先
から吐出する。ここで、第１洗浄液槽４２０に貯蔵され
た洗浄液は、フッ酸、塩酸、硫酸等の無機酸または有機
酸と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）の混合液、例えば、希フ
ッ酸とＨ_２Ｏ_２の混合液である。

【００３９】また、主洗浄ノズル４１４は、回転テーブ
ル４０６にウェハＷが戴置された場合に、そのノズル先
端がウェハＷの中心部に来るように備えられ、第２搬送
機構２９によるウェハＷの搬送を妨げないように可動な
構成となっている。

【００４０】第２シャフト４０８には、適宜の支持部材
により回り込み制御板４１５が備えられている。図５に
示すように、回り込み制御板４１５は、ウェハＷの周縁
よりわずかに短い半径を有する円を形成するよう備えら
れている。

【００４１】回り込み制御板４１５は、樹脂等の、メッ
キの洗浄液である希酸、Ｈ_２Ｏ_２と反応しない材質で構
成されている。

【００４２】図７に示すように、洗浄の際、ウェハＷは
メッキ処理された面を下にして戴置される。ウェハＷ周
縁の表面上にはＣｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ
処理により形成されたＣｕ層Ｌ２が存在する。ウェハＷ
上方の主洗浄ノズル４１４から洗浄薬液を吐出して、ウ
ェハＷの下面に回り込ませることにより、ウェハＷの周
縁の洗浄（エッチング）が行われる。

【００４３】回り込み制御板４１５は、ウェハＷの周縁
では、ウェハＷの平面に略平行な、近接した状態にあ
る。ウェハＷと回り込み制御板４１５の間隙は非常に狭
く、また、ウェハＷの回転により洗浄液はウェハＷの外
側に向かう力を受けることから、上方の主洗浄ノズルか
ら供給されて下面に回り込む洗浄液のうち、このウェハ
Ｗと回り込み制御板４１５の間隙に入り込む洗浄液はわ
ずかとなる。

【００４４】上記のように、回り込み制御板４１５によ
って、ウェハＷ上方からの洗浄液の回り込みを制御する
ことができる。回り込み制御板４１５の末端と、ウェハ
Ｗ末端との位置の差が、洗浄薬液の回り込みにより洗浄
される幅となる。回り込み制御板４１５の位置を調整す
ることにより、ウェハＷ周縁に所望の洗浄幅、例えば、
２ｍｍ前後の洗浄幅を得ることができる。

【００４５】本実施形態に係る回転洗浄装置の主要部は
以上のように構成されており、以下、その洗浄シーケン
スについて説明する。第２搬送機構２９によって、メッ
キ処理ユニットから取り出されたウェハＷは、ハウジン
グ４０１の出入口４１７から洗浄乾燥ユニット２７内に
搬送され、回転テーブル４０６の周縁部に配置されてい
る保持部材５２上に載置され、第２搬送機構２９は出入
口４１７からハウジング４０１外に退避する。この時カ
ップ４０２は、最下降位置にある。

【００４６】第２搬送機構２９が退避した後、中空モー
タ４０５によって回転駆動体４０４が回転し、それに伴
って回転テーブル４０６が回転し、保持部材５２によっ
て保持されているウェハＷも回転する。このとき、カッ
プ４０２はカップ駆動部４０３により最も高い位置４０
２’まで上昇し、洗浄液等がユニット内に飛散しないよ
うにしている。

【００４７】回転テーブル４０６の回転数が所定の回転
数に達した後、ウェハＷ裏面及び周縁の洗浄が行われ
る。ウェハＷ裏面及び周縁の洗浄では、まず、ウェハＷ
下面に裏面洗浄ノズル４０９から純水が供給される。続
いて、主洗浄ノズル４１４から洗浄薬液が供給され、ウ
ェハＷ下面の洗浄が行われる。

【００４８】ウェハＷ裏面の洗浄後、ウェハＷのスピン
乾燥が行われる。このスピン乾燥では、回転テーブル４
０６の回転数は所定の回転数まで上げられ、同時に、ウ
ェハＷ上方の主洗浄ノズル４１４及び下方の裏面洗浄ノ
ズル４０９の穴５１からＮ_２が供給されて、所定時間行
われる。このとき、カップ４０２は下降位置にあり、第
２搬送機構２９によるウェハＷの搬送を妨げないようし
ている。

【００４９】上述の洗浄乾燥処理後、ウェハＷは第２搬
送機構２９によって、ハウジング４０１の出入口４１７
から洗浄乾燥ユニット２７の外に搬送される。

【００５０】（第２実施例）以下、本発明の他の実施形
態について説明するが、実施例１と同一の部分について
は説明を省く。図８は、この実施の形態に係る洗浄乾燥
装置を示す。本実施の形態では、実施例１と異なり、洗
浄液の回り込みの制御のため、回り込み制御板の代わり
に、回り込み制御ノズルを用いる。回り込み制御ノズル
４２１は、第２シャフトに直接備えられている。

【００５１】回り込み制御ノズル４２１は、ウェハＷの
周縁に鋭角的に向けられており、ノズル先からはＮ_２ガ
ス等の不活性ガス、または、純水が噴射される。図９に
示すように、ウェハＷ上方から主洗浄ノズルにより吐出
された洗浄薬液のウェハ下面への回り込みは、回り込み
制御ノズル４２１よる純水または不活性ガスの噴射によ
り制御される。

【００５２】回り込み制御ノズル４２１からの純水また
は不活性ガスの供給量は所望の洗浄幅により設定可能で
あり、最適供給量は、最適なノズル位置と関連づけて設
定することができる。

【００５３】この実施の形態のウェハＷの洗浄のシーケ
ンスは上記実施の形態と同様であり、ウェハＷの裏面と
周縁は同時に洗浄される。

【００５４】また、上記実施の形態の他に、図１０に示
すように、ウェハＷの表面を上方としてウェハＷを戴置
し、下方の裏面洗浄ノズル４０９またはこれとは別に備
えられたエッジ供給ノズル４２３からウェハ周縁に洗浄
薬液を噴射し、ウェハ上方に主洗浄ノズル４１４とは別
に備えられた、回り込み制御ノズル４２２から純水また
は不活性ガスを噴射して、ウェハＷ周縁の上側に回り込
む洗浄薬液を制御するようしてもよい。

【００５５】この場合の洗浄シーケンスでは、まず、回
転しているウェハＷ上方の回り込み制御ノズル４２２か
ら純水または不活性ガスを噴射し、次いで、ウェハＷ下
面に裏面洗浄ノズル４０９またはエッジ洗浄ノズル４２
３から洗浄薬液を供給してウェハＷ裏面及び周縁の洗浄
を行う。

【００５６】次に、同じ回転数のまま、上方の主洗浄ノ
ズル４１４から純水を吐出して、ウェハＷ上面の洗浄を
行う。ウェハＷ上面の洗浄後、Ｎ_２ガスを主洗浄ノズル
４１４と裏面洗浄ノズル４０９から供給しつつウェハを
高速回転させて乾燥を行う。

【００５７】上述の実施形態では、主洗浄ノズル４１４
より噴出される洗浄薬液は、希フッ酸とＨ_２Ｏ_２の混合
液としたが、希フッ酸とＨ_２Ｏ_２をそれぞれ別々に貯蔵
した槽から供給して、主洗浄ノズル４１４直前で混合す
る構成としてもよい。

【００５８】また、実施例１の回り込み制御板４１５、
または、実施例２の回り込み制御ノズル４２１、エッジ
洗浄ノズル４２３をウェハＷ周縁に複数配置して、ウェ
ハＷ周縁の洗浄を行うことも可能である。

【００５９】本発明の上記実施形態では、半導体ウェハ
を液処理する場合について説明したが、本発明の液処理
装置は、被処理体として半導体ウェハ以外に、ＬＣＤ用
のガラス基板等の処理にも適用することが可能である。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の周縁を、デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄
でき、かつ、基板周縁の洗浄幅を微細に制御できる液処
理装置が提供される。また、本発明により、特に、メッ
キ処理された基板周縁の液処理装置が提供され、ウェハ
周縁から剥離するパーティクルの発生を抑えつつ、洗浄
幅を微細に制御することにより、より広いデバイス領域
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るメッキ処理装置の全
体構成を示す概略３次元立体図である。

【図２】実施の形態に係るメッキ処理装置の全体構成を
示す概略平面図である。

【図３】実施の形態に係るメッキ処理装置の全体構成を
示す概略側面図である。

【図４】本発明の実施の形態に係る液処理装置の断面図
である。

【図５】実施の形態に係る裏面洗浄ノズル４０９及び回
り込み制御板４１５の上面図である。

【図６】実施の形態に係るウェハの保持部材５２の側面
図及び正面図である。

【図７】実施の形態に係るウェハ周縁の洗浄方法を示す
図である。

【図８】実施の形態に係る液処理装置の断面図である。

【図９】実施の形態に係るウェハ周縁の洗浄方法を示す
図である。

【図１０】実施の形態に係るウェハ周縁の洗浄方法を示
す図である。

【符号の説明】１１メッキ処理装置２１カセットステーション２２処理ステーション２３ウェハカセット２５第１搬送機構２６メッキ処理ユニット２７洗浄乾燥ユニット２８エクストラユニット２９第２搬送機構４０２ハウジング４０５中空モータ４０６回転テーブル４０９裏面洗浄ノズル４１４主洗浄ノズル４１５回り込み制御部材５２保持部材Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3B201 AA03 AB23 AB34 AB42 BB23 BB33 BB93 BB96 CB11 CC12 CC13 CD11 5F046 JA15 JA22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該
被処理体の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、前記被処理体の一方の面側に配置され、前記被処理体保
持手段が前記被処理体を保持し、かつ、回転させている
状態で、該被処理体の他方の面に、該被処理体の他方の
面の周縁部に所定の処理を施すための処理液を供給する
処理液供給手段と、前記被処理体の他方の面側に配置され、前記処理液供給
手段により供給された処理液の、前記被処理体の他方の
面中心部への回り込みを抑制する、回り込み抑制手段と
を備えることを特徴とする液処理装置。
【請求項２】前記回り込み抑制手段は、前記被処理体の
いずれかの面の近傍に配置された部材から構成されてい
ることを特徴とする、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】前記回り込み抑制手段は、流体を前記被処
理体のいずれかの面の周縁に向けて射出により供給する
ことを特徴とする、請求項１又は２に記載の液処理装
置。