WO2016194285A1

WO2016194285A1 - 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法

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Publication number: WO2016194285A1
Application number: PCT/JP2016/002059
Authority: WO
Inventors: 田中　裕二; 正也浅井; 将彦春本; 幸司金山
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2015-06-03
Filing date: 2016-04-15
Publication date: 2016-12-08

Abstract

基板処理装置は、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成する塗布処理ユニットと、塗布処理ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる除去液を基板の周縁部に供給する金属除去ユニットと、塗布処理ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に基板を金属除去ユニットに搬送する搬送機構とを備える。金属含有塗布液が塗布処理ユニットにより基板の被処理面に供給されることにより被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後の基板が搬送機構により金属除去ユニットに搬送される。基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように除去液が金属除去ユニットにより基板の周縁部に供給される。

Description

基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法

　本発明は、基板に塗布膜を形成する処理を行う基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法に関する。

　半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。例えば、基板がスピンチャックにより水平に保持されつつ回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にレジストノズルからレジスト液が吐出されることにより、基板の上面全体に塗布膜としてレジスト膜が形成される。ここで、基板の周縁部にレジスト膜が存在すると、基板を搬送する搬送機構が基板の周縁部を把持した際に、レジスト膜の一部が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の周縁部にエッジリンスノズルから有機溶剤を吐出することにより基板の周縁部のレジスト膜が溶解される。それにより、基板の周縁部のレジスト膜が除去される（例えば、特許文献１参照）。
特開平６－１２４８８７号公報

　近年、より微細なパターンを形成するために、金属を含有する塗布膜（以下、金属含有塗布膜と呼ぶ。）を適用することが研究されている。しかしながら、発明者の実験によると、基板上に形成された金属含有塗布膜の周縁部に有機溶剤を吐出することにより基板の周縁部の塗布膜を除去した場合でも、基板の周縁部上に金属成分が除去されず残存することが分かっている。そのため、基板の周縁部に残存した金属成分により基板処理装置および隣接する露光装置が汚染することとなる。

　本発明の目的は、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能な基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法を提供することである。

　（１）本発明の一局面に従う基板処理装置は、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる第１の除去液を基板の周縁部に供給する周縁部除去ユニットと、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に基板を周縁部除去ユニットに搬送する搬送機構とを備える。

　この基板処理装置においては、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給される。これにより、基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後の基板が搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送される。また、金属を溶解させる第１の除去液が周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給される。これにより、基板の周縁部における金属含有塗布膜中の金属が溶解され、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。

　この構成によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。

　（２）膜形成ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる第１の回転保持部と、第１の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属含有塗布液を吐出する塗布液ノズルとを含み、周縁部除去ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる第２の回転保持部と、第２の回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に第１の除去液を吐出する第１の除去液ノズルとを含んでもよい。この場合、簡単な構成で周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成するとともに、基板の周縁部の金属を除去することができる。

　（３）膜形成ユニットおよび周縁部除去ユニットの少なくとも一方は、回転される基板の被処理面の周縁部に塗布液を溶解させる第２の除去液を吐出する第２の除去液ノズルをさらに含んでもよい。

　この場合、基板の周縁部の塗布液は、膜形成ユニットおよび周縁部除去ユニットの少なくとも一方により除去される。それにより、基板の周縁部の金属含有塗布膜が確実に除去される。これにより、基板処理装置がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。

　（４）周縁部除去ユニットは、回転される基板の被処理面と反対側の裏面に第１の除去液を吐出する第３の除去液ノズルをさらに含んでもよい。この構成によれば、金属含有塗布液が基板の裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板の裏面に付着した金属含有塗布液中の金属は、周縁部除去ユニットにより除去される。これにより、基板処理装置が金属により汚染されることを十分に防止することができる。

　（５）基板処理装置は、膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後でかつ周縁部除去ユニットによる第１の除去液の吐出前に、熱処理により金属含有塗布膜を硬化させる熱処理部をさらに備え、周縁部除去ユニットは、第１の除去液ノズルにより被処理面の周縁部に第１の除去液が吐出されているときに、吐出される第１の除去液よりも基板の中心に近い位置に気体を吐出する気体吐出部をさらに含んでもよい。

　この場合、気体吐出部により基板の中心から外方に向かって気体が吐出される。これにより、第１の除去液が周縁部を除く基板の被処理面に飛散することが防止される。また、熱処理部により金属含有塗布膜が硬化されているので、気体吐出部から基板に気体を吐出しても、金属含有塗布膜の膜厚は変化しない。これらの結果、基板の被処理面に金属含有塗布膜を均一な厚みに形成することができる。

　（６）周縁部除去ユニットは、第２の回転保持部により回転される基板の被処理面に現像液を吐出する現像ノズルをさらに含んでもよい。この場合、周縁部除去ユニットにおいて基板を現像することができる。

　（７）現像液と第１の除去液とは同一の処理液であってもよい。この場合、現像液により基板の周縁部における金属含有塗布膜中の金属が溶解され、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。

　また、基板の周縁部の金属の除去と基板の現像とが同一の処理液により行われるので、現像液を他の液と分離して回収する必要がない。これにより、現像液の廃棄コストを低減することができる。

　（８）現像ノズルと第１の除去液ノズルとは共通のノズルにより構成されてもよい。この場合、周縁部除去ユニットに現像ノズルと第１の除去液ノズルとを別個に設ける必要がない。これにより、基板処理装置の大型化を抑制することができる。

　（９）膜形成ユニットは、周縁部除去ユニットに隣接するように配置されてもよい。この場合、基板の周縁部の金属含有塗布膜中の金属が、膜形成ユニットに隣接する周縁部除去ユニットにより即座に除去される。これにより、基板処理装置が金属により汚染されることを十分に防止することができる。

　（１０）搬送機構は、周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の金属が除去される前の基板を保持して搬送する除去前基板保持部と、周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の金属が除去された後の基板を保持して搬送する除去後基板保持部とを含んでもよい。

　この場合、周縁部の金属が除去される前の基板と周縁部の金属が除去された後の基板とが搬送機構の異なる保持部により保持される。これにより、周縁部の金属が除去された後の基板に搬送機構の保持部を介して金属が付着することが防止される。

　（１１）本発明の他の局面に従う膜形成ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる第３の回転保持部と、第３の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出する塗布液ノズルと、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を第３の回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットとを備える。

　この膜形成ユニットにおいては、第３の回転保持部により基板が水平姿勢で保持され、回転される。回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出される。回転される基板の被処理面の周縁部に金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液が周縁部除去液供給ユニットにより供給される。これにより、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。

　この構成によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。

　（１２）第３の除去液は、金属を溶解させる第４の除去液と塗布液を溶解させる第５の除去液とを含み、周縁部除去液供給ユニットは、第４および第５の除去液を基板の被処理面の周縁部に供給する１または複数の除去液ノズルを含んでもよい。

　この場合、金属含有塗布液における金属が第４の除去液により除去されるとともに、金属含有塗布液における塗布液が第５の除去液により除去される。それにより、基板の周縁部の金属含有塗布膜が確実に除去される。これにより、基板処理装置がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。

　（１３）膜形成ユニットは、基板に吐出された使用済みの第４の除去液と基板に吐出された使用済みの第５の除去液とを分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備えてもよい。

　この場合、使用者は、使用済みの第４の除去液と使用済みの第５の除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、第３の除去液の廃棄コストを低減することができる。

　（１４）複数の除去液ノズルは、第４および第５の除去液を互いに異なる第１および第２の期間において吐出し、除去液回収ユニットは、使用済みの第４の除去液を回収する第１の回収部と、使用済みの第５の除去液を回収する第２の回収部と、第１の期間において基板に吐出された使用済みの第４の除去液を第１の回収部に導き、第２の期間において基板に吐出された使用済みの第５の除去液を第２の回収部に導くように切り替えられる切り替え経路とを含んでもよい。

　この場合、第４および第５の除去液が吐出される期間に基づいて、簡単な構成で使用済みの第４の除去液と使用済みの第５の除去液とを分離することができる。

　（１５）切り替え経路は、基板から飛散する第４および第５の除去液を受け止めるカップと、カップと第１の回収部との間に接続された第１の回収配管と、カップと第２の回収部との間に接続された第２の回収配管と、第１の回収配管に介挿された第１の回収バルブと、第２の回収配管に介挿された第２の回収バルブと、第１の回収部に第４の除去液を回収するために第１の回収バルブを開放するとともに第２の回収バルブを閉止し、第２の回収部に第５の除去液を回収するために第２の回収バルブを開放するとともに第１の回収バルブを閉止するように第１および第２の回収バルブを制御する制御部とを含んでもよい。

　この場合、簡単な制御で使用済みの第４の除去液を第１の回収部に回収し、使用済みの第５の除去液を第２の回収部に回収することができる。

　（１６）第４の除去液の比重は第５の除去液の比重よりも大きく、除去液回収ユニットは、使用済みの第４および第５の除去液を貯留する貯留部と、貯留部に貯留された第４および第５の除去液を比重に基づいて分離する除去液分離機構とを含んでもよい。

　この場合、第４および第５の除去液の比重に基づいて、簡単な構成で使用済みの第４の除去液と使用済みの第５の除去液とを分離することができる。

　（１７）除去液分離機構は、基板から飛散する第４および第５の除去液を受け止めるカップと、カップと貯留部との間に接続された回収配管と、貯留部から使用済みの第４の除去液を排出するように設けられた第１の排出配管と、貯留部から使用済みの第５の除去液を排出するように設けられた第２の排出配管と、第１の排出配管に介挿された第１の排出バルブと、貯留部内に貯留された第４の除去液と第５の除去液との境界面を検出する境界面検出部と、境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には第１の排出バルブを閉止し、取得した検出面が下限位置よりも大きい場合には第１の排出バルブを開放するように第１の排出バルブを制御する制御部とを含み、第１の排出配管は下限位置よりも下方における貯留部に接続され、第２の排出配管は下限位置よりも上方における貯留部に接続されてもよい。

　この場合、簡単な制御で使用済みの第４の除去液を貯留部から第１の排出配管を通して回収し、使用済みの第５の除去液を貯留部から第２の排出配管を通して回収することができる。

　（１８）除去液分離機構は、第２の排出配管に介挿された第２の排出バルブをさらに含み、制御部は、取得した検出面が予め定められかつ下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には第２の排出バルブを開放し、取得した検出面が上限位置よりも大きい場合には第２の排出バルブを閉止してもよい。

　この場合、簡単な構成で使用済みの第４の除去液が貯留部から第２の排出配管を通して回収されることを防止することができる。

　（１９）第３の除去液は、金属および塗布液を溶解させてもよい。この場合、第３の除去液により金属含有塗布液における金属および塗布液が同時に除去される。これにより、基板の周縁部における金属および塗布液を効率よく除去することができる。また、第３の除去液を分離して回収する必要がない。これらの結果、基板の処理コストを低減することができる。

　（２０）膜形成ユニットは、第３の回転保持部により回転される基板の被処理面と反対側の裏面に金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を供給する裏面除去液供給ユニットをさらに備えてもよい。

　この構成によれば、金属含有塗布液が基板の裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板の裏面に付着した金属含有塗布液は、裏面除去液供給ユニットにより除去される。これにより、膜形成ユニットが金属により汚染されることを十分に防止することができる。

　（２１）本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、金属含有塗布膜の形成後の基板を搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送するステップと、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように金属を溶解させる第１の除去液を周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給するステップとを含む。

　この基板処理方法によれば、金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給される。これにより、基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後の基板が搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送される。また、金属を溶解させる第１の除去液が周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給される。これにより、基板の周縁部における金属含有塗布膜中の金属が溶解され、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。

　この方法によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。そのため、基板の周縁部を搬送機構が保持した場合でも、搬送機構には金属が付着しない。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。

　（２２）本発明のさらに他の局面に従う膜形成方法は、第３の回転保持部により基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、第３の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出するステップと、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、第３の回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を周縁部除去液供給ユニットにより供給するステップとを含む。

　この膜形成方法によれば、第３の回転保持部により基板が水平姿勢で保持され、回転される。回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液が金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出される。回転される基板の被処理面の周縁部に金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液が周縁部除去液供給ユニットにより供給される。これにより、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。

　この方法によれば、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。これにより、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。

　本発明によれば、基板上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能になる。

図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図２は図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。図３は塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。図４は図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。図５は金属除去ユニットの第１の構成例を示す図である。図６は金属除去ユニットの第２の構成例を示す図である。図７は搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。図８は搬送機構を示す斜視図である。図９は本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１０は本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１１は本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１２は本発明の第５の実施の形態における塗布兼金属除去ユニットの構成例を示す模式的側面図である。図１３は供給バルブおよび回収バルブの動作を示すタイムチャートである。図１４は本発明の第６の実施の形態における塗布兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。図１５は回収バルブの制御を示すフローチャートである。図１６は本発明の第７の実施の形態における現像兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。図１７は搬送機構の吸着式のハンドを示す平面図である。図１８は他の実施の形態における熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。図１９は他の実施の形態における搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。

　以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。

　［１］第１の実施の形態
　（１）基板処理装置
　図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

　図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。

　図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

　第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１～ＰＡＳＳ４（図７参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図７参照）が設けられる。

　第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５～ＰＡＳＳ８（図７参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図７参照）が設けられる。

　洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２（図７参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

　また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、後述のエッジ露光部ＥＥＷ（図７参照）および後述の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図７参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ－ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。

　（２）塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部
　図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１～２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１～３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１～３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

　図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す模式的平面図である。図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の塗布液ノズル２８、ノズル搬送機構２９および複数のエッジリンスノズル４１を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル４１は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。

　各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各塗布液ノズル２８は待機部２０に挿入される。各塗布液ノズル２８には、図示しない塗布液貯留部から塗布液配管を通して種々の塗布液が供給される。複数の塗布液ノズル２８のうちのいずれかの塗布液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ塗布液ノズル２８から塗布液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に塗布液が塗布される。

　本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布液ノズル２８からは、反射防止膜用の塗布液（反射防止液）が吐出される。塗布処理室２１，２３の塗布液ノズル２８からは、レジスト膜用の塗布液（レジスト液）が吐出される。

　反射防止液およびレジスト液には、高感度化を実現するための金属分子または金属酸化物等の金属成分が組成物として含有されている。本例では、金属成分として、例えばＳｎ（スズ）、ＨｆＯ_２（酸化ハフニウム）またはＺｒＯ_２（二酸化ジルコニウム）が反射防止液およびレジスト液に含有される。以下、金属成分を含有する反射防止液またはレジスト液等の塗布液を金属含有塗布液と総称する。また、金属含有塗布液により形成される膜を金属含有塗布膜と呼ぶ。

　エッジリンスノズル４１は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。ここで、被処理面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいう。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの被処理面において、基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。

　エッジリンスノズル４１からは、基板Ｗの周縁部から金属含有塗布膜を除去する除去液を吐出可能である。かかる除去液として、例えばシンナー、酢酸ブチル（butyl acetate）、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＰＧＭＥ（propyleneglycol monomethyl ether：プロピレングリコールモノメチルエーテル）を含む有機溶媒のほか、ＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）または、アンモニアおよび過酸化水素水を含む水溶液等の除去液が吐出されてもよい。以下、エッジリンスノズル４１から吐出される除去液を膜除去液と呼ぶ。

　スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４１から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部に塗布された塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の塗布膜が除去される。これにより、搬送アームが基板Ｗの周縁部を把持しても、パーティクルの発生を回避でき、基板処理装置１００がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。

　図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

　ここで、露光装置１５により露光された領域が現像液に可溶するポジティブトーン現像処理用の現像液としては、アルカリ性水溶液を用いることができる。アルカリ性水溶液は、例えば、ＴＭＡＨまたはＫＯＨ（potassium hydroxide：水酸化カリウム）を含む。一方、露光装置１５により露光されなかった未露光領域が現像液に可溶するネガティブトーン現像処理用の現像液としては、有機溶媒を用いることができる。有機溶媒は、例えば酢酸ブチルを含む。

　現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。

　洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいては、前述した有機溶媒、前述した水溶液または純水を用いて露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。ここで、裏面とは基板Ｗの被処理面と反対側の面をいう。

　（３）熱処理部
　図４は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図４に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

　熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。

　熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

　熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。

　熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。

　（４）金属除去ユニット
　上記のように、図３のスピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４１から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出されることにより、基板Ｗの周縁部に塗布された金属含有塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の金属含有塗布膜が除去される。しかしながら、基板Ｗの周縁部には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。また、基板Ｗの裏面に金属含有塗布液が回り込んだ場合には、基板Ｗの裏面には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。

　基板Ｗの周縁部または裏面に金属成分が付着した状態で基板Ｗが基板処理装置１００内で搬送されると、基板処理装置１００の内部および露光装置１５の内部に金属成分による汚染が発生する。そこで、洗浄乾燥処理部１６２には、露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去する複数（本例では６つ）の金属除去ユニットＭＲが設けられる。

　金属除去ユニットＭＲにおいては、除去液としてアルカリ性除去液または酸性除去液が用いられる。アルカリ性除去液は、例えばアンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液である。アルカリ性除去液は、例えばＴＭＡＨであってもよい。酸性除去液は、例えば希フッ酸を含む水溶液である。酸性除去液は、例えば硫酸および過酸化水素を含む水溶液であってもよいし、酢酸またはキレート剤を含む水溶液であってもよい。キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含む。以下、アルカリ性除去液または酸性除去液を金属用除去液と呼ぶ。金属用除去液は、反射防止液またはレジスト液に含有された金属成分を溶解可能である。

　本例では、３つの金属除去ユニットＭＲと残り３つの金属除去ユニットＭＲとでは、異なる金属用除去液が用いられる。この場合、金属含有塗布液に含有された金属成分の種類に応じて、適した金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去することができる。

　図５は、金属除去ユニットＭＲの第１の構成例を示す図である。図５に示すように、金属除去ユニットＭＲには、モータ１、スピンチャック３、カップ４、２つの裏面洗浄ノズル７、周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９が設けられる。スピンチャック３は、鉛直軸の周りで回転可能にモータ１の回転軸２の上端に取り付けられる。カップ４は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ４の下部には排液部５および排気部６が形成される。

　２つの裏面洗浄ノズル７は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。周縁部洗浄ノズル８は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。周縁部洗浄ノズル８から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。

　気体供給部９は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの略中央部の上方に配置される。気体供給部９から基板Ｗの被処理面の略中央部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体供給部９から噴出される気体は、基板Ｗの被処理面の略中央部に拡散する。これにより、周縁部洗浄ノズル８から吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。

　図６は、金属除去ユニットＭＲの第２の構成例を示す図である。図６に示すように、第２の構成例における金属除去ユニットＭＲは、図５の周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９に代えて気液供給ノズル１０が設けられる。気液供給ノズル１０は、水平方向に並ぶ液体ノズル１０ａおよび気体ノズル１０ｂを含む。気液供給ノズル１０は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。ここで、気体ノズル１０ｂは、液体ノズル１０ａよりも基板Ｗの中心に位置する。

　液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。気体ノズル１０ｂから基板Ｗの周縁部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体ノズル１０ｂから気体が噴出される基板Ｗの位置は、液体ノズル１０ａから金属用除去液が吐出される位置よりも基板Ｗの中心に近い。そのため、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液は、気体ノズル１０ｂから噴出される気体により基板Ｗの中心に向かうことが妨げられる。これにより、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。

　また、金属除去ユニットＭＲの第１または第２の構成例においては、熱処理部１２３により金属含有塗布膜が硬化されているので、気体供給部９または気体ノズル１０ｂから基板Ｗに気体を吐出しても金属含有塗布膜の膜厚に影響しない。これらの結果、基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜を均一な厚みに形成することができる。

　（５）搬送部
　図７は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図７に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

　塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図４）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図４）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図４）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図４）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。

　搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

　上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、複数のエッジ露光部ＥＥＷおよび複数の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰが設けられる。

　載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

　エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

　基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

　基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

　載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

　次に、搬送機構１２７について説明する。図８は、搬送機構１２７を示す斜視図である。図７および図８に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図７に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

　ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

　移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗの外周部を保持するためのハンドＨ１，Ｈ２，Ｈ３が取り付けられる。ハンドＨ１～Ｈ３は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。ハンドＨ１はハンドＨ２よりも上方に配置され、ハンドＨ２はハンドＨ３よりも上方に配置される。

　上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１～Ｈ３を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図７）および上段熱処理部３０１（図４）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

　なお、図７に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。また、本実施の形態においては、図１の搬送機構１４１は、搬送機構１２７と同様の３つのハンドＨ１～Ｈ３を有する。

　（６）基板処理
　図１、図２、図４および図７を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図７）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図７）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

　第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図７）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図４）、冷却ユニットＣＰ（図４）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図４）、冷却ユニットＣＰ（図４）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図４）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図７）に順に搬送する。

　この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

　また、搬送機構１２７は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ６（図７）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図７）に搬送する。

　搬送機構１２８（図７）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図４）、冷却ユニットＣＰ（図４）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図４）、冷却ユニットＣＰ（図４）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図４）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図７）に順に搬送する。

　また、搬送機構１２８（図７）は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８（図７）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図７）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図４）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。

　第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図７）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１（図７）に搬送する。

　また、搬送機構１３７（図７）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図４）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図４）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図４）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図７）に順に搬送する。

　この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

　搬送機構１３８（図７）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図７）に搬送する。

　また、搬送機構１３８（図７）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いてインターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図４）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図４）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図４）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図７）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。

　洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、下段のハンドＨ３を用いて載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１，Ｐ－ＢＦ２（図７）に載置された基板Ｗを金属除去ユニットＭＲ（図４）に搬送する。また、搬送機構１４１は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて、金属除去ユニットＭＲの基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳ（図２）、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図７）に順に搬送する。

　この場合、金属除去ユニットＭＲにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面に残存する金属成分の除去が行われる。また、洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。続いて、エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。その後、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

　搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図７）に載置された露光処理後の基板Ｗをおよび上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図４）に順に搬送する。この場合、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

　搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図７）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５（図１）の基板搬入部に搬送する。また、搬送機構１４６は、露光装置１５の基板搬出部から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図７）に搬送する。

　上記の基板Ｗの搬送によれば、金属成分が除去される前の基板Ｗと金属成分が除去された後の基板Ｗとが搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１の異なるハンドにより保持される。これにより、金属成分が除去された後の基板Ｗに搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドを介して金属成分が付着することが防止される。

　本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。

　（７）効果
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、金属含有塗布液が塗布液ノズル２８により基板Ｗの被処理面に供給される。これにより、基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜が形成される。金属含有塗布膜の形成後の基板Ｗが搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１により金属除去ユニットＭＲに搬送される。

　金属用除去液が金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部に供給される。これにより、基板Ｗの周縁部における金属含有塗布膜中の金属成分が溶解され、基板Ｗの被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。また、金属含有塗布液が基板Ｗの裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板Ｗの裏面に付着した金属含有塗布液中の金属成分は、金属除去ユニットＭＲにより除去される。

　この構成によれば、周縁部を除く基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板Ｗの周縁部および裏面に金属成分が残存することが防止される。そのため、基板Ｗの周縁部を搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が保持した場合でも、搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６には金属成分が付着しない。これにより、基板Ｗ上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。

　［２］第２の実施の形態
　第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図９は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図９に示すように、本実施の形態においては、第２の処理ブロック１３がインデクサブロック１１と第１の処理ブロック１２との間に配置される。

　図９の基板処理装置１００においては、第２の処理ブロック１３の搬送機構１３７，１３８により基板Ｗがインデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２に搬送される。第１の処理ブロック１２において、基板Ｗに反射防止膜およびレジスト膜が形成される。その後、基板Ｗは、インターフェイスブロック１４を通して露光装置１５に搬送され、露光装置１５により露光される。

　露光後の基板Ｗは、第１の処理ブロック１２の搬送機構１２７，１２８により第２の処理ブロック１３に搬送される。第２の処理ブロック１３において、基板Ｗに現像処理が行われる。現像後の基板Ｗは、搬送機構１３７，１３８によりインデクサブロック１１に搬送される。

　上記の構成によれば、基板Ｗの周縁部の金属含有塗布膜中の金属は、塗布処理部１２１に隣接する洗浄乾燥処理部１６２の金属除去ユニットＭＲにより即座に除去される。これにより、基板処理装置１００が金属により汚染されることを十分に防止することができる。

　［３］第３の実施の形態
　第３の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１０に示すように、本実施の形態においては、第１の処理ブロック１２と第２の処理ブロック１３との間に洗浄乾燥処理ブロック１４Ａと同一の構成を有する洗浄乾燥処理ブロック１４Ｃが配置される。

　図１０の基板処理装置１００においては、第１の処理ブロック１２において反射防止膜およびレジスト膜が形成された基板Ｗは、隣接する洗浄乾燥処理ブロック１４Ｃに搬送される。洗浄乾燥処理ブロック１４Ｃにおいては、金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に残存する金属成分の除去が行われる。また、洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにより基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄および乾燥処理が行われる。その後、基板Ｗは、隣接する第２の処理ブロック１３に搬送される。

　［４］第４の実施の形態
　第４の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図１１は、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１１に示すように、本実施の形態においては、基板処理装置１００に図１の第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４が設けられない。また、インデクサブロック１１と第１の処理ブロック１２との間に洗浄乾燥処理ブロック１４Ａと同一の構成を有する洗浄乾燥処理ブロック１４Ｄが配置される。

　図１１の基板処理装置１００においては、洗浄乾燥処理ブロック１４Ｄの搬送機構１４１によりインデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２に基板Ｗが搬送される。第１の処理ブロック１２においては、基板Ｗに反射防止膜およびレジスト膜が形成される。

　第１の処理ブロック１２の基板Ｗは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ｄの搬送機構１４１により洗浄乾燥処理ブロック１４Ｄの洗浄乾燥処理部１６２の金属除去ユニットＭＲ（図４）に搬送される。その後、金属除去ユニットＭＲの基板Ｗは、搬送機構１４２により洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳ（図２）に搬送される。

　洗浄乾燥処理ブロック１４Ｄにおいては、金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に残存する金属成分の除去が行われる。また、洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにより基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄および乾燥処理が行われる。その後、基板Ｗは、搬送機構１４２によりインデクサブロック１１に搬送される。

　本実施の形態においては、図７のエッジ露光部ＥＥＷが、洗浄乾燥処理ブロック１４Ｄに設けられてもよいし、第１の処理ブロック１２に設けられてもよい。あるいは、基板処理装置１００において基板Ｗにエッジ露光処理を行う必要がない場合には、基板処理装置１００にエッジ露光部ＥＥＷは設けられなくてもよい。

　［５］第５の実施の形態
　（１）塗布兼金属除去ユニット
　第５の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。本実施の形態においては、図１の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに洗浄乾燥処理部１６２（金属除去ユニットＭＲ）が設けられない。また、図２の塗布処理ユニット１２９に代えて、以下の塗布兼金属除去ユニットが設けられる。

　図１２は、本発明の第５の実施の形態における塗布兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。図１２に示すように、各塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲは、各スピンチャック２５に対応するエッジリンスノズル４１，４３およびバックリンスノズル４２，４４を備える。エッジリンスノズル４１，４３は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。バックリンスノズル４２，４４は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。

　エッジリンスノズル４１，４３には、それぞれ供給配管４１ｐ，４３ｐが接続される。供給配管４１ｐ，４３ｐには、それぞれ供給バルブ４１ｖ，４３ｖが介挿される。バックリンスノズル４２，４４には、それぞれ供給配管４２ｐ，４４ｐが接続される。供給配管４２ｐ，４４ｐには、それぞれ供給バルブ４２ｖ，４４ｖが介挿される。

　エッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２には、図示しない第１の除去液供給タンクから前述した膜除去液と同様の除去液がそれぞれ供給配管４１ｐ，４２ｐを通して基板Ｗの周縁部への膜除去液および基板Ｗの裏面への洗浄液として供給される。エッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４には、図示しない第２の除去液供給タンクからそれぞれ供給配管４３ｐ，４４ｐを通して金属用除去液が供給される。

　塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲには、異なる種類の金属用除去液がそれぞれ貯留された２つの第２の供給タンクが設けられてもよい。この場合、各塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲの２つのエッジリンスノズル４３からそれぞれ異なる種類の金属用除去液を吐出することができる。同様に、各塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲの２つのバックリンスノズル４４からそれぞれ異なる種類の金属用除去液を吐出することができる。金属用除去液は、例えば３０℃～４０℃に温度調整された状態でエッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４から吐出されてもよい。

　スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４１から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル４２から基板Ｗの裏面に洗浄液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に塗布された塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部および裏面の塗布膜が除去される。

　また、スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４３から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル４４から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が除去される。

　（２）除去液の回収
　上記のように、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲの基板処理においては、膜除去液およびそれと同じ液である洗浄液と金属用除去液とが用いられる。そのため、カップ２７から使用済みの膜除去液および洗浄液と金属用除去液とを分離して回収することが好ましい。そこで、図１２に示すように、カップ２７の排液部に回収配管５０が接続される。回収配管５０は、下流において２つの分岐配管５１，５２に分岐する。分岐配管５１，５２には、それぞれ回収バルブ５１ｖ，５２ｖが介挿される。分岐配管５１，５２は、それぞれ回収タンク５３ａ，５３ｂに接続される。

　このように、本実施の形態においては、カップ２７、分岐配管５１，５２、回収バルブ５１ｖ，５２ｖ、回収タンク５３ａ，５３ｂおよび図４のローカルコントローラＬＣ１により除去液回収ユニット５０Ａが構成される。

　図１３は、供給バルブ４１ｖ～４４ｖおよび回収バルブ５１ｖ，５２ｖの動作を示すタイムチャートである。なお、供給バルブ４１ｖ～４４ｖおよび回収バルブ５１ｖ，５２ｖの動作は、ローカルコントローラＬＣ１により制御される。

　図１３に示すように、初期時点ｔ０において、供給バルブ４１ｖ～４４ｖおよび回収バルブ５２ｖが閉止され、回収バルブ５１ｖが開放される。その後、時点ｔ１において、供給バルブ４２ｖ，４１ｖが順次開放される。これにより、バックリンスノズル４２およびエッジリンスノズル４１から基板Ｗの裏面および周縁部にそれぞれ洗浄液および膜除去液が順次吐出される。

　基板Ｗに吐出された洗浄液および膜除去液は基板Ｗの回転により振り切られ、カップ２７の排液部から回収配管５０を通して下流に導かれる。ここで、分岐配管５１の回収バルブ５１ｖは開放され、分岐配管５２の回収バルブ５２ｖは閉止されている。そのため、洗浄液および膜除去液は、分岐配管５１を通して回収タンク５３ａに回収される。

　時点ｔ１よりも後の時点ｔ２に供給バルブ４１ｖが閉止され、時点ｔ２よりも後の時点ｔ３に供給バルブ４２ｖが閉止される。これにより、エッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２から基板Ｗへの膜除去液および洗浄液の吐出は順次停止される。

　時点ｔ３よりも後の時点ｔ４において、供給バルブ４４ｖ，４３ｖが順次開放される。バックリンスノズル４４およびエッジリンスノズル４３から基板Ｗの裏面および周縁部にそれぞれ金属用除去液が順次吐出される。時点ｔ４よりも後の時点ｔ５において、回収バルブ５１ｖが閉止されるとともに、回収バルブ５２ｖが開放される。

　基板Ｗに吐出された金属用除去液は基板Ｗの回転により振り切られ、カップ２７の排液部から回収配管５０を通して下流に導かれる。ここで、分岐配管５２の回収バルブ５２ｖは開放され、分岐配管５１の回収バルブ５１ｖは閉止されている。そのため、金属用除去液は、分岐配管５２を通して回収タンク５３ｂに回収される。

　時点ｔ５よりも後の時点ｔ６に供給バルブ４３ｖが閉止され、時点ｔ６よりも後の時点ｔ７に供給バルブ４４ｖが閉止される。これにより、エッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４から基板Ｗへの金属用除去液の吐出は順次停止される。時点ｔ７よりも後の時点ｔ８において回収バルブ５２ｖが閉止され、時点ｔ８よりも後の時点ｔ９に回収バルブ５１ｖが開放される。その後、時点ｔ０～ｔ９の処理が繰り返される。

　このように、本実施の形態における除去液の回収方式においては、洗浄液および膜除去液および金属用除去液が吐出される期間に基づいて、使用済みの洗浄液および膜除去液と使用済みの金属用除去液とが分離される。この方式によれば、ほとんど全ての使用済みの洗浄液および膜除去液が回収タンク５３ａに回収され、ほとんど全ての使用済みの金属用除去液が回収タンク５３ｂに回収される。この場合、使用者は、洗浄液および膜除去液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、除去液の廃棄コストを低減することができる。

　また、上記の除去液の回収方式においては、供給バルブ４２ｖの開放期間は供給バルブ４１ｖの開放期間よりも長いが、本発明はこれに限定されない。供給バルブ４２ｖの開放期間は供給バルブ４１ｖの開放期間と等しくてもよいし、短くてもよい。同様に、上記の除去液の回収処理においては、供給バルブ４４ｖの開放期間は供給バルブ４３ｖの開放期間よりも長いが、本発明はこれに限定されない。供給バルブ４４ｖの開放期間は供給バルブ４３ｖの開放期間と等しくてもよいし、短くてもよい。

　さらに、上記の除去液の回収方式においては、分岐配管５１，５２の下流が回収タンク５３ａ，５３ｂにそれぞれ接続されるが、本発明はこれに限定されない。分岐配管５１の下流は図示しない洗浄液および膜除去液回収部に接続されてもよい。同様に、分岐配管５２の下流は、図示しない金属用除去液回収部に接続されてもよい。

　（３）効果
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、スピンチャック２５により回転される基板Ｗの被処理面に金属含有塗布液が塗布液ノズル２８により吐出される。回転される基板Ｗの被処理面の周縁部および裏面に金属用除去液がエッジリンスノズル４３およびバックリンスノズル４４によりそれぞれ供給される。

　この場合、基板Ｗの周縁部における金属含有塗布膜中の金属成分がエッジリンスノズル４３により溶解され、基板Ｗの被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。また、金属含有塗布液が基板Ｗの裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板Ｗの裏面に付着した金属含有塗布液中の金属成分は、バックリンスノズル４４により除去される。

　この構成によれば、周縁部を除く基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板Ｗの周縁部および裏面に金属が付着することが防止される。これにより、基板Ｗ上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。

　また、回転される基板Ｗの被処理面の周縁部および裏面に洗浄液および膜除去液がエッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２によりそれぞれ供給されるので、基板Ｗの周縁部および裏面に塗布された塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の塗布膜が除去される。その結果、搬送アームが基板Ｗの周縁部を把持しても、パーティクルの発生を回避でき、基板処理装置１００がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。

　［６］第６の実施の形態
　第６の実施の形態に係る基板処理装置について、第５の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図１４は、本発明の第６の実施の形態における塗布兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。

　図１４に示すように、本実施の形態においては、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲは、図１２の回収タンク５３ａ，５３ｂに代えて回収タンク５３を含む。また、回収配管５０は分岐せずに回収タンク５３に接続される。この場合、カップ２７からの使用済みの洗浄液および膜除去液と金属用除去液とが共通の回収タンク５３に導かれる。

　ここで、洗浄液および膜除去液と金属用除去液とは互いに異なる比重を有し、金属用除去液の比重は洗浄液および膜除去液の比重よりも大きい。そのため、回収タンク５３内においては、金属用除去液の層と洗浄液および膜除去液の層とが上下に分離するように形成される。そこで、回収タンク５３には、金属用除去液と洗浄液および膜除去液との境界面を検出する境界検出部５４が設けられる。本実施の形態では、境界検出部５４は静電容量式の液面レベルセンサであるが、本発明はこれに限定されない。境界検出部５４は、フロート式、光学式、超音波式、電導率式、ピエゾ共振式等の他の方式の液面レベルセンサであってもよい。

　回収タンク５３には、金属用除去液と洗浄液および膜除去液との境界面の下限高さＬ１および上限高さＬ２が設定される。上限高さＬ２は下限高さＬ１よりも上方に位置する。回収タンク５３には、下限高さＬ１よりも低い位置に回収配管５５が取り付けられ、上限高さＬ２よりも高い位置に回収配管５６が取り付けられる。回収配管５５，５６は、それぞれ図示しない金属用除去液回収部および洗浄液・膜除去液回収部に接続される。回収配管５５，５６には、それぞれ回収バルブ５５ｖ，５６ｖが介挿される。

　本実施の形態においては、カップ２７、回収配管５０、回収タンク５３、境界検出部５４、回収配管５５，５６および回収バルブ５５ｖ，５６ｖおよび図４のローカルコントローラＬＣ１により除去液回収ユニット５０Ａが構成される。

　図１５は、回収バルブ５５ｖ，５６ｖの制御を示すフローチャートである。なお、回収バルブ５５ｖ，５６ｖの動作は、ローカルコントローラＬＣ１により制御される。また、供給バルブ４１ｖ～４４ｖの動作は、図１３のタイムチャートに示される動作と同様である。

　図１５に示すように、ローカルコントローラＬＣ１は、境界検出部５４から回収タンク５３内の金属用除去液と洗浄液および膜除去液との境界面を取得する（ステップＳ１）。次に、ローカルコントローラＬＣ１は、取得した境界面の高さが下限高さＬ１未満であるか否かを判定する（ステップＳ２）。

　ステップＳ２において、境界面の高さが下限高さＬ１未満である場合、ローカルコントローラＬＣ１は回収バルブ５５ｖを閉止する（ステップＳ３）。その後、ローカルコントローラＬＣ１はステップＳ１の処理に戻る。なお、ステップＳ３の時点においては、回収バルブ５６ｖは開放されていてもよいし、閉止されていてもよい。一方、ステップＳ２において、境界面の高さが下限高さＬ１以上である場合、ローカルコントローラＬＣ１は、境界面の高さが上限高さＬ２未満であるか否かを判定する（ステップＳ４）。

　ステップＳ４において、境界面の高さが上限高さＬ２未満である場合、ローカルコントローラＬＣ１は、回収バルブ５５ｖを開放するとともに回収バルブ５６ｖを開放する（ステップＳ５）。その後、ローカルコントローラＬＣ１はステップＳ１の処理に戻る。一方、ステップＳ４において、境界面の高さが上限高さＬ２以上である場合、ローカルコントローラＬＣ１は、回収バルブ５５ｖを開放するとともに回収バルブ５６ｖを閉止する（ステップＳ６）。その後、ローカルコントローラＬＣ１はステップＳ１の処理に戻る。

　この処理においては、境界面の高さが下限高さＬ１未満である場合、回収バルブ５５ｖが閉止される。これにより、回収配管５５から洗浄液および膜除去液が排出されることが防止される。境界面の高さが下限高さＬ１以上でかつ上限高さＬ２未満である場合、回収バルブ５５ｖ，５６ｖが開放される。これにより、回収配管５５から金属用除去液が排出され、回収配管５６から洗浄液および膜除去液が排出される。境界面の高さが上限高さＬ２である場合、回収バルブ５６ｖが閉止される。これにより、回収配管５６から金属用除去液が排出されることが防止される。

　このように、本実施の形態における除去液の回収方式においては、洗浄液および膜除去液と金属用除去液との比重に基づいて、使用済みの洗浄液および膜除去液と使用済みの金属用除去液とが分離される。この回収方式によれば、洗浄液および膜除去液と金属用除去液とを完全に分離して回収することが可能となる。この場合、使用者は、洗浄液および膜除去液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、除去液の廃棄コストを低減することができる。

　上記の除去液の回収方式においては、回収配管５６に回収バルブ５６ｖが介挿されるが、本発明はこれに限定されない。回収配管５６が上限高さＬ２よりも十分に上方に取り付けられ、金属用除去液が回収配管５６から排出されないように構成されている場合には、回収配管５６に回収バルブ５６ｖが介挿されなくてもよい。この場合、図１５のステップＳ４，Ｓ６の処理は行われず、ステップＳ５の処理では回収バルブ５５ｖのみが開放される。

　［７］第７の実施の形態
　（１）現像兼金属除去ユニット
　第７の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。本実施の形態においては、図１の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに洗浄乾燥処理部１６２（金属除去ユニットＭＲ）が設けられない。また、図２の現像処理室３１～３４の現像処理ユニット１３９に代えて、以下の現像兼金属除去ユニットが設けられる。

　図１６は、本発明の第７の実施の形態における現像兼金属除去ユニットの構成を示す模式的側面図である。図１６に示すように、現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲは、各スピンチャック３５に対応するエッジリンスノズル４５およびバックリンスノズル４６を備える。エッジリンスノズル４５は、スピンチャック３５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。バックリンスノズル４６は、スピンチャック３５により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。

　本実施の形態における基板処理について、図２、図７および図１６を参照しながら第１の実施の形態における基板処理と異なる点を説明する。上記のように、第１の処理ブロック１２によりレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを現像処理室３１または現像処理室３２に搬送する。

　現像処理室３１，３２において、現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲにより基板Ｗの洗浄が行われる。具体的には、スピンチャック３５により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル４５から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。また、バックリンスノズル４６から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が除去される。金属用除去液による基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの周縁部および裏面が純水等によりさらに洗浄されてもよい。

　現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲにより基板Ｗが洗浄された後、搬送機構１３７は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄後の基板Ｗを現像処理室３１，３２から載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１に搬送する。その後の基板処理は、第１の実施の形態における基板処理と同様である。

　同様に、第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３８は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを現像処理室３３または現像処理室３４に搬送する。その後、搬送機構１３７は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄後の基板Ｗを現像処理室３３，３４から載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２に搬送する。

　（２）効果
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗの被処理面の周縁部および裏面に金属用除去液がエッジリンスノズル４５およびバックリンスノズル４６によりそれぞれ供給される。この場合、基板Ｗの周縁部における金属含有塗布膜中の金属成分がエッジリンスノズル４５により溶解され、基板Ｗの被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。また、金属含有塗布液が基板Ｗの裏面に回り込んだ場合でも、裏面の基板Ｗの裏面に付着した金属含有塗布液中の金属成分は、バックリンスノズル４６により除去される。

　この構成によれば、周縁部を除く基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板Ｗの周縁部および裏面に金属が残存することが防止される。これにより、基板Ｗ上に金属含有塗布膜を形成するとともに金属汚染の発生を防止することが可能となる。

　また、本実施の形態においては、現像液と金属用除去液とで同じ種類の処理液（例えばＴＭＡＨ）を用いることができる。この場合、現像液と金属用除去液とを分離して回収する必要がない。これにより、処理液の廃棄コストを低減することができる。

　一方で、現像液と金属用除去液とで異なる種類の処理液を用いることも可能である。例えば、現像液としてネガティブトーン現像処理用の酢酸ブチルを用い、金属用除去液としてＴＭＡＨを用いてもよい。この場合、現像液と金属用除去液とを分離して回収するために、図１２または図１４の除去液回収ユニット５０Ａを現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲに設けることが好ましい。

　また、金属用除去液としてＴＭＡＨを用いる場合には、金属成分を溶解するとともに、基板Ｗにわずかに付着した金属含有塗布膜を金属成分と一体的に除去することができる。これにより、基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を効率よく除去することができる。

　また、露光後の基板Ｗの現像処理後、リンス処理時に基板Ｗの裏面を金属用除去液により金属成分を除去した後、純水等によりリンス処理を行ってもよい。これにより、現像処理において基板Ｗの裏面に付着した金属成分を確実に除去することができる。

　［８］他の実施の形態
　（１）上記実施の形態において、反射防止液およびレジスト液の両方に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。反射防止液およびレジスト液の一方に金属成分が含有されなくてもよい。この場合、第５および第６の実施の形態においては、塗布処理室２１，２３または塗布処理室２２，２４の一方には、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲが設けられず、塗布処理ユニット１２９が設けられる。

　（２）上記実施の形態において、塗布液として反射防止液およびレジスト液に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、ハードマスク（ＨＭ）膜を形成するための塗布液に金属成分が含有されていてもよい。この場合、金属成分として、例えば酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）、酸化タングステン（ＷＯ_ｘ）または酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_ｘ）が塗布液に含有される。

　（３）上記実施の形態において、塗布処理室２１～２４に２つのスピンチャック２５が設けられ、現像処理室３１～３４に３つのスピンチャック３５が設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理室２１～２４に１つまたは３つ以上のスピンチャック２５が設けられてもよい。また、現像処理室３１～３４に２つ以下または４つ以上のスピンチャック３５が設けられてもよい。

　（４）上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１～Ｈ３は基板Ｗの外周部を保持するが、本発明はこれに限定されない。送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１～Ｈ３は、基板Ｗを吸着することにより基板Ｗの裏面を保持してもよい。図１７は、搬送機構１２７の吸着式のハンドＨ１を示す平面図である。吸着式のハンドＨ２，Ｈ３は、図１７の吸着式のハンドＨ１と同様の構成を有する。

　図１７に示すように、吸着式のハンドＨ１は、ガイド部Ｈａおよびアーム部Ｈｂを含む。ガイド部Ｈａは略Ｃ字形状を有し、アーム部Ｈｂは長方形状を有する。ガイド部Ｈａの内周部には、ガイド部Ｈａの内周部に沿って形成される円の中心に対して等角度間隔で、ガイド部Ｈａの内側に向かうように複数（本例では３つ）の突出部ｐｒが形成されている。各突出部ｐｒの先端部に、吸着部ｓｍが設けられている。吸着部ｓｍは、図示しない吸気系に接続される。

　ハンドＨ１においては、３つの突出部ｐｒの３つの吸着部ｓｍ上に基板Ｗが載置される。図１７においては、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが二点鎖線で示される。この状態で、３つの吸着部ｓｍに接続された吸気系が制御され、基板Ｗの裏面の３箇所の部分がそれぞれ３つの吸着部ｓｍにより吸着される。これにより、基板Ｗの裏面が保持される。なお、ハンドＨ１は４つの吸着部ｓｍを有してもよい。この場合、基板Ｗの裏面の４箇所の部分がそれぞれ４つの吸着部ｓｍにより吸着される。

　（５）第１～第４の実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つのハンドＨ１～Ｈ３を有することが好ましいが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は２つ以下のハンドを有してもよいし、４つ以上のハンドを有してもよい。

　特に、図１７に示される吸着式のハンドにより基板Ｗを保持する場合において、基板Ｗの裏面に金属含有塗布液が付着しない場合には、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つ以上のハンドを有する必要がない。また、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。

　第２の実施の形態においては、搬送機構１３７，１３８は３つ以上のハンドを有する必要がないし、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。第３の実施の形態においては、搬送機構１３７，１３８，１４１は３つ以上のハンドを有する必要がないし、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。第５および第６の実施の形態においては、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つ以上のハンドを有する必要がないし、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドと洗浄後の基板Ｗを保持するハンドとを使い分ける必要がない。

　（６）第１～第４の実施の形態において、洗浄乾燥処理部１６１に複数の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが配置され、洗浄乾燥処理部１６２に複数の金属除去ユニットＭＲが配置されるが、本発明はこれに限定されない。一部または全部の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが洗浄乾燥処理部１６２に配置されてもよいし、一部または全部の金属除去ユニットＭＲが洗浄乾燥処理部１６１に配置されてもよい。

　（７）第１～第４の実施の形態において、塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル４１が設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル４１が設けられなくてもよい。あるいは、エッジリンスノズル４１は、塗布処理ユニット１２９に設けられず、金属除去ユニットＭＲに設けられてもよい。この場合、金属除去ユニットＭＲには、第５または第６の実施の形態と同様の除去液回収ユニットが設けられてもよい。

　同様に、第５および第６の実施の形態において、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲにエッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２が設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲにエッジリンスノズル４１およびバックリンスノズル４２の一方または両方が設けられなくてもよい。

　（８）第５および第６の実施の形態において、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲに膜除去液を吐出するエッジリンスノズル４１と金属用除去液を吐出するエッジリンスノズル４３とが別個に設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲに膜除去液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のエッジリンスノズルが設けられてもよい。

　同様に、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲに洗浄液を吐出するバックリンスノズル４２と金属用除去液を吐出するバックリンスノズル４４とが別個に設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲに洗浄液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のバックリンスノズルが設けられてもよい。

　あるいは、金属用除去液が塗布液を溶解させる性質を有してもよい。この場合、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲにエッジリンスノズル４１が設けられなくてもよいし、バックリンスノズル４２が設けられなくてもよい。また、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲに除去液回収ユニットが設けられなくてもよい。

　金属用除去液が塗布液を溶解させる性質を有する場合には、単一の除去液により金属含有塗布液における金属および塗布液が同時に除去される。これにより、基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属および塗布液を効率よく除去することができる。また、除去液を分離して回収する必要がない。これらの結果、基板Ｗの処理コストを低減することができる。

　（９）第５および第６の実施の形態において、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲはそれぞれ図１２および図１３の除去液回収ユニット５０Ａを含むが、本発明はこれに限定されない。例えば、カップ２７が２種類の除去液を分離して回収可能な２重カップである場合には、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲは図１２または図１３の除去液回収ユニット５０Ａを含まなくてもよい。この場合、カップ２７が除去液回収ユニット５０Ａとして機能する。

　（１０）第１～第３、第５および第６の実施の形態において、インターフェイスブロック１４にエッジ露光部ＥＥＷが設けられるが、本発明はこれに限定されない。エッジ露光部ＥＥＷはインターフェイスブロック１４に設けられず、第１の処理ブロック１２の上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２に設けられてもよい。この場合、レジスト膜の形成後、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７に載置される前に基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。

　あるいは、エッジ露光部ＥＥＷは第２の処理ブロック１３に設けられてもよい。この場合、第１～第３の実施の形態においては、第２の処理ブロック１３の搬送機構１３７，１３８は、ハンドＨ１～Ｈ３に加えて第４のハンドを有することが好ましい。図１８は、他の実施の形態における熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図１９は、他の実施の形態における搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。

　図１８および図１９に示すように、本実施の形態にはおいては、エッジ露光部ＥＥＷはインターフェイスブロック１４に設けられず、第２の処理ブロック１３の上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に設けられる。また、図１９に示すように、第２の処理ブロック１３の搬送機構１３７，１３８は、ハンドＨ１～Ｈ３に加えてハンドＨ４を有する。ハンドＨ４は、ハンドＨ３の下方に位置する。他の実施の形態における基板処理について、図１、図２、図１８および図１９を参照しながら第１の実施の形態における基板処理と異なる点を説明する。

　上記のように、第１の処理ブロック１２によりレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７は、下段の２つのハンドＨ３，Ｈ４を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１８）および載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１（図１９）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１に載置される。

　また、搬送機構１３７（図１９）は、上段の２つのハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１８）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１８）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１８）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１９）に順に搬送する。

　同様に、搬送機構１３８（図１９）は、下段の２つのハンドＨ３，Ｈ４を用いて基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１８）および載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図１９）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図１９）は、上段の２つのハンドＨ１，Ｈ２を用いてインターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１８）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、上段の２つのハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１８）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１８）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１９）に順に搬送する。

　この構成においては、第１の処理ブロック１２からインターフェイスブロック１４への基板Ｗの搬送は下段の２つのハンドＨ３，Ｈ４を用いて行われる。一方、インターフェイスブロック１４から第１の処理ブロック１２への基板Ｗの搬送は上段の２つのハンドＨ１，Ｈ２を用いて行われる。そのため、洗浄前の基板Ｗを保持するハンドＨ３，Ｈ４と洗浄後の基板Ｗを保持するハンドＨ１，Ｈ２とを使い分けつつスループットを向上させることができる。

　（１１）第１の実施の形態において、洗浄乾燥処理部１６２（金属除去ユニットＭＲ）が洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに設けられるが、本発明はこれに限定されない。洗浄乾燥処理部１６２は、第２の処理ブロック１３に設けられてもよい。

　この場合、搬送機構１３７は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２に搬送する。これにより、洗浄乾燥処理部１６２の金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が除去される。金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗが洗浄された後、搬送機構１３７は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２から載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１に搬送する。

　（１２）第７の実施の形態において、現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲにエッジリンスノズル４５が設けられるが、本発明はこれに限定されない。図１のスリットノズル３８が基板Ｗの被処理面の周縁部に金属用除去液を吐出可能である場合には、現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲにエッジリンスノズル４５が設けられなくてもよい。この場合、基板処理装置１００の大型化を抑制することができる。

　［９］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

　上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、金属除去ユニットＭＲまたは現像兼金属除去ユニット１３９ＭＲが周縁部除去ユニットの例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１が搬送機構の例である。基板処理装置１００が基板処理装置の例である。スピンチャック２５が第１または第３の回転保持部の例であり、スピンチャック３またはスピンチャック３５が第２の回転保持部の例であり、塗布液ノズル２８が塗布液ノズルの例である。

　熱処理部１２３が熱処理部の例であり、気体供給部９または気体ノズル１０ｂが気体吐出部の例であり、搬送機構１２７，１２８のハンドＨ２，Ｈ３または搬送機構１３７，１３８，１４１のハンドＨ３が除去前基板保持部の例である。搬送機構１２７，１２８のハンドＨ１または搬送機構１３７，１３８，１４１のハンドＨ１，Ｈ２が除去後基板保持部の例であり、除去液回収ユニット５０Ａが除去液回収ユニットの例であり、スリットノズル３８が現像ノズルの例である。

　回収タンク５３ｂ，５３ａがそれぞれ第１および第２の回収部の例であり、カップ２７、分岐配管５１，５２、回収バルブ５１ｖ，５２ｖおよびローカルコントローラＬＣ１が切り替え経路の例である。カップ２７がカップの例であり、分岐配管５２，５１がそれぞれ第１および第２の回収配管の例であり、回収バルブ５２ｖ，５１ｖがそれぞれ第１および第２の回収バルブの例であり、ローカルコントローラＬＣ１が制御部の例である。

　回収タンク５３が貯留部の例であり、カップ２７、回収配管５０、境界検出部５４、回収配管５５，５６、回収バルブ５５ｖ，５６ｖおよびローカルコントローラＬＣ１が除去液分離機構の例であり、回収配管５０が回収配管の例である。回収配管５５，５６がそれぞれ第１および第２の排出配管の例であり、回収バルブ５５ｖ，５６ｖがそれぞれ第１および第２の排出バルブの例であり、境界検出部５４が境界面検出部の例であり、下限高さＬ１が下限位置の例であり、上限高さＬ２が上限位置の例である。

　第１～第４の実施の形態においては、塗布処理ユニット１２９が膜形成ユニットの例であり、周縁部洗浄ノズル８または液体ノズル１０ａが第１の除去液ノズルの例である。エッジリンスノズル４１が第２の除去液ノズルの例であり、裏面洗浄ノズル７が第３の除去液ノズルの例である。

　第５および第６の実施の形態においては、塗布兼金属除去ユニット１２９ＭＲが膜形成ユニットの例であり、エッジリンスノズル４１，４３および供給バルブ４１ｖ，４３ｖが周縁部除去液供給ユニットの例である。エッジリンスノズル４１，４３が除去液ノズルの例であり、バックリンスノズル４２，４４および供給バルブ４２ｖ，４４ｖが裏面除去液供給ユニットの例である。第７の実施の形態においては、エッジリンスノズル４５が第１の除去液ノズルの例である。

　請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

　本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

Claims

金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として基板の被処理面に供給することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、
　前記膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に、基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように前記金属を溶解させる第１の除去液を基板の周縁部に供給する周縁部除去ユニットと、
　前記膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後に基板を前記周縁部除去ユニットに搬送する搬送機構とを備える、基板処理装置。
前記膜形成ユニットは、
　基板を水平姿勢で保持して回転させる第１の回転保持部と、
　前記第１の回転保持部により回転される基板の被処理面に前記金属含有塗布液を吐出する塗布液ノズルとを含み、
　前記周縁部除去ユニットは、
　基板を水平姿勢で保持して回転させる第２の回転保持部と、
　前記第２の回転保持部により回転される基板の前記被処理面の周縁部に前記第１の除去液を吐出する第１の除去液ノズルとを含む、請求項１記載の基板処理装置。
前記膜形成ユニットおよび前記周縁部除去ユニットの少なくとも一方は、回転される基板の前記被処理面の周縁部に前記塗布液を溶解させる第２の除去液を吐出する第２の除去液ノズルをさらに含む、請求項２記載の基板処理装置。
前記周縁部除去ユニットは、
　回転される基板の前記被処理面と反対側の裏面に前記第１の除去液を吐出する第３の除去液ノズルをさらに含む、請求項２または３記載の基板処理装置。
前記膜形成ユニットによる金属含有塗布膜の形成後でかつ前記周縁部除去ユニットによる前記第１の除去液の吐出前に、熱処理により前記金属含有塗布膜を硬化させる熱処理部をさらに備え、
　前記周縁部除去ユニットは、
　前記第１の除去液ノズルにより前記被処理面の周縁部に前記第１の除去液が吐出されているときに、吐出される前記第１の除去液よりも前記基板の中心に近い位置に気体を吐出する気体吐出部をさらに含む、請求項２～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記周縁部除去ユニットは、前記第２の回転保持部により回転される基板の前記被処理面に現像液を吐出する現像ノズルをさらに含む、請求項２記載の基板処理装置。
前記現像液と前記第１の除去液とは同一の処理液である、請求項６記載の基板処理装置。
前記現像ノズルと第１の除去液ノズルとは共通のノズルにより構成される、請求項７記載の基板処理装置。
前記膜形成ユニットは、前記周縁部除去ユニットに隣接するように配置される、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記搬送機構は、
　前記周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の前記金属が除去される前の基板を保持して搬送する除去前基板保持部と、
　前記周縁部除去ユニットにより基板の周縁部の前記金属が除去された後の基板を保持して搬送する除去後基板保持部とを含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
基板を水平姿勢で保持して回転させる第３の回転保持部と、
　前記第３の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出する塗布液ノズルと、
　基板の前記被処理面の前記周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように、前記金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を前記第３の回転保持部により回転される基板の前記被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットとを備える、膜形成ユニット。
前記第３の除去液は、前記金属を溶解させる第４の除去液と前記塗布液を溶解させる第５の除去液とを含み、
　前記周縁部除去液供給ユニットは、
　前記第４および第５の除去液を基板の前記被処理面の周縁部に供給する１または複数の除去液ノズルを含む、請求項１１記載の膜形成ユニット。
基板に吐出された使用済みの前記第４の除去液と基板に吐出された使用済みの前記第５の除去液とを分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備える、請求項１２記載の膜形成ユニット。
前記複数の除去液ノズルは、前記第４および第５の除去液を互いに異なる第１および第２の期間において吐出し、
　前記除去液回収ユニットは、
　使用済みの前記第４の除去液を回収する第１の回収部と、
　使用済みの前記第５の除去液を回収する第２の回収部と、
　前記第１の期間において基板に吐出された使用済みの前記第４の除去液を前記第１の回収部に導き、前記第２の期間において基板に吐出された使用済みの前記第５の除去液を前記第２の回収部に導くように切り替えられる切り替え経路とを含む、請求項１３記載の膜形成ユニット。
前記切り替え経路は、
　基板から飛散する前記第４および第５の除去液を受け止めるカップと、
　前記カップと前記第１の回収部との間に接続された第１の回収配管と、
　前記カップと前記第２の回収部との間に接続された第２の回収配管と、
　前記第１の回収配管に介挿された第１の回収バルブと、
　前記第２の回収配管に介挿された第２の回収バルブと、
　前記第１の回収部に前記第４の除去液を回収するために前記第１の回収バルブを開放するとともに前記第２の回収バルブを閉止し、前記第２の回収部に前記第５の除去液を回収するために前記第２の回収バルブを開放するとともに前記第１の回収バルブを閉止するように前記第１および第２の回収バルブを制御する制御部とを含む、請求項１４記載の膜形成ユニット。
前記第４の除去液の比重は前記第５の除去液の比重よりも大きく、
　前記除去液回収ユニットは、
　使用済みの前記第４および第５の除去液を貯留する貯留部と、
　前記貯留部に貯留された前記第４および第５の除去液を比重に基づいて分離する除去液分離機構とを含む、請求項１３記載の膜形成ユニット。
前記除去液分離機構は、
　基板から飛散する前記第４および前記第５の除去液を受け止めるカップと、
　前記カップと前記貯留部との間に接続された回収配管と、
　前記貯留部から使用済みの前記第４の除去液を排出するように設けられた第１の排出配管と、
　前記貯留部から使用済みの前記第５の除去液を排出するように設けられた第２の排出配管と、
　前記第１の排出配管に介挿された第１の排出バルブと、
　前記貯留部内に貯留された前記第４の除去液と前記第５の除去液との境界面を検出する境界面検出部と、
　前記境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には前記第１の排出バルブを閉止し、取得した検出面が前記下限位置よりも大きい場合には前記第１の排出バルブを開放するように前記第１の排出バルブを制御する制御部とを含み、
　前記第１の排出配管は前記下限位置よりも下方における前記貯留部に接続され、前記第２の排出配管は前記下限位置よりも上方における前記貯留部に接続される、請求項１６記載の膜形成ユニット。
前記除去液分離機構は、前記第２の排出配管に介挿された第２の排出バルブをさらに含み、
　前記制御部は、取得した検出面が予め定められかつ前記下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には前記第２の排出バルブを開放し、取得した検出面が前記上限位置よりも大きい場合には前記第２の排出バルブを閉止する、請求項１７記載の膜形成ユニット。
前記第３の除去液は、前記金属および前記塗布液を溶解させる、請求項１１記載の膜形成ユニット。
前記第３の回転保持部により回転される基板の前記被処理面と反対側の裏面に前記金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を供給する裏面除去液供給ユニットをさらに備える、請求項１１～１９のいずれか一項に記載の膜形成ユニット。
金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成するステップと、
　前記金属含有塗布膜の形成後の基板を搬送機構により周縁部除去ユニットに搬送するステップと、
　基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように前記金属を溶解させる第１の除去液を前記周縁部除去ユニットにより基板の周縁部に供給するステップとを含む、基板処理方法。
第３の回転保持部により基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、
　前記第３の回転保持部により回転される基板の被処理面に金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として塗布液ノズルにより吐出するステップと、
　基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように、前記第３の回転保持部により回転される基板の前記被処理面の周縁部に前記金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を周縁部除去液供給ユニットにより供給するステップとを含む、膜形成方法。