JP2002359181A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数枚の基板を連続して処理したときにも、
全ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが
できる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 搬送ロボットが複数枚の基板を順次に密
着強化ユニットＡＨ、冷却ユニットＣＰ１、塗布処理ユ
ニットＳＣ１、加熱ユニットＨＰ１の順に搬送し、それ
ら複数枚の基板に順次にレジストを塗布している。複数
枚の基板を同一の処理条件にて処理したとすると、最終
基板については冷却ユニットから塗布処理ユニットに搬
送する工程での熱影響が無いことに起因して、その主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に形成
されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる。そこで、最終
基板については、最終基板の主面に形成されるレジスト
膜の膜厚が、通常基板の主面に形成されたレジスト膜の
膜厚と同一となるように、処理条件を変更している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数枚の半導体基
板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス
基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称す
る）に順次にレジストを塗布して各基板の主面にレジス
ト膜を形成する基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体や液晶ディスプレイなどの製品
は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エ
ッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処
理を施すことにより製造されている。従来よりこれらの
諸処理は、塗布処理ユニットや熱処理ユニット等の複数
の処理ユニットを組み込んだ基板処理装置において行わ
れる。基板処理装置内の搬送ロボットによって複数の処
理ユニット間で基板を所定の順序に従って搬送し、各処
理ユニットにて基板に処理を行うことにより一連の基板
処理が進行するのである。そして通常は、複数枚、例え
ば２５枚の基板を順次に搬送し、先の基板に対する一連
の処理が全て終了する前に、次の基板の処理を開始して
いる。すなわち、複数枚の基板を連続して処理すること
によりスループットを向上させている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数枚
の基板に対する連続処理を行った場合、それらの最終の
基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が最終以外の
基板のレジスト膜の膜厚よりも薄くなる傾向がある。こ
のようなレジスト膜厚の変動は、その後の露光処理や現
像処理等にも影響を与え、最終的には半導体等の製品の
品質にも影響するものである。特に近年、半導体等の微
細化・複雑化がますます進展し、品質管理に対する要求
が厳しくなっている状況下においては、基板主面に形成
されるレジスト膜の膜厚のわずかな変動も問題となる。

【０００４】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、複数枚の基板を連続して処理したときにも、全
ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することがで
きる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、複数枚の基板に順次にレジスト
を塗布して各基板の主面にレジスト膜を形成する基板処
理装置において、基板の主面にレジストを供給し、基板
を回転させることによってレジスト塗布を行うレジスト
塗布処理部と、基板に加熱処理を行って基板とレジスト
との密着性を向上させる密着強化処理部と、前記密着強
化処理部にて加熱処理が行われた基板の冷却処理を行う
冷却処理部と、前記レジスト塗布処理部にてレジスト塗
布が行われた基板の加熱処理を行う加熱処理部と、前記
複数枚の基板を順次に前記密着強化処理部、前記冷却処
理部、前記レジスト塗布処理部、前記加熱処理部の順に
搬送する搬送手段と、前記複数枚の基板のうちの最終に
レジスト塗布を行う最終基板については、当該最終基板
の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が、前記複数枚の
基板のうちの前記最終基板以外の通常基板の主面に形成
されたレジスト膜の膜厚と略同一となるように、処理条
件を変更する処理条件変更手段と、を備えている。

【０００６】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記冷却処理部での前記最終
基板についての処理温度を前記通常基板についての処理
温度よりも高くさせている。

【０００７】また、請求項３の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記冷却処理部での前記最終
基板についての処理温度を前記通常基板についての処理
温度よりも低くさせている。

【０００８】また、請求項４の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記レジスト塗布処理部での
前記最終基板についての回転数を前記通常基板について
の回転数よりも少なくさせている。

【０００９】また、請求項５の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記レジスト塗布処理部での
前記最終基板についての回転数を前記通常基板について
の回転数よりも多くさせている。

【００１０】また、請求項６の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記加熱処理部での前記最終
基板についての処理温度を前記通常基板についての処理
温度よりも低くさせている。

【００１１】また、請求項７の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記加熱処理部での前記最終
基板についての処理温度を前記通常基板についての処理
温度よりも高くさせている。

【００１２】また、請求項８の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記レジスト塗布処理部での
前記最終基板についての回転時間を前記通常基板につい
ての回転時間よりも短くさせている。

【００１３】また、請求項９の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を同
一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主面
に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
前記処理条件変更手段に、前記レジスト塗布処理部での
前記最終基板についての回転時間を前記通常基板につい
ての回転時間よりも長くさせている。

【００１４】また、請求項１０の発明は、請求項１の発
明にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を
同一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主
面に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面
に形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合に
は、前記処理条件変更手段に、前記加熱処理部での前記
最終基板についての加熱時間を前記通常基板についての
加熱時間よりも短くさせている。

【００１５】また、請求項１１の発明は、請求項１の発
明にかかる基板処理装置において、前記複数枚の基板を
同一の処理条件にて処理したとすると前記最終基板の主
面に形成されるレジスト膜の膜厚が前記通常基板の主面
に形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合に
は、前記処理条件変更手段に、前記加熱処理部での前記
最終基板についての加熱時間を前記通常基板についての
加熱時間よりも長くさせている。

【００１６】また、請求項１２の発明は、複数枚の基板
に順次にレジストを塗布して各基板の主面にレジスト膜
を形成する基板処理装置において、前記複数枚の基板を
同一の処理条件にて処理したとすると、前記複数枚の基
板のうちの最終にレジスト塗布を行う最終基板の主面に
形成されるレジスト膜の膜厚が前記複数枚の基板のうち
の前記最終基板以外の通常基板の主面に形成されたレジ
スト膜の膜厚に対して変動する場合には、その変動を補
償するように最終基板の処理条件を変更している。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１８】＜１．基板処理装置の構成＞図１は、本発
明に係る基板処理装置１の全体構成を示す平面図であ
る。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係
を明確にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向と
し、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付して
いる。

【００１９】この基板処理装置１は、基板にレジスト塗
布処理や現像処理を行う装置であって、基板の搬出入を
行うインデクサＩＤと、基板に処理を行う複数の処理ユ
ニットからなる第１処理部群ＰＧ１，第２処理部群ＰＧ
２と、図示を省略する露光装置（ステッパ）との基板の
受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、搬送ロボット
ＴＲとを備えている。

【００２０】インデクサＩＤは、複数枚の基板を収納可
能なキャリア（図示省略）を載置するとともに移載ロボ
ットを備え、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボッ
トＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットＴ
Ｒから受け取ってキャリアに格納する。なお、キャリア
の形態としては、収納基板を外気に曝すＯＣ(open case
tte)であっても良いし、基板を密閉空間に収納するＦＯ
ＵＰ(front opening unified pod)や、ＳＭＩＦ(Standa
rd Mechanical Inter Face)ポッドであっても良い。本
実施形態では、キャリアに２５枚の基板を収納している
ものとする。

【００２１】インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴ
Ｒからレジスト塗布処理済の基板を受け取って図外の露
光装置に渡すとともに、露光済の基板を受け取って搬送
ロボットＴＲに渡す機能を有する。また、インターフェ
イスＩＦは、露光装置との受け渡しタイミングの調整を
行うべく、露光前後の基板を一時的にストックするバッ
ファ機能を有し、図示を省略しているが、搬送ロボット
ＴＲとの間で基板を受け渡すロボットと、基板を載置す
るバッファカセットとを備えている。

【００２２】基板処理装置１は、基板に処理を行うため
の複数の処理ユニット（処理部）を備えており、そのう
ちの一部が第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処
理部群ＰＧ２を構成する。図２は、第１処理部群ＰＧ１
および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１
処理部群ＰＧ１は、液処理ユニットたる塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２（レジスト塗布処理部）の上方に複数
の熱処理ユニットを配置して構成されている。なお、図
２においては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配
置しているが、実際にはこれらは高さ方向（Ｚ軸方向）
に積層されているものである。

【００２３】塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２は、基板
主面にフォトレジストを供給し、基板を回転させること
によって均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコ
ータである。塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上方に
は３段に積層された熱処理ユニットが３列設けられてい
る。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ１、密着強
化ユニットＡＨ（密着強化処理部）、加熱ユニットＨＰ
１が積層された列と、冷却ユニットＣＰ２、加熱ユニッ
トＨＰ２、加熱ユニットＨＰ３が積層された列と、冷却
ユニットＣＰ３、加熱ユニットＨＰ４、加熱ユニットＨ
Ｐ５が積層された列とが設けられている。

【００２４】同様に、第２処理部群ＰＧ２は、液処理ユ
ニットたる現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上方に複
数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処
理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、露光後の基板上に現像液
を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピ
ンデベロッパである。現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２
の上方には３段に積層された熱処理ユニットが３列設け
られている。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ
４、露光後ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ６
が積層された列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニット
ＨＰ７、加熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却ユ
ニットＣＰ６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨＰ
１０が積層された列とが設けられている。

【００２５】加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ１０は、基板を
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光
後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前
および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。
冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、基板を冷却して所定の
温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に
維持する、いわゆるクールプレートである。

【００２６】本明細書においては、これら基板の温度調
整を行う処理ユニット（加熱ユニットおよび冷却ユニッ
ト）を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２および現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ
２の如き基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理
ユニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユ
ニットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットと
する。

【００２７】なお、熱処理ユニットの直下には、液処理
ユニット側に温湿度の管理されたクリーンエアーのダウ
ンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設
けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボ
ットＴＲが配置された上方の位置にも、搬送空間に向け
てクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタフ
ァンユニットが設けられている。

【００２８】また、基板処理装置１の内部にはコントロ
ーラＣＲが設けられている。コントローラＣＲは、メモ
リやＣＰＵ等からなるコンピュータを用いて構成されて
いる。コントローラＣＲは、所定の処理プログラムにし
たがって搬送ロボットＴＲの搬送動作を制御するととも
に、各処理ユニットに指示を与えて処理条件を設定す
る。

【００２９】図３は、搬送ロボットＴＲの外観斜視図で
ある。搬送ロボットＴＲは、伸縮体４０の上部に搬送ア
ーム３１ａ，３１ｂを備えたアームステージ３５を設け
るとともに、伸縮体４０によってテレスコピック型の多
段入れ子構造を実現している。

【００３０】伸縮体４０は、上から順に４つの分割体４
０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄによって構成されてい
る。分割体４０ａは分割体４０ｂに収容可能であり、分
割体４０ｂは分割体４０ｃに収容可能であり、分割体４
０ｃは分割体４０ｄに収容可能である。そして、分割体
４０ａ〜４０ｄを順次に収納していくことによって伸縮
体４０は収縮し、逆に分割体４０ａ〜４０ｄを順次に引
き出していくことによって伸縮体４０は伸張する。すな
わち、伸縮体４０の収縮時においては、分割体４０ａが
分割体４０ｂに収容され、分割体４０ｂが分割体４０ｃ
に収容され、分割体４０ｃが分割体４０ｄに収容され
る。一方、伸縮体４０の伸張時においては、分割体４０
ａが分割体４０ｂから引き出され、分割体４０ｂが分割
体４０ｃから引き出され、分割体４０ｃが分割体４０ｄ
から引き出される。

【００３１】伸縮体４０の伸縮動作は、その内部に設け
られた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構
としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせ
たものをモータによって駆動する機構を採用することが
できる。搬送ロボットＴＲは、このような伸縮昇降機構
によって搬送アーム３１ａ，３１ｂの昇降動作を行うこ
とができる。

【００３２】また、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム３
１ａ，３１ｂの水平進退移動および回転動作を行うこと
もできる。具体的には、分割体４０ａの上部にアームス
テージ３５が設けられており、そのアームステージ３５
によって搬送アーム３１ａ，３１ｂの水平進退移動およ
び回転動作を行う。すなわち、アームステージ３５が搬
送アーム３１ａ，３１ｂのそれぞれのアームセグメント
を屈伸させることにより搬送アーム３１ａ，３１ｂが水
平進退移動を行い、アームステージ３５自体が伸縮体４
０に対して回転動作を行うことにより搬送アーム３１
ａ，３１ｂが回転動作を行う。

【００３３】従って、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム
３１ａ，３１ｂを高さ方向に昇降動作させること、回転
動作させることおよび水平方向に進退移動させることが
できる。つまり、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム３１
ａ，３１ｂを３次元的に移動させることができる。そし
て、基板Ｗを保持した搬送アーム３１ａ，３１ｂが３次
元的に移動して複数の処理ユニットとの間で基板Ｗの受
け渡しを行うことによりそれら複数の処理ユニットに対
して基板Ｗを搬送して当該基板Ｗに種々の処理を行わせ
ることができる。

【００３４】＜２．基板処理の手順＞次に、上記の基板
処理装置１における基板処理の手順について説明する。
図４は、基板処理装置１における基板処理の手順の一例
を示す図である。まず、インデクサＩＤから搬送ロボッ
トＴＲに払い出された未処理の基板Ｗは、密着強化ユニ
ットＡＨに搬入される。密着強化ユニットＡＨは、基板
Ｗに加熱処理を行って基板Ｗとレジストとの密着性を向
上させる密着強化処理部であり、より正確には加熱した
状態の基板Ｗにベーパ状にしたＨＭＤＳ（Hexa Methyl
Di Silazan）を吹き付けることによって密着性を強化す
る。次に、搬送ロボットＴＲは、密着強化処理の終了し
た基板Ｗを密着強化ユニットＡＨから冷却ユニットＣＰ
１に搬送する。冷却ユニットＣＰ１は、密着強化ユニッ
トＡＨにて加熱処理が行われた基板Ｗの冷却処理を行う
クールプレートである。

【００３５】冷却処理の終了した基板Ｗは、搬送ロボッ
トＴＲによって冷却ユニットＣＰ１から塗布処理ユニッ
トＳＣ１へと搬送される。塗布処理ユニットＳＣ１は、
基板Ｗの主面にレジストを供給し、基板を回転させてレ
ジスト塗布処理を行う。供給されたレジストは遠心力に
よって基板Ｗの主面全体に拡がり、レジスト膜を形成す
る。

【００３６】次に、レジスト塗布処理の終了した基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによって塗布処理ユニットＳＣ１
から加熱ユニットＨＰ１へと搬送される。加熱ユニット
ＨＰ１は、塗布処理ユニットＳＣ１にてレジスト塗布が
行われた基板Ｗの加熱処理を行うホットプレートであ
る。この加熱処理は「プリベーク」と称される熱処理で
あり、基板Ｗに塗布されたレジスト中の余分な溶媒成分
を蒸発させ、レジストと基板Ｗとの密着性を強固にして
安定した感度のレジスト膜を形成する処理である。

【００３７】プリベークの終了した基板Ｗは、搬送ロボ
ットＴＲによって加熱ユニットＨＰ１から冷却ユニット
ＣＰ２へと搬送される。冷却ユニットＣＰ２は、プリベ
ーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。

【００３８】冷却処理終了後、搬送ロボットＴＲは、冷
却ユニットＣＰ２からインターフェイスＩＦに基板Ｗを
搬送する。インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴＲ
から受け取ったレジスト膜が形成された基板Ｗを露光装
置（ステッパ）に渡す。露光装置はその基板Ｗに露光処
理を行う。露光処理後の基板Ｗは再びインターフェイス
ＩＦに戻される。

【００３９】インターフェイスＩＦに戻された基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによって露光後ベークユニットＰ
ＥＢに搬送される。露光後ベークユニットＰＥＢは、光
化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内で均一に
拡散させる熱処理（露光後ベーク）を行う。この熱処理
によって露光部と未露光部との境界におけるレジストの
波打ちが解消され、良好なパターンが形成される。

【００４０】露光後ベークの終了した基板Ｗは、搬送ロ
ボットＴＲによって露光後ベークユニットＰＥＢから冷
却ユニットＣＰ３へと搬送される。冷却ユニットＣＰ３
は、露光後ベーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。その
後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって冷却ユニットＣ
Ｐ３から現像処理ユニットＳＤ１へと搬送される。現像
処理ユニットＳＤ１は、露光後の基板Ｗの現像処理を行
う。

【００４１】現像後の基板Ｗは、搬送ロボットＴＲによ
って現像処理ユニットＳＤ１から加熱ユニットＨＰ２へ
と搬送される。加熱ユニットＨＰ２は、現像後の基板Ｗ
の加熱を行う。さらにその後、基板Ｗは搬送ロボットＴ
Ｒによって加熱ユニットＨＰ２から冷却ユニットＣＰ４
へと搬送され、冷却される。

【００４２】冷却ユニットＣＰ４にて冷却された基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによってインデクサＩＤに戻さ
れ、キャリアに収納される。

【００４３】以上のように、図４に示した手順にしたが
って搬送ロボットＴＲが基板Ｗを搬送することにより、
レジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱
処理からなる一連の処理が基板Ｗに行われる。なお、図
４において塗布処理ユニットＳＣ１の代わりに、それと
同等の機能を有する塗布処理ユニットＳＣ２を使用する
ようにしても良いし、塗布処理ユニットＳＣ１または塗
布処理ユニットＳＣ２のいずれか空いている方に基板Ｗ
を搬入するといういわゆる並列処理を行うようにしても
良い。このことは、現像処理ユニットＳＤ１、加熱ユニ
ットＨＰ１、冷却ユニットＣＰ１等の同等の機能を有す
る他の処理ユニットが存在するものについて同様であ
る。

【００４４】＜３．処理条件＞以上の説明では、１枚の
基板Ｗについての処理手順を述べたが、本実施形態の基
板処理装置１においては、複数枚の基板Ｗからなる１つ
のロットについて連続して図４に示した手順の処理を行
っている。具体的には、インデクサＩＤに載置されたキ
ャリアには２５枚の基板Ｗが収納されており、これら２
５枚の基板Ｗを１ロットとして連続して処理する。な
お、以下においては、連続して処理する２５枚の基板Ｗ
のうちの１枚目から２４枚目までをそれぞれ基板Ｗ１〜
Ｗ２４（通常基板）と記載し、最終の基板を基板ＷＬ
（最終基板）と記載し、これらを特に区別する必要のな
いときは単に基板Ｗと記載する。

【００４５】連続処理の手法としては、まず、搬送ロボ
ットＴＲが搬送アーム３１ａを用いてロットの最初の基
板Ｗ１を密着強化ユニットＡＨに搬入する。密着強化ユ
ニットＡＨにおいて当該最初の基板Ｗ１に加熱処理が行
われている間に、搬送ロボットＴＲは搬送アーム３１ａ
を用いてロットの次の基板Ｗ２を密着強化ユニットＡＨ
に搬送する。ここで、搬送ロボットＴＲは、２つの搬送
アーム３１ａ，３１ｂを使用して基板Ｗの入れ換えを行
う。すなわち、まず密着強化ユニットＡＨでの加熱処理
が終了した最初の基板Ｗ１を搬送アーム３１ｂによって
取り出した後、搬送アーム３１ａによって未処理の基板
Ｗ２を密着強化ユニットＡＨに搬入する。その後、搬送
ロボットＴＲは、搬送アーム３１ｂを用いて密着強化ユ
ニットＡＨでの加熱処理が終了した最初の基板Ｗ１を冷
却ユニットＣＰ１に搬入する。以下、これと同様の手順
を繰り返すことにより、２５枚の基板Ｗに連続して図４
の処理を行うのである。

【００４６】ところで、複数枚の基板Ｗに連続して図４
の処理を行ったときには以下に述べるような現象が生じ
る。図５は、複数枚の基板Ｗのうちの最終以外の基板Ｗ
１〜Ｗ２４を冷却ユニットＣＰ１に対して搬出入する様
子を示す図である。

【００４７】図５（ａ）は、密着強化ユニットＡＨでの
加熱処理が終了した基板Ｗ２を搬送アーム３１ｂが保持
するとともに、冷却ユニットＣＰ１における基板Ｗ１の
冷却処理が終了した状態を示している。この状態から搬
送ロボットＴＲは、搬送アーム３１ａを冷却ユニットＣ
Ｐ１にアクセスさせて、冷却処理後の基板Ｗ１を取り出
す。この瞬間、搬送アーム３１ａが冷却処理後の基板Ｗ
１を保持するとともに、搬送アーム３１ｂが加熱処理後
の基板Ｗ２を保持することとなる（図５（ｂ）の状
態）。

【００４８】図５（ｂ）の状態から搬送ロボットＴＲ
は、搬送アーム３１ｂを冷却ユニットＣＰ１にアクセス
させて、基板Ｗ２を冷却ユニットＣＰ１に搬入する（図
５（ｃ）の状態）。その結果、冷却ユニットＣＰ１にお
ける基板Ｗ１と基板Ｗ２との入れ換えが行われたことと
なる。複数枚の基板Ｗのうちの最終基板ＷＬ以外の基板
である通常基板Ｗ１〜Ｗ２４を処理ユニットから取り出
すときには全て図５に示したの同様の入れ換え作業が行
われることとなる。

【００４９】一方、図６は、複数枚の基板Ｗのうちの最
終の基板ＷＬを冷却ユニットＣＰ１に対して搬出入する
様子を示す図である。ロットの最終基板ＷＬについては
その後直ちに処理すべき基板が存在しないため、冷却ユ
ニットＣＰ１での最終基板ＷＬの冷却処理が終了した時
点で、２つの搬送アーム３１ａ，３１ｂはともに基板Ｗ
を保持していない（図６（ａ）の状態）。

【００５０】この状態から搬送ロボットＴＲは、搬送ア
ーム３１ａを冷却ユニットＣＰ１にアクセスさせて、冷
却処理後の最終基板ＷＬを取り出す。この瞬間、搬送ア
ーム３１ａが冷却処理後の最終基板ＷＬを保持する一方
で、搬送アーム３１ｂは基板を保持していない（図６
（ｂ）の状態）。このように、複数枚の基板Ｗのうちの
最終基板ＷＬを処理ユニットから取り出すときには入れ
換え作業は行われないのである。

【００５１】以上の結果、図５の場合には、搬送アーム
３１ａに保持された冷却処理後の基板Ｗ１が搬送アーム
３１ｂに保持された加熱処理後の基板Ｗ２や搬送アーム
３１ｂ自体からの熱影響を受けて若干暖められることと
なる。これは最終基板ＷＬ以外の通常基板Ｗ１〜Ｗ２４
について同様である。一方、図６の場合には、搬送アー
ム３１ａに保持された冷却処理後の最終基板ＷＬに対す
る他の基板Ｗからの熱影響は皆無である。従って、塗布
処理ユニットＳＣ１に搬入される時点において、同じよ
うに冷却ユニットＣＰ１にて冷却処理を行った基板Ｗで
あっても通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の温度は最終基板ＷＬの
温度よりも若干高くなる。

【００５２】塗布処理ユニットＳＣ１においてレジスト
塗布処理を行うときに、基板Ｗの温度が高いと供給され
たレジストが拡がりにくくなり、逆に基板Ｗの温度が低
いと滴下されたレジストが拡がり易くなる。その結果、
温度が低い最終基板ＷＬについては通常基板Ｗ１〜Ｗ２
４よりもレジストが容易に拡がって多少レジスト膜の膜
厚が薄くなるのである。従来において、最終の基板Ｗの
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が最終以外の基板Ｗ
のレジスト膜の膜厚よりも薄くなる傾向が認められたの
は以上のような理由による。

【００５３】そこで、本実施形態においては、以下のよ
うにして処理ユニットでの最終基板ＷＬについてのいず
れかの処理条件を変更することにより膜厚変動を抑制す
るようにしている。

【００５４】＜３−１．冷却ユニットＣＰ１での処理温
度＞上述したように、レジスト膜厚の膜厚変動の直接の
原因は、冷却ユニットＣＰ１から塗布処理ユニットＳＣ
１に搬送する工程での熱影響の有無である。ここで、熱
影響を受けない最終基板ＷＬについての冷却ユニットＣ
Ｐ１での処理温度を熱影響を受ける通常基板Ｗ１〜Ｗ２
４についての処理温度よりも高くすれば、最終基板ＷＬ
も熱影響を受けたのと同じこととなる。

【００５５】具体的には、コントローラＣＲが冷却ユニ
ットＣＰ１を制御して、最終基板ＷＬについての処理温
度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての処理温度よりも高
くする。これにより、熱影響を受けない最終基板ＷＬに
ついても、塗布処理ユニットＳＣ１に搬入される時点に
おいては通常基板Ｗ１〜Ｗ２４と等温となる。その結
果、塗布処理ユニットＳＣ１でのレジスト塗布処理時
に、１つのロットに含まれる基板Ｗ（２５枚の基板Ｗ）
の全てについて同程度にレジストが拡がり、全ての基板
Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。

【００５６】なお、最終基板ＷＬについての冷却ユニッ
トＣＰ１での処理温度と通常基板Ｗ１〜Ｗ２４について
の処理温度との温度差（オフセット温度）は、均一なレ
ジスト膜が形成されるようなオフセット温度を実験によ
って予め算定しておき、その値をコントローラＣＲに記
憶させておけば良い。コントローラＣＲは、記憶したオ
フセット温度に基づいて最終基板ＷＬについての冷却ユ
ニットＣＰ１での処理温度を変更する。

【００５７】＜３−２．塗布処理ユニットＳＣ１での回
転数＞また、塗布処理ユニットＳＣ１に搬入される時点
において、通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の温度が最終基板ＷＬ
の温度よりも若干高かったとしても、塗布処理ユニット
ＳＣ１での最終基板ＷＬについての回転数を通常基板Ｗ
１〜Ｗ２４についての回転数よりも少なくすると、遠心
力が弱まって供給されたレジストが拡がりにくくなり、
最終基板ＷＬのレジスト膜の膜厚が厚くなる。

【００５８】具体的には、コントローラＣＲが塗布処理
ユニットＳＣ１を制御して、塗布処理ユニットＳＣ１で
の最終基板ＷＬについての回転数を通常基板Ｗ１〜Ｗ２
４についての回転数よりも少なくする。これにより、レ
ジストが拡がりにくくなって最終基板ＷＬに形成される
レジスト膜の膜厚が厚くなり、その結果、１つのロット
に含まれる全ての基板Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を形
成することができる。

【００５９】なお、最終基板ＷＬについての塗布処理ユ
ニットＳＣ１での回転数と通常基板Ｗ１〜Ｗ２４につい
ての回転数との回転数差（オフセット回転数）は、均一
なレジスト膜が形成されるようなオフセット回転数を実
験によって予め算定しておき、その値をコントローラＣ
Ｒに記憶させておけば良い。コントローラＣＲは、記憶
したオフセット回転数に基づいて最終基板ＷＬについて
の塗布処理ユニットＳＣ１での回転数を変更する。

【００６０】＜３−３．プリベーク温度＞また、レジス
ト塗布処理が終了した時点での最終基板ＷＬのレジスト
膜厚が通常基板Ｗ１〜Ｗ２４より多少薄かったとして
も、加熱ユニットＨＰ１での最終基板ＷＬについてのプ
リベーク温度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についてのプリベ
ーク温度よりも低くすれば、溶媒成分の蒸発が少なくな
り、最終基板ＷＬに形成されるレジスト膜の膜厚が厚く
なる。

【００６１】具体的には、コントローラＣＲが加熱ユニ
ットＨＰ１を制御して、加熱ユニットＨＰ１での最終基
板ＷＬについての処理温度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４につ
いての処理温度よりも低くする。これにより、溶媒成分
の蒸発が抑制されて最終基板ＷＬに形成されるレジスト
膜の膜厚が厚くなり、その結果、１つのロットに含まれ
る全ての基板Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を形成するこ
とができる。

【００６２】なお、最終基板ＷＬについての加熱ユニッ
トＨＰ１での処理温度と通常基板Ｗ１〜Ｗ２４について
の処理温度との温度差（オフセット温度）は、均一なレ
ジスト膜が形成されるようなオフセット温度を実験によ
って予め算定しておき、その値をコントローラＣＲに記
憶させておけば良い。コントローラＣＲは、記憶したオ
フセット温度に基づいて最終基板ＷＬについての加熱ユ
ニットＨＰ１での処理温度を変更する。

【００６３】＜３−４．塗布処理ユニットＳＣ１での回
転時間＞また、塗布処理ユニットＳＣ１に搬入される時
点において、通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の温度が最終基板Ｗ
Ｌの温度よりも若干高かったとしても、塗布処理ユニッ
トＳＣ１での最終基板ＷＬについての回転時間を通常基
板Ｗ１〜Ｗ２４についての回転時間よりも短くすると、
供給されたレジストの拡がりが抑制され、最終基板ＷＬ
のレジスト膜の膜厚が厚くなる。

【００６４】具体的には、コントローラＣＲが塗布処理
ユニットＳＣ１を制御して、塗布処理ユニットＳＣ１で
の最終基板ＷＬについての回転時間を通常基板Ｗ１〜Ｗ
２４についての回転時間よりも短くする。これにより、
レジストが拡がりが抑制されて最終基板ＷＬに形成され
るレジスト膜の膜厚が厚くなり、その結果、１つのロッ
トに含まれる全ての基板Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を
形成することができる。

【００６５】なお、最終基板ＷＬについての塗布処理ユ
ニットＳＣ１での回転時間と通常基板Ｗ１〜Ｗ２４につ
いての回転時間との時間差（オフセット時間）は、均一
なレジスト膜が形成されるようなオフセット時間を実験
によって予め算定しておき、その値をコントローラＣＲ
に記憶させておけば良い。コントローラＣＲは、記憶し
たオフセット時間に基づいて最終基板ＷＬについての塗
布処理ユニットＳＣ１での回転時間を変更する。

【００６６】＜３−５．プリベーク時間＞また、レジス
ト塗布処理が終了した時点での最終基板ＷＬのレジスト
膜厚が通常基板Ｗ１〜Ｗ２４より多少薄かったとして
も、加熱ユニットＨＰ１での最終基板ＷＬについてのプ
リベーク時間を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についてのプリベ
ーク時間よりも短くすれば、溶媒成分の蒸発が少なくな
り、最終基板ＷＬに形成されるレジスト膜の膜厚が厚く
なる。

【００６７】具体的には、コントローラＣＲが加熱ユニ
ットＨＰ１を制御して、加熱ユニットＨＰ１での最終基
板ＷＬについての加熱時間を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４につ
いての加熱時間よりも短くする。これにより、溶媒成分
の蒸発が抑制されて最終基板ＷＬに形成されるレジスト
膜の膜厚が厚くなり、その結果、１つのロットに含まれ
る全ての基板Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を形成するこ
とができる。

【００６８】なお、最終基板ＷＬについての加熱ユニッ
トＨＰ１での加熱時間と通常基板Ｗ１〜Ｗ２４について
の加熱時間との時間差（オフセット時間）は、均一なレ
ジスト膜が形成されるようなオフセット時間を実験によ
って予め算定しておき、その値をコントローラＣＲに記
憶させておけば良い。コントローラＣＲは、記憶したオ
フセット時間に基づいて最終基板ＷＬについての加熱ユ
ニットＨＰ１での加熱時間を変更する。

【００６９】以上のように、本実施形態においては、搬
送ロボットＴＲが複数枚の基板Ｗを順次に密着強化ユニ
ットＡＨ、冷却ユニットＣＰ１、塗布処理ユニットＳＣ
１、加熱ユニットＨＰ１の順に搬送し、それら複数枚の
基板Ｗに順次にレジストを塗布して各基板Ｗの主面にレ
ジスト膜を形成している。そして、それら複数枚の基板
Ｗを同一の処理条件にて処理したとすると、最終基板Ｗ
Ｌについては冷却ユニットＣＰ１から塗布処理ユニット
ＳＣ１に搬送する工程での熱影響が無いことに起因し
て、最終基板ＷＬの主面に形成されるレジスト膜の膜厚
が通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の主面に形成されたレジスト膜
の膜厚よりも薄くなる。

【００７０】そこで、本実施形態では、複数枚の基板Ｗ
のうちの最終にレジスト塗布を行う最終基板ＷＬについ
ては、当該最終基板ＷＬの主面に形成されるレジスト膜
の膜厚が、複数枚の基板Ｗのうちの最終基板ＷＬ以外の
通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の主面に形成されたレジスト膜の
膜厚と同一となるように、処理条件を変更している。最
終基板ＷＬの主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常
基板Ｗ１〜Ｗ２４の主面に形成されたレジスト膜の膜厚
よりも薄くなる場合に変更する具体的な処理条件の内容
は、 冷却ユニットＣＰ１での最終基板ＷＬについての処理
温度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての処理温度よりも
高くする、 塗布処理ユニットＳＣ１での最終基板ＷＬについての
回転数を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての回転数よりも
少なくする、 加熱ユニットＨＰ１での最終基板ＷＬについての処理
温度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての処理温度よりも
低くする、 塗布処理ユニットＳＣ１での最終基板ＷＬについての
回転時間を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての回転時間よ
りも短くする、 加熱ユニットＨＰ１での最終基板ＷＬについての加熱
時間を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての加熱時間よりも
短くする、というものである。これらのうちのいずれか
の処理条件変更を行うことにより、最終基板ＷＬに形成
されるレジスト膜の膜厚が厚くなり、その結果、１つの
ロットに含まれる全ての基板Ｗに均一な膜厚のレジスト
膜を形成することができる。

【００７１】また、熱影響を均一にすべく冷却ユニット
ＣＰ１から塗布処理ユニットＳＣ１に基板Ｗを搬送する
ための専用の搬送アームを設けるような場合に比較する
と、特別なハードウェアを必要としないため、コストダ
ウンになるとともに、フットプリントの増大を抑制する
ことができる。

【００７２】＜４．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態においては、複数
枚の基板Ｗを同一の処理条件にて処理したとすると、最
終基板ＷＬの主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常
基板Ｗ１〜Ｗ２４の主面に形成されたレジスト膜の膜厚
よりも薄くなる場合を例として説明したが、最終基板Ｗ
Ｌの主面に形成されるレジスト膜の膜厚が厚くなる場合
には上記とは逆の内容の処理条件の変更を行うようにす
れば良い。最終基板ＷＬの主面に形成されるレジスト膜
の膜厚が通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の主面に形成されたレジ
スト膜の膜厚よりも厚くなる場合に変更する具体的な処
理条件の内容は、 冷却ユニットＣＰ１での最終基板ＷＬについての処理
温度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての処理温度よりも
低くする、 塗布処理ユニットＳＣ１での最終基板ＷＬについての
回転数を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての回転数よりも
多くする、 加熱ユニットＨＰ１での最終基板ＷＬについての処理
温度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての処理温度よりも
高くする、 塗布処理ユニットＳＣ１での最終基板ＷＬについての
回転時間を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての回転時間よ
りも長くする、 加熱ユニットＨＰ１での最終基板ＷＬについての加熱
時間を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４についての加熱時間よりも
長くする、というものである。コントローラＣＲによっ
て、これらのうちのいずれかの処理条件変更を行うこと
により、最終基板ＷＬに形成されるレジスト膜の膜厚が
薄くなり、その結果、１つのロットに含まれる全ての基
板Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を形成することができ
る。

【００７３】また、変更する処理条件の内容は上記実施
形態にて示したものに限定されず、塗布処理ユニットＳ
Ｃ１での温度、湿度または塗布すべきレジストの温度、
粘度であっても良い。最終基板ＷＬの主面に形成される
レジスト膜の膜厚が通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の主面に形成
されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、 最終基板ＷＬについての塗布処理ユニットＳＣ１の温
度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４よりも低くする、 最終基板ＷＬについての塗布処理ユニットＳＣ１の湿
度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４よりも高くする、 最終基板ＷＬに塗布するレジストの温度を通常基板Ｗ
１〜Ｗ２４よりも高くする、 最終基板ＷＬに塗布するレジストの粘度を通常基板Ｗ
１〜Ｗ２４よりも高くする、のいずれかを実行すること
により、最終基板ＷＬに形成されるレジスト膜の膜厚が
厚くなり、その結果、１つのロットに含まれる全ての基
板Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を形成することができ
る。

【００７４】逆に、最終基板ＷＬの主面に形成されるレ
ジスト膜の膜厚が通常基板Ｗ１〜Ｗ２４の主面に形成さ
れたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、 最終基板ＷＬについての塗布処理ユニットＳＣ１の温
度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４よりも高くする、 最終基板ＷＬについての塗布処理ユニットＳＣ１の湿
度を通常基板Ｗ１〜Ｗ２４よりも低くする、 最終基板ＷＬに塗布するレジストの温度を通常基板Ｗ
１〜Ｗ２４よりも低くする、 最終基板ＷＬに塗布するレジストの粘度を通常基板Ｗ
１〜Ｗ２４よりも低くする、のいずれかを実行すること
により、最終基板ＷＬに形成されるレジスト膜の膜厚が
薄くなり、その結果、１つのロットに含まれる全ての基
板Ｗに均一な膜厚のレジスト膜を形成することができ
る。

【００７５】もっとも、これらの処理条件よりも上記実
施形態において述べた５つの処理条件の方が制御の応答
性および精度が優れているため、コントローラＣＲが容
易に変更することができる。

【００７６】また、変更する処理条件については、上記
のいずれかを択一的に採用してもよいし、上記のうちの
複数を組み合わせるようにしても良い。例えば、最終基
板ＷＬについて、冷却ユニットＣＰ１での処理温度を高
くするとともに、塗布処理ユニットＳＣ１での回転数を
少なくするようにしても良い。

【００７７】なお、最終基板ＷＬについての処理条件の
変更手法は、予め最終基板ＷＬと通常基板Ｗ１〜Ｗ２４
との膜厚差を実験などの結果によって予測した上で、そ
の膜厚差を埋め合わせる前述した冷却処理ユニットＣＰ
１、塗布処理ユニットＳＣ１、加熱ユニットＨＰ１の少
なくともいずれかにおける処理パラメータのオフセット
値を予めコントローラＣＲに記憶させておいてコントロ
ーラＣＲによって最終基板ＷＬの処理条件を変更してお
くのでも当然よいし、例えば基板処理装置１内のいずれ
かの箇所に膜厚測定手段を設け、最終基板ＷＬについて
塗布処理ユニットＳＣ１で塗布されたレジスト膜の膜圧
を膜厚測定手段によって測定し、測定された最終基板Ｗ
Ｌについてのレジスト膜の膜厚と通常基板Ｗ１〜Ｗ２４
で形成されるべき所望のレジスト膜の膜厚（通常基板Ｗ
１〜Ｗ２４のいずれかに形成されたレジスト膜の膜厚も
膜厚測定手段によって実際に測定されたものでもかまわ
ない）との差をコントローラＣＲで求め、実際に膜厚差
がある場合には、その膜厚差に相当する前述した冷却処
理ユニットＣＰ１、塗布処理ユニットＳＣ１、加熱ユニ
ットＨＰ１の少なくともいずれかにおける処理パラメー
タのオフセット値をコントローラＣＲで求めてコントロ
ーラＣＲ内のメモリに記憶させ、コントローラＣＲによ
って以後自動的に最終基板ＷＬについての処理条件を変
更するようにしてもよい。

【００７８】以上の内容を集約すると、複数枚の基板Ｗ
を同一の処理条件にて処理したときに、最終基板ＷＬの
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板Ｗ１〜Ｗ
２４の主面に形成されたレジスト膜の膜厚に対して変動
する場合には、その変動を補償するように最終基板ＷＬ
の処理条件を変更する形態であれば良いのである。

【００７９】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、複数枚の基板のうちの最終にレジスト塗布を
行う最終基板については、当該最終基板の主面に形成さ
れるレジスト膜の膜厚が、複数枚の基板のうちの最終基
板以外の通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚
と略同一となるように、処理条件を変更するため、複数
枚の基板を連続して処理したときにも、全ての基板に均
一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。

【００８０】また、請求項２の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
冷却処理部での最終基板についての処理温度を通常基板
についての処理温度よりも高くするため、レジスト塗布
処理部にて最終基板のレジストが拡がりにくくなり、そ
の結果、最終基板のレジスト膜厚が厚くなり、全ての基
板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。

【００８１】また、請求項３の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
冷却処理部での最終基板についての処理温度を通常基板
についての処理温度よりも低くするため、レジスト塗布
処理部にて最終基板のレジストが拡がりやすくなり、そ
の結果、最終基板のレジスト膜厚が薄くなり、全ての基
板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。

【００８２】また、請求項４の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
レジスト塗布処理部での最終基板についての回転数を通
常基板についての回転数よりも少なくするため、レジス
ト塗布処理部にて最終基板のレジストが拡がりにくくな
り、その結果、最終基板のレジスト膜厚が厚くなり、全
ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することがで
きる。

【００８３】また、請求項５の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
レジスト塗布処理部での最終基板についての回転数を前
記通常基板についての回転数よりも多くするため、レジ
スト塗布処理部にて最終基板のレジストが拡がりやすく
なり、その結果、最終基板のレジスト膜厚が薄くなり、
全ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが
できる。

【００８４】また、請求項６の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
加熱処理部での最終基板についての処理温度を通常基板
についての処理温度よりも低くするため、加熱処理部に
て最終基板のレジストの溶媒成分が蒸発しにくくなり、
その結果、最終基板のレジスト膜厚が厚くなり、全ての
基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができ
る。

【００８５】また、請求項７の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
加熱処理部での最終基板についての処理温度を通常基板
についての処理温度よりも高くするため、加熱処理部に
て最終基板のレジストの溶媒成分が蒸発しやすくなり、
その結果、最終基板のレジスト膜厚が薄くなり、全ての
基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができ
る。

【００８６】また、請求項８の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合には、
レジスト塗布処理部での最終基板についての回転時間を
通常基板についての回転時間よりも短くするため、レジ
スト塗布処理部にて最終基板のレジストが拡がりにくく
なり、その結果、最終基板のレジスト膜厚が厚くなり、
全ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが
できる。

【００８７】また、請求項９の発明によれば、複数枚の
基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板の
主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面に
形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合には、
レジスト塗布処理部での最終基板についての回転時間を
通常基板についての回転時間よりも長くするため、レジ
スト塗布処理部にて最終基板のレジストが拡がりやすく
なり、その結果、最終基板のレジスト膜厚が薄くなり、
全ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが
できる。

【００８８】また、請求項１０の発明によれば、複数枚
の基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板
の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面
に形成されたレジスト膜の膜厚よりも薄くなる場合に
は、加熱処理部での最終基板についての加熱時間を通常
基板についての加熱時間よりも短くするため、加熱処理
部にて最終基板のレジストの溶媒成分が蒸発しにくくな
り、その結果、最終基板のレジスト膜厚が厚くなり、全
ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することがで
きる。

【００８９】また、請求項１１の発明によれば、複数枚
の基板を同一の処理条件にて処理したとすると最終基板
の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が通常基板の主面
に形成されたレジスト膜の膜厚よりも厚くなる場合に
は、加熱処理部での最終基板についての加熱時間を通常
基板についての加熱時間よりも長くするため、加熱処理
部にて最終基板のレジストの溶媒成分が蒸発しやすくな
り、その結果、最終基板のレジスト膜厚が薄くなり、全
ての基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することがで
きる。

【００９０】また、請求項１２の発明によれば、複数枚
の基板を同一の処理条件にて処理したとすると、前記複
数枚の基板のうちの最終にレジスト塗布を行う最終基板
の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が前記複数枚の基
板のうちの前記最終基板以外の通常基板の主面に形成さ
れたレジスト膜の膜厚に対して変動する場合には、その
変動を補償するように最終基板の処理条件を変更するた
め、複数枚の基板を連続して処理したときにも、全ての
基板に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す平
面図である。

【図２】図１の基板処理装置の第１処理部群および第２
処理部群の構成を示す図である。

【図３】図１の基板処理装置の搬送ロボットの外観斜視
図である。

【図４】図１の基板処理装置における基板処理の手順の
一例を示す図である。

【図５】複数枚の基板のうちの最終以外の基板を冷却ユ
ニットに対して搬出入する様子を示す図である。

【図６】複数枚の基板のうちの最終の基板を冷却ユニッ
トに対して搬出入する様子を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ３１ａ，３１ｂ 搬送アーム ＡＨ 密着強化ユニット ＣＰ１〜ＣＰ６ 冷却ユニット ＣＲ コントローラ ＨＰ１〜ＨＰ１０ 加熱ユニット ＩＤ インデクサ ＩＦ インターフェイス ＰＧ１ 第１処理部群 ＰＧ２ 第２処理部群 ＳＣ１，ＳＣ２ 塗布処理ユニット ＴＲ 搬送ロボット Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６６ Ｆターム(参考） 2H025 AB08 AB16 AB17 EA05 EA10 5F031 CA02 CA04 MA02 MA26 MA30 PA04 PA30 5F046 CD01 CD05 CD06 DA29 HA01 JA13 JA16 JA22 KA01 KA07 KA10 LA18

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数枚の基板に順次にレジストを塗布し
   て各基板の主面にレジスト膜を形成する基板処理装置で
   あって、 基板の主面にレジストを供給し、基板を回転させること
   によってレジスト塗布を行うレジスト塗布処理部と、 基板に加熱処理を行って基板とレジストとの密着性を向
   上させる密着強化処理部と、 前記密着強化処理部にて加熱処理が行われた基板の冷却
   処理を行う冷却処理部と、 前記レジスト塗布処理部にてレジスト塗布が行われた基
   板の加熱処理を行う加熱処理部と、 前記複数枚の基板を順次に前記密着強化処理部、前記冷
   却処理部、前記レジスト塗布処理部、前記加熱処理部の
   順に搬送する搬送手段と、 前記複数枚の基板のうちの最終にレジスト塗布を行う最
   終基板については、当該最終基板の主面に形成されるレ
   ジスト膜の膜厚が、前記複数枚の基板のうちの前記最終
   基板以外の通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜
   厚と略同一となるように、処理条件を変更する処理条件
   変更手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も薄くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記冷
   却処理部での前記最終基板についての処理温度を前記通
   常基板についての処理温度よりも高くすることを特徴と
   する基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も厚くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記冷
   却処理部での前記最終基板についての処理温度を前記通
   常基板についての処理温度よりも低くすることを特徴と
   する基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も薄くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記レ
   ジスト塗布処理部での前記最終基板についての回転数を
   前記通常基板についての回転数よりも少なくすることを
   特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も厚くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記レ
   ジスト塗布処理部での前記最終基板についての回転数を
   前記通常基板についての回転数よりも多くすることを特
   徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も薄くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記加
   熱処理部での前記最終基板についての処理温度を前記通
   常基板についての処理温度よりも低くすることを特徴と
   する基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も厚くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記加
   熱処理部での前記最終基板についての処理温度を前記通
   常基板についての処理温度よりも高くすることを特徴と
   する基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も薄くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記レ
   ジスト塗布処理部での前記最終基板についての回転時間
   を前記通常基板についての回転時間よりも短くすること
   を特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
   と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
   前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
   も厚くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記レ
   ジスト塗布処理部での前記最終基板についての回転時間
   を前記通常基板についての回転時間よりも長くすること
   を特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項１記載の基板処理装置におい
    て、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
    と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
    前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
    も薄くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記加
    熱処理部での前記最終基板についての加熱時間を前記通
    常基板についての加熱時間よりも短くすることを特徴と
    する基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１記載の基板処理装置におい
    て、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
    と前記最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が
    前記通常基板の主面に形成されたレジスト膜の膜厚より
    も厚くなる場合には、前記処理条件変更手段は、前記加
    熱処理部での前記最終基板についての加熱時間を前記通
    常基板についての加熱時間よりも長くすることを特徴と
    する基板処理装置。
12. 【請求項１２】 複数枚の基板に順次にレジストを塗布
    して各基板の主面にレジスト膜を形成する基板処理装置
    であって、 前記複数枚の基板を同一の処理条件にて処理したとする
    と、前記複数枚の基板のうちの最終にレジスト塗布を行
    う最終基板の主面に形成されるレジスト膜の膜厚が前記
    複数枚の基板のうちの前記最終基板以外の通常基板の主
    面に形成されたレジスト膜の膜厚に対して変動する場合
    には、その変動を補償するように最終基板の処理条件を
    変更することを特徴とする基板処理装置。