JP2002208554A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JP2002208554A
JP2002208554A JP2001002515A JP2001002515A JP2002208554A JP 2002208554 A JP2002208554 A JP 2002208554A JP 2001002515 A JP2001002515 A JP 2001002515A JP 2001002515 A JP2001002515 A JP 2001002515A JP 2002208554 A JP2002208554 A JP 2002208554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
substrate
processing
temperature control
processing unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001002515A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunari Ueda
一成 上田
Yoichi Deguchi
洋一 出口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001002515A priority Critical patent/JP2002208554A/ja
Priority to US10/032,071 priority patent/US20020088544A1/en
Publication of JP2002208554A publication Critical patent/JP2002208554A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温調処理された後の基板が待ち時間を作るこ
となく、スループットを向上させることができ、しかも
基板毎の熱履歴を均一にできる基板処理装置を提供する
こと。 【解決手段】 カセットステーション４０における副搬
送体４４の移動方向に沿って、多段のうちの上段に加熱
処理系のユニット、及び下段に温調処理系のユニットを
含む各熱処理系ユニット群５１〜５６を１列に配置し、
加熱ユニットでの加熱処理後、温調ユニットでウエハＷ
を温調処理し、副搬送体４４により前記温調処理ユニッ
トからウエハＷを取り出すことにより、スループットを
向上させることができ、しかも温調ユニットからカセッ
トステーション４０へのウエハＷの搬送は一律に副搬送
体が行うため、基板毎の熱履歴が均一化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板上にレジスト液を塗布し、現像する塗布現像処理装
置等の基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造におけるフ
ォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ（以
下、「ウエハ」という。）等の基板はパターンの露光が
行われた後、加熱処理後に温調処理され、次いで現像処
理される。このような一連の処理には、従来から塗布現
像処理装置が使用されている。
【０００３】図９はこのような処理装置の従来例を示す
平面図であり、この塗布現像処理装置１００は、例えば
半導体ウエハ基板Ｗの外部とのアクセス部分として構成
されるカセットステーション１０と、塗布現像工程の中
で１枚ずつ半導体ウエハＷに所定の処理を施す処理ステ
ーション１１と、この処理ステーション１１と隣接して
設けられる露光装置３０との間でウエハＷを受け渡しす
るためのインターフェース部１２とを一体に接続して構
成される。カセットステーション１０は、ウエハＷを複
数枚収納できるウエハカセットＣＲと、このカセットＣ
Ｒと処理ステーション１１との間でウエハＷの受け渡し
を行う搬送体２１とを有している。処理ステーション１
１は、ウエハＷにレジストを塗布する２段構成の塗布ユ
ニット群１３と、露光後のウエハＷを現像する同じく２
段構成の現像ユニット群１４と、ウエハＷを加熱あるい
は温度調整する８段構成の各処理ユニット群１５、１
６、１７と、これら各ユニット群１３〜１７との間でウ
エハＷの受け渡しを行う主搬送体２２を有している。イ
ンターフェース部１２は、上下２段に配置された可搬性
のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセッ
トＢＲと、処理ステーション１１と露光装置との間で基
板の受け渡しを行う搬送体２３とを有している。
【０００４】このような塗布現像処理装置１００では、
ウエハＷは先ずカセットステーション１０から処理ステ
ーション１１へ搬送されてレジストの塗布処理等、所定
の各処理が行われ、処理ステーション１１からインター
フェース部１２を介して露光装置３０へ搬送されて露光
処理され、その後は逆の経路で露光装置３０からインタ
ーフェース部１２を介して処理ステーション１１へ搬送
されて所定の各処理が行われ、最後にカセットステーシ
ョン１０に戻される。
【０００５】例えば露光処理後には、処理ステーション
１１において現像ユニット１４での現像処理を終えた
後、処理ユニット群１５に属する加熱ユニットで加熱処
理され、続いてその処理ユニット群１５に属する温調ユ
ニットで温調されてからカセットステーション１０に戻
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理ユ
ニット群１５の多段のうちの１つに、搬送体２１が処理
ステーション１１にアクセスするための仲介部としてエ
クステンションユニットが設けられており、処理ユニッ
ト群１５において最後の温調処理を終えてカセットステ
ーション１０に戻される際、一旦エクステンションユニ
ットに搬送されてから搬送体２１により取出されるよう
になっているため、その待ち時間が無駄となっていた。
【０００７】また、例えば上記のように処理ユニット群
１５において加熱ユニットから温調ユニットへの基板の
搬送は、主として主搬送体２２が行うが、搬送体２１に
よっても行われる場合があり、主搬送体２２と搬送体２
１との温度は異なるため、この場合には、基板毎の熱履
歴に差が生じてしまうおそれがある。
【０００８】本発明は、以上のような事情に鑑みてなさ
れたもので、温調処理された後の基板が待ち時間を作る
ことなく、スループットを向上させることができ、しか
も基板毎の熱履歴を均一にできる基板処理装置を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、一方向に配列され、基板を所定の温度に
調整する複数の温調部と、前記複数の温調部の各々にそ
れぞれ近設され、基板に対して加熱処理を施す複数の加
熱部と、前記複数の温調部と前記複数の加熱部との間で
基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、前記複数の温
調部と前記複数の加熱部で処理された基板を収容する収
容部と、前記複数の温調部と前記収容部との間で基板の
受け渡しを行う第２の搬送手段と、を具備する。
【００１０】本発明は、基板を所定の温度に調整する複
数の温調部が一方向に配列された第１の処理部と、前記
複数の温調部の各々にそれぞれ近設され、基板に対して
加熱処理を施す複数の加熱部が一方向に配列された第２
の処理部と、基板に対し処理液を塗布する複数の塗布部
と、前記塗布された処理液を現像する複数の現像部とが
それぞれ一方向に配列された第３の処理部と、前記第１
の処理部と前記第２の処理部と前記第３の処理部との間
で基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、前記第１の
処理部、前記第２の処理部及び前記第３の処理部で処理
された基板を収容する収容部と、前記第１の処理部と前
記収容部との間で基板の受け渡しを行う第２の搬送手段
と、を具備する。
【００１１】このような構成によれば、第２の搬送手段
を介して温調部と収容部との間で直接基板の受け渡しが
行われるので、基板の温調処理か終了すると直ちに収容
部に送られることにより、待ち時間をなくしてスループ
ットを向上させることができる。
【００１２】また、加熱部から温調部への基板の搬送は
一律に第１の搬送体が行い、温調部から収容部への基板
の搬送は一律に第２の搬送体が行うため、基板毎の熱履
歴が均一化される。
【００１３】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することによりよ
り一層明らかになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
【００１５】図１〜図３は本発明の一実施形態に係る塗
布・現像処理を行う塗布現像処理装置の全体構成を示す
図であって、図１はその平面図、図２は図１における
［Ａ］−［Ａ］線方向断面図、図３は図１における
［Ｂ］−［Ｂ］線方向断面図である。
【００１６】図１を参照して、この塗布現像処理装置１
は、被処理基板として半導体ウエハＷをウエハカセット
ＣＲで複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬
入し又はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲ
に対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセッ
トステーション４０と、塗布現像工程の中で１枚ずつ半
導体ウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニ
ットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション４
１と、この処理ステーション４１と隣接して設けられ、
露光装置５０との間で半導体ウエハＷを受け渡しするた
めのインタフェース部４２とを一体に接続した構成を有
している。
【００１７】処理ステーション４１では、例えばカセッ
トステーション４０側から、複数の処理ユニットを上下
方向に多段配置してこれを図中Ｘ方向に３列に配列（処
理ユニット群５１、５２及び５３）した第１の組Ｇ１が
システム背面側に配設され、同様に正面側にも複数の処
理ユニットを上下方向に多段配置してこれをＸ方向に３
列に配列（ユニット群５４、５５及び５６）した第２の
組Ｇ２が配設されており、処理ステーション４１の略中
央には、例えば、ウエハＷにレジストを塗布する塗布ユ
ニット群５７と現像処理を行う現像ユニット群５８とが
連なってＸ方向に１列に配列されている。そして第１の
組Ｇ１と塗布ユニット群５７との間にはその間でウエハ
Ｗの受け渡しを行う第１の主搬送体４３ａが設けられ、
第２の組Ｇ２と現像ユニット群５８との間にはその間で
ウエハＷの受け渡しを行う第２の主搬送体４３ｂが設け
られている。（特許請求の範囲ではこれら第１及び第２
の主搬送体４３ａ及び４３ｂを第１の搬送手段として記
載している。）また、塗布ユニット群５７及び現像ユニ
ット群５８と、インターフェース部４２との間には、そ
の間でそれぞれウエハＷの受け渡しを行う第３の主搬送
体４３ｃ及び第４の主搬送体４３ｄが設けられている。
（特許請求の範囲ではこれら第３及び第４の主搬送体４
３ｃ及び４３ｄを第３の搬送手段として記載してい
る。） カセットステーション４０では、図１に示すように、カ
セット載置台４６上の突起４６ａの位置に複数個例えば
８個までのウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入
口を処理ステーション４１側に向けてＸ方向一列に載置
され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット
ＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ垂直方
向）に移動可能な副搬送体４４が各ウエハカセットＣＲ
に選択的にアクセスするようになっている。さらに、こ
の副搬送体４４は、θ方向に回転可能に構成されてい
る。（特許請求の範囲ではこの副搬送体４４を第２の搬
送手段として記載している。） インターフェース部４２では、奥行方向（Ｘ方向）につ
いては、前記処理ステーション４１と同じ寸法を有する
が、幅方向についてはより小さなサイズに設定されてい
る。そしてこのインターフェース部４２の正面部には、
可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッフ
ァカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺
露光装置２４と、熱処理系のユニットが多段に構成され
た第３の組Ｇ３と、中央部には副搬送体４５が設けられ
ている。第３の組Ｇ３には露光後現像前の加熱処理とし
てポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥ
Ｂ）が上方段に例えば３段配置され、この加熱処理後の
温調処理として温調ユニット（ＣＰＬ）が下方段に例え
ば３段配置されている。また、例えば当該ポストエクス
ポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）と温調ユニッ
ト（ＣＰＬ）との間には、第３及び第４の主搬送体４３
ｃ及び４３ｄと、副搬送体４５との間の受け渡しの際の
仲介として少なくとも１つの受け渡し部（図示せず）を
備えている。副搬送体４５は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動し
て両カセットＣＲ、ＢＲ、及びポストエクスポージャー
ベーキングユニット（ＰＥＢ）にアクセスするようにな
っており、θ方向にも回転自在となるように構成されて
いる。
【００１８】図２に示すように、第１の組Ｇ１及び第２
の組Ｇ２では、例えば各処理ユニットが上下方向に９段
積み重ねられている。これら処理ユニット群５１〜５６
では各処理ユニット同士の熱影響を考慮して、加熱処理
系のユニット、例えば、レジスト塗布後の加熱処理とし
てのプリベーキングユニット（ＰＡＢ）や、現像後の加
熱処理としてのポストベーキングユニット（ＰＯＢ）等
が上段側に配置され、これらの加熱処理後に基板を冷却
して所定の温度に調整するための温調処理系のユニッ
ト、例えば温調ユニット（ＣＰＬ）等は下段側に配置さ
れている。
【００１９】また、これら加熱処理系のユニットと温調
処理系のユニットとの間には、ウエハＷの位置合わせを
行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）や疎水化処理を
行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）等が介在してい
る。
【００２０】図３に示すように塗布ユニット群５７で
は、塗布ユニット（ＣＯＴ）が上下２段に重ねられて５
つ設けられており、現像ユニット群５８では現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）が上下２段に重ねられて６つ設けられてい
る。また、塗布ユニット群５７のうちの１つには、例え
ば、第１の主搬送体４３ａから第３の主搬送体４３ｃへ
の基板の受け渡しの際に仲介となる仲介ユニット６０が
設けられている。
【００２１】以上のように、熱処理系のユニット群５１
〜５６と、塗布系及び現像系のユニット群５７及び５８
との間の距離を従来よりも大きくしたことにより、塗布
処理及び現像処理の際、熱処理系のユニット群５１〜５
６の熱による悪影響を避けることができる。
【００２２】図４は各主搬送体４３ａ〜４３ｄを示す側
面図である。これら主搬送体４３ａ〜４３ｄは、基台６
１に内蔵された図示しないモータにより矢印６５の方向
に各々独立して並進移動する３本のアーム６２、６３及
び６４によってウエハＷは搬送されるようになってい
る。この３本のアームのうち、例えば上記温調ユニット
（ＣＰＬ）による温調処理後のウエハＷの搬送は下段ア
ーム６４のみで行い、加熱系の処理ユニットによる加熱
処理後の搬送は上段アーム６２又は中段アーム６３で行
うことにより、ウエハＷへの熱影響を最小限に抑えるこ
とができる。
【００２３】基台６１には回転ロッド６６が固定され、
この回転ロッド６６は駆動部６７の回転駆動によりθ方
向に回転可能に設けられている。更に駆動部６７は回転
ロッド６６を上下方向（Ｚ軸方向）に昇降可能に構成し
ている。また、この主搬送体４３ａ〜４３ｄは図１に示
すレール６８に沿ってＸ方向に移動可能に取り付けられ
ており、このＸ方向の移動機構としては図示しないが、
例えばベルト駆動によるものである。
【００２４】一方、副搬送体４４は上記主搬送体と同様
な駆動機構を有し、ウエハＷを搬送するアームは例えば
上下２段（図示せず）として構成されているが、３本あ
るいはそれ以上としてもよい。
【００２５】図５に例えば第１の組Ｇ１に属するプリベ
ーキングユニット（ＰＡＢ）の平面図を示す。ユニット
中央には加熱装置７０が配置され、この加熱装置７０
は、ウエハＷを所定の温度に加熱する熱板７１と、この
熱板７１中央付近に穿設された穴に挿通され、例えば第
１の主搬送体４３ａ、又は副搬送体４４との間でウエハ
Ｗの受け渡しをする際に仲介となる３本の昇降ピン７２
と、この昇降ピン７２を昇降させるモータ７３とから構
成される。また、この加熱装置７０は筐体７５に囲繞さ
れ、この筐体７５の両側面には外部とのウエハＷの搬出
入のための開口部７４が設けられている。
【００２６】なお、他の加熱系の処理ユニットであるポ
ストベーキングユニット（ＰＯＢ）等や、温調ユニット
（ＣＰＬ）については、その構成がプリベーキングユニ
ット（ＰＡＢ）と略同一である。また、温調ユニット
（ＣＰＬ）の温度調整は、例えばペルチェ素子を使用し
てＰＩＤ制御等の精密な温度制御を行っている。
【００２７】図６に塗布ユニット群５７に属する塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）の平面図を示す。ユニット中央付近に
環状のカップＣＰが配設され、その内側には図示しない
スピンチャックが配置されている。このスピンチャック
はウエハＷ受け渡しの際に昇降可能であり、また、真空
吸着によって半導体ウエハＷを固定保持した状態で、図
示しないモータの回転駆動力で回転するように構成され
ている。
【００２８】ウエハＷにレジストを吐出するためのノズ
ル８０は、カップＣＰの外側に配設されたノズル待機部
９０でノズルスキャンアーム８１の先端部に着脱可能に
取り付けられ、ウエハＷ中心上のレジスト液吐出位置ま
で移送されるようになっている。ノズルスキャンアーム
８１は、カップＣＰの外側で一方向（Ｙ方向）に敷設さ
れたガイドレール８２上で水平移動可能な垂直支持部材
８３の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向
駆動機構によって垂直支持部材８３と一体にＹ方向に移
動するようになっている。また、ノズルスキャンアーム
８１は、ノズル待機部９０でノズル８０を選択的に取り
付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動可能であ
り、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向にも移動
するようになっている。
【００２９】このレジスト液の塗布装置全体は筐体８４
で囲繞されており、この筐体８４の両側面には外部との
ウエハＷの搬出入のための開口部８５それぞれが設けら
れている。
【００３０】なお、現像ユニット（ＤＥＶ）の構成は、
塗布ユニット（ＣＯＴ）の構成と略同一であるのでその
説明を省略する。一方、仲介ユニットは、例えば３本の
昇降ピンとそれを昇降させる昇降駆動部からなる。また
図３に示すように、現像ユニット（ＤＥＶ）及び仲介ユ
ニット６０の筐体の両側面にも外部とのウエハＷの搬出
入のための開口部８５それぞれが設けられている。
【００３１】次に、図７に示すフローを参照しながらこ
の塗布現像処理装置１の一連の処理工程を説明する。
【００３２】先ずカセットステーション４０において、
副搬送体４４がカセット載置台４６上の処理前のウエハ
を収容しているカセットＣＲにアクセスして、そのカセ
ットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出し（ステッ
プ１）、第１の組Ｇ１に属するアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）に搬送される。この場合、ユニット群５１
〜５３のうちのいずれかの１つのアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）が任意に選択される。このアライメントユ
ニット（ＡＬＩＭ）にてウエハＷの位置合わせが行われ
た後（ステップ２）、第１の主搬送体４３ａによりアド
ヒージョンユニット（ＡＤ）へ搬送され疎水化処理が行
われる（ステップ３）。次いで、その疎水化処理が行わ
れたアドヒージョンユニット（ＡＤ）が属するユニット
群（５１〜５３のうちのいずれか）と同じユニット群に
属する温調ユニット（ＣＰＬ）にて所定温度、例えば２
３℃で温調処理が行われる（ステップ４）。このように
同一のユニット群内で加熱処理及び温調処理を行うこと
によりスループットを向上させることができる。そして
その後、レジスト液供給装置（ＣＯＴ）に搬送される。
【００３３】このレジスト液供給装置（ＣＯＴ）におい
ては、図６を参照して、第１の主搬送体４３ａの下段ア
ーム６４により保持されたウエハＷが開口部８５を通過
して、カップＣＰの直上位置まで搬送されるとスピンチ
ャックが上昇し、ウエハＷを真空吸着させた後に下降し
てウエハＷがカップＣＰ内の所定の位置に収まり、ノズ
ル８０がウエハＷ上の中心に位置するようにノズルスキ
ャンアーム８１のスキャン機構により移動する。そして
レジストがウエハＷ中心に供給され、ウエハＷが高速回
転することによりその遠心力でレジストがウエハＷ表面
全面に塗布される（ステップ５）。レジスト液の供給が
終了すると、次に第１の主搬送体４３ａの上段アーム６
２又は中段アーム６３によりプリベーキングユニット
（ＰＡＢ）に搬送される。
【００３４】プリベーキングユニット（ＰＡＢ）におい
ては、図５を参照して、アームにより保持されたウエハ
Ｗが開口部７４を通過して熱板７１の直上位置まで搬送
されると、昇降ピン７２が上昇しウエハＷを受け取り、
下降して熱板７１の上に載置される。そして所定温度、
例えば１００゜Ｃで所定時間だけ加熱される（ステップ
６）。これによって、半導体ウエハＷ上の塗布膜から残
存溶剤が蒸発除去される。この後、上記プリベーキング
ユニット（ＰＡＢ）に最も近い温調ユニット（ＣＰＬ）
に搬送され、所定温度、例えば２３℃で温調処理が行わ
れる（ステップ７）。
【００３５】続いて第１の主搬送体４３ａにより仲介ユ
ニット６０を介して第３の主搬送体４３ｃに受け渡さ
れ、次いで周辺露光装置２４に搬送され、ウエハＷはウ
エハＷのエッジ部に露光処理を受ける（ステップ８）。
そしてウエハＷは、ポストエクスポージャーベーキング
ユニット（ＰＥＢ）群に設けられた受け渡し部を介して
副搬送体４５に受け渡され、露光装置５０へ搬送されて
露光処理される（ステップ９）。
【００３６】露光処理が終了すると再び副搬送体４５か
らポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥ
Ｂ）に搬送され、所定温度で所定時間だけウエハＷは加
熱処理される（ステップ１０）。そしてこの第３の組Ｇ
３の下方段に設けられた温調ユニットで温調処理される
（ステップ１１）。ここでも同一のユニット群内で加熱
処理及び温調処理を行うことによりスループットを向上
させることができる。
【００３７】次いでウエハＷは第４の主搬送体４３ｄに
より、現像ユニット群５８に属する現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬送され現像処理される（ステップ１２）。
【００３８】この後ウエハＷは第２の組Ｇ２に属するポ
ストベーキングユニット（ＰＯＢ）に搬送されて、所定
温度例えば１００゜Ｃで所定時間だけ加熱される（ステ
ップ１３）。これによって、現像で膨潤したレジストが
硬化し、耐薬品性が向上する。
【００３９】図８に示すように、この加熱処理が行われ
たポストベーキングユニット（ＰＯＢ）が属するユニッ
ト群（５４〜５６のうちのいずれか）と同じユニット群
に属する温調ユニット（ＣＰＬ）に第２の主搬送体４３
ｂにより搬送され、所定温度例えば２３℃で温調処理が
行われる（ステップ１４）。ここでも同一のユニット群
内で加熱処理及び温調処理を行うことによりスループッ
トを向上させることができる。
【００４０】所定の温調処理が終了すると、ウエハＷは
副搬送体４４により温調ユニット（ＣＰＬ）から取り出
され、カセットステーション４０に戻される（ステップ
１５）。このように第２の組Ｇ２に属する温調ユニット
（ＣＰＬ）における温調処理が終了した後、直接副搬送
体４４によりカセットステーション４０へウエハＷが搬
送されるので、待ち時間をなくしてスループットを向上
させることができる。
【００４１】以上のように、カセットステーション４０
における副搬送体４４の移動方向に沿って、多段のうち
の上段に加熱処理系のユニット、及び下段に温調処理系
のユニットを含む各熱処理系ユニット群５１〜５６を１
列に配置し、加熱ユニットでの加熱処理後、温調ユニッ
トでウエハＷを温調処理し、副搬送体４４により前記温
調処理ユニットからウエハＷを取り出すことにより、ス
ループットを向上させることができる。
【００４２】また、加熱系の処理ユニットから温調ユニ
ット（ＣＰＬ）への基板の搬送は一律に第１及び第２の
主搬送体４３ａ及び４３ｂが行い、温調ユニット（ＣＰ
Ｌ）からカセットステーション４０への基板の搬送は一
律に副搬送体４４が行うため、基板毎の熱履歴が均一化
される。
【００４３】また、副搬送体４４により搬送されるウエ
ハＷの温度は必ず温調ユニット（ＣＰＬ）により一定の
温度に温調されているので、搬送するウエハＷの温度に
応じて副搬送体４４の２本のアームを使い分ける必要が
なく、どちらのアームを使用してもウエハＷの熱履歴を
同一とすることができる。またどちらでも使用できるの
でアームの制御が容易になる。
【００４４】また、露光処理前の処理経路と露光処理後
の処理経路とを分けて、各処理ユニット群ごとに主搬送
体を設けるようにしたので、熱履歴の管理を精密に行う
ことができる。
【００４５】なお、本発明は以上説明した実施形態には
限定されない。
【００４６】上記実施形態では、カセットステーション
４０における副搬送体４４は１つとしたが、これを２つ
として第１の組Ｇ１と第２の組Ｇ２とにそれぞれにアク
セスする構成としてもよい。
【００４７】また、塗布ユニット群５７のうちの１つ
に、露光時の基板からの反射を防止するための装置とし
て反射防止膜形成装置を設ける構成としてもよい。
【００４８】更に、上記実施形態では半導体ウエハ基板
を処理する塗布現像処理装置について説明したが、これ
に代えて液晶ディスプレイに使用するガラス基板を処理
する塗布現像処理装置についても本発明は適用可能であ
る。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の温調処理か終了すると基板は直ちにカセットステ
ーションに送られることにより、待ち時間をなくしてス
ループットを向上させることができる。
【００５０】また、加熱系ユニットから温調ユニットへ
の基板の搬送は一律に主搬送体が行い、温調ユニットか
らカセットステーションへの基板の搬送は一律に副搬送
体が行うため、基板毎の熱履歴が均一化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置の全体
構成を示す平面図である。
【図２】図１における［Ａ］−［Ａ］線方向断面図であ
る。
【図３】図１における［Ｂ］−［Ｂ］線方向断面図であ
る。
【図４】一実施形態による主搬送体の構成を示す側面図
である。
【図５】一実施形態による温調ユニットを示す平面図で
ある。
【図６】一実施形態による塗布ユニットの構成を示す平
面図である。
【図７】本発明に係る基板処理装置の全処理工程を示す
フロー図である。
【図８】処理ユニット群と、主搬送体及び副搬送体との
受け渡し工程を示す側面図である。
【図９】従来の基板処理装置の例を示す平面図である。
【符号の説明】
Ｗ…半導体ウエハ ＣＲ…ウエハカセット １…塗布現像処理装置 ４０...カセットステーション ４１...処理ステーション ４２…インターフェース部 ４３ａ〜４３ｄ…主搬送体 ４４…副搬送体 ４５…副搬送体 ５１〜５６…処理ユニット群 ５７…塗布ユニット群 ５８…現像ユニット群 ６０…仲介ユニット ７０…加熱装置 ７４…開口部 ７５…筐体 ８４…筐体 ８５…開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA25 CA12 DA01 FA01 GA21 GB00 JA02 JA03 5F046 AA21 AA28 CD01 CD05 KA04 KA07

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一方向に配列され、基板を所定の温度に
    調整する複数の温調部と、 前記複数の温調部の各々にそれぞれ近設され、基板に対
    して加熱処理を施す複数の加熱部と、 前記複数の温調部と前記複数の加熱部との間で基板の受
    け渡しを行う第１の搬送手段と、 前記複数の温調部と前記複数の加熱部で処理された基板
    を収容する収容部と、 前記複数の温調部と前記収容部との間で基板の受け渡し
    を行う第２の搬送手段と、 を具備することを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
    て、 前記複数の温調部をそれぞれ囲繞するとともに、前記第
    １の搬送手段と前記第２の搬送手段との間で基板の受け
    渡しを行うための開口部をそれぞれ有する第１の筐体
    と、 前記複数の加熱部をそれぞれ囲繞するとともに、少なく
    とも前記第１の搬送手段との間で基板の受け渡しを行う
    ための開口部をそれぞれ有する第２の筐体と、 を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の基板処理
    装置において、 前記複数の温調部は前記複数の加熱部の下方にそれぞれ
    配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか１
    項に記載の基板処理装置において、 前記第２の搬送手段は、前記複数の温調部と前記収容部
    との間に配置され、前記複数の温調部の配列方向に平行
    に移動可能であることを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項５】 基板を所定の温度に調整する複数の温調
    部が一方向に配列された第１の処理部と、 前記複数の温調部の各々にそれぞれ近設され、基板に対
    して加熱処理を施す複数の加熱部が一方向に配列された
    第２の処理部と、 基板に対し処理液を塗布する複数の塗布部と、前記塗布
    された処理液を現像する複数の現像部とがそれぞれ一方
    向に配列された第３の処理部と、 前記第１の処理部と前記第２の処理部と前記第３の処理
    部との間で基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、 前記第１の処理部、前記第２の処理部及び前記第３の処
    理部で処理された基板を収容する収容部と、 前記第１の処理部と前記収容部との間で基板の受け渡し
    を行う第２の搬送手段と、 を具備することを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置におい
    て、 前記複数の温調部をそれぞれ囲繞するとともに、前記第
    １の搬送手段と前記第２の搬送手段との間で基板の受け
    渡しを行うための開口部をそれぞれ有する第１の筐体
    と、 前記複数の加熱部をそれぞれ囲繞するとともに、少なく
    とも前記第１の搬送手段との間で基板の受け渡しを行う
    ための開口部をそれぞれ有する第２の筐体と、 前記複数の塗布部及び前記複数の現像部をそれぞれ囲繞
    するとともに、少なくとも前記第１の搬送手段との間で
    基板の受け渡しを行うための開口部をそれぞれ有する第
    ３の筐体と、 を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  7. 【請求項７】 請求項５又は請求項６に記載の基板処理
    装置において、 前記第１の処理部は前記第２の処理部の下方に配置さ
    れ、 前記第１の搬送手段は、前記第１の処理部及び前記第２
    の処理部と、前記第３の処理部との間に配置され、 前記第２の搬送手段は前記第１の処理部と前記収容部と
    の間に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  8. 【請求項８】 請求項５から請求項７のうちいずれか１
    項に記載の基板処理装置において、 前記第１の処理部及び前記第２の処理部の配列方向と、
    前記第３の処理部の配列方向と、前記第２の搬送手段の
    移動方向とが同一であることを特徴とする基板処理装
    置。
  9. 【請求項９】 請求項５から請求項８のうちいずれか１
    項に記載の基板処理装置において、 前記第１の搬送手段とは別に、前記第３の処理部に対し
    て基板の搬送を行う第３の搬送手段と、 前記第３の搬送手段と、前記塗布部における塗布処理の
    後に基板に対して露光処理する露光装置との間に設けら
    れ、前記第３の搬送手段と前記露光装置との間で基板の
    受け渡しを行うインターフェース部と、 を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の基板処理装置におい
    て、 前記第１の搬送手段と前記第３の搬送手段との間に前記
    第３の処理部が配置され、前記第３の処理部には、基板
    が前記第１の搬送手段から前記第３の搬送手段へ受け渡
    される際、又は前記第３の搬送手段から前記第１の搬送
    手段へ受け渡される際の少なくとも１つの仲介部を含む
    ことを特徴とする基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記第１の処理部、前記第２の処理部及び前記第３の処
    理部は、それぞれ露光処理前に行う処理部と、露光処理
    後に行う処理部とにそれぞれ分割されていることを特徴
    とする基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記第１の搬送手段及び前記第３の搬送手段はそれぞれ
    少なくとも２つ備えられ、これらの搬送手段が、それぞ
    れ前記分割された処理部に対応して基板の搬送を行うこ
    とを特徴とする基板処理装置。
JP2001002515A 2001-01-10 2001-01-10 基板処理装置 Pending JP2002208554A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001002515A JP2002208554A (ja) 2001-01-10 2001-01-10 基板処理装置
US10/032,071 US20020088544A1 (en) 2001-01-10 2001-12-31 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001002515A JP2002208554A (ja) 2001-01-10 2001-01-10 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002208554A true JP2002208554A (ja) 2002-07-26

Family

ID=18871005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001002515A Pending JP2002208554A (ja) 2001-01-10 2001-01-10 基板処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20020088544A1 (ja)
JP (1) JP2002208554A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014187273A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Sokudo Co Ltd 基板処理装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
CN103365100B (zh) * 2012-03-30 2015-07-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻工艺分配系统及分配方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014187273A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
KR20140116782A (ko) * 2013-03-25 2014-10-06 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 기판 처리 장치
US10109513B2 (en) 2013-03-25 2018-10-23 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus
KR101951490B1 (ko) 2013-03-25 2019-02-22 가부시키가이샤 스크린 세미컨덕터 솔루션즈 기판 처리 장치
US11004706B2 (en) 2013-03-25 2021-05-11 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20020088544A1 (en) 2002-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101515247B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH1074818A (ja) 処理装置
JP3566475B2 (ja) 処理装置
US6851872B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP0843343B1 (en) Processing system
JPH10144599A (ja) 回転処理装置およびその洗浄方法
JPH1079343A (ja) 処理方法及び塗布現像処理システム
US6293713B1 (en) Substrate processing apparatus
JP3811103B2 (ja) 熱的処理装置および熱的処理方法
JP3914690B2 (ja) 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム
US20030205196A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4665037B2 (ja) 基板処理システム
JP3479613B2 (ja) 現像処理方法および現像処理装置
KR100637952B1 (ko) 도포막 형성방법 및 도포장치
JP2002208554A (ja) 基板処理装置
KR101452543B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP2000114152A (ja) 基板処理装置
JP3629380B2 (ja) 塗布処理システムおよび塗布処理方法
JP3340945B2 (ja) 塗布現像処理装置
JP3668681B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001168167A (ja) 処理システム及び処理方法
JP2000077507A (ja) 基板の支持装置
JP3602970B2 (ja) 処理装置
JP2926593B2 (ja) 基板処理装置及びレジスト処理装置及び基板処理方法及びレジスト処理方法
JP3639150B2 (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040827

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060418

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060905