KR100787067B1 - 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

구리 도금되는 웨이퍼(W)의 연부 근처에 연부 제거기(119)가 마련된다. 상기 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측에 마련된 제1 노즐(120)로부터 웨이퍼(W)의 연부로 과산화수소수가 공급된다. 이와 동시에, 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측에 마련된 제2 노즐(121)로부터 웨이퍼(W) 연부에 희석된 불화수소산이 공급된다.

Description

처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법{PROCESSING APPARATUS, PROCESSING SYSTEM AND PROCESSING METHOD}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 도금 장치를 나타내는 3차원 사시도이고,
도 2는 제1 실시예에 따른 도금 장치의 구조를 나타내는 평면도이고,
도 3은 제1 실시예에 따른 도금 장치의 구조를 나타내는 측면도이고,
도 4는 제1 실시예에 따른 처리 장치의 구조를 나타내는 도면이고,
도 5a는 웨이퍼 유지 부재의 측면도이고,
도 5b는 그 정면도이고,
도 6은 연부 제거기의 배치를 나타내는 도면이고,
도 7은 웨이퍼 연부 세척 방법을 설명하는 도면이고,
도 8은 웨이퍼 연부 세척 방법을 설명하는 도면이고,
도 9는 웨이퍼 연부를 세척할 때의 처리 장치의 구조를 나타내는 도면이고,
도 10은 변형례에 따른 다른 연부 제거기를 나타내는 도면이고,
도 11은 제2 실시예에 따른 처리 장치의 구조를 나타내는 도면이고,
도 12는 회전 테이블의 배치를 나타내는 도면이고,
도 13은 웨이퍼 연부 세척 방법을 설명하는 도면이고,
도 14는 차단 부재의 변형례를 나타내는 도면이고,
도 15는 차단 부재의 변형례를 나타내는 도면이고,
도 16은 제3 실시예에 따른 처리 장치의 구조를 나타내는 도면이고,
도 17은 배면 세척 노즐의 구조를 나타내는 도면이고,
도 18a는 웨이퍼 연부 세척 방법을 설명하는 도면이고,
도 18b는 연부를 나타내는 확대도이고,
도 19는 웨이퍼 연부 세척 방법을 설명하는 도면이고,
도 20은 세척 순서를 설명하는 시간 차트이고,
도 21은 웨이퍼 연부 세척 방법을 설명하는 도면이고,
도 22는 배면 세척 노즐의 또 다른 구성의 예를 나타내는 도면이다.
본 발명은 기판 연부의 박막을 제거하도록 기판에서 연부를 처리하는 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법에 관한 것이다.
전자 소자 제조 프로세스에는, 예컨대 반도체 웨이퍼에 레지스트 필름, 금속 필름 등을 형성하는 단계와 같은, 반도체 웨이퍼와 같은 기판에 박막을 형성하는 단계가 포함된다. 레지스트 필름은 레지스트 코팅에 의해 형성되고 금속 박막은 도금(plating)에 의해 형성된다. 그렇게 형성된 박막을 갖춘 기판은 에칭 등과 같은 다른 처리를 받게 된다.
레지스트 코팅 또는 도금을 하는 기판과 관련하여, 기판의 연부에 박막이 또한 형성된다. 몇 가지 경우에, 연부의 박막은 벗겨져서 기판을 이동시키는 중에 이동 기구와 접촉하여 흩어지고, 흩어진 박막은 기판에 달라붙어 결함이 있는 제품을 만들어내게 된다.
특히, 배선층으로서 구리 박막을 형성하는 구리 도금 단계에서는, 구리가 실리콘에 큰 영향을 미치므로, 박막이 기판의 소자 영역에 달라붙는 경우에 소자의 특성은 매우 열화된다. 따라서, 기판 연부의 박막은 수율의 저하를 초래한다.
수율을 높이기 위하여, 기판 연부로부터 레지스트 필름을 제거하는 방법으로서, 레지스트 필름을 제거하도록 연부의 레지스트 박막을 용해하기 위하여, 형성된 레지스트 필름을 갖춘 기판 연부에 처리 용액(레지스트 용매)을 공급하는 방법이 알려져 있다. 예컨대, 일본 공개 특허 공보 소63-190679 및 일본 공개 특허 공보 평4-206626호에는 용매 공급 노즐을 갖춘 연부 세척 부재를 포함하는 제거 장치가 기재되어 있다. 또한, 일본 공개 특허 공보 소64-61917 및 일본 특허 제2948055호에는 용매 공급 노즐과 배출 용액 흡입 도관을 갖춘 연부 세척 부재를 포함하는 제거 장치가 기재되어 있다.
또한, 일본 공개 특허 공보 평11-40557에는 표면 측에 용매를 공급함으로써 연부의 글라스 박막을 용해하여 제거하도록 용매를 공급하는 장치가 기재되어 있다.
전술한 방법들에 따른 목표물은 레지스트 필름 또는 글라스 필름인 반면, 도금에 의해 형성된 박막은 금속으로 만들어진다. 도금된 박막을 제거하기 위해서는, 산, 알칼리 등에 의한 화학적 처리가 필요하며, 단지 처리 용액에 박막을 용해하는 방법은 도금된 박막의 제거에는 쉽게 적용될 수 없다. 따라서, 통상적으로 기판 연부에 형성된 도금 박막을 효과적으로 제거할 수 있는 방법은 없다.
전술한 문제를 고려하여, 본 발명의 목적은 기판 연부를 효과적으로 처리할 수 있는 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 기판 연부를 효과적으로 처리할 수 있는 반도체 기판 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면, 목표물(W)을 유지하여 회전시키는 유지 부재(107); 상기 유지 부재(107)가 상기 목표물(W)을 유지하여 회전시키는 상태에서 상기 목표물(W)의 일 표면의 연부에 제1 처리 용액을 공급하는 제1 노즐(120); 상기 제1 노즐(120)이 상기 제1 처리 용액을 공급하는 상기 목표물(W)의 일 표면의 연부에 제2 처리 용액을 공급하는 제2 노즐(121); 및 상기 목표물(W)의 연부 근처에 마련되어 상기 제1 처리 용액과 상기 제2 처리 용액의 배출되는 용액을 흡입하는 흡입 노즐(122)을 포함하는 처리 장치가 마련된다.
본 발명의 이들 목적 및 그 밖의 목적 및 장점은 이하의 상세한 설명과 첨부 도면을 통하여 더욱 명백하게 된다.
제1 실시예
이하, 첨부 도면을 참조하여 제1 실시예의 처리 장치를 설명한다. 제1 실시 에의 처리 장치는 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라 한다)에 도금을 하는 도금 장치의 일부를 구성한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 도금 장치(11)를 나타내는 도면으로, 도 1은 3차원 사시도이고, 도 2는 평면도이고, 도 3은 측면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 도금 장치(11)는 카세트 스테이션(21)과 처리 스테이션(22)으로 이루어져 있다.
카세트 스테이션(21)에는 카세트 테이블(23)과 제1 이송 기구(24)가 구비되어 있다. 도금 장치(11)와 외측 영역 사이에서 웨이퍼의 적재/해제는 카세트 스테이션(21)을 통하여 이루어진다. 카세트 스테이션(21)에서는 복수 개의 웨이퍼를 담고 있는 각각의 카세트(25)에 대해 적재/해제가 이루어진다.
카세트 테이블(23)에는 복수 개의 웨이퍼 카세트(25), 예를 들어 4개의 웨이퍼 카세트(25)가 X축 방향으로 장착될 수 있다. 카세트 테이블(23)에는 도금하려는 웨이퍼를 담은 웨이퍼 카세트(25a)와 도금 처리된 웨이퍼를 담은 웨이퍼 카세트(25b)가 장착되어 있다.
제1 이송 기구(24)는 X축 방향으로 이동 가능하여 카세트 테이블(23)상의 모든 웨이퍼 카세트(25)를 취할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 제1 이송 기구(24)는 Z축 둘레로 회전 가능하고, 이로써 카세트 스테이션(21)과 처리 스테이션(22) 사이에서 웨이퍼의 배급이 이루어질 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 이송 기구(24)는 도금하려는 웨이퍼를 카세트 테이블(23)에 장착된 웨이퍼 스테이션(25)으로부터 처리 스테이션(22)으로 적재하고, 도금 처리된 웨이퍼를 카세트 테이블(23)상의 웨이 퍼 카세트(25b)로 운반한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 처리 스테이션(22)에는 중앙에 제2 이송 기구(26)가 구비되어 있고, 복수 쌍의 처리 유닛(G1 내지 G2)이 다중 단 방식(multi-stage manner)으로 제2 이송 기구(26)의 둘레에 마련되어 있다. 웨이퍼 테이블(27)도 역시 카세트 스테이션(21)과 처리 스테이션(22) 사이에 마련되어 있다.
도 3을 참조하면, 제1 쌍(G1)과 제2 쌍(G2) 각각은 하부 도금 유닛(28)과 상부 세척 유닛(29)으로 구성되어 있다. 반면, 제3 쌍(G3)과 제4 쌍(G4) 각각은 하부 도금 유닛(28)과 상부 여분 유닛(30)으로 구성되어 있다. 따라서, 도금 장치(11)에는 하부 스테이지의 4개의 도금 유닛(28)과 상부 스테이지의 2개의 세척 유닛(29) 및 2개의 여분 유닛(30)이 포함된다.
도금 유닛(28)은, 예컨대 웨이퍼에 구리(Cu) 박막을 형성하도록 웨이퍼를 도금한다. 도금 장치(11)에 적재된 웨이퍼 상에는 스퍼터링(sputtering)에 의해 이미 구리 시드층(seed layer)이 형성되어 있고, 도금 유닛(28)은 시드층에 구리 박막을 형성한다.
세척 유닛(29)은 도금 처리된 웨이퍼를 화학적으로 순수한 물 등의 세척 용액으로 세척한다. 더욱 상세하게는, 세척 유닛(29)은 화학적 용액으로 웨이퍼의 배면 상에 달라붙은 구리와 연부를 제거하고, 순수한 물로 웨이퍼 전체를 세척한다. 세척 후에 웨이퍼는 건조를 위하여 질소(N2) 추기(purge of nitrogen)하에 고속으로 회전된다.
여분 유닛(30)은, 예컨대 도금 후에 어닐링(annealing)을 수행하는 어닐링 유닛과 같이, 도금 유닛(28) 및 세척 유닛(29)과 함께 쌍을 이룰 수 있는 그 밖의 처리 유닛에 관련된 것이다. 선택적으로, 하나의 여분 유닛(30)이 도금 유닛(28)으로 이용될 수 있고, 나머지는 세척 유닛(29)으로 이용될 수 있다.
제2 이송 기구(26)는 처리 스테이션(22)에 복수 단 방식으로 마련되는 각각의 처리 유닛(28 내지 30)에 접근할 수 있는 방식으로 Z축 방향으로 상승 및 하강할 수 있고 Z축 둘레로 회전할 수 있다.
제2 이송 기구(26)는 처리 스테이션(22)에서의 웨이퍼의 배급을 수행한다. 웨이퍼 테이블(27)상에는 카세트 스테이션(21)으로부터 운반되는 웨이퍼가 제1 이송 기구(24)에 의해 장착된다. 제2 이송 기구(26)는 웨이퍼 테이블(27)에 장착된 웨이퍼를 받아 이것을 도금 유닛(28)으로 이송한다. 제2 이송 기구(26)는 도금 처리된 웨이퍼를 세척 유닛(29)으로도 이송한다.
제2 이송 기구(26)는 세척된 웨이퍼를 웨이퍼 테이블(27)로 보내고, 제1 이송 기구(24)는 이것을 받아 웨이퍼 카세트(25a)에 저장한다. 제1 이송 기구(24)는 웨이퍼 테이블(27)을 거치는 일이 없이 세척 유닛(29)으로부터 바로 웨이퍼를 받을 수도 있다.
제2 이송 기구(26)에는 예를 들어 3개의 암(arm)이 갖추어져 있다. 3개의 암 중에서 하나는 웨이퍼 테이블(27)로부터 도금 유닛(28)으로 웨이퍼를 이송하는 데 사용될 수 있고, 다른 것은 도금 유닛(28)으로부터 세척 유닛(29)으로 웨이퍼를 이송하는 데 사용될 수 있으며, 다른 것은 세척 유닛(29)으로부터 웨이퍼 테이블(27)로 웨이퍼를 이송하는 데 사용될 수 있다. 이로써 제2 이송 기구(26)가 웨이퍼를 이송하는 경우에 입자(구리 박막), 화학 용액 등에 의해 유발되는 오염을 최소로 할 수 있다.
카세트 스테이션(21)과 처리 스테이션(22)의 상부에는 공기 공급 장치가 마련되어 있고, 각 스테이션의 내부는 청결한 공기의 하강류에 의해 청결하게 유지된다.
이하, 세척 유닛(29)을 구성하는 처리 장치(세척 장치)를 설명한다. 도 4는 제1 실시예의 세척 장치(100)의 구조를 설명하는 것이다.
세척 장치(100)는 제어기(101)에 의해 제어된다. 제어기(101)는 산술 처리 유닛과 처리 프로그램을 저장하는 ROM으로 구성되어, 세척 장치(100)의 모든 동작을 제어한다. 제어기(101)가 도금 장치(11) 전체를 제어할 수도 있다. 전체가 쉽게 이해되도록 제어기(101)의 동작과 관련한 설명은 생략한다.
세척 장치(100)에는 사각 하우징(102)이 갖추어져 있다. 하우징(102)에는 출입구(103)가 갖추어져 있다. 출입구(103)에는 출입 밸브(gate valve, 104)가 갖추어져 있다. 하우징(102) 내부의 중앙에는 상면이 개방된 실질적인 원통형의 컵(105)이 마련되어 있다.
컵(105)의 중앙 부분에는 축(106)이 마련되어 있다. 축(106)은 모터에 의해 상하로 움직이고 회전할 수 있다. 축(106)의 상부에는 회전 테이블(107)이 마련되어 있다. 회전 테이블(107)상에는 제2 이송 기구(26)에 의해 운반되는 웨이퍼가 장착된다.
회전 테이블(107)에는 웨이퍼(W)를 유지하는 복수 개의 유지 부재(108)가 마 련되어 있다. 유지 부재(108)의 구조는 도 5a 및 도 5b에 도시되어 있다. 도 5a와 도 5b는 각각 유지 부재(108)의 측면도와 정면도를 나타내고 있다. 도 5a와 도 5b에 도시된 바와 같이, 상측의 유지부(109)와 하측의 추 영역(110)은 일체로 형성되어 있다. 유지부(109)에는 그 상단에 단(109a)이 마련되어, 웨이퍼(W)가 이 단(109a)에 의해 유지된다. 유지부(109)는 회전 중심(112)에서 지지 부재(111)에 연결되어 있다. 유지 부재(108)는 회전 중심(112) 둘레에서 회전할 수 있다. 추 영역(110)의 무게는 유지부(109)의 무게보다 무겁게 설정되어, 추 영역(110)은 유지 부재(108)의 연직추(plumb bob)로서 기능한다.
회전 테이블(107)은 세척 동작 시간에 회전 축(106)의 회전에 따라 회전하지만, 웨이퍼(W)는 회전 중에 안정되게 유지되어야 한다. 이러한 이유로, 유지 부재(108)는 웨이퍼(W)의 연부가 유지부(109)의 단(109a) 뿐만 아니라 추 영역(110)에 작용하는 원심력에 의해서도 유지되는 방식으로 구성되어 있다.
즉, 회전이 일어나지 않는 상태에서 웨이퍼(W)는 유지 부재(108)에 장착되어 유지부(109)에 의해 유지되어 있다. 다음에, 회전 테이블(107)이 회전하는 경우, 추 영역(110)은 이에 작용하는 원심력에 의해 외측으로 더 움직이게 되어 있다. 그 결과, 유지 부재(108)의 유지부(109)는 회전 테이블(107)의 중앙으로 압박되어 웨이퍼(W)가 확고하게 유지된다.
도 4로 돌아가면, 부양기(113)가 축(106)의 내부로 관통하도록 마련되어 있다. 부양판(114)은 부양기(113)의 상부에 고정되어 있다. 부양판(114)의 내부에는 중공부(中空部), 그 표면에 중공부과 연결되는 복수 개의 구멍(114a)이 마련되 어 있다. 중공부는 부양기(113)의 내부를 관통하는 파이프(115)와 연통되어 있다. 파이프(115)는 펌프에 연결되어 있다. 부양판(114)에 장착된 웨이퍼(W)는 펌프의 흡입에 의해 빨아들여져 부양판(114)에 고착된다.
부양기(113)는 모터에 의해 상하로 움직이고 회전할 수 있다. 부양기(113)는 웨이퍼(W)의 적재/해제 시에 웨이퍼(W) 아래에 배치된다. 또한, 웨이퍼(W)의 세척 시에 부양기(113)는 부양판(114)이 웨이퍼(W)와 접촉할 때까지 상향 이동한다. 부양판(114)과 접촉한 웨이퍼(W)는 전술한 바와 같이 빨아들여져 부양판(114)에 고정된다.
부양판(114)의 중공부를 관통하는 파이프(115)도 순수한 물 또는 질소(N2) 가스의 욕조에 연결되어, 그 내부로 순수한 물 또는 질소 가스가 흐르도록 구성되어 있다. 순수한 물 또는 질소 가스는 부양판(114)의 표면에 형성된 복수 개의 구멍(114a)으로부터 상향 공급된다.
축(106)과 부양기(113) 사이의 공간에 가스 채널(116)이 형성되어, 질소 가스와 같은 불활성 가스가 그 안에서 순환한다. 가스 채널(116)에서 흐르는 불활성 가스는 회전 테이블(107)의 표면을 따라 회전 테이블(107)의 연부로 보내진다.
불활성 가스는 부양기(113)의 회전 중에 회전 테이블(107)의 중앙으로부터 연부 방향으로 흐르고, 회전 테이블(107)의 연부, 즉 웨이퍼(W)의 연부 근처에 있는 부분으로부터 위쪽으로 뿜어진다. 이러한 이유로, 웨이퍼(W)의 배면에 입자 등이 달라붙는 것을 방지할 수 있다.
컵(105)의 아래에는 펌프에 연결된 배기 구멍(117)이 마련되어, 세척 용액과 같은 폐기 용액을 함유한 배기 가스가 그리로 흐른다.
회전 테이블(107)의 상부에는 주세척 노즐(118)과 연부 제거기(119)가 마련되어 있다. 주세척 노즐(118)은 순수한 물 또는 질소 가스의 욕조에 연결되어, 순수한 물 또는 질소 가스가 주세척 노즐(118)로부터 웨이퍼(W)의 표면으로 공급될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 2개의 연부 제거기(119)가 웨이퍼(W) 연부 근처에서 서로 대향하게 마련되어 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 연부 제거기(119)에는 U자형 부분이 갖추어져, 이 U자형 부분에 웨이퍼(W)의 단부를 사이에 끼우게 구성되어 있다. 다음에, 웨이퍼(W)의 주표면과 마주보는 U자형 부분의 표면에는 제1 노즐(120)과 제2 노즐(121)이 매립되어 있다. 또한, 연부 제거기(119)의 U자형 부분의 중앙 부분에는 흡입 구멍(122)이 마련되어 있고, 이 흡입 구멍(122)은 펌프 등에 연결되어 흡입을 하며, 폐기 용액 저장고에 연결되어 있다.
제1 노즐(120)은 과산화수소수(aqueous hydrogen peroxide, H2O2)가 저장된 제1 탱크(123)에 연결되어, 과산화수소수가 웨이퍼(W)의 연부에 공급될 수 있다. 제2 노즐(121)은 희석된 불화수소산(hydrofluoric acid)이 저장된 제2 탱크(124)에 연결되어 있다. 제2 노즐(121)로부터 배출되는 화학 용액으로서, 염산, 황산 등의 무기산 또는 불화수소산 이외의 유기산과 같은 산이 이용될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에는 구리 시드층(L1)과 여기에 형성된 구리 배선층(L2)이 존재한다. 제거기(119)는 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(121)로부터 각각 과산화수소수와 희석된 불화수소산을 회전하는 웨이퍼(W)의 연부로 배출하여, 이들 화학제가 웨이퍼(W)의 연부에서 혼합되어 웨이퍼(W)의 연부를 세척(구리 박막을 제거)하게 한다.
세척 시에, 용해된 박막 및 반응하지 않은 화학 용액은 흡입 구멍(122)에 흡입되어 폐기 용액 저장고로 흐른다. 따라서, 용해된 박막 및 반응하지 않은 화학 용액이 웨이퍼(W)의 소자 영역에 흩어지는 것이 방지된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제1 노즐(120)은 웨이퍼(W)의 회전 방향에 대해 제2 노즐(121)의 상류에 배치되어 있다. 웨이퍼(W) 연부의 세척(에칭)은 과산화수소수 및 희석된 불화수소산의 혼합물과 구리의 화학적 반응을 이용하여 이루어진다. 다음에, 웨이퍼(W)의 회전 방향 상류에서는 제1 노즐(120)로부터 구리에 대해 활성이 낮은 과산화수소수가 배출된다. 웨이퍼(W) 연부를 과산화수소수가 덮고 있는 상태에서, 불화수소산 용액이 공급된다. 이로써 시드층(L1)과 배선층(L2)의 과도한 에칭을 방지하면서, 예를 들어 대략 2 ㎜의 원하는 세척 폭으로 웨이퍼(W) 연부의 에칭이 이루어질 수 있게 된다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 노즐(120)은 제2 노즐(121)보다 웨이퍼(W)의 회전 중심에 더 가깝게 마련되어 있다. 이로써, 제1 노즐(120)로부터 배출되는 과산화수소수가 웨이퍼(W)의 회전에 의해 유발되는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 원심 방향으로 흐르는 경우에도, 과산화수소수의 흐름에 희석된 불화수소산 용액이 공급될 수 있게 된다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주표면에 대한 제1 노즐(120)과 제2 노즐(121)의 분사각(θ)은 원하는 세척 폭을 얻도록 0 내지 90°이다. 특 히, 분사각(θ)이 작은 경우에 화학 용액 등이 웨이퍼(W)의 소자 영역에 흩어지는 것이 방지될 수 있다.
제1 실시예에 따른 처리 장치(세척 장치, 100)의 주요부는 전술한 바와 같이 구성되어 있다. 이하에서는 세척 순서를 설명한다.
먼저, 제1 이송 기구(24)는 웨이퍼 카세트(25a)로부터 도금 장치(11)로 웨이퍼(W)를 적재하여 웨이퍼 테이블(27)에 장착한다. 제2 이송 기구(26)는 웨이퍼 테이블(27)로부터 도금 유닛(28)으로 웨이퍼를 적재한다. 제2 이송 기구(26)는 도금 유닛(28)으로부터 도금 처리된 웨이퍼(W)를 해제하여 이것을 세척 유닛(29)으로 보낸다.
도금된 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 제2 이송 기구(26)는 출입구(103)로부터 진입하여 회전 테이블(107) 위의 위치로 진행한다. 이 상태에서, 축(106)이 작동하여 회전 테이블(107)이 상승한다. 여기서, 제2 이송 기구(26)는 회전 테이블(107)에 웨이퍼(W)를 장착하고, 웨이퍼(W)는 유지 부재(108)에 의해 유지된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 도금된 표면이 아래쪽을 향한 상태로 그 위에 장착된다.
이후에, 축(106)은 최저 위치로 하강하고, 그 결과 회전 테이블(107) 전체는 컵(105)에 수용된다. 이 상태에서, 부양기(113)가 상승하고, 웨이퍼(W)는 부양판(114)에 장착된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 부양판(114)의 표면에 형성된 구멍(114a)을 통하여 부양판(114)에 흡착되어 고정된다. 이 상태에서 부양기(113)는 회전하기 시작한다.
이후에, 제2 이송 기구(26)는 세척 유닛(29)의 외측으로 이동하고, 부양판(114)은 더 상승하여 웨이퍼(W)가 주어진 높이에 유지된다. 이 상태에서는, 도 9에 도시된 바와 같이 연부 제거기(119)가 웨이퍼(W)의 연부에 가까운 위치로 이동한다. 다음에, 전술한 바와 같이, 연부 제거기(119)의 제1 노즐(120)로부터 과산화수소수가 방출되고 제2 노즐(121)로부터 희석된 불화수소산이 방출되어, 웨이퍼(W)의 연부가 세척(에칭)된다.
웨이퍼(W) 연부의 세척이 종료된 후에, 부양기(113)의 회전이 정지되고, 연부 제거기(119)가 이동하여 웨이퍼(W)의 둘레로부터 분리된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 부양판(114)으로의 흡착이 해제된다. 이후에, 부양기(113)는 최저 위치로 하강한다. 부양기(113)가 아래로 움직이면, 부양기(113)에 장착된 웨이퍼(W)는 회전 테이블(107)의 유지 부재(108)에 의해 유지된다.
이 때, 회전 테이블(107)은 회전 상태에 있지 아니하므로, 유지 부재(108)의 유지부(109)는 전술한 바와 같이 실질적으로 수직으로 유지되고, 그 결과, 회전 테이블(107)은 웨이퍼(W)의 단부를 압박하는 동작을 수행하지 않는다. 이러한 이유로, 유지 부재(108)에 의해 유지된 웨이퍼(W)는 단순하게 장착된 것이며, 부양기(113)에 의해 수직의 상향력이 가해지면 쉽게 부양될 수 있다.
다음에, 웨이퍼(W)가 그 상면이 세척되도록 장착된 회전 테이블(107)이 회전함에 따라, 웨이퍼(W)의 상부에 마련된 주세척 노즐(118)로부터 순수한 물이 공급된다. 이 때, 회전 테이블(107)의 회전으로 인하여 유지 부재(108)가 웨이퍼(W)에 반경 방향 내측으로 압박하는 힘을 가하게 되고, 그 결과 웨이퍼(W)는 회전 테이블(107)에 확고하게 고정된다.
웨이퍼(W) 상면의 세척이 종료한 후에, 부양기(113)를 관통하는 파이프(115)에 세척 용액(화학 용액)이 공급된다. 세척 용액은 부양판(114)의 복수 개의 구멍(114a)을 통하여 웨이퍼(W)의 하면에 공급되어 웨이퍼(W)의 하면을 세척한다. 여기서, 하면의 세척은 상면의 세척과 동시에 이루어질 수도 있다.
웨이퍼(W) 하면의 세척 종료 후에, 세척 용액의 공급이 정지된다. 다음에, 회전 테이블(107)이 고속으로 회전하여 주세척 노즐(118)이 부양판(114)의 복수 개의 구멍(114a)으로부터 질소 가스를 추기함에 따라 웨이퍼(W)의 건조가 수행된다. 건조의 종료 후에, 회전 테이블(107)의 회전이 정지되고, 부양기(113)가 상승하여 세척된 웨이퍼(W)를 주어진 위치로 부양한다. 웨이퍼(W)는 제2 이송 기구(26)에 의해 세척 유닛(29)의 외측 영역으로 해제된다.
제2 이송 기구(26)는 세척된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 테이블(27)에 장착한다. 제1 이송 기구(24)는 도금 장치(11)의 내부로부터 웨이퍼 테이블(27)상의 웨이퍼를 해제하여, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 카세트(23b)에 저장한다. 이 시점에서 도금 장치(11)를 이용한 처리는 종료한다.
전술한 제1 실시예에 따르면, 연부 제거기(119)에는 제1 노즐(120)과 제2 노즐(121)이 웨이퍼(W)의 도금된 표면 측에만 마련된다. 그러나, 도 10에 도시된 바와 같이, 유사한 노즐이 하면에도 마련되어 웨이퍼(W) 연부의 양면에 화학 용액을 공급할 수 있다. 이로써, 도금에 의해 웨이퍼(W) 하면에 형성된 구리 박막을 제거할 수 있게 된다. 이와 관련하여, 도금된 표면이 아래를 향한 상태에서 세척 처리가 이루어질 수 있다.
제1 실시예는 연부 제거기(119)에 2개의 노즐(120, 121)이 구비되고, 화학 용액은 각각의 노즐에서 별개로 방출되어 웨이퍼(W)에서 혼합되었다. 그러나, 화학 용액의 혼합물이 하나의 노즐로부터 배출될 수도 있다. 이 경우, 예컨대 불화수소산:과산화수소:순수한 물 = 1:1:23인 혼합물이 이용될 수 있다.
제1 실시예의 처리 장치(100)는 2곳에 연부 제거기(119)가 갖추어진 구성을 취하고 있다. 그러나, 3곳 이상의 위치에 연부 제거기(119)를 갖춘 구성도 가능하다.
웨이퍼(W)의 회전 후에 고정된 연부 제거기(119)로 세척 처리를 수행하는 대신에, 세척 처리를 수행하도록 기판이 고정된 상태에서 연부 제거기(119)가 회전하는 구성도 가능하다.
제2 실시예
이하, 첨부 도면을 참조하여 제2 실시예의 처리 장치를 설명한다. 제2 실시에의 처리 장치는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼에 도금을 하는 도금 장치의 일부를 구성한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 도금 장치(11)를 나타내는 도면으로, 도 1은 3차원 사시도이고, 도 2는 평면도이고, 도 3은 측면도이다.
이하, 세척 유닛(29)을 구성하는 처리 장치(세척 장치)를 설명한다. 도 11은 제2 실시예의 세척 장치(200)의 구성을 나타내고 있다.
세척 장치(200)는 제어기(201)에 의해 제어된다. 제어기(201)는 산술 처리 유닛과 처리 프로그램을 저장하는 ROM으로 구성되어, 세척 장치(200)의 모든 동작 을 제어한다. 제어기(201)가 도금 장치(11) 전체를 제어할 수도 있다. 전체가 쉽게 이해되도록 제어기(201)의 동작과 관련한 설명은 생략한다.
세척 장치(200)에는 사각 하우징(202)이 갖추어져 있다. 하우징(202)에는 양측에 출입구(203)가 갖추어져 있다. 각 출입구(103)에는 출입 밸브(204)가 갖추어져 있다. 하우징(202) 내부의 중앙에는 상면이 개방된 실질적인 원통형의 컵(205)이 마련되어 있다. 컵(205)은 모터와 같은 컵 구동 기구(206)에 의해 상하로 이동 가능하다.
컵(205)의 하부에는 펌프에 연결된 배출 구멍(207)이 마련되어, 세척 용액과 같은 폐기 용액을 함유한 배기 가스가 그리로 흘러간다.
하우징(202)의 중앙 부분에는 회전자(208)가 마련되어 있다. 회전자(208)는 중공 모터(209)의 구동에 의해 정해진 회전수로 회전한다. 회전자(208)는 제1 축(210)에 고정되어 있다. 회전 테이블(211)은 제1 축(210)에 고정되어 있다.
회전자(208)의 제1 축(210)의 내부에는 제2 축(212)이 마련되어 있다. 제2 축(212)의 내부에는 파이프(213)가 마련되어 있다. 파이프(213)는 질소 가스와 순수한 물의 탱크에 연결되어, 질소 가스와 순수한 물이 교번하여 흐르게 된다. 배면 세척 노즐(214)도 제2 축(212)에 고정되어 있다.
도 12는 배면 세척 노즐(214)의 평면을 나타내고 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 배면 세척 노즐(214)에는 4개의 로드 부재(215)가 구비되어 있는데, 이들은 십자 형태로 서로 교차하고, 각각의 로드 부재(215)는 제2 축(212)에 고정된 중심부로부터 회전 테이블(211)의 연부로 연장되어 있다. 로드 부재(215)의 내부는 중공이고, 제2 축(212)의 내부를 관통하는 파이프(213)와 연통되어 있다. 순수한 물이 파이프(213)를 통하여 배면 세척 노즐(214)의 로드 부재(215)의 상부에 형성된 구멍(215a)으로부터 위쪽으로 공급된다.
도 5에 도시된 제1 실시예의 것과 같은 동일한 유지 부재(108)가 실질적으로 120°각도의 규칙적인 간격으로 회전 테이블(211)의 연부에 각각 부착되어 있다. 웨이퍼는 도금된 면이 아래로 향한 상태에서 회전 테이블(211)에 장착되어 유지 부재(108)에 의해 유지된다. 유지 부재(108)에 장착된 웨이퍼(W)는 회전 테이블(211)이 회전할 때의 원심력에 의해 확고하게 고정된다.
축(210)과 제2 축(212) 사이의 공간에 가스 채널(216)이 형성되어, 질소 가스와 같은 불활성 가스가 그 안으로 흐른다. 불활성 가스는 회전 테이블(211)의 표면을 따라 회전 테이블(211)의 연부로 흐르고, 회전 테이블(211)의 연부, 즉 웨이퍼(W)의 연부 근처의 부분으로부터 위쪽으로 불어나간다. 이러한 이유로, 입자 등이 웨이퍼(W) 배면에 들러붙는 것을 방지할 수 있다.
회전 테이블(211)의 상부에는 주세척 노즐(217)이 마련되어 있다. 주세척 노즐(217)은 세척 용액 탱크와 연결되어, 세척 용액 탱크에 저장된 세척용 화학 용액을 소정 유량으로 웨이퍼(W) 표면으로 방출한다. 여기서, 세척 용액 탱크에 저장된 세척 용액은, 예를 들어 희석된 불화수소산 및 과산화수소수의 혼합물과 같은 불화수소산, 염산, 황산 같은 무기산 또는 유기산과 과산화수소수(H2O2)의 혼합물이다. 희석된 불화수소산 및 과산화수소수는 각각 상이한 탱크로부터 공급되어 주세척 노즐(217) 직전에 혼합될 수 있다.
주세척 노즐(217)은 그 상단이 웨이퍼(W) 중앙의 상부에 달하도록 이동할 수 있는 한편, 회전 테이블(211)에 웨이퍼(W)가 장착되어 있지 않은 경우에 제2 이송 기구(26)에 의한 웨이퍼(W)의 이송이 방지된다.
제2 축(212)에는 저지 부재(218)가 갖추어져 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 저지 부재(218)에는 제2 축(212)에 고정된 4개의 판 부재로 구성되는 지지부(219)와 이 지지부(219)의 단부에 연결되는 실질적으로 환형의 판 부재로 형성되는 저지판(220)이 갖추어져 있다. 저지판(220)의 반경은 실질적으로 웨이퍼의 반경과 동일하고, 저지판(220)은 웨이퍼(W)가 회전 테이블(211)에 장착되어 있는 경우에 웨이퍼(W) 연부의 근처에 배치된다. 여기서, 저지 부재(218)는 세척 용액, 즉 희석된 산과 과산화수소수에 내성이 있는 수지로 만들어진다.
도 13에 도시된 바와 같이, 세척 시에 웨이퍼(W)는 도금된 면이 아래를 향하는 상태로 회전판에 장착된다. 웨이퍼(W)의 도금된 면에는 그 위에 형성된 구리 시드층(L1)과 구리 배선층(L2)이 존재한다. 웨이퍼(W)의 배면과 연부의 세척(에칭)은 웨이퍼(W) 위에 배치된 주세척 노즐(217)로부터 세척용 화학 용액을 배출함으로써 수행된다.
저지판(220)은 웨이퍼(W)의 연부에 가깝게 배치되고 웨이퍼(W)의 평면에 실질적으로 평행하다. 이 상태에서 웨이퍼(W)와 저지 부재(218) 사이의 간극은 매우 좁고, 세척 용액은 웨이퍼(W)의 중심에 대해 반대 방향으로 보내진다. 이는 주세척 노즐(217)로부터 공급되어 웨이퍼(W)의 하면에 도달하는 세척 용액이 웨이퍼(W)와 저지 부재(218) 사이의 간극으로 조금만 도달한다는 것을 의미한다. 따라서, 세척 용액이 웨이퍼(W)의 소자 영역으로 흩어지는 것이 방지되도록 웨이퍼(W)의 연부만의 세척(에칭)이 선택적으로 이루어질 수 있다.
저지판(220) 외단의 웨이퍼(W) 단부에 대한 수평 거리의 차이는 세척되는 폭(Δ)이다. 저지 부재(218)의 배치는 높은 정확도로, 예를 들어 2 ㎜ 정도의 원하는 폭으로 세척 폭(Δ)을 조절할 수 있다.
제2 실시예에 따른 처리 장치(세척 장치, 200)의 주요부는 전술한 바와 같이 구성된다. 이하, 세척 순서를 설명한다.
먼저, 제1 이송 기구(24)는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 카세트(25a)로부터 도금 장치(11)로 적재하여 웨이퍼(W)를 웨이퍼 테이블(27)에 장착한다. 제2 이송 기구(26)는 웨이퍼 테이블(27)상의 웨이퍼를 도금 유닛(28)에 적재한다. 제2 이송 기구(26)는 도금 유닛(28)으로부터 도금 처리된 웨이퍼(W)를 해제하여 이것을 세척 유닛(29)으로 보낸다.
도금된 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 제2 이송 기구(26)는 출입구(203)로부터 진입하여 회전 테이블(211) 위의 위치로 전진한다. 제2 이송 기구(26)는 회전 테이블(211)에 웨이퍼(W)를 장착하고, 웨이퍼(W)는 유지 부재(108)에 유지된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 그 도금된 면이 아래쪽을 향한 상태로 그 위에 장착된다. 이 후에, 제2 이송 기구(26)는 세척 유닛(29)의 외부로 이동한다. 이 때, 최저 위치에 있던 컵(205) 이 최고 위치(205')로 상승한다.
컵(205)의 상승 후에, 중공 모터(209)에 의해 회전자가 회전하고, 회전자(208)의 회전에 따라 회전 테이블(211)이 회전한다. 이 때, 웨이퍼(W)는 유 지 부재(108)에 의해 확고하게 고정된 상태로 회전한다.
회전 테이블(211)의 회전수가 소정의 값에 도달하거나 또는 그 진행 중에, 배면 세척 노즐(214)은 웨이퍼(W) 중심의 상부로 이동한다. 이 후, 배면 세척 노즐(214)로부터 웨이퍼(W)의 하면으로 순수한 물이 공급되고, 연이어서 주세척 노즐(217)로부터 세척 용액이 공급된다. 이로써 배면(도금된 면의 반대면)과 연부가 세척된다.
이 후, 회전 테이블(211)의 회전수가 소정의 값으로 상승한다. 이 때, 세척 용액과 순수한 물의 공급이 중단되고, 최저 위치에 배치된 배면 세척 노즐(214)과 주세척 노즐(217)의 구멍(215a)으로부터 질소 가스가 공급된다. 웨이퍼(W)는 소정 시간 동안 이 상태로 유지된 후, 웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료한다.
건조 처리 후에, 회전 테이블(211)의 회전이 정지된다. 이 때, 원심력을 이용한 유지 부재(108)에 의한 웨이퍼(W)의 고정이 해제된다. 이 후, 컵(205)은 최저 위치로 하강한다. 웨이퍼(W)는 제2 이송 기구(26)에 의해 세척 유닛(29)의 외측 영역으로 해제된다.
제2 이송 기구(26)는 세척된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 테이블(27)에 장착한다. 제1 이송 기구(24)는 웨이퍼 테이블(27)에 장착된 웨이퍼를 도금 장치(11)의 내부로부터 해제하여 웨이퍼 카세트(23b)에 수용한다. 이 시점에서 도금 장치(11)를 이용한 처리가 종료한다.
제2 실시예에서는, 주세척 노즐(217)로부터 공급되어 하면에 도달하는 세척 용액은 저지 부재(218)를 이용하여 저지된다. 그러나, 액체 및 가스와 같은 유체 를 이용하여 유사한 효과를 얻는 구조가 가능하다.
도 14는 웨이퍼(W)의 하면에 도달하는 세척 용액이 유체에 의해 저지되는 구조를 도시하고 있다. 도 14에 도시된 세척 장치(200)에는 저지 부재(218)의 위치에 웨이퍼(W) 하면에 도달하는 세척 용액을 저지하기 위한 부노즐(221)이 갖추어져 있다. 부노즐(221)은 제2 축(212)에 고정되어 있다.
부노즐(221)은 주표면에 대해 예각으로 웨이퍼(W)의 연부를 향하여 있다. 부노즐(221)로부터 질소와 같은 불활성 가스 또는 순수한 물이 분출된다. 도 14에 도시된 바와 같은 부노즐(221)로부터 분출되는 유체에 의해, 주세척 노즐(217)로부터 공급되는 세척 용액이 웨이퍼(W)의 뒷면에 도달하는 것이 물리적으로 저지될 수 있게 된다. 웨이퍼(W) 연부의 세척 폭은 부노즐(221)로부터의 순수한 물 또는 불활성 가스의 공급량, 분사 각도 등에 의해 높은 정확도로 조절될 수 있다.
부노즐(221)을 갖춘 구조에 따르면, 웨이퍼(W)는 도금된 면이 아래를 향하도록 배치될 수 있다. 하나의 예가 도 15에 도시되어 있다.
도 15의 구조에 따르면, 연부 세척 노즐(222)과 부노즐(221)이 마련되는데, 연부 세척 노즐은 웨이퍼(W)의 배면(하면)으로부터 웨이퍼(W) 연부에 세척 용액을 공급하며, 부노즐은 유체를 웨이퍼(W)의 도금된 면(상면) 연부로 분출한다.
웨이퍼(W) 연부의 세척 동작 중에, 질소 가스, 순수한 물과 같은 유체가 부노즐(221)로부터 웨이퍼(W) 연부로 분출된 후, 연부 세척 노즐(222)로부터 세척 용액이 그리로 공급된다. 연부 세척 노즐(222)로부터 공급되어 웨이퍼(W)의 도금된 면 측에 도달하는 세척 용액은 유체에 의해 저지되어, 웨이퍼(W) 연부의 선택적인 세척이 수행될 수 있다. 부노즐(221)과 연부 세척 노즐(222)의 수는 1개 이상일수 있다.
제3 실시예
이하, 첨부 도면을 참조하여 제3 실시예의 처리 장치를 설명한다. 제3 실시에의 처리 장치는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼에 도금을 하는 도금 장치의 일부를 구성한다.
세척 장치(300)는 제어기(301)에 의해 제어된다. 제어기(301)는 산술 처리 유닛과 처리 프로그램을 저장하는 ROM으로 구성되어, 세척 장치(300)의 모든 동작을 제어한다. 제어기(301)가 도금 장치(11) 전체를 제어할 수도 있다. 전체가 쉽게 이해되도록 제어기(301)의 동작과 관련한 설명은 생략한다.
세척 장치(300)에는 사각 하우징(302)이 갖추어져 있다. 하우징(302)에는 출입구(303)가 갖추어져 있다. 출입구(303)에는 출입 밸브(304)가 갖추어져 있다. 하우징(302) 내부의 중앙에는 상면이 개방된 실질적인 원통형의 컵(305)이 마련되어 있다. 컵(305)은 모터와 같은 컵 구동 기구(306)에 의해 상하로 이동 가능하다.
컵(305)의 하부에는 펌프에 연결된 배출 구멍(307)이 마련되어, 세척 용액과 같은 폐기 용액을 함유한 배기 가스가 그리로 흘러간다.
하우징(302)의 중앙 부분에는 회전자(308)가 마련되어 있다. 회전자(308)는 중공 모터(309)의 구동에 의해 소정의 회전수로 회전한다. 회전자(308)는 제1 축(310)에 고정되어 있다. 회전 테이블(311)은 제1 축(310)에 고정되어 있다.
회전자(308)의 제1 축(310)의 내부에는 제2 축(312)이 마련되어 있다. 제2 축(312)의 내부에는 파이프(313)가 마련되어 있다. 파이프(313)는 질소 가스와 순수한 물의 탱크에 연결되어, 질소 가스와 순수한 물이 교번하여 흐르게 된다. 배면 세척 노즐(314)도 제2 축(312)에 고정되어 있다.
도 17은 배면 세척 노즐(314)의 평면을 나타내고 있다. 도 17에 도시된 바와 같이, 배면 세척 노즐(314)에는 4개의 로드 부재(315)가 구비되어 있는데, 이들은 십자 형태로 서로 교차하고, 각각의 로드 부재(315)는 제2 축(312)에 고정된 중심부로부터 회전 테이블(311)의 연부로 연장되어 있다. 로드 부재(315)의 내부는 중공이고, 제2 축(312)의 내부를 관통하는 파이프(313)와 연통되어 있다. 순수한 물이 파이프(313)를 통하여 배면 세척 노즐(314)의 로드 부재(315)의 상부에 형성된 구멍(315a)으로부터 위쪽으로 공급된다.
도 5에 도시된 제1 실시예의 것과 같은 동일한 유지 부재(108)가 실질적으로 120°각도의 규칙적인 간격으로 회전 테이블(311)의 연부에 각각 부착되어 있다. 웨이퍼는 도금된 면이 아래로 향한 상태에서 회전 테이블(311)에 장착되어 유지 부재(108)에 의해 유지된다. 유지 부재(108)에 장착된 웨이퍼(W)는 회전 테이블(311)이 회전할 때의 원심력에 의해 확고하게 고정된다. 유지 부재(108)의 수는 4개 이상일 수 있다.
축(310)과 제2 축(312) 사이의 공간에 가스 채널(316)이 형성되고, 질소 가스와 같은 불활성 가스가 그 안으로 흐른다. 불활성 가스는 회전 테이블(311)의 표면을 따라 회전 테이블(311)의 연부로 흐르고, 회전 테이블(311)의 연부, 즉 웨 이퍼(W)의 연부 근처의 부분으로부터 위쪽으로 불어나간다. 이러한 이유로, 입자 등이 웨이퍼(W) 배면에 들러붙은 것을 방지할 수 있다.
회전 테이블(311)의 상부에는 주세척 노즐(317)과 연부 세척 노즐(318)이 마련되어 있다.
주세척 노즐(317)은 순수한 물 탱크와 불활성 가스 탱크에 각각 연결되어 있다. 주세척 노즐(317)로부터 웨이퍼(W)의 표면으로, 예를 들어 질소 가스와 같은 불활성 가스 및 순수한 물이 공급된다. 주세척 노즐(317)은 이동 가능하고, 웨이퍼(W)가 회전 테이블(311)에 장착되는 경우에 노즐의 상단이 웨이퍼(W)의 중앙 상부에 도달하도록 설계되어 있다.
연부 세척 노즐(318)은 세척 용액 탱크 및 불활성 가스 탱크와 가변 방식으로 연결되어 있다. 연부 세척 노즐(318)로부터, 질소 가스와 같은 불활성 가스 및 세척 용액이 웨이퍼(W)의 표면으로 교호로 공급된다. 여기서 세척 용액으로서, 예를 들어 희석 비율이 염화수소산:H2O2:H2O = 1:1:23인 불화수소산과 과산화수소수의 혼합물과 같이, 예를 들어 불화수소산, 염산, 황산과 같은 무기산 또는 유기산과 같은 산성 화학 용액과 과산화수소수(H2O2)의 혼합물을 사용할 수 있다. 희석된 불화수소산과 과산화수소수는 각각 상이한 탱크로부터 공급되어 주세척 노즐(317)의 직전에 혼합될 수 있다.
연부 세척 노즐(318)은 이동 가능하고, 노즐의 상단은 웨이퍼(W)의 연부를 향할 수 있으며, 웨이퍼(W)가 회전 테이블(311)에 장착된 경우에 제2 이송 기구(26)에 의한 웨이퍼(W)의 이송이 방해받지 않는다.
처리 장치(30)가 세척 동작을 하는 상태는 도 18a 내지 도 18b에 개략적으로 도시되어 있다. 도 18a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W) 연부의 표면에는 그 위에 형성된 구리 시드층(L1)과 구리 배선층(L2)이 존재한다. 주세척 노즐(317)로부터 순수한 물이 웨이퍼(W)의 전 표면에 공급된 상태에서, 연부 세척 노즐(318)은 세척 용액을 웨이퍼(W) 연부에 분사하여 웨이퍼(W) 연부의 세척(에칭)을 수행한다.
연부 세척 노즐(318)은 이동 가능하고, 웨이퍼(W) 단부로부터 예컨대 2 ㎝ 이격되고 웨이퍼(W)의 표면 위로 1 ㎝ 이격된 위치에 배치되어 있다. 연부 세척 노즐(318)은 도 18b에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 주표면에 대해, 예컨대 30°의 예각으로 마련되어 있다.
연부 세척 노즐(318)은 전술한 바와 같이 배치되어 있고, 세척 용액은 웨이퍼(W) 연부로 분사된다. 이로써 주세척 노즐(317)로부터 순수한 물을 공급하여 웨이퍼(W)의 중심 방향으로 세척 용액과 용해된 박막이 흩어지는 것을 방지하면서 웨이퍼(W)의 연부를 효과적으로 세척할 수 있게 된다.
또한, 도 19에 도시된 바와 같이, 연부 세척 노즐(318)은, 웨이퍼(W)의 회전 방향에 대해, 예컨대 45°인 0° 내지 90°의 각도로 배치되어 있다. 이는 웨이퍼(W)의 회전으로 인하여 웨이퍼(W) 연부로의 세척 용액의 공급 압력을 증대시켜 주며, 효과적인 세척(박막의 제거)을 달성시켜 준다. 따라서, 연부 세척 노즐(318)의 배치는, 예를 들어 2 ㎜ 정도의 정확한 폭으로 웨이퍼(W) 연부의 세척을 가능하게 해준다.
연부 세척 노즐(318)의 배치는 전술한 예에 한정되지 아니하며, 다양한 변경이 가능하다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주표면에 대한 연부 세척 노즐(318)의 각도와 웨이퍼(W)의 회전 방향에 대한 각도는 웨이퍼(W)의 원하는 세척 폭을 얻도록 최적화된다. 또한, 주세척 노즐(317)로부터의 순수한 물의 공급률과 연부 세척 노즐(318)로부터의 세척 용액의 공급률은 조절 가능하고, 연부 세척 노즐(318)의 배치는 공급률에 기초하여 원하는 세척 폭을 얻도록 설정된다. 연부 세척 노즐(318)의 수는 1개 이상이다.
제3 실시예에 따른 처리 장치(세척 장치, 300)의 주요부는 전술한 바와 같이 구성된다. 이하, 세척 순서를 설명한다.
먼저, 제1 이송 기구(24)는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 카세트(25a)로부터 도금 장치(11)로 적재하여 웨이퍼(W)를 웨이퍼 테이블(27)에 장착한다. 제2 이송 기구(26)는 웨이퍼 테이블(27)상의 웨이퍼를 도금 유닛(28)에 적재한다. 제2 이송 기구(26)는 도금 유닛(28)으로부터 도금 처리된 웨이퍼(W)를 해제하여 이것을 세척 유닛(29)으로 보낸다.
도금된 웨이퍼(W)를 유지하고 있는 제2 이송 기구(26)는 출입구(303)로부터 진입하여 회전 테이블(311) 위의 위치로 전진한다. 제2 이송 기구(26)는 회전 테이블(311)에 웨이퍼(W)를 장착하고, 웨이퍼(W)는 유지 부재(108)에 유지된다. 이 때, 웨이퍼(W)는 그 도금된 면이 위쪽을 향한 상태로 그 위에 장착된다. 이 후에, 제2 이송 기구(26)는 세척 유닛(29)의 외부로 이동한다. 이 때, 최저 위치에 있던 컵(305) 이 최고 위치(305')로 상승한다.
컵(305)의 상승 후에, 중공 모터(309)에 의해 회전자가 회전하고, 회전자(308)의 회전에 따라 회전 테이블(311)이 회전한다. 이 때, 웨이퍼(W)는 유지 부재(108)에 의해 확고하게 고정된 상태로 회전한다.
회전 테이블(311)의 회전수가 소정 값(예컨대, 200 내지 300 rpm)에 도달한 후에, 웨이퍼(W) 배면 및 연부가 세척된다(단계 Ⅰ). 웨이퍼(W) 배면과 연부 세척의 경우에, 먼저 주세척 노즐(317)로부터 순수한 물이 공급된다. 연속하여, 순수한 물이 웨이퍼(W) 전체 배면에 충분히 공급된 후, 연부 세척 노즐(318)로부터 웨이퍼(W) 연부로 세척 용액이 공급된다. 연부의 세척은 소정 시간(약 30 초)간 수행된다. 소정 시간 후에, 연부 세척 노즐(318)로부터의 세척 용액의 공급이 정지되고, 연속하여 주세척 노즐(317)로부터의 순수한 물의 공급이 정지된다.
여기서, 이하 설명하는 바와 같이 상기 단계 Ⅰ에는 단계 Ⅱ가 포함되어 있다. 단계 Ⅱ에서는 웨이퍼(W)의 연부의 전체가 세척되어, 유지 부재(108)에 의해 유지되어 충분히 세척되지 아니한 부분도 세척된다.
단계 Ⅱ에서는 웨이퍼(W) 연부가 소정 시간 동안 세척된 후에, 회전 테이블(311)의 회전수가 ω1으로부터 ω2로 감소한다. 도 21에 도시된 바와 같이, 회전수의 돌연한 감소로 유지 부재(108)의 유지부(109)의 웨이퍼(W)에 대한 가압력이 감소한다. 또한, 유지 부재(108)에 의해 유지되는 웨이퍼(W)의 유지부(320)는 웨이퍼(W)의 회전 방향과 반대 방향의 위치(321)로 이동한다. 이후에, 회전 테이블(311)의 회전수는 웨이퍼(W)를 고정하도록 ω1로 복귀된다. 이로써 유지 부재(108)에 의해 유지된 부분을 포함하여 웨이퍼를 세척할 수 있게 된다.
단계 Ⅰ 이후에, 웨이퍼(W)의 양면은 순수한 물로 세척된다(단계 Ⅲ). 순수한 물로 웨이퍼(W)를 세척하는 것은 주세척 노즐(317)과 배면 세척 노즐(314)의 구멍(315a)으로부터 순수한 물을 공급한 후에 소정 시간(약 40초)간 수행된다.
단계 Ⅲ 이후에, 웨이퍼(W)의 원심 탈수 건조가 수행된다(단계 Ⅳ). 단계 Ⅳ에서, 회전 테이블(311)의 회전수는 소정의 회전수(2000 내지 3000 rpm)까지 증대될 수 있다. 이와 동시에, 예컨대 질소 가스와 같은 불활성 가스가 웨이퍼(W) 위에 배치된 주세척 노즐(317) 및 웨이퍼(W) 아래에 배치된 배면 세척 노즐(314)로부터 예정된 시간(약 10초)간 공급된다.
단계 Ⅳ 이후에, 회전 테이블(311)의 회전이 정지된다. 이 때, 원심력을 이용한 유지 부재(108)에 의한 웨이퍼(W)의 고정이 해제된다. 이후에, 컵(305)은 최저 위치로 하향 이동한다. 웨이퍼(W)는 제2 이송 기구(26)에 의해 세척 유닛(29)의 외부 영역으로 해제된다.
제2 이송 기구(26)는 웨이퍼 테이블(27)에 세척된 웨이퍼(W)를 장착한다. 제1 이송 기구(24)는 도금 장치(11)의 내부로부터 웨이퍼 테이블(27)에 배치된 웨이퍼(W)를 해제하여 웨이퍼 카세트(23b)에 저장한다. 이 시점에서 도금 장치(11)를 이용한 처리가 종료한다.
제3 실시예에서는, 배면 세척 노즐(314)의 구조를 변경함으로써 기판의 세척을 더욱 효과적으로 수행할 수 있게 된다.
도 22에 도시된 바와 같이, 제3 실시예의 배면 세척 노즐(314)에는 4개의 로드 부재(315)가 구비되어 있는데, 이 부재들은 중심 부분으로부터 반경 방향 외측 으로 연장되어 있다. 다음에, 배면 세척 노즐(314)은 로드 부재(315)의 위쪽에 형성된 몇 개의 구멍(315a)으로부터 웨이퍼(W)의 배면에 세척 용액과 순수한 물을 공급한다. 하나의 구멍(315a)은 로드 부재(315)의 중심에 마련되어 있고, 3개의 구멍은 중심으로부터 규칙적인 간격으로 마련되어 있다. 모든 구멍(315a)의 직경은 동일하다.
그러나, 웨이퍼(W)는 원형이므로, 웨이퍼(W)의 중심과 단부는 면적당 세척 용액의 공급량이 서로 상이하다. 예를 들어, 웨이퍼(W)의 표면을 그 중심으로부터의 거리에 따라 반경비가 1:2:3인 중심 영역(A), 중간 영역(B) 및 단부 영역(C)으로 분할하는 것을 상정한다. 이 경우에, 영역 A, B 및 C 사이의 면적비는 중심 영역(A): 중간 영역(B): 단부 영역(C) = 1:3:5이다. 각각의 영역은 면적당 세척 용액 공급량이 서로 상이하다.
웨이퍼(W) 표면에서의 세척 용액 공급량의 차이는 구멍(315a)의 직경을 변화시킴으로써 조절할 수 있다. 각 영역의 구멍(315a)의 수는 1개로 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼(W)의 표면을 3개의 영역(A, B, C)으로 분할하는 경우에, 구멍(315a)의 총면적의 비가 중심 영역(A): 중간 영역(B): 단부 영역(C) = 1:3:5가 되도록 조절한다. 이로써 웨이퍼(W)의 각 영역(A, B, C)에 공급되는 세척 용액의 양을 균등화할 수 있게 된다.
또한, 웨이퍼(W)가 회전하므로, 공급되는 용액의 양은 웨이퍼(W) 표면의 영역에서 다르게 된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 회전 각속도에 대해 구멍의 직경을 변화시킴으로써 조절이 이루어질 수 있다. 각 영역에서의 구멍(315a)의 수는 1개 에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 전술한 바와 마찬가지로, 웨이퍼(W) 표면을 3개의 영역 A, B 및 C로 분할하는 경우에, 용액 공급의 조절은 구멍의 총 면적의 비가 중심 영역(A): 중간 영역(B): 단부 영역(C) = 1:2:3이 되도록 하는데, 그 이유는 각 영역(A, B, C)에서의 각속도의 비가 중심 영역(A): 중간 영역(B): 단부 영역(C) = 1:2:3이기 때문이다. 이로써 웨이퍼(W) 총표면에서 용액 공급당 세척 면적의 균등화가 가능하게 된다.
실제로, 원형의 웨이퍼(W)는 회전하면서 세척되므로, 전술한 2가지 방법은 양호하게 조합될 수 있다. 2가지 방법을 조합하는 경우, 예를 들어, 전술한 바와 마찬가지로, 웨이퍼(W) 표면을 3개의 영역 A, B 및 C로 분할하는 경우, 구멍(315a)의 총면적의 비율의 최적치는 중심 영역(A): 중간 영역(B): 단부 영역(C) = 1:2.5:3으로 된다.
웨이퍼(W)는 3개의 영역으로 분할되고 구멍(315a)의 직경은 전술한 경우에 반경비에 기초하여 결정되지만, 구멍(315a)의 직경을 더욱 상세하게 결정하도록 웨이퍼(W)는 4개의 영역으로 분할할 수도 있다. 또한, 로드 부재(315)의 수는, 예를 들어 5개 이상으로 더욱 정밀하게 설정될 수 있다.
구멍(315a)의 수는 웨이퍼(W)의 각각의 영역에 대해 나누어지는 반면 모든 구멍(315a)의 직경은 동일한 방법에서도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 예를 들어, 전술한 바와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 표면을 3개의 영역(A, B, C)으로 나누는 경우에, 각각의 영역(A, B, C)에 공급되는 용액량의 비는 비율에 따라 설정되는 구멍(315a)의 수와 같이 설정된다. 예를 들어, 각 영역(A, B, C)에 공급되는 용액 량의 비가 1:2.5:4로 설정되는 경우에, 각 영역(A, B, C)에 대한 구멍(315a)의 수는 중심 영역(A): 중간 영역(B): 단부 영역(C) = 1:2.5:4로 된다. 이로써 최적의 세척 효과를 얻는다.
배면 세척 노즐(314)에는 복수 개의 로드 부재(315)가 구비되어 있다. 그러나, 배면 세척 노즐(314)은 세척 용액 흐름용 채널과 세척 용액 분출용 구멍이 마련된 디스크 형태로 형성될 수 있다.
처리 장치의 예로서 도금 장치를 취한 경우의 제1 내지 제3 실시예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 도금 장치에 한정되지 않으며, 다양한 종류의 용액과 화학제로 목표물을 처리하는 처리 장치에 적용될 수 있다. 또한, 목표물은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고 액정 표시 장치용 글라스 기판에도 적용될 수 있다.
본 발명의 광범위한 사상과 범위를 벗어나는 일이 없이 그 안에서 다양한 실시예와 변경이 이루어질 수 있다. 전술한 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 실시예보다는 첨부한 특허 청구의 범위에 의해 표현된다. 본 발명의 청구범위 내와 그 균등의 의미 내에 드는 다양한 변경은 본 발명의 범위에 드는 것으로 인정된다.
본 출원은 2000년 5월 8일에 출원되고 발명의 상세한 설명과 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서를 포함하는 일본 특허 출원 제2000-135222호, 제2000-135224호 및 제2000-1352226호에 기초한 것이다. 이들 일본 출원의 명세서는 그 전체로서 참고로서 본 명세서의 일부를 이루는 것이다.

Claims (34)

  1. 목표물(W)을 유지하고 회전시키는 유지 부재(107)와;
    상기 유지 부재(107)가 상기 목표물(W)을 유지하여 회전시키는 상태에서 상기 목표물(W) 일 표면의 연부(edge portion)에 제1 처리 용액을 공급하는 제1 노즐(120)과;
    상기 제1 노즐(120)이 상기 제1 처리 용액을 공급하는 상기 목표물(W)의 일 표면의 연부에 제2 처리 용액을 공급하는 제2 노즐(121); 및
    상기 목표물(W)의 연부 근처에 마련되어, 상기 제1 처리 용액과 상기 제2 처리 용액의 배출 용액을 흡입하는 흡입 구멍(122)을 포함하는 것인 처리 장치(100).
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 노즐(121)은 상기 제1 노즐(120)이 상기 제1 처리 용액을 공급하는 위치로부터 상기 목표물(W)의 회전에 의한 처리 용액의 흐름의 하류 측에 상기 제2 처리 용액을 공급하는 것인 처리 장치(100).
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 노즐(121)은 상기 제1 노즐(120)이 상기 제1 처리 용액을 공급하는 위치보다 상기 목표물(W)의 중심으로부터 외측 위치에 상기 제2 처리 용액을 공급하는 것인 처리 장치(100).
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 노즐(120)과 상기 제2 노즐(121)은 상기 목표물(W)의 일 표면에 대해 0° 내지 90°의 각도로 마련되는 것인 처리 장치(100).
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 노즐(120)과 상기 제2 노즐(121)은 상기 목표물(W)의 양면 근처에 마련되는 것인 처리 장치(100).
  6. 제1항에 있어서, 각각의 상기 제1 노즐(120), 제2 노즐(121) 및 흡입 노즐(122)은 상기 목표물(W)의 둘레에 복수 개가 마련되는 것인 처리 장치(100).
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 노즐(120), 제2 노즐(121) 및 흡입 노즐(122)은 일체로 되고, 상기 목표물(W)의 처리 시에 상기 목표물(W)의 연부 근처에서 서로 전후로 이동 가능한 것인 처리 장치(100).
  8. 목표물(W)을 유지하고 회전시키는 유지 부재(211)와;
    상기 목표물의 일 표면 측에 마련되어, 상기 목표물(W)의 일 표면에 처리 용액을 공급하는 공급 노즐(217); 및
    상기 목표물(W)의 다른 표면 측에 마련되어, 상기 다른 표면의 연부에 소정의 처리를 제공하도록 상기 목표물(W)의 일 표면으로부터 상기 다른 표면으로 흐르는 처리 용액을 저지하는 저지 부재(218)를 포함하는 것인 처리 장치(200).
  9. 제8항에 있어서, 상기 저지 부재(218)는 상기 목표물(W)의 상기 다른 표면의 연부 근처에 마련되는 것인 처리 장치(200).
  10. 제8항에 있어서, 상기 저지 부재(221)는 상기 목표물(W)의 상기 다른 표면의 연부에 유체를 분사하는 것인 처리 장치(200).
  11. 목표물(W)을 유지하고 회전시키는 유지 부재(311)와;
    상기 유지 부재(311)가 상기 목표물(W)을 유지하여 회전시키는 상태에서 상기 목표물(W) 표면의 중심부에 제1 처리 용액을 공급하는 제1 노즐(317); 및
    상기 제1 노즐(317)이 상기 목표물(W) 표면의 중심부에 상기 제1 처리 용액을 공급하는 상태에서, 상기 목표물(W) 표면의 연부에 제2 처리 용액을 공급하는 제2 노즐(318)을 포함하는 것인 처리 장치(300).
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 처리 용액은 순수한 물로 이루어지고, 상기 제2 처리 용액은 과산화수소수와 산의 혼합물로 이루어지는 것인 처리 장치(300).
  13. 제11항에 있어서, 상기 제2 노즐(318)은 상기 목표물(W)의 표면에 대해 0°초과 90°미만의 각도로 상기 목표물(W) 표면의 연부에 처리 용액을 공급하는 것인 처리 장치(300).
  14. 제11항에 있어서, 상기 제2 노즐(318)은 상기 목표물(W)이 형성하는 평면상에서 상기 목표물(W)의 회전 방향에 대해 0° 내지 90°의 각도로 상기 목표물(W) 표면의 연부에 처리 용액을 공급하는 것인 처리 장치(300).
  15. 제11항에 있어서,
    동일 평면에 반경 방향으로 마련되어 처리 용액이 이를 통하여 흐르는 복수 개의 파이프(315)와,
    상기 목표물(W)의 일 표면의 반대측에 마련되어, 이를 통하여 상기 처리 용액이 상기 목표물(W)의 표면으로 공급되는 복수 개의 구멍(315a)
    을 구비하는 것인 제3 노즐을 더 포함하는 것인 처리 장치(300).
  16. 제15항에 있어서, 각각의 상기 구멍(315a)의 직경은 상기 파이프(315)의 일단으로부터 상기 파이프(315)의 타단으로 증대되는 것인 처리 장치(300).
  17. 목표물(W)을 이송하는 이송 장치(26)와;
    이 이송 장치(26)에 의해 이송되는 상기 목표물(W)에 예정된 처리를 제공하는 처리 장치(100)를 포함하는 것인 처리 시스템(11)으로서,
    상기 처리 장치(100)는,
    목표물(W)을 유지하고 회전시키는 유지 부재(114)와;
    상기 유지 부재(114)가 상기 목표물(W)을 유지하여 회전시키는 상태에서 상기 목표물(W) 일 표면의 연부에 제1 처리 용액을 공급하는 제1 노즐(120)과;
    상기 제1 노즐(120)이 상기 제1 처리 용액을 공급하는 상기 목표물(W)의 일 표면의 연부에 제2 처리 용액을 공급하는 제2 노즐(121); 및
    상기 목표물(W)의 연부 근처에 마련되어, 상기 제1 처리 용액과 상기 제2 처리 용액의 배출 용액을 흡입하는 흡입 구멍(122)을 포함하는 것인 처리 시스템(11)
  18. 제17항에 있어서, 상기 제2 노즐(121)은 상기 제1 노즐(120)이 상기 제1 처리 용액을 공급하는 위치로부터 상기 목표물(W)의 회전에 의한 처리 용액의 흐름의 하류 측에 상기 제2 처리 용액을 공급하는 것인 처리 시스템(11).
  19. 제17항에 있어서, 상기 제2 노즐(121)은 상기 제1 노즐(120)이 상기 제1 처리 용액을 공급하는 위치보다 상기 목표물(W)의 중심으로부터 외측 위치에 상기 제2 처리 용액을 공급하는 것인 처리 시스템(11).
  20. 제17항에 있어서, 상기 제1 노즐(120)과 상기 제2 노즐(121)은 상기 목표물(W)의 일 표면에 대해 0° 내지 90°의 각도로 마련되는 것인 처리 시스템(11).
  21. 제17항에 있어서, 상기 제1 노즐(120)과 상기 제2 노즐(121)은 상기 목표물(W)의 양면 근처에 마련되는 것인 처리 시스템(11).
  22. 제17항에 있어서, 각각의 상기 제1 노즐(120), 제2 노즐(121) 및 흡입 노즐(122)은 상기 목표물(W)의 둘레에 복수 개가 마련되는 것인 처리 시스템(11).
  23. 제17항에 있어서, 상기 제1 노즐(120), 제2 노즐(121) 및 흡입 노즐(122)은 일체로 되고, 상기 목표물(W)의 처리 시에 상기 목표물(W)의 연부 근처에서 전후로 이동 가능한 것인 처리 시스템(11).
  24. 목표물(W)을 이송하는 이송 장치(26)와;
    이 이송 장치(26)에 의해 이송되는 상기 목표물(W)에 예정된 처리를 제공하는 처리 장치(200)를 포함하는 것인 처리 시스템(11)으로서,
    상기 처리 장치(200)는,
    목표물(W)을 유지하고 회전시키는 유지 부재(26)와;
    상기 목표물의 일 표면 측에 마련되어, 상기 목표물(W)의 일 표면에 처리 용액을 공급하는 공급 노즐(217); 및
    상기 목표물(W)의 다른 표면 측에 마련되어, 상기 다른 표면의 연부에 소정의 처리를 제공하도록 상기 목표물(W)의 일 표면으로부터 상기 다른 표면으로 흐르는 처리 용액을 저지하는 저지 부재(218)
    를 포함하는 것인 처리 시스템(11)
  25. 제24항에 있어서, 상기 저지 부재(218)는 상기 목표물(W)의 상기 다른 표면의 연부 근처에 마련되는 것인 처리 시스템(11).
  26. 제24항에 있어서, 상기 저지 부재(221)는 상기 목표물(W)의 상기 다른 표면의 연부에 유체를 분사하는 것인 처리 시스템(11).
  27. 목표물(W)을 이송하는 이송 장치(26)와;
    이 이송 장치(26)에 의해 이송되는 상기 목표물(W)에 예정된 처리를 제공하는 처리 장치(300)를 포함하는 것인 처리 시스템(11)으로서,
    상기 처리 장치(300)는,
    목표물(W)을 유지하고 회전시키는 유지 부재(311)와;
    상기 유지 부재(311)가 상기 목표물(W)을 유지하여 회전시키는 상태에서 상기 목표물(W) 표면의 중심부에 제1 처리 용액을 공급하는 제1 노즐(317); 및
    상기 제1 노즐(317)이 상기 목표물(W) 표면의 중심부에 상기 제1 처리 용액을 공급하는 상태에서, 상기 목표물(W) 표면의 연부에 제2 처리 용액을 공급하는 제2 노즐(121)
    을 포함하는 것인 처리 시스템(11)
  28. 제27항에 있어서, 상기 제1 처리 용액은 순수한 물로 이루어지고, 상기 제2 처리 용액은 과산화수소수와 산의 혼합물로 이루어지는 것인 처리 시스템(11).
  29. 제27항에 있어서, 상기 제2 노즐(318)은 상기 목표물(W)의 표면에 대해 0°초과 90°미만의 각도로 상기 목표물(W) 표면의 연부에 처리 용액을 공급하는 것인 처리 시스템(11).
  30. 제27항에 있어서, 상기 제2 노즐(318)은 상기 목표물(W)이 형성하는 평면상에서 상기 목표물(W)의 회전 방향에 대해 0° 내지 90°의 각도로 상기 목표물(W) 표면의 연부에 처리 용액을 공급하는 것인 처리 시스템(11).
  31. 제27항에 있어서,
    동일 평면에 반경 방향으로 마련되어 처리 용액이 이를 통하여 흐르는 복수 개의 파이프(315)와,
    상기 목표물(W)의 일 표면의 반대측에 마련되어, 이를 통하여 상기 처리 용액이 상기 목표물(W)의 표면으로 공급되는 복수 개의 구멍(315a)
    을 구비하는 것인 제3 노즐(314)을 더 포함하는 것인 처리 시스템(11).
  32. 제31항에 있어서, 각각의 상기 구멍(315a)의 직경은 상기 파이프(315)의 일단으로부터 상기 파이프(315)의 타단으로 증대되는 것인 처리 시스템(11).
  33. 목표물(W)이 회전하는 상태에서 상기 목표물(W)의 연부에 제1 처리 용액을 공급하는 단계와;
    상기 제1 처리 용액이 공급되는 위치로부터 하류에 제2 처리 용액을 공급하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 처리 용액이 공급되는 상기 목표물(W)의 연부 근처에서 대기를 흡입하는 단계를 포함하는 것인 처리 방법.
  34. 목표물(W)을 유지하고 회전시키는 유지 부재(311)와;
    상기 유지 부재(311)가 상기 목표물(W)을 유지하여 회전시키는 상태에서 상기 목표물(W) 표면의 중심부에 제1 처리 용액을 공급하는 제1 노즐(317); 및
    상기 제1 노즐(317)이 상기 목표물(W) 표면의 중심부에 상기 제1 처리 용액을 공급하는 상태에서, 상기 목표물(W) 표면의 연부에 제2 처리 용액을 공급하는 제2 노즐(318)을 포함하는 것인 처리 장치(300)를 이용하는 처리 방법으로서,
    상기 유지 부재(311)가 상기 목표물(W)을 유지하여 제1 회전 속도로 회전시키는 상태에서 상기 목표물(W) 표면의 연부를 처리하는 단계; 및
    상기 유지 부재(311)가 상기 목표물(W)을 유지하는 위치를 이동시키도록, 상기 제1 회전 속도와는 상이한 제2 회전 속도로 상기 목표물(W)을 회전시켜 상기 목표물(W)의 연부를 처리하는 단계
    를 포함하는 것인 처리 방법.
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