JP5913937B2 - カップおよび基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、カップおよびそれを備えた基板処理装置に関する。
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の基板に現像液、洗浄液、リンス液またはフォトレジスト液等の処理液を用いた処理を行うために回転式基板処理装置が用いられる。
回転式基板処理装置においては、基板が回転保持部により水平に支持される。基板が回転保持部により回転されるとともに、その基板の上面中央部に処理液が滴下される。これにより、基板が処理液により処理される。このような基板処理装置では、基板が回転する際の遠心力により処理液の一部が基板の周辺部に飛散することを防止するために、回転保持部の周囲を取り囲むようにカップが設けられる(例えば特許文献1〜3参照)。
特開平9−225376号公報 特開平11−40484号公報 特開2011−119597号公報
特許文献1〜3の基板処理装置においては、処理の条件によっては、カップの内面により跳ね返された液体状またはミスト状の処理液が基板に付着する可能性がある。それにより、基板の処理欠陥が発生する場合がある。
本発明の目的は、基板から外方へ飛散した処理液を十分に受け止めることができるとともに、受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することが可能なカップおよび基板処理装置を提供することである。
(1)第1の発明に係るカップは、略水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられるカップであって、基板の周囲を取り囲むように配置される上面を有する第1の部材と、基板の周囲を取り囲むように第1の部材の上面の上方に配置される下面を有する第2の部材と、第1および第2の部材の周囲を取り囲むように設けられる第3の部材と、閉塞部材とを備え、第1および第2の部材は、上面と下面との間隔が基板の外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに第1および第2の部材の外周部で上面と下面との間に間隙が形成されるように構成され、第3の部材は、間隙の外方で間隙から離間しかつ間隙を取り囲むように形成される内面を有し、閉塞部材は、間隙より上方で第2の部材と第3の部材の内面との間の隙間を閉塞し、第1の部材の上面の内縁部は、第2の部材の下面の内縁部よりも外方に位置するものである。
このカップにおいては、第1および第2の部材が基板の周囲を取り囲むように配置される。第2の部材は第1の部材の上面の上方に配置される。また、第3の部材が、第1および第2の部材の周囲を取り囲むように設けられる。第1の部材の上面と第2の部材の下面との間隔は、基板の外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに、第1および第2の部材の外周部で上面と下面との間に間隙が形成される。第3の部材の内面は、間隙の外方で間隙から離間しかつ間隙を取り囲むように形成される。第1の部材の上面の内縁部は、第2の部材の下面の内縁部よりも外方に位置する。
この場合、第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の間隔は、基板に最も近い位置で最も大きい。そのため、基板から外方へ飛散した処理液は、第1の部材の上面と第2の部材の下面との間に捕集される。捕集された処理液は、第1の部材の上面および第2の部材の下面に沿って外方へ導かれることにより外周部の間隙に集められ、間隙を通過する。間隙を通過した処理液は、第3の部材の内面で受け止められる。第3の部材の内面は間隙から離間している。そのため、第3の部材の内面で跳ね返った処理液は、外方に向かって間隙を通過する処理液の流れにより押し戻される。それにより、一旦外方へ向かって間隙を通過した処理液が再び間隙を通過して第1の部材の上面と第2の部材の下面と間の空間に戻ることが防止される。
また、第1の部材の外周部側の上面と第2の部材の外周部側の下面とにより形成される間隙は、第1の部材の内周部側の上面と第2の部材の内周部側の下面との間の間隔よりも狭い。そのため、第3の部材の内面で跳ね返った処理液が、再び間隙を通過して第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の空間に戻ることがより確実に防止される。
これらの結果、基板から外方へ飛散した処理液をカップで十分に受け止めることができるとともに、カップで受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することができる。
さらに、カップは、間隙より上方で第2の部材と第3の部材の内面との間の隙間を閉塞する閉塞部材をさらに備える。第1および第2の部材の外周部の間隙を通過した処理液が第3の部材の内面と第1および第2の部材の外周部との間で浮上した場合でも、その処理液が閉塞部材により受け止められる。それにより、第3の部材の内面と第1および第2の部材の外周部との間で浮上した処理液のミストが第2の部材と第3の部材の内面との間の隙間を通してカップの外部まで拡散することを十分に防止することができる。
(2)第3の部材の内面は、間隙の下端よりも下方から間隙の上端よりも上方まで延びるように形成されてもよい。
この場合、第1および第2の部材の外周部の間隙を通過した処理液が広がる場合でも、第3の部材の内面で処理液を確実に受け止めることができる。
(3)第2の発明に係るカップは、略水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられるカップであって、基板の外周部よりも外方において基板の周囲を取り囲むように配置される上面を有する第1の部材と、基板の外周部よりも外方において基板の周囲を取り囲むように第1部材の上面の上方に配置される下面を有する第2の部材と、第1および第2の部材の周囲を取り囲むように設けられる第3の部材とを備え、第1および第2の部材は、上面と下面との間隔が基板の外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに第1および第2の部材の外周部で上面と下面との間に間隙が形成されるように構成され、第3の部材は、間隙の外方で間隙から離間しかつ間隙を取り囲むように形成される内面を有し、第3の部材の内面は、第1の部材の外周部よりも下方の位置から第2の部材の外周部よりも上方の位置まで連続的に延びるように形成され、第1の部材の外周部における端面および第2の部材の外周部における端面が第3の部材の内面と対向し、第1の部材の外周部における端面および第2の部材の外周部における端面と第3の部材の内面との間に下降流が通過可能な隙間が形成され、第1の部材の上面の内縁部は、第2の部材の下面の内縁部よりも外方に位置するものである。
このカップにおいては、第1および第2の部材が基板の外周部よりも外方において基板の周囲を取り囲むように配置される。第2の部材は第1の部材の上面の上方に配置される。また、第3の部材が、第1および第2の部材の周囲を取り囲むように設けられる。第1の部材の上面と第2の部材の下面との間隔は、基板の外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに、第1および第2の部材の外周部で上面と下面との間に間隙が形成される。第3の部材の内面は、間隙の外方で間隙から離間しかつ間隙を取り囲むように形成される。また、第3の部材の内面は、第1の部材の外周部よりも下方の位置から第2の部材の外周部よりも上方の位置まで連続的に延びる。第1の部材の上面の内縁部は、第2の部材の下面の内縁部よりも外方に位置する。
この場合、第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の間隔は、基板に最も近い位置で最も大きい。そのため、基板から外方へ飛散した処理液は、第1の部材の上面と第2の部材の下面との間に捕集される。捕集された処理液は、第1の部材の上面および第2の部材の下面に沿って外方へ導かれることにより外周部の間隙に集められ、間隙を通過する。間隙を通過した処理液は、第3の部材の内面で受け止められる。第3の部材の内面は間隙から離間している。そのため、第3の部材の内面で跳ね返った処理液は、外方に向かって間隙を通過する処理液の流れにより押し戻される。それにより、一旦外方へ向かって間隙を通過した処理液が再び間隙を通過して第1の部材の上面と第2の部材の下面と間の空間に戻ることが防止される。
また、第1の部材の外周部側の上面と第2の部材の外周部側の下面とにより形成される間隙は、第1の部材の内周部側の上面と第2の部材の内周部側の下面との間の間隔よりも狭い。そのため、第3の部材の内面で跳ね返った処理液が、再び間隙を通過して第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の空間に戻ることがより確実に防止される。
これらの結果、基板から外方へ飛散した処理液をカップで十分に受け止めることができるとともに、カップで受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することができる。
さらに、第1および第2の部材の外周部の間隙を通過した処理液が第3の部材の内面と第1および第2の部材の外周部との間で浮上した場合でも、その処理液は下降流により下方に押し戻される。それにより、第3の部材の内面と第1および第2の部材の外周部との間で浮上した処理液のミストが第2の部材と第3の部材の内面との間の隙間を通してカップの外部まで拡散することを十分に防止することができる。
)第1の部材の上面、第2の部材の下面、間隙および第3の部材の内面は、共通の軸を中心とする回転対称な形状を有してもよい。この場合、カップを回転式基板処理装置に設けることができる。
基板を回転させつつ基板上に処理液を用いた処理を行う場合に、基板から全方向へ飛散した処理液をカップで確実に受け止めることができるとともに、カップで受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを確実に防止することができる。
)第2の部材の下面は、外方に向かって基板の上面に対して斜め下方に傾斜するように形成されてもよい。
この場合、第2の部材の下面に付着した処理液が重力により下面を伝って第1および第2の部材の外周部の間隙に導かれる。これにより、基板から外方へ飛散した処理液は、第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の間隙を容易に通過することができる。
)第2の部材の下面は、基板の上面に対して5度以上20度以下の角度をなすように形成されてもよい。
この場合、基板から外方へ飛散した処理液を第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の間隙をより確実に通過させることができるとともに、第2の部材の下面に当たった処理液が基板に跳ね返ることを確実に防止することができる。
)第1の部材の上面の少なくとも内周部側の領域は、外方に向かって基板の上面に対して斜め上方に傾斜するように形成されてもよい。
この場合、基板から外方へ飛散した処理液を、第1の部材の上面と第2の部材の下面との間に容易に捕集することができる。
)第1の部材の上面は、基板の上面に対して5度以上20度以下の角度をなすように形成されてもよい。
この場合、基板から外方へ飛散した処理液を第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の間隙を確実に通過させることができるとともに、第1の部材の上面に当たった処理液が基板に跳ね返ることを確実に防止することができる。
)第の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を略水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、回転保持により保持される基板上に処理液を供給する処理液供給系と、回転保持部により保持される基板の周囲を取り囲むように設けられる上記のカップとを備えるものである。
この基板処理装置においては、基板が回転保持部により水平姿勢で保持され回転される。また、処理液供給系により基板上に処理液が供給される。基板の回転により基板から外方へ飛散した処理液は、カップの第1の部材の上面と第2の部材の下面との間に捕集される。捕集された処理液は、第1の部材の上面および第2の部材の下面に沿って外方へ導かれることにより外周部の間隙に集められ、間隙を通過する。間隙を通過した処理液は、第3の部材の内面で受け止められる。第3の部材の内面は間隙から離間している。そのため、第3の部材の内面で跳ね返った処理液は、外方に向かって間隙を通過する処理液の流れにより押し戻される。それにより、一旦外方へ向かって間隙を通過した処理液が再び間隙を通過して第1の部材の上面と第2の部材の下面と間の空間に戻ることが防止される。
また、第1の部材の外周部側の上面と第2の部材の外周部側の下面とにより形成される間隙は、第1の部材の内周部側の上面と第2の部材の内周部側の下面との間の間隔よりも狭い。そのため、第3の部材の内面で跳ね返った処理液が、再び間隙を通過して第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の空間に戻ることがより確実に防止される。
これらの結果、基板から外方へ飛散した処理液をカップで十分に受け止めることができるとともに、カップで受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することができる。
10)処理液の粘度は、10cP以下であってもよい。この場合、処理液はカップの第1の部材の上面と第2の部材の下面との間の間隙を確実に通過することができる。
本発明によれば、基板から外方へ飛散した処理液を十分に受け止めることができるとともに、受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することが可能となる。
第1の実施の形態に係るカップを備えた回転式基板処理装置の概略断面図である。 基板が停止している状態における図1のカップのA部の拡大断面図である。 基板が回転している状態における図1のカップのA部の拡大断面図である。 第2の実施の形態に係るカップを備えた回転式基板処理装置の概略断面図である。 基板が回転している状態における図4のカップのB部の拡大断面図である。
[1]第1の実施の形態
(1)基板処理装置
図1は、第1の実施の形態に係るカップを備えた回転式基板処理装置の概略断面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、基板Wを水平姿勢で保持して回転する回転保持部1を備える。回転保持部1はモータ3の回転軸2の先端に取り付けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。
回転保持部1に保持された基板Wの周囲を取り囲むようにカップ支持部材4および飛散防止用のカップ5が設けられている。カップ支持部材4およびカップ5は、回転軸2に対して回転対称な形状を有する。カップ5はカップ支持部材4により上下動可能に支持される。また、カップ5には支持フレーム11を介してシリンダ10が接続されている。このシリンダ10の動作によりカップ5が上下方向に移動する。
カップ5は、カップ中部51、カップ下部52、カップ上部53、カップ底部54、側壁部55および支持部56,57からなる。カップ中部51、カップ下部52、カップ上部53、カップ底部54および支持部56は略円環形状を有する。カップ中部51は、基板Wの上部空間の周囲を取り囲むように配置される。カップ上部53は、基板Wの上部空間の周囲を取り囲みかつカップ中部51の上方に位置するように配置される。カップ中部51の中央部およびカップ上部53の中央部には円形の開口部510,530がそれぞれ形成される。カップ下部52は、基板Wの下部空間の周囲を取り囲むように配置される。カップ底部54は、基板Wの下部空間の周囲を取り囲みかつカップ下部52の下方に位置するように配置される。
側壁部55は、円筒形状を有し、カップ中部51、カップ下部52、カップ上部53およびカップ底部54を取り囲むように形成される。カップ上部53の外周部は、側壁部55の上端に一体的に固定される。カップ底部54の外周部は側壁部55の下端に一体的に固定される。カップ中部51は、支持部56により側壁部55の内周面55aに一体的に固定される。カップ下部52の下端は、複数の棒状の支持部57により側壁部55の内周面55aに一体的に固定される。
本実施の形態において、支持部56は、側壁部55の全周にわたって側壁部55の内周面55aとカップ中部51の上面の外周部近傍とを接続するように設けられている。それにより、支持部56は、カップ中部51の外周部と側壁部55の内周面55aとの間の隙間を、その隙間の上方で閉塞する。一方、複数の支持部57は、所定の間隔(例えば90度の間隔)で側壁部55の内周面55aとカップ下部52の下端とを接続するように設けられている。それにより、カップ下部52と側壁部55の内周面55aとの間の一部には複数の開口部が形成される。
カップ底部54には廃液口7および排気口8が設けられている。廃液口7は、工場内の廃液設備に接続される。排気口8は、工場内の排気設備に接続される。回転保持部1の下方には、回転軸2およびモータ3を取り囲むように整流板6が配置されている。整流板6は、カップ底部54の内周部に固定されている。この整流板6は、外周部に向かって斜め下方に傾斜する傾斜面を有する。
基板W上に処理液を吐出する処理液ノズル9が、上下動可能かつ基板Wの上方位置とカップ5外の待機位置との間で移動可能に設けられている。本実施の形態においては、処理液は例えば現像液である。処理液は、洗浄液であってもよく、リンス液(例えば純水)であってもよく、基板Wに反射防止膜を形成するための薬液であってもよく、低粘度のレジスト液であってもよい。処理液は、低い粘度(例えば10cP以下)を有することが好ましいが、これに限定されない。
処理液ノズル9は処理液供給管T1を介して処理液供給源P1に接続されている。処理液供給管T1にはバルブV1が介挿されている。バルブV1が開放されることにより、処理液供給源P1から処理液供給管T1を通して処理液ノズル9に処理液が供給される。
基板Wは、被処理面が上方に向けられた状態で回転保持部1により水平姿勢で保持される。この状態で、基板Wが回転保持部1により回転されるとともに、処理液ノズル9から基板Wの被処理面の中央部に処理液が吐出される。それにより、基板Wの被処理面の中央部に吐出された処理液が、基板Wの回転に伴う遠心力により基板Wの被処理面の全体に拡げられる。
基板処理装置100は、制御部12を備える。制御部12は、モータ3の回転速度を制御する。それにより、回転保持部1により保持された基板Wの回転速度が制御される。また、制御部12は、バルブV1の開閉を制御する。それにより、処理液の吐出タイミングが制御される。さらに、制御部12は、シリンダ10を制御する。それにより、カップ5の上下方向の位置が制御される。
(2)カップの詳細な構成
図2は、基板Wが停止している状態における図1のカップ5のA部の拡大断面図である。
図2に示すように、カップ中部51は、外周部に向かって斜め下方に傾斜するように形成された円環状の下面51aを有する。水平面に対するカップ中部51の下面51aの傾斜角度はθ1である。本実施の形態において、傾斜角度θ1は、例えば5度以上20度以下である。カップ中部51の内周部には、下方に突出する突出縁51bが形成されている。
カップ上部53は、外周部に向かって斜め下方に傾斜するように形成された円環状の下面53aを有する。カップ上部53の内周部には、下方に突出する突出縁53bが形成されている。
カップ下部52は、内周部側で外周部に向かって斜め上方に傾斜するように形成された円環状の上面52aと、上面52aの外側で水平に延びる形成される上面52bとを有する。水平面に対するカップ下部52の上面52aの傾斜角度はθ2である。本実施の形態において、傾斜角度θ2は、例えば5度以上20度以下である。
カップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52a,52bとの間隔は、基板Wの外周部側から外方に向かって漸次減少する。また、カップ中部51およびカップ下部52の外周部で、カップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52bとの間に円環状の間隙Sが形成される。カップ中部51とカップ下部52とがそれぞれ独立に上下方向に移動可能に構成されてもよい。この場合、間隙Sの上下方向の長さを調整することができる。間隙Sの上下方向の長さは、例えば1mm〜5mmであり、本実施の形態においては、2mmである。
側壁部55は、カップ中部51およびカップ下部52の外周部を取り囲むように形成された内周面55aを有する。内周面55aは、間隙Sから離間しかつ間隙Sに対向するように形成される。
(3)効果
図3は、基板Wが回転している状態における図1のカップ5のA部の拡大断面図である。図3に示すように、基板Wが回転されることにより、処理液が、基板Wの被処理面(上面)から上下方向に幅をもって、基板Wの外周部から外方に飛散する。カップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52aとの間隔は基板Wに最も近い位置で最も大きい。それにより、基板Wの外周部から外方に飛散した処理液は、カップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52a,52bとの間に確実に捕集される。
捕集された処理液は、カップ中部51の下面51aおよびカップ下部52の上面52a,52bに沿って外方へ導かれることにより外周部の間隙Sに集められ、間隙Sを通過する。間隙Sを通過した処理液は、側壁部55の内周面55aで受け止められる。側壁部55の内周面55aで間隙Sの方向に跳ね返った処理液は、外方に向かって間隙Sを通過する処理液の流れにより押し戻される。それにより、一旦外方へ向かって間隙Sを通過した処理液が再び間隙Sを通過してカップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52a,52bと間の空間に戻ることが防止される。押し戻された処理液は、重力によりカップ底部54に落下し、廃液口7を通して排出される。
また、間隙Sは、カップ下部52の内周部側の上面52a,52bとカップ中部51の内周部側の下面51aとの間の間隔よりも狭い。そのため、側壁部55の内周面55aで跳ね返った処理液が、再び間隙Sを通過してカップ下部52の上面52a,52bとカップ中部51の下面51aとの間の空間に戻ることがより確実に防止される。
これらの結果、基板Wから外方へ飛散した処理液をカップ5で十分に受け止めることができるとともに、カップ5で受け止められた処理液が基板Wまで跳ね返ることを防止することができる。
また、側壁部55の内周面55aに付着した処理液は、重力によりカップ底部54に落下し、廃液口7を通して排出される。
また、側壁部55の内周面55aで処理液が上方向に拡がるかまたは浮上した場合でも、その処理液は支持部56により受け止められる。支持部56により受け止められた処理液は、重力によりカップ底部54に落下し、廃液口7を通して排出される。それにより、側壁部55の内周面55aで上方向に拡がるかまたは浮上した処理液のミストがカップ中部51およびカップ下部52の外周部と側壁部55の内周面55aとの間の隙間およびカップ上部53の開口部530を通してカップ5の外部まで拡散することが確実に防止される。
したがって、基板処理装置100内が処理液のミストにより汚染されるが防止される。また、基板処理装置100に他の基板処理装置が隣接するように配置される場合でも、基板処理装置100で用いられる処理液のミストにより他の基板処理装置における基板に処理欠陥が発生することが防止される。
また、カップ中部51の下面51aに付着した処理液は、傾斜した下面51aを伝ってカップ5の外周部に導かれる。処理液は、カップ下部52の上面52aに付着した処理液は、傾斜した上面52aおよび上面52bを伝ってカップ5の外周部に導かれる。
カップ中部51の下面51aは、外方に向かって水平面に対して斜め下方に傾斜するように形成されている。また、カップ下部52の上面52aは、外方に向かって水平面に対して斜め上方に傾斜するように形成されている。それにより、基板Wから外方へ飛散した処理液をカップ下部52の上面52a,52bとカップ中部51の下面51aとの間に容易に捕集することができる。
カップ中部51の下面51aが水平面に対して5度以上20度以下の角度をなすように形成されている場合、基板Wから外方へ飛散した処理液をカップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52a,52bとの間の間隙Sをより確実に通過させることができるとともに、カップ中部51の下面51aに当たった処理液が基板Wに跳ね返ることを確実に防止することができる。
カップ下部52の上面52aが水平面に対して5度以上20度以下の角度をなすように形成されている場合、基板Wから外方へ飛散した処理液をカップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52a,52bとの間の間隙Sを確実に通過させることができるとともに、カップ下部52の上面52aに当たった処理液が基板Wに跳ね返ることを確実に防止することができる。
[2]第2の実施の形態
第2の実施の形態に係るカップについて、第1の実施の形態に係るカップ5と異なる点を説明する。図4は、第2の実施の形態に係るカップを備えた回転式基板処理装置の概略断面図である。
図4に示すように、本実施の形態に係るカップ5は、図1の支持部56に代えて複数の支持部58を有する。複数の支持部58は、所定の間隔(例えば90度の間隔)で側壁部55の内周面55aとカップ中部51の外周部とを接続するように設けられている。それにより、カップ中部51と側壁部55の内周面55aとの間には下降流(ダウンフロー)が通過可能な複数の隙間が形成される。
本実施の形態において、図4のカップ中部51の外周部と側壁部55の内周面55aとの間の間隔を図1のカップ中部51の外周部と側壁部55の内周面55aとの間の間隔よりも大きく設定してもよい。同様に、図4のカップ下部52の外周部と側壁部55の内周面55aとの間の間隔を図1のカップ下部52の外周部と側壁部55の内周面55aとの間の間隔よりも大きく設定してもよい。これにより、カップ中部51の外周部と側壁部55の内周面55aとの間に下降流が十分に通過可能となる。
本実施の形態においては、図4に矢印で示すように、カップ上部53の上部の開口部530から流入した空気が、カップ上部53とカップ中部51との間、カップ中部51と側壁部55との間、およびカップ下部52と側壁部55との間を順に通過してカップ底部54の排気口8から流出する。
図5は、基板Wが回転している状態における図4のカップ5のB部の拡大断面図である。第1の実施の形態に係る基板処理装置100と同様に、基板Wが回転されることにより、処理液が、基板Wの被処理面(上面)から上下方向に幅をもって、基板Wの外周部から外方に飛散する。基板Wの外周部から外方に飛散した処理液は、カップ中部51の下面51aとカップ下部52の上面52a,52bとの間に確実に捕集される。
捕集された処理液は、カップ中部51の下面51aおよびカップ下部52の上面52a,52bに沿って外方へ導かれることにより外周部の間隙Sに集められ、間隙Sを通過する。間隙Sを通過した処理液は、側壁部55の内周面55aで受け止められる。それにより、本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、基板Wから外方へ飛散した処理液をカップ5で十分に受け止めることができるとともに、カップ5で受け止められた処理液が基板Wまで跳ね返ることを防止することができる。
本実施の形態においては、図5に矢印で示すように、カップ中部51と側壁部55との間およびカップ下部52と側壁部55との間を下降流が通過する。そのため、側壁部55の内周面55aで処理液が上方向に拡がるかまたは浮上した場合でも、その処理液は下降流により下方に押し戻される。下降流により下方に押し戻された処理液は、下降流とともに重力により落下し、廃液口7を通して排出される。それにより、側壁部55の内周面55aで上方向に拡がるかまたは浮上した処理液のミストがカップ中部51およびカップ下部52の外周部と側壁部55の内周面55aとの間の隙間およびカップ上部53の開口部530を通してカップ5の外部まで拡散することが確実に防止される。
[3]他の実施の形態
(1)上記実施の形態において、カップ中部51の下面51aは外周部に向かって斜め下方に直線状に傾斜するが、これに限定されない。カップ中部51の下面51aは外周部に向かって斜め下方に曲線状に傾斜していてもよい。また、カップ下部52の上面52aは外周部に向かって斜め上方に直線状に傾斜するが、これに限定されない。カップ下部52の上面52aは外周部に向かって斜め上方に曲線状に傾斜していてもよい。
(2)上記実施の形態において、カップ下部52の上面52bは水平であるが、これに限定されない。カップ下部52の上面52bは外周部に向かって斜め上方に直線状または曲線状に傾斜していてもよい。
(3)上記実施の形態において、カップ中部51、カップ下部52、カップ上部53、カップ底部54および支持部56は略円環形状を有するが、これに限定されない。カップ中部51、カップ下部52、カップ上部53、カップ底部54および支持部56は、多角形状または楕円状等の他の形状を有してもよい。
(4)上記実施の形態において、カップ5にカップ上部53が設けられるが、これに限定されない。カップ5にカップ上部53が設けられなくてもよい。また、カップ中部51に突出縁51bが設けられるが、これに限定されない。カップ中部51に突出縁51bが設けられなくてもよい。
[4]請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態においては、基板Wが基板の例であり、カップ5がカップの例であり、カップ下部52が第1の部材の例であり、上面52a,52bが上面の例である。カップ中部51が第2の部材の例であり、下面51aが下面の例であり、側壁部55が第3の部材の例であり、内周面55aが内面の例であり、間隙Sが間隙の例であり、支持部56が閉塞部材の例である。基板処理装置100が基板処理装置の例であり、回転保持部1が回転保持部の例であり、処理液ノズル9が処理液供給系の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
1 回転保持部
2 回転軸
3 モータ
4 カップ支持部材
5 カップ
6 整流板
7 廃液口
8 排気口
9 処理液ノズル
10 シリンダ
11 支持フレーム
12 制御部
51 カップ中部
51a,53a 下面
51b,53b 突出縁
52 カップ下部
52a,52b 上面
53 カップ上部
54 カップ底部
55 側壁部
55a 内周面
56〜58 支持部
100 基板処理装置
510,530 開口部
S 隙間
W 基板

Claims (10)

  1. 略水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられるカップであって、
    前記基板の周囲を取り囲むように配置される上面を有する第1の部材と、
    前記基板の周囲を取り囲むように前記第1部材の前記上面の上方に配置される下面を有する第2の部材と、
    前記第1および第2の部材の周囲を取り囲むように設けられる第3の部材と、
    閉塞部材とを備え、
    前記第1および第2の部材は、前記上面と前記下面との間隔が前記基板の外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに前記第1および第2の部材の外周部で前記上面と前記下面との間に間隙が形成されるように構成され、
    前記第3の部材は、前記間隙の外方で前記間隙から離間しかつ前記間隙を取り囲むように形成される内面を有し、
    前記閉塞部材は、前記間隙より上方で前記第2の部材と前記第3の部材の前記内面との間の隙間を閉塞し、
    前記第1の部材の前記上面の内縁部は、前記第2の部材の前記下面の内縁部よりも外方に位置する、カップ。
  2. 前記第3の部材の前記内面は、前記間隙の下端よりも下方から前記間隙の上端よりも上方まで延びるように形成される、請求項1記載のカップ。
  3. 略水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられるカップであって、
    前記基板の外周部よりも外方において前記基板の周囲を取り囲むように配置される上面を有する第1の部材と、
    前記基板の外周部よりも外方において前記基板の周囲を取り囲むように前記第1部材の前記上面の上方に配置される下面を有する第2の部材と、
    前記第1および第2の部材の周囲を取り囲むように設けられる第3の部材とを備え、
    前記第1および第2の部材は、前記上面と前記下面との間隔が前記基板の外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに前記第1および第2の部材の外周部で前記上面と前記下面との間に間隙が形成されるように構成され、
    前記第3の部材は、前記間隙の外方で前記間隙から離間しかつ前記間隙を取り囲むように形成される内面を有し、
    前記第3の部材の前記内面は、前記第1の部材の外周部よりも下方の位置から前記第2の部材の外周部よりも上方の位置まで連続的に延びるように形成され、
    前記第1の部材の外周部における端面および前記第2の部材の外周部における端面が前記第3の部材の前記内面と対向し、
    前記第1の部材の外周部における端面および前記第2の部材の外周部における端面と前記第3の部材の前記内面との間に下降流が通過可能な隙間が形成され
    前記第1の部材の前記上面の内縁部は、前記第2の部材の前記下面の内縁部よりも外方に位置する、カップ。
  4. 前記第1の部材の前記上面、前記第2の部材の前記下面、前記間隙および前記第3の部材の前記内面は、共通の軸を中心とする回転対称な形状を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のカップ。
  5. 前記第2の部材の前記下面は、外方に向かって前記基板の上面に対して斜め下方に傾斜するように形成される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のカップ。
  6. 前記第2の部材の前記下面は、前記基板の上面に対して5度以上20度以下の角度をなすように形成される、請求項5記載のカップ。
  7. 前記第1の部材の前記上面の少なくとも内周部側の領域は、外方に向かって前記基板の上面に対して斜め上方に傾斜するように形成される、請求項1〜6のいずれか一項に記載のカップ。
  8. 前記第1の部材の前記上面は、前記基板の上面に対して5度以上20度以下の角度をなすように形成される、請求項7記載のカップ。
  9. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
    基板を略水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部により保持される基板上に処理液を供給する処理液供給系と、
    前記回転保持部により保持される基板の周囲を取り囲むように設けられる請求項1〜8のいずれか一項に記載のカップとを備える、基板処理装置。
  10. 前記処理液の粘度は、10cP以下である、請求項9記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP7212767B2 (ja) * 2019-09-12 2023-01-25 キオクシア株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778636A (en) * 1980-10-31 1982-05-17 Fujitsu Ltd Spin coater
JPS63229168A (ja) * 1987-03-18 1988-09-26 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH01308026A (ja) * 1988-06-07 1989-12-12 Toshiba Corp 薬液塗布装置
JP2908224B2 (ja) 1993-12-20 1999-06-21 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置
JPH0945750A (ja) 1995-07-26 1997-02-14 Hitachi Ltd 板状物保持部材およびそれを用いた回転処理装置
JPH0945611A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板塗布装置
JPH09225376A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置用カップ
JPH1140484A (ja) 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルキャップ、基板処理装置用カップおよび排液配管
JP2000082647A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Nec Corp レジスト膜の塗布方法及び塗布装置
JP3636605B2 (ja) 1998-12-25 2005-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置
JP3281328B2 (ja) 1999-04-15 2002-05-13 大日本スクリーン製造株式会社 回転塗布装置
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2001319849A (ja) 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US6827814B2 (en) 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2003047903A (ja) * 2001-08-08 2003-02-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及びその整流板
JP3853699B2 (ja) 2001-08-20 2006-12-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US6596082B2 (en) * 2001-11-30 2003-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Dual cup spin coating system
ATE450885T1 (de) * 2006-04-18 2009-12-15 Tokyo Electron Ltd Flüssigkeitsverarbeitungsvorrichtung
JP5485672B2 (ja) 2009-12-07 2014-05-07 株式会社Sokudo 基板処理装置および基板処理方法

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