JP2001319909A

JP2001319909A - 液処理装置及び液処理方法

Info

Publication number: JP2001319909A
Application number: JP2000135222A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Taniyama; 博己谷山; Shigenori Kitahara; 重徳北原; Takanori Miyazaki; 高典宮崎; Hironobu Nishi; 寛信西; Yoshinori Kato; 善規加藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-05-08
Filing date: 2000-05-08
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の周縁を、デバイスへ悪影響を及ぼすこ
となく洗浄することのできる基板の洗浄装置を提供す
る。【解決手段】純水等の洗浄液を基板表面中心部に供給
しつつ、基板周縁に薬液を噴射することにより、噴射さ
れた薬液や薄膜の溶解物の基板表面上への飛散を抑え
る。また、基板を回転させて周縁を洗浄する際、基板の
回転数を変化させることにより、基板を保持している保
持部分の押圧力を弱めて、基板保持部分の位置をずら
し、基板周縁全体を洗浄できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液処理装置及び液
処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体等の電子デバイスの製造工程に
は、ウェハ等の基板に対し薄膜を形成するプロセスが含
まれる。例えば、金属配線を有する半導体ウェハの製造
には、ＰＶＤ等でシード層を形成した後、メッキ処理に
より金属薄膜を形成するプロセスが含まれる。

【０００３】また、半導体デバイスの製造工程では、周
縁の薄膜が除去されずに存在すると、搬送時にキャリア
との接触により薄膜が剥がれて飛散して、パーティクル
を発生し、キャリア及びデバイスを汚染することがあ
る。

【０００４】特に、半導体ウェハのＣｕ配線の製造プロ
セスでは、ＣｕがＳｉ及びＳｉＯ_２に対して強い影響力
を持つため、これらの問題が重要となる。メッキ処理直
後のウェハには、図７に示すように、Ｃｕシード膜７
２、Ｃｕメッキ膜７１が周縁７３に存在し、これらの不
用な膜が剥離すると、キャリア等がＣｕで汚染されるこ
とになる。

【０００５】上述の、周縁から剥離した薄膜によるデバ
イスの汚染は、デバイスの高密度化が進む中では、デバ
イスの歩留まりの低下につながる。そのため、基板の周
縁を洗浄（エッチング）して、周縁の薄膜を除去する必
要がある。

【０００６】このための、基板周縁の洗浄方法は、例え
ば、レジスト膜を塗布した基板の周縁にレジスト溶剤を
噴射して基板周縁の不用な膜を除去する方法が知られて
いる。この方法は、基板表面の上方から、ノズル等で周
縁にレジスト溶剤を噴射して洗浄処理を行うものであ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法は、溶剤によるレジスト膜の除去に関する方法であ
り、除去には化学反応が必要な、金属薄膜の形成された
メッキ処理基板周縁の洗浄には単純には適用できない。
また、この方法をメッキ処理基板周縁の洗浄に用いた場
合には、噴射された洗浄液や薄膜の溶解物が、基板表面
上に飛散し、デバイス作成領域に悪影響を与えるという
問題があった。

【０００８】従って、本発明の目的は、基板の周縁を、
デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄することのでき
る基板の液処理装置を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、半導体基板の周縁を、デバイスへ悪影
響を及ぼすことなく洗浄することのできる、メッキ処理
装置に適用可能な半導体基板の液処理装置を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る上記問題を
解決するための液処理装置は、被処理体を保持し、か
つ、該被処理体を該被処理体の平面上で回転可能な被処
理体保持手段と、前記被処理体保持手段が前記被処理体
を保持し、回転させた状態で、前記被処理体の中心部に
第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段と、前記
第１の処理液供給手段が前記被処理体の中心部に前記第
１の処理液を供給している状態で、第２の処理液を前記
被処理体の周縁に供給する第２の処理液供給手段とを備
えたことを特徴とする。

【００１０】上記構成によれば、被処理体の所定の処理
の施された領域に悪影響を与えない、不活性な、純水等
の処理液を被処理体の表面中心部に噴射しつつ、被処理
体周縁に処理液を噴射するので、噴射された処理液や薄
膜の溶解物が、被処理体の中心部へ飛散することを抑え
つつ、被処理体板周縁の洗浄を行うことができる。

【００１１】上記液処理装置において、前記第１の洗浄
液は純水であり、かつ、前記第２の洗浄液は過酸化水素
水と酸系溶液の混合液であることが望ましい。

【００１２】上記構成によれば、メッキ処理された基板
表面には悪影響を与えずに、基板周縁の金属薄膜を除去
することができる。

【００１３】上記液処理装置において、前記第２の処理
液供給手段は、前記被処理体の周縁に対し、前記被処理
体の平面に対して鋭角的に処理液を供給することが望ま
しい。

【００１４】上記液処理装置において、前記第２の処理
液供給手段は、前記被処理体の周縁に対し、前記被処理
体の平面上で前記被処理体の平面の接線方向に対して０
〜９０°の角度で処理液を供給することが望ましい。

【００１５】上記液処理装置は、中心を有し、該中心か
ら半径方向外側に延びた複数の管と、前記被処理体表面
に処理液を供給する、前記管の上側に等間隔に配設され
た複数の穴とから構成される第３の処理液供給手段を備
えることを特徴とする。

【００１６】上記構成によれば、液処理される被処理体
の表面全体に対し処理液が噴出され、被処理体の表面全
体を十分に洗浄することが可能となる。

【００１７】上記液処理装置において、前記複数の穴
は、前記中心から半径方向外側に向かって、該穴の径が
増大するように前記管に配設されていることが好まし
い。

【００１８】また、本発明に係る液処理方法は、被処理
体を保持し、かつ、該被処理体を該被処理体の平面上で
回転可能な被処理体保持手段と、前記被処理体保持手段
が前記被処理体を保持し、回転させた状態で、前記被処
理体の中心部に第１の処理液を供給する第１の処理液供
給手段と、前記第１の処理手段が前記被処理体の中心部
に前記第１の処理液を供給している状態で、第２の処理
液を前記被処理体の周縁に供給する第２の処理液供給手
段とを備えた液処理装置を用いた液処理方法であって、
前記被処理体保持手段が被処理体を保持し、第１の回転
速度で被処理体を回転させた状態で、該被処理体の周縁
を処理し、その後、第１の回転速度とは異なる第２の回
転速度で該被処理体を回転させ、前記被処理体保持手段
が該被処理体を保持している位置をずらして該被処理体
周縁の処理を行うことを特徴とする。

【００１９】上記方法によれば、被処理体を回転させて
周縁を液処理を行う際、被処理体の回転数を変化させる
ことにより、被処理体を保持している保持部分の押圧力
を弱めて、被処理体の保持部分の位置をずらし、被処理
体の保持部分の液処理を行うことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る半導体
基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置について、以下図
面を参照して説明する。

【００２１】図１〜図３は、本発明の実施の形態に係る
半導体基板の洗浄装置を含むメッキ処理装置１１の全体
構成を示す図であり、図１は３次元立体図、図２は平面
図、図３は側面図である。図に示すように、このメッキ
処理装置１１は、カセットステーション２１と、処理ス
テーション２２とから構成される。

【００２２】カセットステーション２１は、外部からウ
ェハカセット単位で装置１１に供給されるウェハをカセ
ット２３ａからメッキ処理装置１１に搬入し、または、
メッキ処理後のウェハをメッキ処理装置１１からカセッ
ト２３ｂに搬出する。

【００２３】カセットステーション２１には、カセット
戴置台２４が設けられ、メッキ処理されるウェハを収納
したウェハカセット２３ａが外部から供給される。ま
た、戴置台２４では、メッキ処理されたウェハが搬出用
のカセット２３ｂに収納される。

【００２４】上述した戴置台２４でのウェハの搬送は、
第１搬送機構２５によって行われる。第１搬送機構２５
は、戴置台２４上に複数戴置されたウェハカセット２３
にアクセス可能なように、ｘ軸方向に移動可能であり、
かつ、ｚ軸方向に昇降可能である。また、処理ステーシ
ョン２２から戴置台２４へウェハを搬送できるように、
ｚ軸を中心として回転可能である。

【００２５】なお、カセットステーション２１及び処理
ステーション２２には、清浄空気のダウンフローによっ
て内部の雰囲気は清浄に保たれている。

【００２６】処理ステーション２２は、ウェハに一枚ず
つメッキ処理を行うメッキ処理ユニット２６およびメッ
キ処理後の洗浄と乾燥を行う洗浄乾燥ユニット２７を、
それぞれ複数台、所定の位置に備える。

【００２７】メッキ処理ユニット２６では、シード層が
形成されたウェハにメッキ処理が施され、例えば、ウェ
ハ上にＣｕ薄膜が形成される。また、洗浄乾燥ユニット
２７では、後述するように、メッキ処理されたウェハの
表面、裏面および周縁を薬液、純水等の洗浄液で洗浄
（エッチング）され、洗浄後、Ｎ_２パージ下でウェハを
高速回転させて、ウェハの乾燥が行われる。

【００２８】処理ステーション２２には、図２に示すよ
うに中心部に第２搬送機構２９が設けられ、その周りに
は各処理ユニットが放射状に配置されている。また、図
１、図３に示すように、処理ステーションは上下２段で
構成されている。処理ステーション２２の上段および下
段は、それぞれ、第２搬送機構２９を中心として放射状
に配置された４つの処理ユニットから構成されており、
処理ステーション２２は８つのユニットを有している。

【００２９】図１、図３に示す実施形態では、下段に４
つのメッキ処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユ
ニット２７と２つのエクストラユニット２８が配置され
た装置構成を示す。

【００３０】処理ステーション２２内でのウェハの搬送
は第２搬送機構２９によって行われる。第２搬送機構２
９は、第１搬送機構２５によりカセットステーション２
１から搬入されて、処理ステーション２２内の戴置部３
０に戴置されたウェハを受け取り、下段のメッキ処理ユ
ニット２６のいずれかに搬送する。メッキ処理が終了
後、さらに、洗浄乾燥ユニット２７に送る。最後に、第
２搬送機構２９は、メッキ処理ユニット２６および洗浄
乾燥ユニット２７を経たウェハを戴置部３０に送り、第
１搬送機構２５がこれを受け取ってカセット２３に収納
する。また、ここで、戴置部３０を介さず、第１搬送機
構が直接洗浄乾燥ユニットからウェハを受け取ることも
できる。

【００３１】第２搬送機構２９は、上述した２段構成で
ある処理ステーション２２内の各処理ユニットにアクセ
ス可能なように、ｚ軸を中心として回転可能であり、か
つ、ｚ軸方向に昇降可能である。

【００３２】また、第２搬送機構２９は３本のアームを
備え、一本は戴置部３０からメッキ処理ユニット２６へ
のウェハの搬送、一本はメッキ処理ユニット２６から洗
浄乾燥ユニット２７へのウェハの搬送、一本は洗浄乾燥
ユニット２７から戴置部３０への搬送専用として、パー
ティクル、薬液等による汚染を最小限としている。

【００３３】上述の実施形態では、下段に４つのメッキ
処理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユニット２７
と２つのエクストラユニット２８が配置された装置構成
としたが、他にエクストラユニット２８を活用した装置
構成も可能である。例えば、下段に４つのメッキ処理ユ
ニット２６、上段に１つのメッキ処理ユニット２６と３
つの洗浄乾燥ユニット２７とした構成も可能である。

【００３４】また、エクストラユニット２８は、メッキ
処理ユニット２６、洗浄乾燥ユニット２７と組み合わせ
可能な他の処理ユニット、例えば、メッキ処理後のアニ
ーリングを行うアニーリングユニットとすることも可能
である。

【００３５】以下、洗浄乾燥ユニット２７を構成する洗
浄装置について説明する。図４は本実施形態の洗浄装置
の構成を示す。本実施形態の洗浄装置は、両側にゲート
バルブ４１６を備えた、第２搬送機構２９の出入口４１
７が形成された方形のハウジング４０１内に、上面が開
口した略円筒形状のカップ４０２が設けられている。こ
のカップ４０２は、制御部４１８により制御されるカッ
プ駆動部４０３により上下に駆動可能である。

【００３６】ここで、制御部４１８は演算処理装置と処
理プログラム等を記憶しているＲＯＭ等から構成され、
洗浄装置全体の動きを制御するものである。以下、制御
部４１８の働きについては、全体を理解しやすいももと
するため、説明を省く。

【００３７】ハウジング４０１の中心位置には、回転駆
動体４０４が配置されている。この回転駆動体４０４は
ハウジング４０１外に設けられている中空モータ４０５
の駆動によって所定の回転数で回転する。この回転駆動
体４０４の上に、所定の間隔を隔てて回転テーブル４０
６がこの回転駆動体４０４に固定されている。

【００３８】回転駆動体４０４の第１シャフト４０７の
内部には、第２シャフト４０８が形成されている。この
第２シャフト４０８の上には裏面洗浄ノズル４０９が固
定されており、ウェハＷが保持部材に保持された場合
に、ウェハＷと回転テーブル４０６の間に存在する。

【００３９】図５に示すように、裏面洗浄ノズル４０９
は、第２シャフト４０８に固定された部分を中心として
４本の棒状体が十字状に回転テーブル４０６の周縁まで
伸びた構造を有する。棒状体の内部は中空であり、第２
シャフト４０８の内部を通る管４１０と連通している。
この管４１０を通って洗浄液が、裏面洗浄ノズル４０９
の棒状体の上方に開いた穴５１から上方に供給される。

【００４０】さらに、第１シャフト４０７と第２シャフ
ト４０８の間の空間にはガス流路４１１が形成されてお
り、不活性ガス、例えば窒素ガスが吹き出されるように
なっている。吹き出された不活性ガスは、回転テーブル
４０６の表面に沿って回転テーブル４０６の周縁部へと
流れる。したがって、この回転テーブル４０６は、ガス
拡散板としての機能も併せ持っている。

【００４１】この不活性ガスは、回転処理中、即ちウェ
ハＷに対して洗浄処理を行っている間は、回転テーブル
４０６の下面中心から外方へと吹き出され、回転テーブ
ル４０６周縁部、即ちウェハＷの周縁部から外方へと排
気されているので、ウェハＷの裏面へのパーティクル等
の侵入を防止することができる。したがって、ウェハＷ
の裏面の汚染を防止することができる。カップ４０２と
回転駆動体４０４の間の空間には、排気口４１２が設け
られ、排気及び洗浄液等の廃液を含んだ排気が流れる。

【００４２】回転テーブル４０６には、３つの保持部材
５２が支持部材５３により回転テーブル４０６の周縁部
にそれぞれ１２０度の角度で等間隔に取り付けられてい
る（図５）。図６に示すように、この保持部材５２は、
上側の保持部５４と下側の付勢部５５とが一体となった
構成を有している。保持部５４には上端に段差が形成さ
れ、この段差によりウェハＷを保持する。保持部５４は
支持部材５３の上端部に設定された回動支点５６で支持
部材５３と結合されている。保持部材５２はこの回動支
点５６を中心として回動可能である。付勢部５５の重量
は保持部５４よりも大きく設定されており、これによ
り、付勢部５５は保持部材５２の重錘として働く。

【００４３】回転駆動体４０４によりウェハＷは高速で
回転するので、ウェハＷを安定して保持する必要があ
る。このため、保持部材５２はウェハＷを保持部５４の
段差だけでなく、付勢部５５による付勢によってウェハ
Ｗの周縁部を保持する構造となっている。

【００４４】すなわち、ウェハＷは回転していない状態
で保持部材５２に戴置され、その保持部５４に保持され
る。そして、回転テーブル４０６が回転すると、付勢部
５５に作用する遠心力によって、付勢部５５はさらに外
方へと移動しようとし、その結果、保持部材５２の保持
部５４側は回転テーブル４０６の中心側へと押され、さ
らにウェハＷは強固に保持されることになる。また、保
持部材５２の保持部５４は、図に示すように、前面から
見た場合凸状に形成されていて、ウェハＷを保持部５４
の段差で、点接触により保持している。

【００４５】回転テーブル４０６の上方には、主洗浄ノ
ズル４１４とエッジ洗浄ノズル４１５が備えられてい
る。主洗浄ノズル４１４は、第１洗浄液槽４１９につな
がっており、第１洗浄液槽に貯蔵された純水を所定の供
給速度でノズル先から吐出する。また、主洗浄ノズル４
１４は、回転テーブル４０６にウェハＷが戴置された場
合に、そのノズル先端がウェハＷの中心部に来るように
備えられ、第２搬送機構２９によるウェハＷの搬送を妨
げないように可動な構成となっている。

【００４６】エッジ洗浄ノズル４１５は、第２洗浄液槽
４２０につながっており、第２洗浄液槽４２０に貯蔵さ
れた洗浄液を所定の供給速度でノズル先端から噴出す
る。ここで、第２洗浄液槽４２０に貯蔵された洗浄液
は、フッ酸、塩酸、硫酸等の無機酸または有機酸等の酸
系薬液と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）の混合液、例えば、
希フッ酸とＨ_２Ｏ_２の混合液である。この実施形態で
は、フッ酸：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝１：１：２３の混合液
を用いる。

【００４７】図７に示すように、ウェハＷ周縁の表面上
にはＣｕシード層Ｌ１およびその上にメッキ処理により
形成されたＣｕ層Ｌ２が存在する。エッジ洗浄ノズル４
１５は、主洗浄ノズル４１４からウェハＷ表面上に純水
が供給されている状態で、このウェハＷ周縁に洗浄液を
噴射してウェハＷ周縁の洗浄（エッチング）を行う。

【００４８】エッジ洗浄ノズル４１５は、主洗浄ノズル
と同様に可動である。本実施形態では、エッジ洗浄ノズ
ル４１５は、ウェハＷのエッジから２ｃｍ、ウェハＷの
上方１ｃｍに配置される。また、エッジ洗浄ノズル４１
５は、ウェハＷ平面に対して鋭角、例えば、３０°の角
度で備えられ、かつ、ウェハＷ平面上で、ウェハＷの半
径方向に対して０〜９０°、例えば、４５°で備えられ
ている。

【００４９】エッジ洗浄ノズル４１５を上記配置とする
ことにより、ウェハＷ表面のデバイス作成領域への洗浄
液や薄膜の溶解物の飛散を抑えながら、ウェハＷ周縁に
所望の洗浄幅、例えば、２ｍｍ前後の洗浄幅を得ること
ができる。

【００５０】本実施形態に係る回転洗浄装置の主要部は
以上のように構成されており、図８を参照して、その洗
浄シーケンスについて説明する。第２搬送機構２９によ
って、メッキ処理ユニットから取り出されたウェハＷ
は、ハウジング４０１の出入口４１７から洗浄乾燥ユニ
ット２７内に搬送され、回転テーブル４０６の周縁部に
配置されている保持部材５２上に載置され、第２搬送機
構２９は出入口４１７からハウジング４０１外に退避す
る。この時カップ４０２は、最下降位置にある。

【００５１】第２搬送機構２９が退避した後、中空モー
タ４０５によって回転駆動体４０４が回転し、それに伴
って回転テーブル４０６が回転し、保持部材５２によっ
て保持されているウェハＷも回転する。このとき、カッ
プ４０２はカップ駆動部４０３により最も高い位置４０
２’まで上昇し、洗浄液等がユニット内に飛散しないよ
うにしている。

【００５２】回転テーブル４０６の回転数が所定の回転
数（２００〜３００ｒｐｍ）に達した後、ウェハＷの裏
面及び周縁の洗浄が行われる。ウェハＷ裏面及び周縁の
洗浄では、まず、主洗浄ノズル４１４から純水が供給さ
れる。続いて、ウェハＷ表面上に純水が十分に供給され
た状態に達した後、エッジ洗浄ノズル４１５から洗浄液
が供給される。周縁の洗浄は所定時間（約３０秒）行わ
れ、エッジ洗浄ノズル４１５からの洗浄液の供給が止ま
った後に、主洗浄ノズル４１４からの純水の供給が止ま
り終了する。

【００５３】また、ウェハＷ周縁の洗浄の際、保持部材
５２により保持されているために、エッジ洗浄ノズル４
１５により十分に洗浄されないウェハＷ周縁部分を洗浄
することもできる。

【００５４】具体的には、ウェハＷの保持部分の洗浄
は、回転テーブル４０６の回転数ω１を急激にω１より
低い回転数ω２に変えることにより行われる。ウェハＷ
周縁の洗浄を所定時間行った後、回転テーブル４０６の
回転数をω１からω２に低下させる。回転数の低下に従
い、保持部材５２の保持部５４のウェハＷに対する押圧
力は低下し、保持部材５２の保持するウェハＷの保持部
分９１は、ウェハＷの回転方向とは逆の方向の位置９
１’にずれる。ここで、再び回転テーブルの回転数をω
１まで戻してウェハＷ周縁の洗浄を行うことにより、ウ
ェハＷの保持部材５２に保持されていた部分も洗浄する
ことができる。

【００５５】ウェハＷ裏面及び周縁の洗浄の後、同じ回
転数としたまま、ウェハＷの両面の純水による洗浄が行
われる。ウェハＷの純水洗浄は、ウェハＷ上方の主洗浄
ノズル４１４、及び、下方の裏面洗浄ノズル４０９の穴
５１から純水が供給されて、所定時間（約４０秒）行わ
れる。

【００５６】ウェハＷ裏面の洗浄後、ウェハＷのスピン
乾燥が行われる。このスピン乾燥では、回転テーブル４
０６の回転数は所定の回転数（２０００〜３０００ｒｐ
ｍ）まで上げられ、同時に、ウェハＷ上方の主洗浄ノズ
ル４１４及び下方の裏面洗浄ノズル４０９の穴５１から
Ｎ_２が供給されて、所定時間（約１０秒）行われる。こ
のとき、カップ４０２は下降位置にあり、第２搬送機構
２９によるウェハＷの搬送を妨げないようしている。

【００５７】上述の洗浄乾燥処理後、ウェハＷは第２搬
送機構２９によって、ハウジング４０１の出入口４１７
から洗浄乾燥ユニット２７の外に搬送される。

【００５８】本実施の形態では、３つの保持部材により
回転テーブル上に保持されるとしたが、３つ以上の保持
部材によりウェハＷを保持する構成も可能である。

【００５９】上記実施形態では、エッジ洗浄ノズル４１
５より噴出される洗浄液は、希フッ酸とＨ_２Ｏ_２の混合
液としたが、希フッ酸とＨ_２Ｏ_２をそれぞれ別々に貯蔵
した槽から供給して、エッジ洗浄ノズル４１５直前で混
合する構成としてもよい。

【００６０】また、エッジ洗浄ノズル４１５の配置は様
々に変更可能であり、エッジ洗浄ノズルのウェハＷ平面
に対する角度、ウェハＷの半径方向に対する角度を最適
化して、ウェハＷの洗浄幅を所望の値に制御することが
できる。

【００６１】さらに、本実施の形態では所定のものとし
たが、主洗浄ノズル４１４からの純水の供給速度、エッ
ジ洗浄ノズル４１５からの洗浄液の供給速度を変更する
ことも可能であり、これに基づいてエッジ洗浄ノズル４
１５の配置を設定して、所望の洗浄幅を得るよう制御す
ることもできる。

【００６２】本実施の形態の洗浄装置では、エッジ洗浄
ノズル４１５は１カ所に配置される構成であるが、エッ
ジ洗浄ノズル４１５を複数個設けてウェハＷの周縁を洗
浄する構成も可能である。

【００６３】また、上記実施例１、２で用いた裏面洗浄
ノズル４０９の構成を変えることにより、より効果的な
基板の洗浄が可能となる。

【００６４】裏面洗浄ノズル４０９は、中心部から半径
方向外側に延びる４本の棒状体から構成され、この棒状
体の上側に設けられた７個の穴５１からウェハＷ裏面に
洗浄液、純水を供給するものである。そして、図５に示
すように、この穴５１は中心部に１個、そして各棒状体
に中心部から等間隔に３個並んだ構成となっており、全
て同一の径を有している。

【００６５】しかしながら、ウェハＷは円であり、ウェ
ハＷの中心部と端部では、面積当たりの洗浄液量が異な
る。例えば、ウェハＷの半径により３つの等しい領域に
分けた場合、各領域の面積比は、中心部：中間部：端部
＝１：３：５であり、各領域当たりの洗浄液量は異なる
ことになる。

【００６６】このような、ウェハＷ面の各領域にあたる
洗浄液量の違いは、穴の径を中心部から端部にかけて増
大させることにより調整される。例えば、上記のよう
に、３つの領域に分けた場合には、各領域にある穴の総
面積の比が中心部：中間部：端部＝１：３：５となるよ
う調整して、ウェハＷ面内の、各領域にあたる洗浄液量
が等しくなるようすることができる。

【００６７】また、ウェハＷは回転しているので、同様
に、ウェハＷの中心部と端部では、供給される液量で洗
浄される面積が異なる。このため、ウェハＷの回転の角
速度に対して穴の径を変えて調整することもできる。例
えば、上記と同様にウェハＷの面を３つの領域に分けた
場合、各領域の角速度の比は中心部：中間部：端部＝
１：２：３であるので、各領域にある穴の総面積の比が
中心部：中間部：端部＝１：２：３となるよう調整し
て、ウェハＷ面内の、各領域にあたる洗浄液量が等しく
なるようすることができる。

【００６８】実際には、円であるウェハＷを回転させつ
つノズル洗浄が行われるので、上記２つのアプローチの
組み合わせが好ましい。このとき、ウェハＷの面を３つ
に分けた場合には、各領域にある穴の総面積の比の最適
値は、中心部：中間部：端部＝１：２．５：４である。

【００６９】上記実施形態において、ウェハＷをその半
径から３つの領域に分けて、ノズル穴の設定を行った
が、領域を４つに分けるなどして、さらに詳細にノズル
穴の設定を行うこともできる。

【００７０】裏面洗浄ノズルの穴の個数は各棒状体に７
個ずつとしたが、任意に設定することが可能である。ま
た、棒状体の本数は４本としたが、６本等、任意に設定
することができる。

【００７１】もしくは、穴の径は全て同じであるが、分
けられた領域に対して孔の数を振り分けるようにするこ
ともできる。例えば、３つの領域に分けた場合、各領域
に供給する液量の比を１：２．５：４とするが、これに
合わせて穴の数を配置する。棒状体の本数に関わらず、
各領域ごとに配置する数の比が最適値となればよい。つ
まり、穴の数の比を、中心部：中間部：端部＝１：２．
５：４とすればよい。よって棒状体１本に配置する穴の
数は異なるようにしてもよい。従って、裏面洗浄ノズル
４０９は、棒状体だけでなく、円盤に穴を配置した構成
であってもよい。

【００７２】本発明の上記実施形態では、半導体ウェハ
を液処理する場合について説明したが、本発明の液処理
装置は、被処理体として半導体ウェハ以外に、ＬＣＤ用
のガラス基板等の処理にも適用することが可能である。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の周縁を、デバイスへ悪影響を及ぼすことなく洗浄
することのできる、液処理装置が提供される。また、本
発明により、特に、メッキ処理された半導体ウェハ周縁
の洗浄装置が提供され、ウェハ周縁から剥離するパーテ
ィクルの発生を抑え、キャリア等の汚染を防ぐことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るメッキ処理装置の全
体構成を示す概略３次元立体図である。

【図２】実施の形態に係るメッキ処理装置の全体構成を
示す概略平面図である。

【図３】実施の形態に係るメッキ処理装置の全体構成を
示す概略側面図である。

【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄乾燥装置の断面
図である。

【図５】実施の形態に係る裏面洗浄ノズル４０９の上面
図である。

【図６】実施の形態に係るウェハの保持部材５２の側面
図及び正面図である。

【図７】実施の形態に係るウェハ周縁の洗浄方法を示す
図である。

【図８】実施の形態に係るウェハ周縁の洗浄方法を示す
図である。

【図９】実施の形態に係るウェハの洗浄乾燥のシーケン
スを示す図である。

【図１０】実施の形態に係るウェハずらしを示す図であ
る。

【符号の説明】

１１メッキ処理装置２１カセットステーション２２処理ステーション２３ウェハカセット２５第１搬送機構２６メッキ処理ユニット２７洗浄乾燥ユニット２８エクストラユニット２９第２搬送機構４０２ハウジング４０５中空モータ４０６回転テーブル４０９裏面洗浄ノズル４１４主洗浄ノズル４１５エッジ洗浄ノズル５２保持部材Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ (72)発明者宮崎高典佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレクトロン九州株式会社内 (72)発明者西寛信神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号東京エレクトロンイー・イー株式会社内 (72)発明者加藤善規山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレクトロン株式会社内Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB23 AB34 AB42 BB24 BB93 BB96 CC12 CC13 CD11 CD34 4K057 WA01 WB04 WB15 WE03 WE07 WE08 WE25 WM06 WM11 WN01 5F043 BB27 EE07 EE08 EE35 EE36 GG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該
被処理体の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、回転さ
せた状態で、前記被処理体の中心部に第１の処理液を供
給する第１の処理液供給手段と、前記第１の処理液供給手段が前記被処理体の中心部に前
記第１の処理液を供給している状態で、第２の処理液を
前記被処理体の周縁に供給する第２の処理液供給手段と
を備えたことを特徴とする液処理装置。
【請求項２】前記第１の処理液は純水であり、かつ、前
記第２の処理液は過酸化水素水と酸系溶液の混合液であ
ることを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】前記第２の処理液供給手段は、前記被処理
体の周縁に対し、前記被処理体の平面に対して鋭角的に
処理液を供給することを特徴とする請求項１に記載の液
処理装置。
【請求項４】前記第２の処理液供給手段は、前記被処理
体の周縁に対し、前記被処理体の平面上で前記被処理体
の平面の接線方向に対して０〜９０°の角度で処理液を
供給することを特徴とする請求項１に記載の液処理装
置。
【請求項５】前記液処理装置は、中心を有し、該中心から半径方向外側に延びた複数の管
と、前記被処理体表面に処理液を供給する、前記管の上側に
等間隔に配設された複数の穴とから構成される第３の処
理液供給手段を備えることを特徴とする請求項１乃至４
項に記載の液処理装置。
【請求項６】前記複数の穴は、前記中心から半径方向外
側に向かって、該穴の径が増大するように前記管に配設
されていることを特徴とする請求項５に記載の液処理装
置。
【請求項７】被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該
被処理体の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、回転さ
せた状態で、前記被処理体の中心部に第１の処理液を供
給する第１の処理液供給手段と、前記第１の処理手段が前記被処理体の中心部に前記第１
の処理液を供給している状態で、第２の処理液を前記被
処理体の周縁に供給する第２の処理液供給手段とを備え
た液処理装置を用いた液処理方法であって、前記被処理体保持手段が被処理体を保持し、第１の回転
速度で被処理体を回転させた状態で、該被処理体の周縁
を処理し、その後、第１の回転速度とは異なる第２の回転速度で該
被処理体を回転させ、前記被処理体保持手段が該被処理
体を保持している位置をずらして該被処理体周縁の処理
を行うことを特徴とする液処理方法。