JP7203685B2 - 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7203685B2 JP7203685B2 JP2019098413A JP2019098413A JP7203685B2 JP 7203685 B2 JP7203685 B2 JP 7203685B2 JP 2019098413 A JP2019098413 A JP 2019098413A JP 2019098413 A JP2019098413 A JP 2019098413A JP 7203685 B2 JP7203685 B2 JP 7203685B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- chemical solution
- substrate holding
- cup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
Description
第2の態様に係る基板処理装置は、第1の態様に係る基板処理装置であって、前記カップ部は、前記基板保持部の周囲をそれぞれ取り囲む1つ以上のカップ部材を有し、前記第2駆動部は、前記基板保持部に対する前記1つ以上のカップ部材のそれぞれの前記上下方向における相対的な位置を変化させ、前記制御部は、前記薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記1つ以上のカップ部材のうちの前記1つのカップ部材の前記上下方向における相対的な位置を変化させ、前記制御部は、前記薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記1つのカップ部材の前記上下方向における相対的な位置を前記下方向に移動させることから開始するように制御する。
第5の態様に係る基板処理装置は、第1または第2の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記薬液処理の実行中において、前記第2駆動部によって、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させる第1動作と、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を上方向に移動させる第2動作と、を交互に実行させるように制御する。
第14の態様に係る基板処理装置は、第1から第13の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、第1の前記基板に対する前記薬液処理の実行が完了した後に、前記カップ部の乾燥に要する予め設定された所定時間が経過したことが判定されるまで、前記第1の基板の次の第2の前記基板に対する前記薬液処理の実行の開始を禁止する。
第15の態様に係る基板処理装置は、第1から第14の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記薬液吐出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けてエッチングを施すための前記薬液を吐出する。
第17の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置における基板処理方法であって、前記基板処理装置は、処理ユニットと、該処理ユニットの動作を制御する制御部と、を備える。前記処理ユニットは、基板保持部と、第1駆動部と、薬液吐出部と、カップ部と、第2駆動部と、を有する。前記基板保持部は、第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持することが可能である。前記第1駆動部は、仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させることが可能である。前記薬液吐出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出することが可能である。前記カップ部は、前記基板保持部の周囲を取り囲む。前記第2駆動部は、前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させることが可能である。前記基板処理方法は、第1工程と、第2工程と、を有する。前記第1工程において、前記制御部が、前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させる。前記第2工程において、前記制御部が、前記第1工程における前記薬液処理の実行中に、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる。前記第2工程においては、前記制御部が、前記第1工程における前記薬液処理の実行を開始させる第1タイミングから前記薬液処理の実行を終了させる第2タイミングまでの薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させるとともに上方向には移動させないように制御し、前記第2タイミングの後に、前記第2駆動部による前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置の前記下方向への移動を停止させるように制御する。
<1-1.基板処理装置>
基板処理装置100の構成について、図1を参照しながら説明する。
図3および図4は、それぞれ処理ユニット1の一構成例を図解的に示す側面図である。この処理ユニット1は、例えば、半導体ウエハ等の基板Wの下面(裏面ともいう)Wbにおいてレジストから露出した薄膜を腐食によって除去するエッチング、基板Wの洗浄および基板Wの乾燥を順に行う一連の基板処理を実行可能な枚葉式の処理ユニットである。
図7は、処理ユニット1を用いた処理の流れの一例を示す図である。この処理の流れは、制御部2によって各部の動作が制御されることで実現される。ここでは、基板処理装置100のうちの1つの処理ユニット1に着目して説明する。
図8は、基板処理の実行時におけるカップ部30の上下方向における位置の変化を模式的に示す図である。図8の例では、内カップ部材31aが最下部まで下降された状態で、中カップ部材31bおよび外カップ部材31cが、上昇された所定の第1位置H0(図8(a))と、下降された所定の第2位置L0(図8(b))との間で、移動される。また、図8では、基板Wの下面Wbに向けて吐出された薬液などの液滴が、スピンチャック20による基板Wの仮想軸P0を中心とした回転によってカップ部30に向けて飛散する経路が2点鎖線の矢印Dp0で描かれている。具体的には、基板Wの下面Wbに向けて吐出された薬液などの液滴が、中カップ部材31bの内壁面Iwbの領域(受液領域ともいう)Ar1に向けて飛散する様子が示されている。さらに、図8では、FFU50からカップ部30に内側(具体的には、中カップ部材31bの内壁面Iwb)に向けた清浄空気のダウンフローの経路の一例が2点鎖線の矢印Af0で描かれている。
図10は、洗浄処理の実行時におけるカップ部30の上下方向における位置の変化を例示するタイミング図である。図10(a)および図10(b)のそれぞれには、時間の経過に対する、純水供給源72から下部供給部25に純水を供給するためのバルブ(純水用のバルブともいう)の開閉、およびカップ部30(具体的には、中カップ部材31b)の上下方向における位置、のそれぞれの変化が示されている。
図11は、乾燥処理の実行時におけるカップ部30の上下方向における位置の変化を例示するタイミング図である。図11(a)および図11(b)のそれぞれには、時間の経過に対する、ガス供給源74から下部環状流路27pにガスを供給するためのバルブ(ガス用のバルブともいう)の開閉、およびカップ部30(具体的には、中カップ部材31b)の上下方向における位置、のそれぞれの変化が示されている。
以上のように、第1実施形態に係る基板処理装置100では、例えば、制御部2が、回転機構22によって仮想軸P0を中心としてスピンベース23および複数個のチャックピン24を回転させながら、第1吐出部25oによって複数個のチャックピン24に保持された基板Wの下面Wbに向けて薬液を吐出させて下面Wbに処理を施す薬液処理を実行させつつ、昇降駆動部34によってスピンチャック20に対するカップ部30の上下方向における相対的な位置を変化させる。換言すれば、例えば、基板Wに対して薬液を用いた処理を施す際に、カップ部30の内壁面において回転している基板W上から飛散する薬液の液滴を受け止める受液領域Ar1が上下方向に移動する。これにより、例えば、カップ部30の内壁面に付着した液滴に、回転している基板W上から飛散する薬液の液滴が衝突しにくくなる。その結果、例えば、カップ部30の内壁面上から薬液の多量の微小な液滴が飛び散るスプラッシュが生じにくく、薬液の微小な液滴が基板Wの上面Wuまで到達しにくい。したがって、例えば、基板Wの上面Wuの汚染および基板Wの上面Wuに意図しない処理が施される不具合が生じにくく、基板Wの品質が向上し得る。
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
2 制御部
20 スピンチャック
22 回転機構
23 スピンベース
24 チャックピン
25 下部供給部
25o 第1吐出部
26o 第2吐出部
27o 第3吐出部
30,30B カップ部
31B カップ部材
31a 内カップ部材
31b 中カップ部材
31c 外カップ部材
34 昇降駆動部
40 遮断部材
46,46C 上部供給部
60C 処理液供給部
61C ノズル部
70,70C 気液供給部
71o 第6吐出部
72o 第4吐出部
73o 第5吐出部
100 基板処理装置
205 処理部
Ar1 受液領域
H0 第1位置
L0 第2位置
P0 仮想軸
PD1 薬液処理期間
PD2 洗浄処理期間
PD3 乾燥処理期間
Pg1 プログラム
W 基板
Wb 下面
Wu 上面
Claims (18)
- 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理の実行を開始させる第1タイミングから前記薬液処理の実行を終了させる第2タイミングまでの薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させることから開始し、前記薬液処理期間の最初から最後まで前記カップ部のうちの1つのカップ部材で前記基板から飛散してくる前記薬液を受け止めるように制御する、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記カップ部は、前記基板保持部の周囲をそれぞれ取り囲む1つ以上のカップ部材を有し、
前記第2駆動部は、前記基板保持部に対する前記1つ以上のカップ部材のそれぞれの前記上下方向における相対的な位置を変化させ、
前記制御部は、前記薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記1つ以上のカップ部材のうちの前記1つのカップ部材の前記上下方向における相対的な位置を変化させ、
前記制御部は、前記薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記1つのカップ部材の前記上下方向における相対的な位置を前記下方向に移動させることから開始するように制御する、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させるとともに上方向には移動させないように制御する、基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記薬液処理期間において、前記基板から前記カップ部の内壁面のうちの乾燥している部分に向けて前記薬液の液滴が飛散されるように、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を前記下方向に移動させる速度を制御する、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記薬液処理の実行中において、前記第2駆動部によって、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させる第1動作と、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を上方向に移動させる第2動作と、を交互に実行させるように制御する、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理の実行を開始させる第1タイミングから前記薬液処理の実行を終了させる第2タイミングまでの薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させるとともに上方向には移動させないように制御し、
前記制御部は、前記第2タイミングの後に、前記第2駆動部による前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置の前記下方向への移動を停止させるように制御する、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理の実行を開始させる第1タイミングから前記薬液処理の実行を終了させる第2タイミングまでの薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させるとともに上方向には移動させないように制御し、
前記制御部は、前記第1タイミングの前に、前記第2駆動部による前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置の前記下方向への移動を開始させるように制御する、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理の実行中において、前記第2駆動部によって、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させる第1動作と、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を上方向に移動させる第2動作と、を交互に実行させるように制御し、
前記制御部は、前記薬液処理の実行中において、前記第2駆動部によって前記第2動作を実行させる際には、前記薬液吐出部による前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けた前記薬液の吐出を停止させる、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理の実行中において、前記第2駆動部によって、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させる第1動作と、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を上方向に移動させる第2動作と、を交互に実行させるように制御し、
前記制御部は、前記第2駆動部によって前記第1動作および前記第2動作の実行を停止させる前に、前記薬液吐出部による前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けた前記薬液の吐出を停止させる、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理の実行中において、前記第2駆動部によって、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させる第1動作と、前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を上方向に移動させる第2動作と、を交互に実行させるように制御し、
前記制御部は、前記第2駆動部によって前記第1動作および前記第2動作の実行を開始させた後に、前記薬液吐出部による前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けた前記薬液の吐出を開始させる、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理を実行させた後に、前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら前記洗浄液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記洗浄液を吐出させることで前記第1面を洗浄する洗浄処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けてガスを吐出するガス吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理と、前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら前記洗浄液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記洗浄液を吐出させることで前記第1面を洗浄する洗浄処理と、前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら前記ガス吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記ガスを吐出させることで前記第1面を乾燥させる乾燥処理と、を順に実行させ、
前記制御部は、前記乾燥処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる、基板処理装置。 - 第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させる第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出する薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させる第2駆動部と、
前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させつつ、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる制御部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第2面を覆うことが可能な保護部と、を備え、
前記制御部は、前記薬液処理を実行する際に、前記第2面には液体を吐出させることなく前記保護部によって前記第2面を覆わせる、基板処理装置。 - 請求項1から請求項13の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、第1の前記基板に対する前記薬液処理の実行が完了した後に、前記カップ部の乾燥に要する予め設定された所定時間が経過したことが判定されるまで、前記第1の基板の次の第2の前記基板に対する前記薬液処理の実行の開始を禁止する、基板処理装置。 - 請求項1から請求項14の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記薬液吐出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けてエッチングを施すための前記薬液を吐出する、基板処理装置。 - 基板処理装置における基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
処理ユニットと、該処理ユニットの動作を制御する制御部と、を備え、
前記処理ユニットは、
第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持することが可能な基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させることが可能な第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出することが可能な薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させることが可能な第2駆動部と、を有し、
前記基板処理方法は、
前記制御部が、前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させる第1工程と、
前記制御部が、前記第1工程における前記薬液処理の実行中に、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる第2工程と、を有し、
前記第2工程においては、前記制御部が、前記第1工程における前記薬液処理の実行を開始させる第1タイミングから前記薬液処理の実行を終了させる第2タイミングまでの薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させることから開始させ、前記薬液処理期間の最初から最後まで前記カップ部のうちの1つのカップ部材で前記基板から飛散してくる前記薬液を受け止めさせるように制御する、基板処理方法。 - 基板処理装置における基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
処理ユニットと、該処理ユニットの動作を制御する制御部と、を備え、
前記処理ユニットは、
第1面と該第1面とは逆の第2面とを有する基板を水平姿勢で保持することが可能な基板保持部と、
仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させることが可能な第1駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて薬液を吐出することが可能な薬液吐出部と、
前記基板保持部の周囲を取り囲むカップ部と、
前記基板保持部に対する前記カップ部の上下方向における相対的な位置を変化させることが可能な第2駆動部と、を有し、
前記基板処理方法は、
前記制御部が、前記第1駆動部によって前記仮想軸を中心として前記基板保持部を回転させながら、前記薬液吐出部によって前記基板保持部に保持された前記基板の前記第1面に向けて前記薬液を吐出させて前記第1面に処理を施す薬液処理を実行させる第1工程と、
前記制御部が、前記第1工程における前記薬液処理の実行中に、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を変化させる第2工程と、を有し、
前記第2工程においては、前記制御部が、前記第1工程における前記薬液処理の実行を開始させる第1タイミングから前記薬液処理の実行を終了させる第2タイミングまでの薬液処理期間において、前記第2駆動部によって前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置を下方向に移動させるとともに上方向には移動させないように制御し、前記第2タイミングの後に、前記第2駆動部による前記基板保持部に対する前記カップ部の前記上下方向における相対的な位置の前記下方向への移動を停止させるように制御する、基板処理方法。 - 基板処理装置に含まれる制御部によって実行されることで、該基板処理装置を、請求項1から請求項15の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置として機能させる、プログラム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098413A JP7203685B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
CN202080038502.7A CN113874985A (zh) | 2019-05-27 | 2020-04-09 | 基板处理装置、基板处理方法、程序以及计算机可读取的存储介质 |
PCT/JP2020/015900 WO2020241077A1 (ja) | 2019-05-27 | 2020-04-09 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記憶媒体 |
US17/605,017 US20220238346A1 (en) | 2019-05-27 | 2020-04-09 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and non-transitory computer-readable storage medium |
KR1020217038796A KR20220002532A (ko) | 2019-05-27 | 2020-04-09 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체 |
TW109114966A TWI785330B (zh) | 2019-05-27 | 2020-05-06 | 基板處理裝置、基板處理方法以及電腦可讀取之記憶媒體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098413A JP7203685B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020194836A JP2020194836A (ja) | 2020-12-03 |
JP7203685B2 true JP7203685B2 (ja) | 2023-01-13 |
Family
ID=73545930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019098413A Active JP7203685B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220238346A1 (ja) |
JP (1) | JP7203685B2 (ja) |
KR (1) | KR20220002532A (ja) |
CN (1) | CN113874985A (ja) |
TW (1) | TWI785330B (ja) |
WO (1) | WO2020241077A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI826286B (zh) * | 2023-03-10 | 2023-12-11 | 弘塑科技股份有限公司 | 防噴濺液體供應裝置及單晶圓處理設備 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009224692A (ja) | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2015035474A (ja) | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018014353A (ja) | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
JP2019046892A (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102193334B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2020-12-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
JP6462559B2 (ja) * | 2015-05-15 | 2019-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6793048B2 (ja) | 2017-01-27 | 2020-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、ダミーディスペンス方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
2019
- 2019-05-27 JP JP2019098413A patent/JP7203685B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-09 US US17/605,017 patent/US20220238346A1/en active Pending
- 2020-04-09 KR KR1020217038796A patent/KR20220002532A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-04-09 CN CN202080038502.7A patent/CN113874985A/zh active Pending
- 2020-04-09 WO PCT/JP2020/015900 patent/WO2020241077A1/ja active Application Filing
- 2020-05-06 TW TW109114966A patent/TWI785330B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009224692A (ja) | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2015035474A (ja) | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018014353A (ja) | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
JP2019046892A (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020194836A (ja) | 2020-12-03 |
CN113874985A (zh) | 2021-12-31 |
TW202112454A (zh) | 2021-04-01 |
US20220238346A1 (en) | 2022-07-28 |
KR20220002532A (ko) | 2022-01-06 |
WO2020241077A1 (ja) | 2020-12-03 |
TWI785330B (zh) | 2022-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4397299B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6256828B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2005119748A1 (ja) | 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP6718714B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6945314B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20080053488A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
KR20190062366A (ko) | 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법 | |
US11521865B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP7203685B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム | |
JP6782185B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2017041509A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7437154B2 (ja) | 基板処理装置、および、基板処理方法 | |
JP6593920B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2020195695A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および半導体製造方法 | |
JP6817821B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5824225B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI797862B (zh) | 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 | |
JP7372084B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2022024590A1 (ja) | 基板処理方法 | |
JP7008546B2 (ja) | 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル | |
JP2010267690A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2024018422A (ja) | 基板洗浄装置、および、基板洗浄方法 | |
JP2017041511A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2024044905A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7203685 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |