JP6462559B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
基板保持機構30によりウエハWを鉛直方向軸線周りに回転させる。下ノズル47に基板温調液供給機構75から加熱されたDIWすなわち基板温調液が供給され、下ノズル47の基板温調液吐出口471からウエハWの下面の中心部に向けて基板温調液が吐出される。この基板温調液は、遠心力によりウエハWの下面をウエハWの周縁に向かって広がりながら流れ、これにより、ウエハWの下面が基板温調液により覆われる。基板温調液により、ウエハWが、所望の温度、例えば二流体ノズル41から吐出されるSC−1と概ね等しい温度に加熱される。
薬液処理工程の終了後、引き続きウエハWを回転させたまま、二流体ノズル41からの液滴の吐出を停止するとともに下ノズル47からの温調用DIWの吐出を停止し、ウエハWの中心部の上方に位置するリンスノズル42からリンス液としてのDIWをウエハWの中心部に供給して、ウエハWの表面に残留した薬液および反応生成物を洗い流すリンス処理を行う。
リンス工程の終了後、リンスノズル42からのDIWの供給を停止し、ウエハWの回転数を増加させてウエハW上に残存するリンス液を遠心力で振り切ることにより、ウエハWの表面を乾燥させる。
ここで、二流体ノズル41をウエハWの中心の真上の位置とウエハWの周縁の真上の位置との間で往復させ、二流体ノズル41から吐出された二流体中に含まれるSC−1の液滴のウエハW表面上への着液位置を変化させた場合について考える。
発明者らは、二流体ノズル41がウエハWの中心の真上の位置を出発した時点からウエハWの中心部の少なくとも一部で液膜が消失する時点までの経過時間(乾燥時間)を計測した。そして、下ノズル47からウエハW裏面中心部に供給する基板温調液としてのDIWの温度が高いほどこの乾燥時間は短くなることを発見した。
この結果から、下ノズル47から供給される基板温調液の温度が相対的に低い場合には、二流体ノズル41の移動速度を相対的に低くさせればよいことがわかる。一方、下ノズル47から供給される基板温調液の温度が相対的に高い場合には、二流体ノズル41の移動速度を上昇させればよいことがわかる。つまり、基板温調液の温度及び二流体ノズル41の移動速度のいずれか一方の値は、他方の値に応じて決定することが好ましい。
20A 処理チャンバ(チャンバ)
20B 第1区画
20C 第2区画
31 基板保持部
31a 基板保持部のプレート部分
31b 基板保持部の保持部分
33 回転駆動部(駆動部)
41 第1ノズル(二流体ノズル)
45A ノズルアーム
46A アーム駆動機構
47 第2ノズル(下ノズル)
71A 加熱薬液供給機構
71B ガス供給機構
7104 純水温度調節器(基板温調液温度調節器)
7110,7112 薬液配管、純水配管(薬液ライン、基板温調液ライン)
7120 温度調節器(薬液温調液温度調節器、基板温調液の温度を調節するための温調液の温度調節器)
7116 温調液ジャケット(ウオータージャケット)
7140 断熱材
7160,7162 薬液タンク
7171 第1分岐ライン(希釈液ライン)
7180 加熱純水ジャケット(温調タンク、温調ジャケット)
7184 第2分岐ライン(タンク温調液供給ライン)
75 加熱純水供給機構(基板温調液供給機構)
150 カップ
152 上カップ体
152a 上カップ体の下部分
152b 上カップ体の上部分
153 外カップ体
161 仕切板
161a 仕切板の開口
161b 開口の縁
163 仕切り板
164 スリット
Claims (4)
- 基板を保持する基板保持部と、
加熱された薬液を供給する加熱薬液供給機構と、
ガスを供給するガス供給機構と、
加熱された純水を供給する加熱純水供給機構と、
前記ガス供給機構により供給された前記ガスと、前記加熱薬液供給機構により供給された加熱された前記薬液とを混合することにより形成された前記薬液の液滴を前記基板の表面に向けて吐出する第1ノズルと、
前記加熱純水供給機構により供給された加熱された前記純水を、前記基板の裏面に向けて吐出する第2ノズルと、
前記第1ノズルは、第2ノズルから供給された加熱純水により前記裏面側から加熱される前記基板の表面に前記液滴を供給し、
前記加熱薬液供給機構は、前記薬液を貯留する薬液タンクを有し、
前記加熱純水供給機構は、前記第2ノズルに供給される純水を加熱するための純水温度調節器を有し、
前記薬液タンクの周囲を囲む加熱純水ジャケットが設けられ、前記純水温度調節器により加熱された純水が前記加熱純水ジャケットに供給されて前記薬液タンク内に貯留された前記薬液を保温または加熱し、前記加熱純水ジャケットから排出された純水が前記純水温度調節器に戻され、
前記薬液は、薬液成分を純水で希釈したものであり、
前記加熱純水供給機構は、前記純水温度調節器により加熱された純水を前記第2ノズルに供給するための加熱純水ラインを有し、
前記加熱純水ラインから分岐して、前記加熱純水ラインを流れる加熱純水を前記薬液を調合するための希釈液として前記薬液タンクに供給する第1分岐ラインと、前記加熱純水ラインから分岐して、前記加熱純水ラインを流れる加熱純水を前記加熱純水ジャケットに供給する第2分岐ラインと、が設けられ、前記第2分岐ラインが加熱純水ラインから分岐する位置が、前記第1分岐ラインが加熱純水ラインから分岐する位置よりも上流側にある、基板処理装置。 - 前記加熱薬液供給機構が薬液温調機構を有し、前記薬液温調機構は、温度制御された温調液を供給する温度調節器と、前記第1ノズルに前記加熱された薬液を供給するための薬液配管を囲むとともに、前記温度調節器から供給された温調液が供給される温調液ジャケットと、を有している、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記加熱純水供給機構が純水温調機構を有し、前記純水温調機構は、温度制御された温調液を供給する温度調節器と、前記第2ノズルに前記加熱純水を供給するための純水配管を囲むとともに、前記温度調節器から供給された温調液が供給される温調液ジャケットと、を有している、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部は、前記基板の下方に位置して前記基板に対面するプレート部分と、前記プレート部分の周縁部に設けられて前記基板の周縁部を保持する保持部分とを有し、前記基板と前記プレート部分との間の空間が前記第2ノズルから吐出された前記加熱純水により満たされた状態で、前記第1ノズルが前記基板の表面に前記液滴を供給する、請求項1記載の基板処理装置。
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