JP2016219773A - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
基板保持機構30によりウエハWを鉛直方向軸線周りに回転させる。下ノズル47に基板温調液供給機構75から加熱されたDIWすなわち基板温調液が供給され、下ノズル47の温調液吐出口471からウエハWの下面の中心部に向けて基板温調液が吐出される。この基板温調液は、遠心力によりウエハWの下面をウエハWの周縁に向かって広がりながら流れ、これにより、ウエハWの下面が基板温調液により覆われる。基板温調液により、ウエハWが、所望の温度、例えば二流体ノズル41から吐出されるSC−1と概ね等しい温度に加熱される。
薬液処理工程の終了後、引き続きウエハWを回転させたまま、二流体ノズル41からの液滴の吐出を停止するとともに下ノズル47からの温調用DIWの吐出を停止し、ウエハWの中心部の上方に位置するリンスノズル42からリンス液としてのDIWをウエハWの中心部に供給して、ウエハWの表面に残留した薬液および反応生成物を洗い流すリンス処理を行う。
リンス工程の終了後、リンスノズル42からのDIWの供給を停止し、ウエハWの回転数を増加させてウエハW上に残存するリンス液を遠心力で振り切ることにより、ウエハWの表面を乾燥させる。
発明者らは、二流体ノズル41がウエハWの中心の真上の位置を出発した時点からウエハWの中心部の少なくとも一部で液膜が消失する時点までの経過時間(乾燥時間)を計測した。そして、下ノズル47からウエハW裏面中心部に供給する基板温調液としてのDIWの温度が高いほどこの乾燥時間は短くなることを発見した。
この結果から、下ノズル47から供給される基板温調液の温度が相対的に低い場合には、二流体ノズル41の移動速度を相対的に低くさせればよいことがわかる。一方、下ノズル47から供給される基板温調液の温度が相対的に高い場合には、二流体ノズル41の移動速度を上昇させればよいことがわかる。つまり、基板温調液の温度及び二流体ノズル41の移動速度のいずれか一方の値は、他方の値に応じて決定することが好ましい。
20A 処理チャンバ(チャンバ)
20B 第1区画
20C 第2区画
31 基板保持部
31a 基板保持部のプレート部分
31b 基板保持部の保持部分
33 回転駆動部(駆動部)
41 第1ノズル(二流体ノズル)
45A ノズルアーム
46A アーム駆動機構
47 第2ノズル(下ノズル)
71A 加熱薬液供給機構
71B ガス供給機構
7104 純水温度調節器(基板温調液温度調節器)
7110,7112 薬液配管、純水配管(薬液ライン、基板温調液ライン)
7120 温度調節器(薬液温調液温度調節器、基板温調液の温度を調節するための温調液の温度調節器)
7116 温調液ジャケット(ウオータージャケット)
7140 断熱材
7160,7162 薬液タンク
7171 第1分岐ライン(希釈液ライン)
7180 加熱純水ジャケット(温調タンク、温調ジャケット)
7184 第2分岐ライン(タンク温調液供給ライン)
75 加熱純水供給機構(基板温調液供給機構)
150 カップ
152 上カップ体
152a 上カップ体の下部分
152b 上カップ体の上部分
153 外カップ体
161 仕切板
161a 仕切板の開口
161b 開口の縁
163 仕切り板
164 スリット
Claims (17)
- 基板を保持する基板保持部と、
加熱された薬液を供給する加熱薬液供給機構と、
ガスを供給するガス供給機構と、
加熱された純水を供給する加熱純水供給機構と、
前記ガス供給機構により供給された前記ガスと、前記加熱薬液供給機構により供給された加熱された前記薬液とを混合することにより形成された前記薬液の液滴を前記基板の表面に向けて吐出する第1ノズルと、
前記加熱純水供給機構により供給された加熱された前記純水を、前記基板の裏面に向けて吐出する第2ノズルと、
前記第1ノズルは、第2ノズルから供給された加熱純水により前記裏面側から加熱される前記基板の表面に前記液滴を供給する、基板処理装置。 - 前記加熱薬液供給機構が薬液温調機構を有し、
前記薬液温調機構は、温度制御された温調液を供給する温度調節器と、前記第1ノズルに前記加熱薬液を供給するための薬液配管を囲むとともに、前記温度調節器から供給された温調液が供給される温調液ジャケットと、を有している、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記加熱純水供給機構が純水温調機構を有し、前記純水温調機構は、温度制御された温調液を供給する温度調節器と、前記第2ノズルに前記加熱純水を供給するための純水配管を囲むとともに、前記温度調節器から供給された温調液が供給される温調液ジャケットと、を有している、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記加熱薬液供給機構は、
前記薬液を貯留する薬液タンクを有し、
前記加熱純水供給機構は、前記第2ノズルに供給される純水を加熱するための純水温度調節器を有し、
前記タンクの周囲を囲む加熱純水ジャケットが設けられ、前記純水温度調節器により加熱された純水が前記加熱純水ジャケットに供給されて前記薬液タンク内に貯留された前記薬液を保温または加熱し、前記加熱純水ジャケットから排出された純水が前記純水温度調節器に戻される、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記薬液は、薬液成分を純水で希釈したものであり、
前記加熱純水供給機構は、前記純水温度調節器により加熱された純水を前記第2ノズルに供給するための加熱純水ラインを有し、
前記加熱純水ラインから分岐して、前記加熱純水ラインを流れる加熱純水を前記薬液を調合するための希釈液として前記タンクに供給する第1分岐ラインと、前記加熱純水ラインから分岐して、前記加熱純水ラインを流れる加熱純水を前記加熱純水ジャケットに供給する第2分岐ラインと、が設けられ、前記第2分岐ラインが加熱純水ラインから分岐する位置が、前記第1分岐ラインが加熱純水ラインから分岐する位置よりも上流側にある、請求項4記載の基板処理装置。 - 前記基板保持部は、前記基板の下方に位置して前記基板に対面するプレート部分と、前記プレート部分の周縁部に設けられて前記基板の周縁部を保持する保持部分とを有し、前記基板と前記プレート部分との間の空間が前記第2ノズルから吐出された前記加熱純水により満たされた状態で、前記第1ノズルが前記基板の表面に前記液滴を供給する、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部の周囲を囲み、前記基板保持部により保持されて回転する基板から飛散する前記薬液を受け止めて回収するカップと、をさらに備え、
前記回収カップは、
上端に近づくに従って半径方向内側に向かうように傾斜した上部分と、円筒形の下部分と、を有する上カップ体と、
前記上カップ体の上部分の上端よりも外側に付着して前記上カップ体の前記下部分の外側を下方へと通過する液体が前記下部分よりも内側の下方に流れ落ちることを可能とする溝と、を有する請求項1記載の基盤処理装置。 - 前記回収カップは、前記上カップ体を内側に支持し、前記基板保持部に対して相対的に昇降可能な円筒形の外カップ体をさらに備え、
前記外カップ体と前記上カップ体の前記下部分との間に、液体が前記外カップ体と前記上カップ体の下部分との間を通過することを可能とする隙間が形成されている、請求項7記載の基板処理装置。 - 処理チャンバの一部を画定し前記外カップ体が上昇した際に前記外カップ体の上端と接触する仕切板をさらに備え、
前記仕切板に付着した液体は、前記外カップ体と前記上カップ体の下部分との間の隙間を通過する、請求項8記載の基板処理装置。 - 処理チャンバの底面を画定する仕切板と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部の周囲を囲み、前記基板保持部により保持されて回転する基板から飛散する前記薬液を受け止めて回収するカップと、
前記第1ノズルを保持するノズルアームと、
前記ノズルアームを移動させるアーム駆動機構と、
をさらに備え、
前記ノズルアームが待機する領域における前記仕切板の高さは、前記カップの周辺の領域における前記仕切板の高さよりも低い、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記第1ノズルを保持するノズルアームと、
前記ノズルアームを移動させるアーム駆動機構と、
処理チャンバを、前記基板保持部の上方の第1の区画と、前記第1の区画の側方に位置して前記アーム駆動機構を収容する第2の区画とに仕切る仕切り板と、
をさらに備え、
前記仕切り板に、前記ノズルの移動を許容するスリットが形成されている、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記第2の区画を吸引するための排気口が、前記第2の区画の上部に設けられている、請求項10記載の基板処理装置。
- 加熱された純水を基板の裏面に向けて吐出する工程と、
前記加熱された純水が吐出される基板の表面に向けて、ガスと加熱された薬液とを混合することにより形成された前記薬液の液滴を吐出する工程と、
を備えた基板液処理方法。 - 前記基板は、前記基板の下方に位置して前記基板に対面するプレート部分と、前記プレート部分の周縁部に設けられて前記基板の周縁部を保持する保持部分とを有する基板保持部により保持され、
加熱された純水を基板の裏面に向けて吐出する工程により、前記基板と前記プレート部分との間の空間が前記加熱純水により満たされ、この状態で、前記液滴を吐出する工程が実行される、請求項13記載の基板処理方法。 - 前記薬液の液滴を吐出する工程は、前記基板を回転させながら、かつ、前記基板の表面への前記薬液の着液点を前記基板の中心部と周縁部との間で移動させながら行われ、
前記基板処理方法はさらに、前記薬液の液滴を吐出する工程を実行している間に、前記基板の表面の中心に向けて乾燥防止液を吐出する工程を備えた、請求項13記載の基板処理方法。 - 前記薬液の液滴を吐出する工程は、前記基板を回転させながら、かつ、前記基板の表面への前記薬液の着液点を前記基板の中心部と周縁部との間で移動させながら行われ、
前記加熱された純水の温度に応じて前記着液点の移動速度を決定する、請求項13記載の基板処理方法。 - 基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項13から16のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129476A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPWO2020179904A1 (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | ||
CN111710625A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-09-25 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
CN112614794A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-04-06 | 若名芯半导体科技(苏州)有限公司 | 一种晶圆用高温药液清洗设备及其清洗工艺 |
JP2021057411A (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7203685B2 (ja) * | 2019-05-27 | 2023-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
KR102622987B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2024-01-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이에 제공되는 필러 부재 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000061408A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-02-29 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2003197597A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2004235559A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US20070068558A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for mask cleaning |
JP2010050436A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-03-04 | Ebara Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010067819A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2011166064A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造装置 |
JP2012114409A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
JP2012153934A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記録媒体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5565034A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate |
JP4767783B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
-
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-
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2018
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000061408A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-02-29 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2003197597A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2004235559A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US20070068558A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for mask cleaning |
JP2010050436A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-03-04 | Ebara Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010067819A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2011166064A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造装置 |
JP2012114409A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
JP2012153934A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記録媒体 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129476A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPWO2020179904A1 (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | ||
JP7313078B2 (ja) | 2019-03-07 | 2023-07-24 | 国立大学法人横浜国立大学 | 造形装置、液滴移動装置、目的物生産方法、造形方法、液滴移動方法、造形プログラムおよび液滴移動プログラム |
CN111710625A (zh) * | 2019-03-18 | 2020-09-25 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
JP2021057411A (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7390837B2 (ja) | 2019-09-27 | 2023-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US11869777B2 (en) | 2019-09-27 | 2024-01-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN112614794A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-04-06 | 若名芯半导体科技(苏州)有限公司 | 一种晶圆用高温药液清洗设备及其清洗工艺 |
Also Published As
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