JP2003197597A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
- Publication number
- JP2003197597A JP2003197597A JP2001394445A JP2001394445A JP2003197597A JP 2003197597 A JP2003197597 A JP 2003197597A JP 2001394445 A JP2001394445 A JP 2001394445A JP 2001394445 A JP2001394445 A JP 2001394445A JP 2003197597 A JP2003197597 A JP 2003197597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- gas
- supply pipe
- temperature
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
でき、これにより基板処理効率を高めることができる基
板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】この基板処理装置は、気体と液体とが混合
されて生成された液滴をウエハWの表面に噴射してウエ
ハWの表面を処理する。この装置は、気体と液体とを混
合させて液滴を生成させ、この液滴を基板の表面にソフ
トスプレーノズル21と、このソフトスプレーノズル2
1にエッチング液およびリンス液をそれぞれ供給するエ
ッチング液供給配管220およびリンス液供給配管22
1と、ソフトスプレーノズル21に窒素ガスを供給する
窒素ガス供給配管222とを備えている。エッチング液
供給配管220、リンス液供給配管221および窒素ガ
ス供給配管222には、それぞれ、温度調節器220
b,221b,222bが介装されている。
Description
混合された液滴を基板の表面に噴射して基板を処理する
基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象の
基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、
プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基
板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォ
トマスク用基板などの各種の基板が含まれる。
ハ(以下単に、「ウエハ」という。)を洗浄するために
基板洗浄装置が用いられる。この用途の基板洗浄装置と
しては、ウエハの表面に薬液(エッチング液など)また
は純水を供給しながら、スクラブブラシでウエハ表面を
スクラブする構成のものが、従来から使われてきた。し
かし、最近では、極微細パターンが形成されたウエハ表
面を精密に洗浄するために、スクラブブラシに代えて、
スプレーノズルからウエハ表面に向けて液滴を噴射す
る、いわゆるソフトスクラバ方式のものが採用されるよ
うになってきている。
れ、ノズル本体に液体供給管および気体供給管が結合可
能になっている。液体供給管および気体供給管からノズ
ル本体に液体および気体を所定流量で供給することによ
り、気体と液体との混合によって液滴の噴流が形成さ
れ、この液滴の噴流がウエハ表面に向けて噴射される。
ウエハ表面からのパーティクル除去効果を高めるため
に、一般に、薬液の温度調節が行われる。この温度調節
は、液体供給管を流通する薬液の温度を調節することに
よって達成される。
室温よりも高く調節する場合には、気体との混合によっ
て熱が奪われるので、薬液の温度低下は免れず、ウエハ
表面に到達する薬液の液滴の温度は、調節された温度よ
りも低くなる。したがって、必ずしも期待どおりのパー
ティクル除去効果が得られず、洗浄不良となるおそれが
ある。そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を
解決し、所望の温度の液滴を基板表面に噴射することが
でき、これにより基板処理効率を高めることができる基
板処理装置および基板処理方法を提供することである。
目的を達成するための請求項1記載の発明は、気体と液
体とが混合されて生成された液滴を基板(W)の表面に
噴射して基板表面を処理する基板処理装置であって、気
体と液体とを混合させて液滴を生成させ、この液滴を基
板の表面に噴射するノズル(21)と、このノズルに接
続され、このノズルに液体を供給する液体供給管(22
0,221)と、上記ノズルに接続され、このノズルに
気体を供給する気体供給管(222)と、この気体供給
管を流通する気体の温度を調節する気体温度調節手段
(222b)とを含むことを特徴とする基板処理装置で
ある。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における
対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
って温度調節された気体がノズルに導かれ、この気体と
液体供給管からの液体との混合により、液滴が生成され
て基板表面に噴射される。したがって、液体と気体との
混合に起因して、液体と気体との間で不所望な熱交換が
生じることを防止できる。その結果、適切な温度の液滴
を基板表面に導くことができるから、基板処理効率を高
めることができる。たとえば、請求項2記載のように、
液体供給管を流通する液体の温度を調節する液体温度調
節手段(220b,221b)をさらに設けることによ
って、液滴の温度をさらに正確に調節できるから、基板
の処理効率をさらに向上できる。
気体との温度に相違があれば、液体と気体との間での熱
交換が生じるから、これを利用して、液滴の温度調節を
行うこともできる。この場合には、液体温度調節手段は
必ずしも必要ではない。気体温度調節手段および液体温
度調節手段の両方を設ける場合には、請求項3に記載の
ように、気体温度調節手段および液体温度調節手段は、
上記気体供給管および液体供給管をそれぞれ流通する気
体および液体を、互いに等しい温度に調節するものであ
ることが好ましい。これによって、厳密に温度調節され
た液滴を基板表面に導くことができるから、効率的な基
板処理が可能である。
上記液体供給管からの液体と上記気体供給管からの気体
とを混合する混合室を内部に有する内部混合型二流体ノ
ズルであってもよい。また、上記ノズルは、ノズルの外
部の空中で気体と液体とを混合させて液滴を生成する外
部混合型二流体ノズルであってもよい。ただし、外部混
合型二流体ノズルでは、気体と液体との混合がノズルの
外部で行われて、液滴が傘状に拡散するのに対して、内
部混合型二流体ノズルでは、気体と液体の混合がノズル
の内部で行われるうえ、直進性の良好な液滴噴流を形成
できるので、内部混合型二流体ノズルの方が、液滴の温
度変化が生じにくい。したがって、内部混合型二流体ノ
ズルを使用する方が、良好な基板処理効率を達成でき
る。
は、40℃〜70℃の範囲に気体および液体の温度をそ
れぞれ調節するものであってもよい。また、液体温度調
節手段は、たとえば気体供給管の一部を金属管(71)
で構成し、この金属管に近接して電熱ヒータ(72)お
よび温度センサ(73)を配置し、温度センサの検出温
度に基づいて電熱ヒータを通電制御する構成のものであ
ってもよい。
供給管の少なくとも一部を石英管(50)で構成すると
ともに、この石英管に近接して加熱ランプ(61,6
2)および温度センサ(65)を配置するとともに、温
度センサの出力に基づいて加熱ランプの通電制御を行う
構成であってもよい。一般に、液体温度調節手段は気体
温度調節手段よりも構成が複雑であるので、液体温度調
節手段を設けることなく、気体温度調節手段による気体
の温度調節のみを行い、液体の温度調節は、専ら、気体
と液体との混合時における両者間での熱交換によって行
う構成を採用すれば、全体の構成が著しく簡素化され
る。
合されて生成された液滴を基板(W)の表面に噴射して
基板表面を処理する基板処理方法であって、ノズル(2
1)に接続された液体供給管(220,221)に液体
を供給する工程と、上記ノズルに接続された気体供給管
(222)に気体を供給する工程と、上記気体供給管を
流通する気体の温度を調節する工程と、上記ノズルか
ら、基板の表面に向けて、上記液体供給管から供給され
る液体と上記気体供給管から供給される気体とが混合さ
れて生成された液滴を噴射する工程とを含むことを特徴
とする基板処理方法である。
て述べた効果と同様な効果を達成できる。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する
ための概念図である。この基板処理装置は、いわゆるソ
フトスクラバ処理によって、基板の一種であるウエハW
の表面の洗浄を行うための基板洗浄装置である。この基
板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持して回転する
スピンチャック10と、スピンチャック10に保持され
たウエハWの上面に沿ってソフトスプレーノズル21を
揺動させるスキャンノズル機構20と、スピンチャック
10に保持されたウエハWの裏面(下面)の中央に向け
て処理液を供給するための裏面ノズル14とを備えてい
る。
配置された中空の回転軸11の上端にスピンベース12
をほぼ水平に取り付けるとともに、このスピンベース1
2の回転半径方向外方端に挟持爪13を立設して構成さ
れている。挟持爪13は、スピンベース12上に複数個
設けられていて、ウエハWの周方向の異なる位置を複数
箇所で保持するようになっている。回転軸11には、回
転駆動機構15から回転駆動力が与えられる。これによ
り、挟持爪13によって挟持されてほぼ水平に保持され
たウエハWが、鉛直方向に沿う回転軸線O回りに回転さ
れることになる。
ように設けられた処理液供給管からなり、その上端に、
ウエハWの下面中央付近に開口した吐出口14aを有し
ている。この裏面ノズル14には、エッチング液供給源
からのエッチング液(薬液)がエッチング液供給配管1
40およびエッチング液供給バルブ140aを介して与
えられるほか、リンス液供給源からのリンス液(純水)
が、リンス液供給配管141およびリンス液供給バルブ
141aを介して与えられるようになっている。
ンス液供給バルブ141aを選択的に開くことによっ
て、裏面ノズル14からウエハWの裏面中央にエッチン
グ液または純水を供給できる。この状態でスピンチャッ
ク10が回転されることによって、ウエハWの裏面に供
給された処理液(エッチング液またはリンス液)が遠心
力によって回転半径方向外方側に導かれて、ウエハWの
裏面全域に処理液が行き渡ることになる。
ク10の側方において鉛直方向に沿って設けられた旋回
軸24と、この旋回軸24の上端付近にほぼ水平に固定
された揺動アーム23と、この揺動アーム23の先端部
に固定されたソフトスプレーノズル21とを備えてい
る。旋回軸24には、この旋回軸24を鉛直方向に沿う
回転軸線G回りに回転駆動する旋回駆動機構25が結合
されている。さらに、旋回駆動機構25および旋回軸2
4は、昇降駆動機構40によって昇降されるようになっ
ている。
部混合型の二流体ノズルであって、気体導入部211
と、液体導入部210と、液滴形成吐出部212とが連
結されて構成されている。気体導入部211、液体導入
部210および液滴形成吐出部212はいずれも管形状
を有していて、これらが直列に連結されてソフトスプレ
ーノズル21が構成されている。液滴形成吐出部212
は、液体導入部210の下方端に連結されており、下方
に向かうに従って内径が小さくなるテーパ部212a
と、この212aの下端に連なり、内径が一様な直管形
状のストレート部212bとを有している。
上側部に係合する大径部と、この大径部の下方に連なっ
て液滴形成吐出部212の内部空間にまで達する小径部
とを有し、その内部には先細り形状の気体導入路211
aが形成されている。液体導入部210には、液体を導
入するための液体導入路210aが側方に開口して形成
されており、この液体導入路210aは、気体導入部2
11の小径部と液体導入部210の内壁との間のリング
状の空間SP1に連通している。この空間SP1は、気
体導入部211の小径部と液滴形成吐出部212の内壁
との間のリング状の空間SP2を介して、液滴形成吐出
部212のテーパ部212aの内部空間SP3(混合
室)と連通している。
は、窒素ガス供給源からの窒素を供給する窒素供給配管
222が接続されている。この窒素供給配管222の途
中部には、窒素ガス供給源側から順に、フィルタ220
c、温度調節器222bおよび窒素ガス供給バルブ22
2aが介装されている。液体導入路210aには、リン
ス液供給配管221およびエッチング液供給配管220
が接続されている。エッチング液供給配管220の途中
部には、エッチング液供給源側から順に、温度調節器2
20bおよびエッチング液供給バルブ220aが介装さ
れている。また、リンス液供給配管221の途中部に
は、リンス液供給源側から順に、温度調節器221bお
よびリンス液供給バルブ221aが介装されている。
路211aから供給される気体と、液体導入路210a
から空間SP1,SP2を介して供給される気体とが、
空間SP3において混合され、その結果、液滴が形成さ
れることになる。この液滴は、テーパ部212aで加速
され、ストレート部212bを介して、ウエハWに向け
て噴射される。この液滴の噴流は、ストレート部212
bの働きにより、極めて良好な直進性を有する。
mである。また、ソフトスプレーノズル21に供給され
る気体(窒素ガス)の流量は、50リットル/分〜10
0リットル/分であることが好ましく、ソフトスプレー
ノズル21に供給される液体(エッチング液またはリン
ス液)の流量は、100ミリリットル/分〜150ミリ
リットル/分であることが好ましい。ウエハWの回転速
度(スピンチャック10の回転速度)は、10rpm〜
1000rpmが適当である。
は、いずれも、等しい温度(たとえば40℃〜70℃)
にエッチング液、リンス液および窒素ガスをそれぞれ温
度調節する。したがって、空間SP3(混合室)におい
て気体と液体とが混合されるときに、気体と液体との間
での温度交換が生じない。よって、良好に温度調節され
たエッチング液またはリンス液の液滴をウエハWの表面
に導くことができる。これにより、ウエハWの効率的な
処理が可能になる。
の処理時には、スピンチャック10は回転駆動機構15
の働きによって回転され、エッチング液供給バルブ22
0aまたはリンス液供給バルブ221aが開かれ、さら
に窒素ガス供給バルブ222aが開かれる。それととも
に、昇降駆動機構40の働きにより、ストレート部21
2bの下端がウエハWの近傍に配置されるとともに、旋
回駆動機構25の働きによって、揺動アーム23が揺動
させられる。これによって、ソフトスプレーノズル21
からの液滴の噴流が導かれるウエハW表面の処理位置P
1は、ウエハWの回転中心WOからその回転半径外方端
まで繰り返し移動することになる。
バルブ140aまたはリンス液供給バルブ141aが開
成されて、裏面ノズル14からウエハWの裏面中央にエ
ッチング液またはリンス液が供給される。図2は、エッ
チング液の温度調節を行うための温度調節器220bの
構成例を説明するための図解的な斜視図である。この温
度調節器220bは、エッチング液供給配管220を流
通する薬液(エッチング液)が流通する石英製の薬液タ
ンク50と、ランプヒータ61,62とを備えている。
薬液タンク50は、ほぼ直円筒形状を有していて、一方
端面に薬液流入ポート51を有し、他方端面に薬液流出
ポート52を有している。さらに、薬液タンク50に
は、両端面間を挿通する円筒形挿通孔53,54が、軸
線方向に沿って形成されている。この円筒形挿通孔5
3,54に直管状のランプヒータ61,62がそれぞれ
挿通されている。薬液タンク50の周面には温度センサ
65が配置されていて、この温度センサ65の出力に基
づき、コントローラ70がランプヒータ61,62への
通電を制御するようになっている。
給配管220に介装することによって、エッチング液供
給配管220を流通するエッチング液の温度を調節する
ことができる。リンス液供給配管221に介装された温
度調節器221bも、エッチング液用の温度調節器22
0bと実質的に同様な構成となっている。図3は、窒素
ガス供給配管222に介装された温度調節器222bの
構成例を示す図解的な斜視図である。この温度調節器2
22bは、ジグザグに配置された金属配管71と、この
金属配管71上にたとえば渦巻状に配置された電熱線ヒ
ータ72とを備えている。金属配管71に接触して(ま
たは金属配管71からの熱が伝達される伝熱部材に接触
して)温度センサ73が設けられており、この温度セン
サ73の出力に基づき、コントローラ75が電熱線ヒー
タ72への通電を制御する。この構成により、金属配管
71を流通する気体を所望の温度に調節することができ
る。
フトスプレーノズル21に供給されるエッチング液およ
びリンス液の温度調節が行われるとともに、これらの液
体と混合される窒素ガスの温度も調節されるようになっ
ている。そして、等しい温度に調節された窒素ガスとリ
ンス液またはエッチング液とがソフトスプレーノズル2
1で混合され、エッチング液またはリンス液の液滴がウ
エハWの表面に向けて噴射される。等しい温度の窒素ガ
スとリンス液またはエッチング液との間では熱交換が生
じないので、確実に所望の温度のエッチング液またはリ
ンス液の液滴をウエハWの表面に導くことができ、これ
により、ウエハWの表面を効率的に処理することができ
る。
おりであるが、この発明は他の形態で実施することもで
きる。たとえば、上記の実施形態では、内部混合型の二
流体ノズルをソフトスプレーノズル21として用いた基
板処理装置について説明したが、外部混合型の二流体ノ
ズルをソフトスプレーノズル21として用いてもよい。
外部混合型二流体ノズルは、図4に示すように、液体導
入部81と、この液体導入部81よりも大径の気体導入
部82とを同軸に嵌合して構成されている。
貫通していて、その内部に形成された液体供給路81a
は、ノズル先端近傍の外部空間に連通している。一方、
気体導入部82は、側面に気体導入口82aを有してい
て、この気体導入口82aは、気体導入部82の内部に
おいて、その内壁と液体導入部81の外壁との間に形成
された空間83に連通している。液体導入部81の先端
部は、外方に広がった鍔形状に形成されていて、この鍔
形状部には、上記の空間83と当該ソフトスプレーノズ
ルの先端近傍の外部空間との間を連通させる気体通路8
4が形成されている。
体を供給するとともに、気体導入口82aから気体を供
給すると、ノズル先端付近の外部空間85において、液
体と気体とが空中で混合され、液滴が形成されることに
なる。この液滴は、液体および気体の吹き出し方向、す
なわち液体導入部81の軸方向に沿って噴射される。た
だし、この外部混合型二流体ノズルでは、内部混合型二
流体ノズルに比較して、液滴の直進性があまり良くな
く、液滴の噴流は、傘状に広がる。
体ノズルとを比較すると、内部混合型二流体ノズルで
は、気体と液体との混合がノズル内部で行われるととも
に、液滴噴流の直進性が良いので、液滴の温度変化が生
じにくく、ウエハWの表面に確実に所望の温度の液滴を
供給することができる点で有利である。したがって、内
部混合型二流体ノズルをソフトスプレーノズル21とし
て用いることにより、より効率の高い基板処理が可能で
ある。
度を温度調節器222bで調節するとともに、エッチン
グ液およびリンス液の温度を温度調節器220b,22
1bで調節することとしているが、エッチング液および
リンス液のための温度調節器220b,221bを省い
て、構成をさらに簡素化することもできる。この場合、
温度調節器222bによって、窒素ガスの温度を所望の
液滴温度よりも高く設定しておくことが好ましい。これ
により、ソフトスプレーノズル21における窒素ガスお
よびエッチング液またはリンス液の混合により、窒素ガ
スとエッチング液またはリンス液との間で熱交換が生じ
て、所望の温度の液滴をウエハWの表面に向けて噴射す
ることができる。窒素ガスのための温度調節器222b
の構成は、エッチング液またはリンス液のための温度調
節器220b,221bの構成に比較して格段に簡易で
あるので、構成が著しく簡単になるとともに、基板処理
装置のコストダウンに寄与することができる。
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
成を説明するための概念図である。
器の構成例を説明するための図解的な斜視図である。
例を示す図解的な斜視図である。
の断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】気体と液体とが混合されて生成された液滴
を基板の表面に噴射して基板表面を処理する基板処理装
置であって、 気体と液体とを混合させて液滴を生成させ、この液滴を
基板の表面に噴射するノズルと、 このノズルに接続され、このノズルに液体を供給する液
体供給管と、 上記ノズルに接続され、このノズルに気体を供給する気
体供給管と、 この気体供給管を流通する気体の温度を調節する気体温
度調節手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】上記液体供給管を流通する液体の温度を調
節する液体温度調節手段をさらに含むことを特徴とする
請求項1記載の基板処理装置。 - 【請求項3】上記気体温度調節手段および上記液体温度
調節手段は、上記気体供給管および液体供給管をそれぞ
れ流通する気体および液体を、互いに等しい温度に調節
するものであることを特徴とする請求項2記載の基板処
理装置。 - 【請求項4】上記ノズルは、上記液体供給管からの液体
と上記気体供給管からの気体とを混合する混合室を内部
に有する内部混合型二流体ノズルであることを特徴とす
る請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項5】気体と液体とが混合されて生成された液滴
を基板の表面に噴射して基板表面を処理する基板処理方
法であって、 ノズルに接続された液体供給管に液体を供給する工程
と、 上記ノズルに接続された気体供給管に気体を供給する工
程と、 上記気体供給管を流通する気体の温度を調節する工程
と、 上記ノズルから、基板の表面に向けて、上記液体供給管
から供給される液体と上記気体供給管から供給される気
体とが混合されて生成された液滴を噴射する工程とを含
むことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001394445A JP2003197597A (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001394445A JP2003197597A (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003197597A true JP2003197597A (ja) | 2003-07-11 |
Family
ID=27601175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001394445A Pending JP2003197597A (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003197597A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005313049A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Atomakkusu:Kk | 微粒子噴射装置 |
KR100826361B1 (ko) | 2006-08-21 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 에칭 장치 및 에칭 방법 |
CN100439994C (zh) * | 2005-07-25 | 2008-12-03 | 三星电子株式会社 | 制造显示装置基板的设备和方法 |
WO2008152716A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Aqua Science Corporation | 対象物洗浄方法及び対象物洗浄システム |
WO2009013797A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Aqua Science Corporation | 対象物処理方法及び対象物処理システム |
JP2011205015A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
US8037891B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning apparatus |
CN104607414A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-13 | 胡勋芳 | 一种显微镜片高压清洗机 |
KR20160134510A (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2016219773A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001394445A patent/JP2003197597A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8037891B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning apparatus |
JP2005313049A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Atomakkusu:Kk | 微粒子噴射装置 |
US7470980B2 (en) | 2005-07-25 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing a display device substrate |
CN100439994C (zh) * | 2005-07-25 | 2008-12-03 | 三星电子株式会社 | 制造显示装置基板的设备和方法 |
KR100826361B1 (ko) | 2006-08-21 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 에칭 장치 및 에칭 방법 |
WO2008152716A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Aqua Science Corporation | 対象物洗浄方法及び対象物洗浄システム |
WO2009013797A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Aqua Science Corporation | 対象物処理方法及び対象物処理システム |
WO2009014084A1 (ja) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Aqua Science Corporation | 対象物処理方法及び対象物処理システム |
JP2011205015A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料の洗浄方法 |
CN104607414A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-13 | 胡勋芳 | 一种显微镜片高压清洗机 |
KR20160134510A (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
CN106158704A (zh) * | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2016219773A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
US10553421B2 (en) | 2015-05-15 | 2020-02-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
CN106158704B (zh) * | 2015-05-15 | 2021-03-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
KR102523719B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2023-04-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100654698B1 (ko) | 기판의 처리방법 및 그 장치 | |
TWI632001B (zh) | 二相流霧化噴射清洗裝置 | |
US9337065B2 (en) | Systems and methods for drying a rotating substrate | |
TWI251857B (en) | Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device | |
US20030170988A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
US6951221B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI443722B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP3725809B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5284004B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
US20040206452A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2008112837A (ja) | 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2003197597A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009056460A (ja) | ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法 | |
KR101060686B1 (ko) | 세척 효율이 향상된 기판 세정 장치 | |
JP2009231466A (ja) | 処理液供給ノズルおよびそれを備えた基板処理装置ならびにそれを用いた基板処理方法 | |
JP2008108829A (ja) | 二流体ノズルおよびそれを用いた基板処理装置 | |
JP4357943B2 (ja) | 基板処理法及び基板処理装置 | |
JP2002158202A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
JP2005032819A (ja) | レジスト剥離装置およびレジスト剥離方法 | |
JP4702920B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP3947705B2 (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
JP2004288858A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP3739225B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004273799A (ja) | 基板用リンス液、基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2007158270A (ja) | 枚葉式基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20061019 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20070409 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070619 |