JP3739225B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板等、フォトマスク用基板等の基板に薬液を含む洗浄液、純水等の処理液を供給して洗浄処理等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来この種の基板処理装置として、基板の一種であるウエハの周縁部に当接しつつウエハの下面を離間した状態でウエハを支持するスピンベースと、このスピンベースの中央部からウエハの下面へ向けて、薬液、純水等の処理液を所定の流量で供給するノズルとを備えた基板処理装置がある。この基板処理装置においては、基板を支持した状態でスピンベースをモータ等で高速回転させつつ、ノズルから一定の大流量で処理液をウエハの下面中心部に供給させることにより、ウエハの下面中心部に供給された処理液を遠心力で基板の外周側へ広げて、ウエハの下面全体を処理液で覆わせ、ウエハの下面に付着したパーティクル等の汚れを除去してウエハの下面の洗浄処理を行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の基板処理装置では、例えばノズルから処理液の供給を開始した時点や、ノズルからの処理液の供給を停止させた時点のように、ウエハの下面に供給される処理液の流量が大きく変位する際には、一時的にノズルからの処理液がウエハの下面へ向けて適切に供給されない状態が生じる。そのため、ノズル自身やスピンベースが処理液に含まれる薬液等によって汚染されることがある。
【0004】
このようにノズル自身やスピンベースが薬液で汚染された状態で処理を継続してしまうと、その後のスピン乾燥時には薬液の汚染雰囲気中で乾燥処理を行うことになるため、薬液を含む処理液によって一旦洗浄されたウエハの下面が汚染されてしまうという問題がある。
【0005】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、薬液の汚染雰囲気中に乾燥処理を行うことがなく、ウエハ等の基板の下面が汚染されることを防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するために、請求項1に記載の基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の下面と対向する対向面を有し、かつ基板の下面と前記対向面とを離間させた状態で基板を支持する基板支持手段と、基板を支持した前記基板支持手段を回転させる駆動手段と、前記基板支持手段に支持された基板の下面に第1処理液を供給する第1処理液供給手段と、前記第1処理液供給手段による基板の下面への第1処理液の供給後に、前記基板支持手段の対向面と前記基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して前記基板支持手段の対向面に、前記基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第2処理液を供給する第2処理液供給手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【0007】
請求項1に記載の基板処理装置によれば、基板支持手段が基板の下面と基板支持手段の対向面とを離間させた状態で基板を支持し、この状態で基板を支持した基板支持手段を駆動手段により回転させながら、第1処理液供給手段により基板の下面に第1処理液を供給する。第1処理液の供給後に、第2処理液供給手段が、基板支持手段の対向面と基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して前記基板支持手段の対向面に、基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第2処理液を供給する。したがって、第1処理液供給後に、第2処理液により基板支持手段の対向面に付着している第1処理液が除去される。
【0008】
請求項2に記載の基板処理装置は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第1処理液供給手段により供給される第1処理液は薬液を含む洗浄液であり、
前記第2処理液供給手段により供給される第2処理液は純水であることを特徴とするものである。
【0009】
請求項2に記載の基板処理装置によれば、第1処理液供給手段により基板の下面に洗浄液が供給された後、基板支持手段の側部から第2処理液供給手段により純水が供給されるので、基板支持手段に付着している洗浄液が純水により除去される。
【0010】
請求項3に記載の基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の下面と対向する対向面を有し、かつ基板の下面と前記対向面とを離間させた状態で基板を支持する基板支持手段と、基板を支持した前記基板支持手段を回転させる駆動手段と、前記基板支持手段に支持された基板の下面に第1処理液を供給するとともに、第1処理液の供給後に第1処理液とは異なる第2処理液を供給する第1処理液供給手段と、前記第1処理液供給手段による基板の下面への第1処理液の供給後に、前記基板支持手段の対向面と前記基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して前記基板支持手段の対向面に、前記基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第3処理液を供給する第2処理液供給手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【0011】
請求項3に記載の基板処理装置によれば、基板の下面と基板支持手段の対向面とを離間させた状態で基板を支持し、この状態で基板を支持した基板支持手段を駆動手段により回転させながら、第1処理液供給手段により基板の下面に第1処理液を供給する。第1処理液の供給後に、第1処理液供給手段により基板の下面に第1処理液とは異なる第2処理液を供給する。さらに、第2処理液供給手段が、基板支持手段の対向面と基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して前記基板支持手段の対向面に、基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第3処理液を供給する。したがって、第1処理液供給後に、第2処理液供給手段から供給される第3処理液により基板支持手段の対向面に付着している第1処理液が除去される。
【0012】
請求項4に記載の基板処理装置は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記第1処理液供給手段により供給される第1処理液は薬液を含む洗浄液であり、
前記第1処理液供給手段により供給される第2処理液および前記第2処理液供給手段により供給される第3処理液は純水であることを特徴とするものである。
【0013】
請求項4に記載の基板処理装置によれば、第1処理液供給手段により基板の下面に薬液を含む洗浄液が供給された後、基板の下方から第1処理液供給手段により純水が供給されるとともに、基板支持手段の側方から第2処理液供給手段により純水が供給されるので、基板支持手段の対向面に付着している薬液が純水により除去される。
【0014】
請求項5に記載の基板処理装置は、請求項4に記載の基板処理装置であって、前記駆動手段により基板を支持した前記基板支持手段を回転させた状態で、前記第1処理液供給手段から所定量の洗浄液を基板の下面に供給して処理を行った後、
前記基板支持手段の回転速度および前記第1処理液供給手段による洗浄液の流量の少なくともいずれか一方を前記第1処理液供給手段による洗浄液の供給時よりも小さくした状態で、前記第1処理液供給手段から基板の下面に純水を供給させる制御手段をさらに備えたことを特徴とするものである。
【0015】
請求項5に記載の基板処理装置によれば、まず駆動手段により基板を支持した基板支持手段を回転させた状態で、第1処理液供給手段が所定量の洗浄液を基板の下面に供給する。その後、基板支持手段の回転速度および第1処理液供給手段による洗浄液の流量の少なくともいずれか一方を第1処理液供給手段による洗浄液の供給時よりも小さくした状態で、第1処理液供給手段が基板の下面に純水を供給する。基板支持手段の回転速度を小さくすると、第1処理液供給手段から供給される純水が基板の下面に達しても中心部で基板支持手段の対向面に降下して、
基板支持手段の周囲に流れ出る。また、洗浄液の流量を小さくすると、第1処理液供給手段から純水は上方へは供給されず、基板支持手段の対向面に降下して、基板支持手段の周囲に流れ出る。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は、本発明に係る基板処理装置の一種である基板洗浄装置の概略構成を示す縦断面図であり、図2は、図1中に示す供給機構の概略構成を示すブロック図である。
【0017】
中空の回転軸1は、モータ3の回転軸に連結されており、このモータ3の駆動により鉛直軸周りに回転可能である。この回転軸1の上端部には、円板状のスピンベース5が一体的に連結されている。スピンベース5の周縁部付近には、基板の一種であるウエハWの外周端部に当接しつつウエハWを支持する支持ピン7が複数本設けられている。ウエハWは、複数本の支持ピン7によって、ウエハWの下面と対向するスピンベース5の対向面から所定の間隔離した状態で、水平に支持されている。
【0018】
スピンベース5の上方には、ウエハWの上面を洗浄するためにウエハWの上面の回転中心付近に向けて純水、薬液等の洗浄液を供給する上部洗浄ノズル9と、窒素ガス等の不活性ガスやドライエア等の気体をウエハWに供給する上部ガスノズル11とが備えられている。この上部洗浄ノズル9は、開閉弁13を介して洗浄液供給源15に連通接続されており、制御部17による開閉弁13の開閉制御によって上部洗浄ノズル9からウエハWの上面に洗浄液が供給される。また、上部ガスノズル11は、開閉弁19を介して気体供給源21に連続接続されており、
上部洗浄ノズル9による洗浄処理を行った後、制御部17による開閉弁19の開閉制御によって上部ガスノズル11からウエハWの上面に気体を供給して、ウエハWの乾燥処理を行う。
【0019】
スピンベース5の側方には、スピンベース5の上面とウエハWの下面との間に純水を供給する側部洗浄ノズル23が備えられている。この側部洗浄ノズル23は、開閉弁25を介して純水供給源27に連通接続されており、制御部17による開閉弁25の開閉制御によって側部洗浄ノズル23から純水がスピンベース5の対向面とウエハWの下面との間の空間を通過してスピンベース5の対向面へ供給される。
【0020】
回転部1の中空部には、下部洗浄液ノズル29が同軸に設けられている。この下部洗浄液ノズル29には、配管31を介して後述する供給機構33が連通接続されている。
【0021】
回転軸1の内周面と下部洗浄ノズル29との間の空間には、円筒状の気体供給路59が形成されており、この気体供給路59の先端部は気体噴出口61として機能し、気体噴出口61からウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間の空間に窒素ガス等の気体が供給される。気体噴出口61は、制御部17により開閉制御される開閉弁63と流量調節弁65とを介して気体供給源67に連通接続されている。
【0022】
下部洗浄ノズル29の上端部には、傘型の遮断部材71が取り付けられている。
この遮断部材71は、気体噴出口61の上方を覆うような形状に形成されており、
上面は噴出部69から周縁部に向けて下降するように傾斜している。気体噴出口61から噴出された気体は、遮断部材71の下面とスピンベース5の対向面との隙間から、ウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間の空間に供給されるとともに、図示省略されているが遮断部材71に形成されている多数の小孔からもウエハWの下面へ向けて直接供給される。
【0023】
次に、供給機構33について図2を参照して説明する。
図2は、供給機構の概略構成を示すブロック図である。配管31の一端側には純水を供給するための第1の純水供給源35が連通接続されており、一方、他端側には下部洗浄ノズル29(図1参照)が連通接続されている。この配管31には、第1の純水供給源35からの純水の流量を調整するために圧力調整器37が設けられている。また、この圧力調整器37の下流側の配管31には、第1の純水供給源35からの純水の流量を計測する流量計39が設けられている。この流量計39で計測された流量と予め設定されている流量(第1の流量FV1)との差分を制御部17が求め、この差分に基づく指令電圧に基づいて電空変換器41が圧力調節器37への空気圧を調整する。
【0024】
流量計39の下流の配管31には薬液注入部43が設けられている。この薬液注入部43は、配管31への各流体の注入量を各々独立に調整することができるようにするために、開閉弁と流量調節弁との機能を備えた3つの流量調節弁45,
47,49と、流量計39の下流側の配管31に設けられた開閉弁51とを備えている。
【0025】
第1の流量調節弁45は、第1の薬液供給源53に連通されており、配管31に対する第1の薬液の注入量を調整し、第2の流量調節弁47は、第2の薬液供給源55に連通されており、配管31に対する第2の薬液の注入量を調整する。また、第3の流量調節弁57は、第2の純水供給源57に連通されており、配管31に対する純水の注入量を調整する。
【0026】
なお、開閉弁51と流量調節弁45,47,49の開閉制御は、すべて制御部17によって統括的に制御される。また、流量調節弁45,47,49は、所定の流量となるように予め設定されており、特に、第3の流量調節弁49により調整される流量は、圧力調節器37によって予め設定されている第1の流量FV1よりも少ない第2の流量FV2になるように調整されている。
【0027】
ウエハWの下面を洗浄処理する際には、制御部17は開閉弁51を開放し、電空変換器41を介して圧力調節器37により第1の流量FV1になるように調整されて第1の純水供給源35からの純水を配管31へ供給するとともに、第3の流量調節弁49により第1の流量FV1よりも少ない第2の流量FV2になるように調整されて第2の純水供給源57からの純水を配管31へ注入する。また、流量調節弁45,47を調整して所要量の第1または/および第2の薬液を配管31へ注入する。したがって、第1の流量FV1と第2の流量FV2とを合わせた大流量の純水に所要の薬液が所要量だけ混合された洗浄液がウエハWの下面へ供給される。
【0028】
また、洗浄液が付着した下部洗浄ノズル29の噴出部69や遮蔽部材71を洗浄する際には、開閉弁51、流量調節弁45,47を閉止し、流量調節弁49により第1の流量FV1よりも小流量の第2の流量FV2になるように調整されて、
第2の純水供給源57から純水のみを配管31へ注入する。このとき、制御部17は、図1に示す開閉弁25を開放することによって、純水が側部洗浄ノズル23からスピンベース5の対向面とウエハWの下面との間の空間を通過してスピンベース5の対向面へ供給される。
【0029】
次に、基板処理装置の動作について、図3のフローチャートを参照しながら説明する。なお、ウエハWの上方に設けられている上部洗浄ノズル9と上部ガスノズル11との動作説明については省略する。
【0030】
まず、制御部17は、モータ3を回転制御してウエハWを第1の回転数で高速回転させる(ステップS1)。このときの回転数は、例えば、600rpm程度である。ウエハWの第1の回転数での回転開始とともに、制御部17は、開閉弁51を開放し、電空変換器41を介して圧力調節器37により第1の流量FV1(例えば、2.4リットル/分)となるように調整された純水を第1の純水供給源35から配管31へ供給するとともに、流量調節弁49により第2の流量FV2(例えば、0.5リットル/分)となるように調整された純水を第2の純水供給源57から配管31へ注入する。さらに、流量調節弁45,47を介して所定量の薬液を第1の薬液供給源53および第2の薬液供給源55から配管31へ注入し、第1の流量FV1と第2の流量FV2とを合わせた大流量(この例では、2.9リットル/分)の純水に薬液が混合された洗浄液が下部洗浄ノズル29の噴出口69からウエハWの下面へ供給され、ウエハWの下面が洗浄液により洗浄される。(ステップS2)
【0031】
したがって、大流量で供給された洗浄液は、洗浄液が勢いよく噴出部69からウエハWの下面に供給させるとともに、第1の回転数でのウエハWの回転に伴い、
洗浄液がウエハWの中心部の下面から周縁部に向かって移動して周囲に飛散する。
なお、このとき薬液を含む洗浄液の飛沫や、ウエハWの下面に付着していたパーティクルを含む液滴が下部洗浄ノズル29の遮断部材71やスピンベース5の対向面に付着する。
【0032】
次に、制御部17は、上述したステップS1での第1の回転数を保持した状態、
流量調節弁45,47を閉止して、薬液の配管31への注入を停止する。したがって、ウエハWには純水だけが大流量(2.9リットル/分)で下部洗浄ノズル29からウエハWの下面に供給されるので、洗浄液に触れていたウエハWの下面への純水による洗浄が行われる(ステップS3)。なお、この時点では、下部洗浄ノズル29の遮断部材71やスピンベース5の対向面には、洗浄液の液滴が付着した状態のままである。
【0033】
制御部17は、モータ3を回転制御してウエハWを第1の回転数よりも低速である第2の回転数で回転させる(ステップS4)。このときの回転数は、例えば、
20rpm程度である。ウエハWの第2の回転数の回転開始とともに、制御部17は、開閉弁25を開放し、純水供給源27から側部洗浄ノズル23を介して、ウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間の空間に純水の供給を開始する。
また、閉止弁51を閉止するとともに、流量調節弁49は開放した状態のままとする。その結果、流量調節弁49により小流量(0.5リットル/分)となるように調整された純水を第2の純水供給源57から配管31へ注入され、下部洗浄ノズル29から供給される。したがって、小流量で供給される純水は、上方へ向かうことなく下部洗浄ノズル29の遮蔽部材71に流下し、第2の回転数でのウエハWの回転に伴い純水がウエハWの下面から周縁部に向かって移動して周囲に飛散する。このとき、下部洗浄ノズル29の噴出口69と遮蔽部材71に付着している洗浄液の液滴は除去される(ステップS5)。
【0034】
制御部17は、モータ3を回転制御してウエハWを第2の回転数よりもさらに低速である第3の回転数で回転させる(ステップS6)。このときの回転数は、例えば、10rpm程度である。制御部17は、流量調節弁49を閉止させるとるとともに、開閉弁51を開放し、圧力調節器37の制御を再開する。これにより、下部洗浄ノズル29からは第1の流量FV1(2.4リットル/分)の純水が供給される。したがって、下部洗浄ノズル29の噴出口69から供給される純水はウエハWの下面へ向かうが、第3の回転数でのウエハWの回転に伴い純水がウエハWの回転中心から周縁部へ向かって多少広がり、ある程度広がった時点でスピンベース5の対向面に落下して周縁部へ向かって流下する。これにより、スピンベース5の対向面に付着していた洗浄液の液滴が除去される(ステップS7)。
【0035】
次に、制御部17は、ウエハWを再び第1の回転数(600rpm)で回転させる(ステップS8)。そして、制御部17は、流量調節弁49を開放し、高速回転されているウエハWの下面には下部洗浄ノズル29から純水が大流量(2.9リットル/分)で供給される。そのため、上述したスッテプS3と同様に、再びウエハWの下面が純水で洗浄される(ステップS9)。
【0036】
次に、制御部17は、流量調節弁49を閉止するとともに、開閉弁51を閉止して、下部洗浄ノズル29からの純水の供給を停止する。また、制御部17は、開閉弁25も開止し、側部洗浄ノズル23からのウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間に純水の供給も停止する。一方、図1に示す開閉弁63を開放するとともに、流量調節弁65により適宜の流量に調整した不活性ガスを気体供給源67から気体供給路59を通って、気体噴出口61からウエハWの下面へ向けて供給する。そして、モータ3の回転を第1の回転数からさらに高速の第4の回転数(例えば、3000rpm)に設定される(ステップS10)。これにより、ウエハWは高速で回転されながら、不活性ガスがウエハWの下面へ供給され、
ウエハWの乾燥処理が行われる(ステップS11)。
【0037】
このステップS11の乾燥処理が終了した後、制御部17は、モータ3の駆動停止に伴い、ウエハWの回転も停止する(ステップS12)。これにより、一連洗浄処理及び乾燥処理の動作は停止する。
【0038】
上述したように、ウエハWの下面を洗浄する際には、洗浄液を最大の流量で供給し、下部洗浄ノズル29を洗浄する際には、ウエハWを低速回転させるとともに最小の流量で純水を供給し、スピンベース5の対向面を洗浄する際には、ウエハWを低速回転させるとともに中間の流量で純水を供給するようにしたので、モータ3と流量調節弁45,47,49、圧力調節器37、開閉弁51の作動/非作動といった比較的簡単な制御だけで、下部洗浄ノズル29やスピンベース5の対向面を洗浄することができる。したがって、薬液等を含む洗浄液によるウエハWの洗浄時に洗浄液で汚れた下部洗浄ノズル29やスピンベース5の対向面を純水で洗浄することができる。
【0039】
また、下部洗浄ノズル29やスピンベース5の対向面を洗浄する際には、側部洗浄ノズル23から純水をウエハWの下面とスピンベース5の対向面との間に供給しているので、その後の乾燥処理時には、付着していた洗浄液によってウエハWが汚染されるような不都合を防止できる。
【0040】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項1に記載の基板処理装置によれば、第1処理液の供給後に、第2処理液供給手段が、基板支持手段の対向面と基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して基板支持手段の対向面に、基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第2処理液を供給するので、第1処理液供給後に、第2処理液により基板支持手段の対向面に付着している第1処理液を除去でき、また第1処理液の汚染雰囲気中で乾燥処理を行うこともなく、基板の下面の汚染を防止できる。
【0041】
請求項2に記載の基板処理装置によれば、第1処理液供給手段により基板の下面に薬液を含む洗浄液が供給された後、基板支持手段の側部から第2処理液供給手段により純水が供給されるので、基板支持手段に付着している薬液を含む洗浄液が純水により除去でき、洗浄液に含まれる薬液の汚染雰囲気中で乾燥処理を行うこともなく、基板の下面の汚染を防止できる。
【0042】
請求項3に記載の基板処理装置によれば、第1処理液の供給後に、第1処理液供給手段により基板の下面に第1処理液とは異なる第2処理液を供給し、さらに、第2処理液供給手段が、基板支持手段の対向面と基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して基板支持手段の対向面に、基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第3処理液を供給しているので、第1処理液供給後に、第2処理液供給手段から供給される第3処理液により基板支持手段の対向面に付着している第1処理液を除去でき、また第1処理液の汚染雰囲気中で乾燥処理を行うこともなく、基板の下面の汚染を防止できる。
【0043】
請求項4に記載の基板処理装置によれば、第1処理液供給手段により基板の下面に薬液を含む洗浄液が供給された後、基板の下方から第1処理液供給手段により純水が供給されるとともに、基板支持手段の側方から第2処理液供給手段により純水が供給されるので、基板支持手段の対向面に付着している薬液を含む洗浄液が純水により除去でき、洗浄液に含まれる薬液の汚染雰囲気中で乾燥処理を行うこともなく、基板の下面の汚染を防止できる。
【0044】
請求項5に記載の基板処理装置によれば、駆動手段により基板を支持した基板支持手段を回転させた状態で、第1処理液供給手段が所定量の洗浄液を基板の下面に供給した後、基板支持手段の回転速度および第1処理液供給手段による洗浄液の流量の少なくともいずれか一方を第1処理液供給手段による洗浄液の供給時よりも小さくした状態で、第1処理液供給手段が基板の下面に純水を供給しているので、基板支持手段の対向面に降下して、基板支持手段の周囲に流れ出て、薬液を含む洗浄液で汚れた基板保持手段や第1処理液供給手段を純水で効率的に洗浄することができる。その結果、洗浄液に含まれる薬液の汚染雰囲気中で乾燥処理を行うこともなく、基板の下面の汚染をさらに効果的に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図2】供給機構の概略構成を示す図である。
【図3】本発明に係る基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
W … ウエハ
1 … 回転軸
3 … モータ
5 … スピンベース
7 … 支持ピン
17 … 制御部
23 … 側部洗浄ノズル
29 … 下部洗浄ノズル
33 … 供給機構
Claims (5)
- 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板の下面と対向する対向面を有し、かつ基板の下面と前記対向面とを離間させた状態で基板を支持する基板支持手段と、
基板を支持した前記基板支持手段を回転させる駆動手段と、
前記基板支持手段に支持された基板の下面に第1処理液を供給する第1処理液供給手段と、
前記第1処理液供給手段による基板の下面への第1処理液の供給後に、前記基板支持手段の対向面と前記基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して前記基板支持手段の対向面に、前記基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第2処理液を供給する第2処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記第1処理液供給手段により供給される第1処理液は薬液を含む洗浄液であり、前記第2処理液供給手段により供給される第2処理液は純水であることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板の下面と対向する対向面を有し、かつ基板の下面と前記対向面とを離間させた状態で基板を支持する基板支持手段と、
基板を支持した前記基板支持手段を回転させる駆動手段と、
前記基板支持手段に支持された基板の下面に第1処理液を供給するとともに、第1処理液の供給後に第1処理液とは異なる第2処理液を供給する第1処理液供給手段と、
前記第1処理液供給手段による基板の下面への第1処理液の供給後に、前記基板支持手段の対向面と前記基板支持手段に支持された基板の下面との間の空間を通過して前記基板支持手段の対向面に、前記基板支持手段の側方から第1処理液とは異なる第3処理液を供給する第2処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記第1処理液供給手段により供給される第1処理液は薬液を含む洗浄液であり、前記第1処理液供給手段により供給される第2処理液および前記第2処理液供給手段により供給される第3処理液は純水であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記駆動手段により基板を支持した前記基板支持手段を回転させた状態で、前記第1処理液供給手段から所定量の洗浄液を基板の下面に供給して処理を行った後、前記基板支持手段の回転速度および前記第1処理液供給手段による洗浄液の流量の少なくともいずれか一方を前記第1処理液供給手段による洗浄液の供給時よりも小さくした状態で、前記第1処理液供給手段から基板の下面に純水を供給させる制御手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
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