JP4702920B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法および基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4702920B2
JP4702920B2 JP2003074875A JP2003074875A JP4702920B2 JP 4702920 B2 JP4702920 B2 JP 4702920B2 JP 2003074875 A JP2003074875 A JP 2003074875A JP 2003074875 A JP2003074875 A JP 2003074875A JP 4702920 B2 JP4702920 B2 JP 4702920B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
cleaning
discharge port
fluid nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003074875A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004214587A (ja
Inventor
昭 泉
謙一 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2003074875A priority Critical patent/JP4702920B2/ja
Priority to US10/690,912 priority patent/US7524771B2/en
Publication of JP2004214587A publication Critical patent/JP2004214587A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4702920B2 publication Critical patent/JP4702920B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板の表面を洗浄する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体装置の製造プロセスでは各種段階において、半導体ウエハの表面に粒子状のパーティクルや各種金属汚染物質が付着する。このため、ウエハの表面を洗浄して、それらパーティクルや金属汚染物質を基板表面から除去する必要がある。ウエハの洗浄方法としては、従来から、多数枚のウエハを一度に洗浄液中に浸漬させて洗浄処理するバッチ方式が用いられている。また、洗浄液として、アンモニア水と過酸化水素水との混合液や塩酸と過酸化水素水との混合液などの薬液が使用されており、目的に応じてそれらの薬液にフッ酸等の薬液を組み合わせた洗浄液も使用されている。このバッチ式の浸漬洗浄方法では、1ロット単位の処理時間は長くかかるが、多数枚のウエハを同時に処理するため、一定の生産性は確保される。
【0003】
一方、種々の処理上の利点から、ウエハを1枚ずつ水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させながら、その基板の表面へ洗浄液を供給して洗浄処理する枚葉式の洗浄方法も行われている。この枚葉式の洗浄方法において大きな問題となるのは生産性であり、ウエハ1枚当りの処理時間を如何に短縮するかが重要な課題となる。このために、枚葉式の洗浄方法に適した洗浄プロセスが種々開発されている。例えば、洗浄液としてオゾン水と希フッ酸とを組み合わせて使用することにより、汚染除去性能の向上と処理時間の短縮化を実現させる方法が提案されている。この方法では、まず、ウエハの表面へオゾン水を供給してウエハ表面を酸化し、次に、ウエハの表面へ希フッ酸を供給して、ウエハ表面の酸化層のみを選択的にエッチングする。これにより、ウエハ表面に付着した金属汚染物質が酸化層と共にウエハ表面から除去される。また、パーティクルを支持していたウエハ表面の層が無くなることにより、パーティクルも除去される(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開平10−256211号公報(第2−3頁)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、洗浄液としてオゾン水と希フッ酸とを組み合わせて使用する上記した方法は、オゾン水自体にはパーティクル除去能力が無いので、パーティクル除去効果の点で問題がある。また、上記方法では、フッ酸を用いて金属汚染物質やパーティクルをウエハの表面から除去するため、ウエハ表面の層を厚くエッチングする必要があり、ウエハ表面のエッチング量が多くなる、といった問題点がある。
【0006】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、枚葉方式で基板の洗浄を行う場合において、基板の表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的にかつ短時間で除去することができ、基板表面のエッチング量が多くなることもない基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、枚葉方式で基板の洗浄を行う基板処理方法において、吐出口から吐出され過酸化水素水を含むアンモニア水からなるアルカリ性液と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して生成される常温の液滴を基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第1の工程と、吐出口から吐出された塩酸およびフッ酸と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して生成される液滴を基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第2の工程と、を有することを特徴とする。
【0008】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の方法において、第1の工程および第2の工程を複数回繰り返すことを特徴とする。
【0009】
請求項3に係る発明は、枚葉方式で基板の洗浄を行う基板処理装置において、基板を保持する基板保持手段と、吐出口から吐出され過酸化水素水を含むアンモニア水からなるアルカリ性液と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して常温の液滴を生成しその液滴を前記基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第1の外部混合型二流体ノズルと、吐出口から吐出された塩酸およびフッ酸と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して液滴を生成しその液滴を、前記第1の外部混合型二流体ノズルを用いて洗浄された後の前記基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第2の外部混合型二流体ノズルと、を備えたことを特徴とする。
【0010】
請求項1に係る発明の基板処理方法によると、第1の工程において過酸化水素水を含むアンモニア水からなるアルカリ性液と気体とを混合して生成される常温の液滴が基板の表面へ噴射される。この際、基板表面への液滴の噴射による衝突時の運動エネルギーにより、基板の表面に付着したパーティクルが物理的に除去される。そして、洗浄液としてアルカリ性液が液滴噴射と組み合わせて用いられることにより、基板の表面から離脱したパーティクルは、ゼータ電位による粒子間の静電的反発力によって基板表面に再付着することが化学的に防止される。このようにして、パーティクルが効果的にかつ短時間で基板の表面から除去される。また、アルカリ性液は液滴の状態で基板の表面へ噴射されるので、基板自体に過度の衝撃力が加わることはない。したがって、例えば基板が半導体ウエハで、その表面にパターンが形成されているような場合でも、アルカリ性液の液滴によってパターンが損傷を受けることはない。また、銅などはアンモニア水に溶解して基板の表面から除去される。
【0011】
また、第2の工程においても塩酸およびフッ酸と気体とを混合して生成される液滴が基板の表面へ噴射されるので、第1の工程と同様にして、基板の表面に付着したパーティクルがより完全に物理的に除去され、また、金属汚染物質が物理的に除去される。このため、薬液の使用量を低減することができる。さらに、塩酸およびフッ酸が基板の表面へ供給されることにより、貴金属を含む金属汚染物質が化学的に溶解させられて基板表面から除去される。そして、第1の工程でパーティクルは基板の表面からほとんど除去されているので、基板表面からパーティクルを除去するためにエッチング量を多くする必要は無い。
【0012】
また、アルカリ性液が基板の表面へ供給されることにより、基板表面に付着している貴金属以外の金属汚染物質は、アルカリ性液によって主として水酸化物に変化させられ、基板の極く表面の層(最表面の自然酸化膜中)に補足される。続く第2の工程において、塩酸を含むフッ酸が基板の表面へ供給されることにより、特に、例えば塩酸濃度の高い液が基板の表面へ供給されることにより、高い酸化還元電位によって金属の水酸化物から金属が金属陽イオンとなって速やかに溶出し、金属酸化物を酸処理して溶出させる場合に比べてより短時間で金属汚染物質を基板表面から除去することができ、基板のエッチング量が非常に少なくても、十分に金属汚染を除去することができる。
【0013】
さらに、アルカリ性液過酸化水素水を含むことにより、例えば基板がシリコンウエハであれば、第1の工程でウエハの表面にシリコン酸化膜が形成される。続く第2の工程において、塩酸を含むフッ酸が基板の表面へ供給されることにより、ウエハ表面の酸化膜が選択的にエッチングされる。これにより、ウエハの表面に付着した金属汚染物質が酸化膜と共にウエハ表面から除去される。また、第1の工程後にウエハの表面にパーティクルが僅かに残存していたとしても、ウエハ表面の層が無くなることにより、パーティクルも完全に除去(リフトオフ)される。また、アルカリ性液過酸化水素水を含むことにより、基板の表面荒れが低減させられ、洗浄処理後においても処理前と同等の基板表面の粗さ(滑らかさ)が維持される。
【0014】
請求項2に係る発明の方法では、第1の工程および第2の工程が複数回繰り返されることにより、基板の表面からパーティクルがより完全に除去される。また、第1の工程において、アルカリ性液による金属汚染物質の、水酸化物への変化が促進され、続く第2の工程において、上記した酸処理による金属水酸化物の溶解によって金属汚染物質がより効果的に基板表面から除去される。
【0015】
請求項3に係る発明の基板処理装置においては、第1の外部混合型二流体ノズルにより、過酸化水素水を含むアンモニア水からなるアルカリ性液と気体とを混合して常温の液滴が生成され、その液滴が基板保持手段に保持された基板の表面へ噴射されて基板表面が洗浄される。また、第2の外部混合型二流体ノズルにより、塩酸およびフッ酸と気体とを混合して液滴が生成され、その液滴が、第1の外部混合型二流体ノズルを用いて洗浄された後の基板表面へ噴射されて基板表面が洗浄される。このように第1の外部混合型二流体ノズルおよび第2の外部混合型二流体ノズルを備えた装置を使用することにより、請求項1に係る発明の上記作用が奏される。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0017】
図1ないし図3は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の1例を示し、図1は、装置の平面図であり、図2は、図1中に矢印Aで示す方向から見た装置の要部を端面で示した概略構成図であり、図3は、図1中に矢印Bで示す方向から見た装置の要部を端面で示した概略構成図である。なお、図2では、エッチング液供給機構の図示を省略し、図3では、アンモニア水および過酸化水素水の供給機構の図示を省略している。
【0018】
この基板処理装置は、基板、例えば半導体ウエハWを水平姿勢に支持する円板状のスピンベース10を備えている。このスピンベース10の上面側周縁部には、ウエハWの周縁部を把持する複数本、例えば6本のチャックピン12が、円周方向に等配されて植設されている。チャックピン12は、ウエハWの下面側周縁部に当接してウエハWを支持する支持部12aと、支持部12a上に支持されたウエハWの外周端面を押圧してウエハWを固定する固定部12bとから構成されている。そして、チャックピン12の固定部12bは、詳細な構造は図示していないが、ウエハWの外周端面を押圧してウエハWを固定する状態とウエハWの外周端面から離脱してウエハWを開放する状態とを切り替えることができるようになっている。
【0019】
スピンベース10の中心部には、透孔14が形成されており、その透孔14に連通するように、スピンベース10の下面側に円筒状回転支軸16が垂設されている。円筒状回転支軸16の周囲には、基台板18上に固着された有蓋円筒状のケーシング20が配設されている。そして、円筒状回転支軸16は、基台板18およびケーシング20に、それぞれ軸受22、24を介して鉛直軸回りに回転自在に支持されている。ケーシング20内には、基台板18上に固定されてモータ26が配設されている。モータ26の回転軸には駆動側プーリ28が固着され、一方、円筒状回転支軸16には従動側プーリ30が嵌着されていて、駆動側プーリ28と従動側プーリ30とにベルト32が掛け回されている。これらの機構により、円筒状回転支軸16が回転させられ、円筒状回転支軸16の上端に固着されたスピンベース10に保持されたウエハWが、水平面内で回転させられるようになっている。また、円筒状回転支軸16の中空部には、洗浄液供給源に流路接続されたノズル34が挿通されている。このノズル34の上端吐出口からは、スピンベース10に保持されたウエハWの下面中央部に向けて洗浄液が吐出されるようになっている。
【0020】
ケーシング20の周囲には、それを取り囲むように配置された円筒壁部36、および、この円筒壁部36と一体に形成されケーシング20の円筒部外周面の下端部に連接した底壁部38が、基台板18上に固着されて配設されている。そして、ケーシング20の円筒部と円筒壁部36と底壁部38とで回収槽40が構成される。回収槽40の底部をなす底壁部38は、縦断面がV字形状に形成されており、底壁部38には排液用孔42が形設されている。また、基台板18には、排液用孔42に連通するように排液口44が形設されており、図示していないが、排液口44には、洗浄液回収タンクに流路接続された回収用配管が連通接続されている。
【0021】
円筒壁部36の側方には、図2に示すように、アンモニア水と過酸化水素水と純水との混合溶液からなる洗浄液の供給機構46が配設されている。洗浄液供給機構46は、スピンベース10に保持されたウエハWの上方にその表面と対向するように吐出口が配置される二流体ノズル48を備えている。二流体ノズル48は、アーム50の先端部に固着されており、アーム50は、アーム保持部52によって片持ち式に水平姿勢で保持されている。アーム保持部52は、鉛直方向に配設された回転支軸54の上端部に固着されている。回転支軸54は、ノズル移動機構56に連結されており、ノズル移動機構56によって回動させられるとともに上下方向に往復移動させられる。そして、ノズル移動機構56を駆動させることにより、二流体ノズル48を水平面内において揺動させ、二流体ノズル48をウエハWの中心部と周辺部との間で往復移動させることができ、また、二流体ノズル48をウエハWの表面に対して接近および離間させることができる構成となっている。また、二流体ノズル48を保持したアーム50は、図1に二点鎖線で示すように、円周壁部36の外方位置に退避させることができるようになっている。なお、ノズル移動機構は、図示例のものに限らず、各種の機構を採用し得る。
【0022】
二流体ノズル48は、図4に縦断面図を示すように、軸心部に貫通孔60を有する管状の液体供給ノズル部58と、このノズル部58の外周を取り囲むように一体的に固着され、下半部内周面が凹状に段付き面とされて、その段付き面と液体供給ノズル部58の下半部外周面との間に環状孔64が形成された円筒状の気体供給ノズル部62とから構成されている。液体供給ノズル部58の吐出口と気体供給ノズル部62の環状吐出口とは、同心状に配置されている。また、気体供給ノズル部62の環状孔64は、環状吐出口が液体供給ノズル部58の貫通孔60の延長線上の一点を指向するように吐出口付近がテーパ状となっている。さらに、気体供給ノズル部62の下端部は、液体供給ノズル部58の下端より下方へ環状に延設されて、液体供給ノズル部58の吐出口および気体供給ノズル部62の環状吐出口がそれぞれ臨み外部に大きく開口した噴射口66となっている。
【0023】
液体供給ノズル部58の貫通孔60には、アンモニア水と過酸化水素水と純水との混合溶液からなる洗浄液の供給源(図示せず)に流路接続された洗浄液供給用配管68が連通接続されている。洗浄液供給用配管68には、開閉制御弁70が介挿されている。また、気体供給ノズル部62には、環状孔64に連通するようにエアー導入管72が配設されており、エアー導入管72に、圧縮空気源(図示せず)に流路接続されたエアー供給用配管74が連通接続されている。エアー供給用配管74には、開閉制御弁76が介挿されている。
【0024】
上記した構成の二流体ノズル48では、開閉制御弁68を開き、洗浄液供給源から洗浄液供給用配管68を通って液体供給ノズル部58へ洗浄液(アンモニア水と過酸化水素水と純水との混合溶液)を供給すると、洗浄液が液体供給ノズル部58の下端吐出口から真っ直ぐ下向きに吐出される。一方、開閉制御弁76を開き、圧縮空気源からエアー供給用配管74を通ってエアー導入管72へ圧縮空気を送給すると、圧縮空気は、気体供給ノズル部62の環状孔64を通って環状吐出口から吐出される。気体供給ノズル部62の環状吐出口から吐出された圧縮空気は、液体供給ノズル部58の貫通孔60の延長線上の一点に収束するように進み、このため、液体供給ノズル部58の下端吐出口から下向きに直進する洗浄液と衝突する。これにより、洗浄液と圧縮空気とが混合されて液滴が生成され、液滴77は、噴射口66からわずかに円錐状に拡がりながら噴出し、ウエハWの表面へ噴射される。
【0025】
また、円筒壁部36の別の側方には、図3に示すように、エッチング液(フッ酸)の供給機構78が配設されている。エッチング液供給機構78は、スピンベース10に保持されたウエハWの上方にその表面と対向するように吐出口が配置される二流体ノズル80を備えている。二流体ノズル80は、アーム82の先端部に固着されており、アーム82は、アーム保持部84によって片持ち式に水平姿勢で保持されている。アーム保持部84は、鉛直方向に配設された回転支軸86の上端部に固着されている。回転支軸86は、ノズル移動機構88に連結されており、ノズル移動機構88によって回動させられるとともに上下方向に往復移動させられる。そして、ノズル移動機構88を駆動させることにより、二流体ノズル80を水平面内において揺動させ、二流体ノズル80をウエハWの中心部と周辺部との間で往復移動させることができ、また、二流体ノズル80をウエハWの表面に対して接近および離間させることができる構成となっている。また、二流体ノズル80を保持したアーム82は、図1に二点鎖線で示す位置から実線で示す位置へ回動させて、円周壁部36の外方位置に退避させることができるようになっている。なお、ノズル移動機構は、図示例のものに限らず、各種の機構を採用し得る。
【0026】
二流体ノズル80としては、図4に示したような外部混合型の二流体ノズルが使用される。そして、エアー供給用配管106(図4に示した二流体ノズル48のエアー供給用配管74に対応)が圧縮空気源(図示せず)に流路接続される。また、液体供給用配管110(図4に示した二流体ノズル48の洗浄液供給用配管68に対応)に、塩酸を含むエッチング液(フッ酸)の供給源(図示せず)に流路接続されたエッチング液供給用配管(図示せず)、および、純水供給源(図示せず)に流路接続された純水供給用配管(図示せず)が、それぞれ連通接続される。この二流体ノズル80では、エッチング液供給源からエッチング液供給用配管および液体供給用配管110をそれぞれ通ってエッチング液、すなわち塩酸を含むフッ酸が供給され、圧縮空気源からエアー供給用配管106を通って圧縮空気が送給されると、上記した二流体ノズル48と同様にして、エッチング液と圧縮空気とが混合されて液滴が生成され、その液滴が噴射口からわずかに円錐状に拡がりながら噴出し、ウエハWの表面へ噴射される。
【0027】
次に、上記した構成の基板処理装置を使用して半導体ウエハWを洗浄する方法の1例について説明する。
【0028】
モータ26を駆動させて、スピンベース10上のウエハWを水平面内で回転させる。また、ノズル移動機構56を駆動させて、二流体ノズル48をウエハWの表面に対して接近させ、二流体ノズル48を水平面内において揺動させる。そして、二流体ノズル48をスピンベース10上のウエハWの表面に沿ってウエハWの中心部と周辺部との間で往復移動させながら、二流体ノズル48から洗浄液(アンモニア水と過酸化水素水と純水との混合溶液)の液滴77をウエハWの表面へ噴射する。アンモニア水(29%溶液)と過酸化水素水(30%溶液)と純水との混合割合(容積比率)は、例えばアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:50〜100とする。アンモニア水および過酸化水素水の各薬液成分の濃度は、前記比率に比べて高濃度でも低濃度でも洗浄効果を発揮するが、望ましくは、純水5に対してアンモニア水(29%溶液)を0.04〜1、過酸化水素水(30%溶液)も0.04〜1の範囲とし、この範囲のアンモニア水と過酸化水素水を用いることにより、より短時間で高い汚染除去効果が得られる。なお、処理は、温度調節をしないで常温で行うようにすればよい。また同時に、ノズル34の上端吐出口からも、スピンベース10に保持されたウエハWの下面中央部に向けて純水等の洗浄液を吐出する。このウエハWの下面中央部への純水等の吐出は、以後も必要により実行される。
【0029】
次に、二流体ノズル48をウエハWの表面から離間させて、図1に二点鎖線で示すように円周壁部36の外方位置に退避させた後、ノズル移動機構88を駆動させて、二流体ノズル80を、図1に実線で示す退避位置から二点鎖線で示すウエハWの上方位置へ移動させた後、ウエハWの表面に対して接近させ、二流体ノズル80を水平面内において揺動させる。そして、二流体ノズル80を、回転するスピンベース10上のウエハWの表面に沿ってウエハWの中心部と周辺部との間で往復移動させながら、二流体ノズル80から純水をウエハWの表面へ吐出する。この純水によるリンス処理は、例えば10秒程度行うようにすればよい。このとき、二流体ノズル80のエアー導入管へ圧縮空気を送給して、二流体ノズル80から純水の液滴をウエハWの表面へ噴射するようにしてもよいし、二流体ノズル80のエアー導入管への圧縮空気の送給を停止して、二流体ノズル80から純水をウエハWの表面へ吐出するようにしてもよい。なお、二流体ノズル80とは別に、純水専用の吐出ノズルを設置しておき、その吐出ノズルから純水をウエハWの表面へ吐出するようにしてもよい。
【0030】
純水による中間のリンス処理が終わると、引き続いて、二流体ノズル80を、回転するスピンベース10上のウエハWの表面に沿ってウエハWの中心部と周辺部との間で往復移動させながら、二流体ノズル80からエッチング液(フッ酸と塩酸と純水との混合溶液)の液滴をウエハWの表面へ噴射する。フッ酸(50%溶液)と塩酸(35%溶液)と純水との混合割合(容積比率)は、例えばHF:HCl:純水=1:40:200とする。なお、フッ酸(50%溶液)の比率は、HF:(HCl+純水)=1:100〜1000の範囲とするのが好ましく、最も好ましいのはHF:(HCl+純水)=1:200である。また、塩酸(35%溶液)の比率は、HCl:純水=1:3〜25の範囲とするのが好ましく、最も好ましいのはHCl:純水=1:5である。なお、処理は、温度調節をしないで常温で行うようにすればよい。
【0031】
この処理によって、ウエハWのエッチング量が少なくても、十分に金属汚染物質を除去することができる。特に、これからの半導体デバイス製造プロセスでの洗浄工程では、ウエハに極力エッチング・ダメージを与えないことが必要になってくる。このため、5Å以内のエッチング量、望ましくは2Å以下のエッチング量で一連の洗浄処理を終えるように、薬液濃度によっては処理時間を調整するなど、エッチング条件を適切に決める必要がある。
【0032】
エッチング液による洗浄処理が終了すると、二流体ノズル80を、回転するスピンベース10上のウエハWの表面に沿ってウエハWの中心部と周辺部との間で往復移動させながら、二流体ノズル80から再び純水をウエハWの表面へ吐出して、最終のリンス処理を行った後、ウエハWを高速で回転させてスピン乾燥させる。
【0033】
なお、中間の純水リンス処理を省略して、二流体ノズル48からの洗浄液の液滴噴射による洗浄処理を行った後、続いて、二流体ノズル80からのエッチング液の液滴噴射による洗浄処理を行うようにしてもよい。また、洗浄液の液滴噴射による洗浄処理→(中間の純水リンス処理→)エッチング液の液滴噴射による洗浄処理→(中間の純水リンス処理→)洗浄液の液滴噴射による洗浄処理→(中間の純水リンス処理→)エッチング液の液滴噴射による洗浄処理→……最終の純水リンス処理→スピン乾燥処理、といったように、洗浄液の液滴噴射による洗浄処理とエッチング液の液滴噴射による洗浄処理を複数回繰り返すようにようにしてもよい。
【0034】
また、例えばシリコンウエハの表面やシリコン酸化膜の下地のエッチングを最も抑制しつつ、パーティクルおよび金属汚染物質をウエハ表面から除去するのには、過酸化水素を含むアンモニア水の液滴噴射と塩酸もしくは極く低濃度のフッ酸(エッチング液)の液滴噴射とを組み合わせるとよい。
【0035】
図5は、洗浄液(NHOH+H+純水)の液滴噴射による洗浄処理→エッチング液(HF+HCl)の液滴噴射による洗浄処理を、洗浄液のpH値を変化させて行ったときの、金属汚染物質の除去性能を比較した図である。図に示したグラフにおいて、縦軸は金属汚染物質の残存量(atoms/cm)を示す。使用した洗浄液の組成は、NHOH(29%水溶液):H(30%水溶液):純水=1:1:100であり、エッチング液の組成は、HF(50%水溶液):HCl(35%水溶液):純水=1:40:200である。また、二流体ノズル48、80からの吐出流量は、それぞれ100cc/minであって、洗浄液の液滴噴射時間は、20秒間または10秒間であり、エッチング液の液滴噴射時間も、20秒間または10秒間である。また、pH10.5の洗浄液については、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液を添加せず、pH11の洗浄液については、TMAH水溶液(25%溶液)を、TMAH:(NHOH:H:純水)=1:(1:1:100)の混合割合(容積比率)で添加し、pH12の洗浄液については、TMAH水溶液を、TMAH:(NHOH:H:純水)=3:(1:1:100)の混合割合で添加し、pH13の洗浄液については、TMAH水溶液を、TMAH:(NHOH:H:純水)=7:(1:1:100)の混合割合で添加して、それぞれの洗浄液を調製した。検出には、全反射蛍光X線分析装置を用いた。
【0036】
図5に示した結果から解るように、銅(Cu)については、いずれの処理でも検出限界以下まで除去可能であった。一方、クロム(Cr)については、pH10.5の洗浄液を使用した処理では、除去可能ではあるが、洗浄液の液滴噴射およびエッチング液の液滴噴射をそれぞれ20秒間行っても、検出限界以下までは除去することができなかった。また、pH11の洗浄液を使用した処理では、洗浄液の液滴噴射およびエッチング液の液滴噴射をそれぞれ10秒間行っただけでは、検出限界を下回らなかった。これに対し、pH12以上の洗浄液を使用した処理では、洗浄液の液滴噴射およびエッチング液の液滴噴射をそれぞれ10秒間行っただけで、検出限界以下まで除去可能であった。
【0037】
また、図6は、Cu、Cr以外の金属汚染物質の除去性能についても評価した結果を示す図である。使用した洗浄液およびエッチング液の各組成は、図5に示した実験と同じであり、洗浄液としてpH12のものを使用した。また、二流体ノズル48、80からの吐出流量は、それぞれ100cc/minであり、洗浄液およびエッチング液の各液滴噴射時間は、それぞれ10秒間である。いずれの金属汚染物質についても、全反射蛍光X線分析装置の検出限界以下まで除去可能であった。
【0038】
この基板処理方法は、パーティクル除去性能の観点からは広い条件範囲で良好な結果を示すが、上記したように、金属汚染物質の除去性能の面からみると、金属汚染物質を除去可能ではあるが、最適な条件範囲が存在する。
【0039】
【発明の効果】
請求項1に係る発明の基板処理方法によると、枚葉方式で基板の洗浄を行う場合において、基板の表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的にかつ短時間で除去することができ、基板表面のエッチング量が多くなることもなく、薬液の使用量も少なくすることができる。
【0040】
請求項2に係る発明の方法では、基板の表面からパーティクルをより完全に除去することができ、また、金属汚染物質をより効果的に基板表面から除去することができる。
【0041】
請求項3に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項1に係る発明の方法を好適に実施することができ、上記した効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の1例を示す平面図である。
【図2】 図1中に矢印Aで示す方向から見た基板処理装置の要部を端面で示した概略構成図である。
【図3】 図1中に矢印Bで示す方向から見た基板処理装置の要部を端面で示した概略構成図である。
【図4】 図1に示した基板処理装置における洗浄液供給機構の二流体ノズルの構成の1例を示す縦断面図である。
【図5】 図1に示した基板処理装置を使用して基板の洗浄を行ったときの金属汚染物質の除去性能を比較した図である。
【図6】 同じく、金属汚染物質の除去性能について評価した結果を示す図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
10 スピンベース
12 チャックピン
16 円筒状回転支軸
20 ケーシング
26 モータ
36 円筒壁部
38 底壁部
40 回収槽
46 洗浄液供給機構
48 洗浄液供給機構の二流体ノズル
50、82 アーム
52、84 アーム保持部
54、86 回転支軸
56、88 ノズル移動機構
58 液体供給ノズル部
62 気体供給ノズル部
66 噴射口
68 洗浄液供給用配管
70、76 開閉制御弁
72 気体供給ノズル部のエアー導入管
74、106 エアー供給用配管
77 洗浄液の液滴
78 エッチング液供給機構
80 エッチング液供給機構の二流体ノズル
110 液体供給用配管

Claims (3)

  1. 吐出口から吐出され過酸化水素水を含むアンモニア水からなるアルカリ性液と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して生成される常温の液滴を基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第1の工程と、
    吐出口から吐出された塩酸およびフッ酸と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して生成される液滴を基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第2の工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  2. 第1の工程および第2の工程が複数回繰り返される請求項1に記載の基板処理方法。
  3. 基板を保持する基板保持手段と、
    吐出口から吐出され過酸化水素水を含むアンモニア水からなるアルカリ性液と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して常温の液滴を生成しその液滴を前記基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第1の外部混合型二流体ノズルと、
    吐出口から吐出された塩酸およびフッ酸と別の吐出口から吐出された気体とを衝突させ混合して液滴を生成しその液滴を、前記第1の外部混合型二流体ノズルを用いて洗浄された後の前記基板の表面へ噴射して基板表面を洗浄する第2の外部混合型二流体ノズルと、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
JP2003074875A 2002-10-29 2003-03-19 基板処理方法および基板処理装置 Expired - Fee Related JP4702920B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003074875A JP4702920B2 (ja) 2002-11-12 2003-03-19 基板処理方法および基板処理装置
US10/690,912 US7524771B2 (en) 2002-10-29 2003-10-22 Substrate processing method using alkaline solution and acid solution

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002328018 2002-11-12
JP2002328018 2002-11-12
JP2003074875A JP4702920B2 (ja) 2002-11-12 2003-03-19 基板処理方法および基板処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008216072A Division JP2009021617A (ja) 2002-11-12 2008-08-26 基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004214587A JP2004214587A (ja) 2004-07-29
JP4702920B2 true JP4702920B2 (ja) 2011-06-15

Family

ID=32828406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003074875A Expired - Fee Related JP4702920B2 (ja) 2002-10-29 2003-03-19 基板処理方法および基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4702920B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101841024B1 (ko) * 2017-07-07 2018-03-22 주식회사 태성 인쇄회로기판 습식 에칭 시스템

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114738A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Realize Advanced Technology Ltd レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP5008280B2 (ja) 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置および基板処理方法
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP4926433B2 (ja) 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Sokudo 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP4761907B2 (ja) 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP2008177532A (ja) * 2006-12-21 2008-07-31 Elpida Memory Inc 半導体ウェハーの処理方法
JP5460475B2 (ja) * 2010-06-16 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP5852871B2 (ja) * 2011-12-12 2016-02-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6225067B2 (ja) * 2013-06-21 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP2015041753A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 株式会社東芝 ウェハの洗浄方法
KR102474585B1 (ko) * 2017-05-11 2022-12-06 로제 가부시키가이샤 박판형상 기판 유지 핑거 및 이 핑거를 구비하는 반송 로봇

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101841024B1 (ko) * 2017-07-07 2018-03-22 주식회사 태성 인쇄회로기판 습식 에칭 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004214587A (ja) 2004-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4074814B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US7524771B2 (en) Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
US8211242B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program
EP1848028B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6187684B1 (en) Methods for cleaning substrate surfaces after etch operations
JP4702920B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6894264B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2008034779A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2008008216A2 (en) Liquid aerosol particle removal method
JP2009060112A (ja) 枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
KR20130056872A (ko) 기판 표면 근방의 유체 혼합을 제어하는 마이크로전자 기판의 습식 처리
JP4101609B2 (ja) 基板処理方法
TWI375987B (en) Verfahren zur reinigung, trocknung und hydrophilierung einer halbleiterscheibe
CN114078692A (zh) 一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备
JP4033709B2 (ja) 基板洗浄方法及びその装置
JP2009021617A (ja) 基板処理方法
JP2004172573A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US6949411B1 (en) Method for post-etch and strip residue removal on coral films
JP2004096055A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2004273799A (ja) 基板用リンス液、基板処理方法および基板処理装置
JP2003103228A (ja) 電子工業用基板表面附着物の除去装置及び除去方法
JP4286615B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20090255555A1 (en) Advanced cleaning process using integrated momentum transfer and controlled cavitation
JP2002329696A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2003174006A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080701

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080826

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090127

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090319

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090409

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090515

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110125

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110307

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees