JP5852871B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
さらに、特許文献1では、基板上で薬液と純水とが混ざることを防止するために、基板上の薬液を基板の周囲に飛散させて、基板上の薬液の量を著しく減少させる。そして、基板上の薬液の量が著しく減少した状態で、純水が基板に供給される。純水が供給された基板に再び薬液を供給する場合も同様に、基板上の純水の量が著しく減少した状態で、薬液が基板に供給される。そのため、薬液および純水が基板に供給される前に、基板の表面の一部が露出し、気液の界面が基板の表面内に形成される。しかしながら、気液の界面が形成されると、この界面に集まったパーティクルや、薬液中のパーティクルが、基板の露出部分に再付着し、基板の清浄度が低下してしまう場合がある。
請求項2に記載の発明のように、前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記乾燥前リンス工程での基板へのリンス液の供給時間より短くてもよい。
この方法によれば、気体によって加速されたpH調整液、および振動エネルギーが与えられたpH調整液の少なくとも一方が、酸性薬液の液膜に覆われている基板に供給される。すなわち、運動エネルギーの高いpH調整液が、酸性薬液の液膜に覆われている基板に供給される。したがって、パターンが基板に形成されている場合には、このパターン内にもpH調整液を進入させることができる。これにより、パターン内の酸性薬液をも確実に置換でき、基板の清浄度を高めることができる。
この方法によれば、pH調整液の供給と酸性薬液の供給とが交互に繰り返される。したがって、パーティクルが基板から剥がれ易い状態での薬液の供給が複数回行われる。そのため、パーティクルをより確実に基板から除去でき、基板の清浄度を高めることができる。
酸性薬液の活性は、温度の上昇によって高まる場合がある。しかし、高温の酸性薬液を基板に供給すると、エッチングしたくない膜の減少量も増加してしまう場合がある。一方、この方法によれば、室温の酸性薬液が基板に供給されるので、このような膜の減少を抑制できる。したがって、基板の品質低下を抑制できる。
前記制御手段は、前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜を形成する第1薬液工程と、基板の主面全域が前記酸性薬液の液膜に覆われている状態で、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させ、前記酸性薬液の液膜を基板の主面全域を覆う前記pH調整液の液膜に置換するpH調整工程と、基板の主面全域が前記pH調整液の液膜に覆われている状態で、前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、前記pH調整液の液膜を基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜に置換する第2薬液工程と、前記第2薬液工程の後に、前記リンス液供給手段によってリンス液を基板に供給させ、基板上の液体を洗い流す乾燥前リンス工程と、前記乾燥前リンス工程の後に、前記基板回転手段によって基板を回転させることにより、基板に付着しているリンス液を除去して、基板を乾燥させる乾燥工程とを実行する。さらに、前記制御手段は、前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記第1薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短く、前記第2薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短くなるように、前記第1薬液工程、pH調整工程、および第2薬液工程を実行する。この構成によれば、請求項1の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
に、前記pH調整工程および第2薬液工程を含む1つのサイクルを複数回行う繰り返し工程を実行する、請求項7〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項5の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項12に記載の発明は、前記薬液供給手段は、室温の前記酸性薬液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する、請求項7〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項6の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の一部の模式的な側面図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック2(基板保持手段、基板回転手段)と、スピンチャック2に保持されている基板Wに処理液を供給する複数のノズル(スキャンノズル3、固定ノズル4、および二流体ノズル5)と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置6(制御手段)とを含む。
図2は、基板処理装置1によって処理される基板Wの表面状態の一例を説明するための断面図である。
基板Wが処理されるときには、制御装置6は、各ノズル3〜5をスピンチャック2の上方から退避させている状態で、図示しない搬送ロボットによって基板Wをスピンチャック2上に載置させる。これにより、デバイス形成面である表面が上に向けられた状態で、基板Wがスピンチャック2によって水平に保持される。
たとえば、前述の実施形態では、pH調整工程での基板へのリンス液の供給時間が、第1薬液工程および第2薬液工程での基板への薬液の供給時間よりも短い場合について説明した。しかし、pH調整工程でのリンス液の供給時間は、各薬液工程での薬液の供給時間と等しくてもよいし、長くてもよい。
また、前述の実施形態では、第1薬液工程が最初に行われる場合について説明したが、第1薬液工程が行われる前に、基板の上面全域を覆うpH調整液の液膜を形成するpH調整工程(第1pH調整工程)が行われてもよい。すなわち、pH調整工程(第1pH調整工程)、第1薬液工程、pH調整工程(第2pH調整工程)、および第2薬液工程の順番で処理が行われてもよい。
また、前述の実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
2 :スピンチャック(基板保持手段、基板回転手段)
3 :ノズル(薬液供給手段、pH調整液供給手段)
4 :固定ノズル(薬液供給手段、pH調整液供給手段)
5 :二流体ノズル(薬液供給手段、pH調整液供給手段、二流体供給手段)
6 :制御装置(制御手段)
W :基板
Claims (12)
- pHが6より小さい酸性薬液を基板に供給し、基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜を形成する第1薬液工程と、
基板の主面全域が前記酸性薬液の液膜に覆われている状態で、pHが6以上のpH調整液を基板に供給し、前記酸性薬液の液膜を基板の主面全域を覆う前記pH調整液の液膜に置換するpH調整工程と、
基板の主面全域が前記pH調整液の液膜に覆われている状態で、前記酸性薬液を基板に供給し、前記pH調整液の液膜を基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜に置換する第2薬液工程と、
前記第2薬液工程の後に、リンス液を基板に供給し、基板上の液体を洗い流す乾燥前リンス工程と、
前記乾燥前リンス工程の後に、基板に付着しているリンス液を除去することにより、基板を乾燥させる乾燥工程とを含み、
前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記第1薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短く、前記第2薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短い、基板処理方法。 - 前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記乾燥前リンス工程での基板へのリンス液の供給時間より短い、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記pH調整工程は、基板を回転させながら前記pH調整液を基板に供給する工程であり、基板の回転速度をpH調整速度まで加速させながら前記pH調整液を基板に供給する工程と、前記pH調整速度で基板を定速回転させながら前記pH調整液を基板に供給する工程とを含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記pH調整工程は、前記pH調整液と気体との混合流体を基板に供給する工程、および振動が与えられた前記pH調整液を基板に供給する工程の少なくとも一つを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1薬液工程の後であって前記乾燥前リンス工程の前に、前記pH調整工程および第2薬液工程を含む1つのサイクルを複数回行う繰り返し工程を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1薬液工程および第2薬液工程は、室温の酸性薬液を基板に供給する工程である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を保持する基板保持手段と、
pHが6より小さい酸性薬液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する薬液供給手段と、
pHが6以上のpH調整液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給するpH調整液供給手段と、
リンス液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給するリンス液供給手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段と、
前記薬液供給手段、pH調整液供給手段、リンス液供給手段、および基板回転手段を制御する制御手段とを含み、
前記制御手段は、
前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜を形成する第1薬液工程と、
基板の主面全域が前記酸性薬液の液膜に覆われている状態で、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させ、前記酸性薬液の液膜を基板の主面全域を覆う前記pH調整液の液膜に置換するpH調整工程と、
基板の主面全域が前記pH調整液の液膜に覆われている状態で、前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、前記pH調整液の液膜を基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜に置換する第2薬液工程と、
前記第2薬液工程の後に、前記リンス液供給手段によってリンス液を基板に供給させ、基板上の液体を洗い流す乾燥前リンス工程と、
前記乾燥前リンス工程の後に、前記基板回転手段によって基板を回転させることにより、基板に付着しているリンス液を除去して、基板を乾燥させる乾燥工程とを実行し、
前記制御手段は、前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記第1薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短く、前記第2薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短くなるように、前記第1薬液工程、pH調整工程、および第2薬液工程を実行する、基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記乾燥前リンス工程での基板へのリンス液の供給時間より短くなるように、前記pH調整工程および乾燥前リンス工程を実行する、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記基板回転手段によって基板の回転速度をpH調整速度まで加速させながら、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させる工程と、前記基板回転手段によって基板を前記pH調整速度で回転させながら、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させる工程とを含む前記pH調整工程を実行する、請求項7または8に記載の基板処理装置。
- 前記pH調整液供給手段は、前記pH調整液と気体との混合流体を基板に供給する二流体供給手段、および前記pH調整液に振動を与える振動付与手段の少なくとも一つを含む、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記第1薬液工程の後であって前記乾燥前リンス工程の前に、前記pH調整工程および第2薬液工程を含む1つのサイクルを複数回行う繰り返し工程を実行する、請求項7〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記薬液供給手段は、室温の前記酸性薬液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する、請求項7〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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