JP2006114738A - レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジストが被着した状態の基板12を回転機構13により所定の方向に回転させ、基板上のレジストにスチームおよび粒径の制御された水ミストを噴射することで、スチーム14の作用により基板12からレジストを浮き上がらせ、粒径の制御された水ミストにより基板12から浮き上がっているレジストを剥離させる。
【選択図】 図7
Description
しかし、プラズマアッシャ法では荷電粒子によるチャージアップダメージが大きく、また、ポリマのウェット除去工程が必要であるなど処理工程数が増大する問題がある。一方、有機溶剤や濃硫酸、過酸化水素などによりレジスト膜を除去する方法では、化学物質の廃液処理などの問題がある。
このため、水やスチームを用いてレジスト膜を除去する方法がいくつか提案されている。たとえば、レジスト膜にスチームを接触させ噴射してレジスト膜を除去する方法(たとえば、特許文献1参照)、スチームでレジスト膜をリフトオフさせた後、噴射圧力をともなった水ミストによりレジスト膜を剥離させる方法(たとえば、特許文献2参照)などが知られている。
特許文献2の構成は、スチームはレジスト膜をリフトオフさせ、水ミストはリフトオフしたレジスト膜を剥離させるという異なる機能を利用しており、しかも水ミストは高温に熱する必要がないので特許文献1の方法に比較して電力消費を小さくすることができる。
しかし、特許文献2の方法は、高温のスチームとそれより低温の水ミストを混合してレジスト膜に噴射するので、スチームの温度が低下してレジスト膜のリフトオフ効果が低減するおそれがある。また、図1または図2に見られるように、スチーム用のノズルと水ミスト用のノズルの2つのノズルを二重構造に構成するなどノズル構造が複雑になる課題がある。
請求項2記載の本発明は、請求項1に記載のレジスト剥離方法において、前記スチームを噴射させるスチームノズルに、前記水ミストを供給する複数の孔を形成し、前記孔径によって前記水ミストの前記粒径を制御することを特徴とする。
請求項3記載の本発明は、請求項1に記載のレジスト剥離方法において、前記スチームを噴射させるスチームノズルに、前記水ミストを供給する複数の孔を形成し、噴射させる前記スチーム量、又は供給する前記水ミスト量によって前記水ミストの前記粒径を制御することを特徴とする。
請求項4記載の本発明は、請求項1に記載のレジスト剥離方法において、前記粒径の制御された前記水ミストは、純水に700KHz〜3MHzの超音波振動を与えて発生させ、前記超音波振動のパワーおよび周波数の少なくとも一方を変化させて前記粒径を制御することを特徴とする。
請求項5記載の本発明は、請求項1に記載のレジスト剥離方法において、前記スチームおよび前記水ミストを前記基板の表面に対して垂直な方向から印加することを特徴とする。
請求項6記載の本発明のレジスト剥離装置は、基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、所定方向に前記基板を移動させる基板移動手段と、前記基板にスチームを噴射するスチーム噴射ノズルと、前記スチーム噴射ノズル内に水ミストを供給する水ミスト供給部とを有し、前記水ミスト供給部と前記スチーム噴射ノズル内空間とを連通する複数の孔を形成したことを特徴とする。
請求項7記載の本発明は、請求項6に記載のレジスト剥離装置において、前記スチーム噴射ノズルを内径が一定の所定長さの配管で構成し、前記水ミスト供給部を前記配管の外周面に設け、前記配管の外周面から内周面に向かって前記孔を形成したことを特徴とする。
また、スチームの温度を低下させることなくジスト膜のリフトオフを行うことができるので、レジスト剥離能力の高いレジスト剥離を行うことができる。
また、ノズル構造が簡単なレジスト剥離装置を提供することができる。
本発明の第2の実施の形態は、第1の実施の形態によるレジスト剥離方法において、スチームを噴射させるスチームノズルに、水ミストを供給する複数の孔を形成し、孔径によって水ミストの粒径を制御するものである。本実施の形態によれば、構造的に水ミストの粒径を一定に制御でき、最適な運動エネルギを供給することができる。
本発明の第3の実施の形態は、第1の実施の形態によるレジスト剥離方法において、スチームを噴射させるスチームノズルに、水ミストを供給する複数の孔を形成し、噴射させるスチーム量、又は供給する水ミスト量によって水ミストの粒径を制御するものである。本実施の形態によれば、噴射させるスチーム量、又は供給する水ミスト量によって孔から供給される水ミストの粒径を一定に制御でき、最適な運動エネルギを供給することができる。
本発明の第4の実施の形態は、第1の実施の形態によるレジスト剥離方法において、粒径の制御された水ミストを純水に700KHz〜3MHzの超音波振動を与えて発生させ、超音波振動のパワーおよび周波数の少なくとも一方を変化させて粒径を制御するものである。本実施の形態によれば、粒径のばらつきが少ない水ミストを簡単かつ効率的に発生させることができる。
本発明の第5の実施の形態は、第1の実施の形態によるレジスト剥離方法において、スチームおよび水ミストを基板の表面に対して垂直な方向から印加するものである。本実施の形態によれば、スチームおよび水ミストを基板に対して強力に噴射させることができる。
本発明の第6の実施の形態によるレジスト剥離装置は、所定方向に基板を移動させる基板移動手段と、基板にスチームを噴射するスチーム噴射ノズルと、スチーム噴射ノズル内に水ミストを供給する水ミスト供給部とを有し、水ミスト供給部とスチーム噴射ノズル内空間とを連通する複数の孔を形成したものである。本実施の形態によれば、構造的に水ミストの粒径を一定に制御でき、最適な運動エネルギを供給することができる。
本発明の第7の実施の形態は、第6の実施の形態によるレジスト剥離装置において、スチーム噴射ノズルを内径が一定の所定長さの配管で構成し、水ミスト供給部を配管の外周面に設け、配管の外周面から内周面に向かって孔を形成したものである。本実施の形態によれば、水ミスト供給部においてミスト温度を上昇させることができるとともに、スチーム噴射ノズルを内径が一定の所定長さの配管で構成することで、制御されたミスト粒径を、粒径を変えることなく噴射させることができる。
図1は本発明の実施例1におけるレジスト剥離装置の概略を示す斜視図である。所定のパターン加工が施されたレジスト11を有する基板12は、モータを利用した回転機構13により矢印A方向に回転する。基板12のレジスト11が形成されている表面側の上方には、スチーム14を噴射するスチーム噴射ノズル15が配置される。スチーム噴射ノズル15は、スチーム噴射ノズル15から噴射されるスチーム14が基板12上のレジスト11に対して斜上方から噴射するように配置される。すなわち、スチーム噴射ノズル15からのスチーム14の噴射方向が基板12の表面に対して非垂直になるように配置される。スチーム噴射ノズル15はスチーム配管16によりスチーム発生器17に連結しており、スチーム発生器16から高温のスチーム14がスチーム配管16を通ってスチーム噴射ノズル15に供給され、スチーム噴射ノズル15の噴射口18から基板12上のレジスト11に噴射される。スチーム噴射ノズル15の外周には超音波発振装置19が設けられており、超音波駆動電源20により超音波発振装置19を駆動してスチーム噴射ノズル15に超音波を印加する。
スチーム噴射ノズル15からのスチーム14の噴射方向は、上述したように、非垂直、すなわち、基板12の表面に対して直角以外の方向とすることが好ましい。スチーム14の噴射方向を基板12の表面に対して非垂直な方向とすることにより、スチーム14が基板12上のレジストをはがすように噴射する。したがって、基板12からレジスト11が浮きやすくなり、また、剥離しやすくなる。また、非垂直となる角度を変えることにより、基板12上のレジストに対して加えられるスチーム14の熱エネルギおよび運動エネルギを調整することができる。
図1のように、スチーム14の噴射方向と基板の移動方向が対向する方向となるようにスチーム14を噴射させた場合は、基板12上のレジスト11に対して加えられるスチーム14のエネルギと基板12の移動エネルギが加算されるので、基板12上のレジスト11に対して加えられるスチーム14のエネルギを大きくすることができる。
スチーム14の噴射方向と基板12の移動方向が同じ方向となるようにスチーム14を噴射させた場合は、基板12上のレジスト11に対して加えられるスチーム14のエネルギが基板12の移動エネルギで減算されるので、基板12上のレジストに対してスチーム14のエネルギがソフトに与えられる。したがって、微小な基板や薄い基板であっても、スチーム14の噴射により飛ばされたり損傷したりすることが少なくなる。
スチーム14の噴射方向を基板12の移動方向に対して横方向となるようにスチーム14を噴射させた場合は、基板12に対して加えられるスチーム14のエネルギを上記二者の中間の中庸な状態にすることができる。
したがって、基板12の種類や大きさ、レジスト11の種類や厚さなどに応じて基板12の回転速度および回転方向、ならびに、スチーム14の噴射角度および方向を適宜選定すればよい。
スチーム14の温度は100℃以上、好ましくは130℃以上が望ましいが、特にこれに制限されるものではなく、基板12の種類や大きさ、レジスト11の種類や厚さなどに応じて調整すればよい。
超音波発振装置19が発振する超音波の周波数は、レジストの剥離力を大きくするために、28KHz〜2MHzに設定することが好ましい。
図1においては、スチーム14の噴射方向は基板12の移動方向である矢印A方向に対して対向する方向であるので、基板12上のレジストにはスチーム14のエネルギと基板12の移動エネルギが加算された状態でスチーム14が噴射され、基板12上のレジスト11は大きな運動エネルギのスチーム14の作用により基板12から浮き上がり、はがれやすくなる。この状態で超音波駆動電源20により超音波発振装置19を駆動してスチーム噴射ノズル15に28KHz〜2MHzの超音波を印加すると、スチーム噴射ノズル15から噴射されるスチーム14に超音波エネルギが付加され、この超音波エネルギが付加されたスチーム14が基板12に当たり、スチーム14の作用により基板12から浮き上がっているレジストを超音波エネルギにより剥離させる。スチーム噴射ノズル15に超音波を印加するタイミングは連続的であってもよいが、スチーム14の作用によりレジストが基板12から浮き上がるタイミングに合わせて間歇的に印加するようにしても良い。間歇的に印加する場合は、超音波駆動電源20の作動が完結的になるので、消費電力を小さくすることができる。
また、スチーム14の噴射方向を基板12の移動方向に対してクロスする横方向となるようにした場合は、基板12に対して加えられるスチーム14のエネルギを中庸な状態にすることができる。この場合は、基板12に対して強すぎず、かつ、弱すぎない適度なエネルギのスチーム14を噴射することができる。
なお、図1においては、基板12を回転移動させる例について説明したが、基板12が直線移動する場合であっても同様の作用効果を有する。基板12を直線移動させる構成によれば、いわゆるベルトコンベア方式によりレジスト剥離を行うことができる。
水噴射ノズル22は水配管23を介して水タンクなどの水供給源24に連結しており、水供給源24からの水が配管23を通って水噴射ノズル22に供給され、水噴射ノズル22の噴射口25から基板12に水ジェット21が噴射される。水噴射ノズル22の外周には、図1のスチーム噴射ノズル15の場合と同様に、超音波発振装置19が設けられており、超音波駆動電源20により超音波発振装置19を駆動して水噴射ノズル22に超音波エネルギを印加する。この超音波エネルギは水噴射ノズル22の噴射口25から噴射される水ジェット21に付加される。
水噴射ノズル22は、スチーム噴射ノズル15と並列に、かつ、基板12の移動方向に対して下流方向に配置される。
本実施例によれば、スチーム14の噴射位置と水ジェット21による超音波の印加位置が互いに離間しており、基板12が基板載置台12の回転によりスチーム14の噴射位置から超音波の印加位置に移動する。そして、まずスチーム14の噴射により基板12からレジストを浮き上がらせ、つぎに、水ジェット21による超音波エネルギでレジストを剥離させる。したがって、レジストの剥離を確実に行うことができる。
水噴射ノズル22は水配管23を介して水タンクなどの水供給源24に連結しており、水供給源24からの水が配管23を通って水噴射ノズル22に供給され、水噴射ノズル22の噴射口25から基板12に水ジェット21が噴射される。水噴射ノズル22の外周には、図1のスチーム噴射ノズル15の場合と同様に、超音波発振装置19が設けられており、超音波駆動電源20により超音波発振装置19を駆動して水噴射ノズル22に超音波エネルギを印加する。この超音波エネルギは水噴射ノズル22の噴射口25から噴射される水ジェット21に付加される。
スチーム噴射ノズル15は基板12のレジスト11が被着している面、すなわち、基板12の表面側に配置され、スチーム噴射ノズル15から噴射されるスチーム14は基板12の表面に噴射されてレジスト11を浮き上がらせる。一方水噴射ノズル22は、基板12を載置している基板12の裏面側に配置され、水噴射ノズル22から噴射された水ジェット21は基板12の裏面に噴射されて基板12を超音波エネルギにより振動させる。この振動により基板12から浮き上がっているレジスト11は剥離される。
なお、基板12にスチーム14のエネルギを与えるタイミングおよび超音波エネルギを与えるタイミングは、スチーム噴射ノズル15からのスチーム噴射タイミングおよび水噴射ノズル22からの水ジェット噴射タイミングにより自由に制御することができる。したがって、レジストの剥離状態を自由に制御することができる。
図1〜図3で説明したスチーム噴射ノズル15はスチーム配管16によりスチーム発生器17に連結しており、スチーム発生器17で発生した高温のスチーム14がスチーム配管16を通ってスチーム噴射ノズル15に供給される構成である。この構成は、スチーム噴射ノズル15がスチーム発生器17と離れており、スチーム発生器17で発生したスチームをスチーム配管16により給送しているので、給送中のスチーム量の低下や、給送中におけるスチーム温度の低下、あるいは、スチーム配管16でスチームが汚染(コンタミネーション)されることがあるなどの問題がある。
本実施例は、これらの問題を解決するために、スチーム噴射ノズルで直接スチームを発生させるようにしたものである。
水を貯蔵した水タンク31の外周に、水タンク31内の水を水蒸気にするエネルギ印加手段32が設けられている。エネルギ印加手段32は、水にメガソニック超音波振動を印加して水蒸気にする超音波励起装置、水にレーザ光を照射して水蒸気にするレーザ励起装置、水にマイクロ波振動を印加して水蒸気にするマイクロ波励起装置などが使用される。水タンク31の出口側には連結管33を介してヒータ34を収納した加熱室35が連結されており、加熱室35の出口側にスチーム噴射口36が設けられている。
この構成は、スチームを噴射する基板12の直近でスチームを発生させるので、配管ロスなどによるスチーム量の低下がなく、またスチーム温度の低下や汚染も発生しない。また、水タンク31と加熱室35が近接しているので、スチーム噴射ノズルを小型に構成することができ、低コストを実現することができる。また、基板12の移動方向に沿って本実施例のスチーム噴射ノズルを複数個配列することにより、連続的なレジスト剥離を行うことができる。
基板12のレジスト11が形成されている表面側の上方には、スチーム噴射ノズル41とその内部に同軸に設けられた水ミスト噴射ノズル42が配置される。スチーム噴射ノズル41と水ミスト噴射ノズル42は、その噴射方向が基板12に対して垂直方向になるように配置される。スチーム噴射ノズル41はスチーム配管43によりスチーム発生器44に連結しており、スチーム発生器44から高温のスチームがスチーム配管43を通ってスチーム噴射ノズル41に供給される。水ミスト噴射ノズル42は先端部がスチーム噴射ノズル41の内部に同軸配置されており、配管46を介してミスト発生部47に連結している。ミスト発生部47は、外周に超音波駆動電源49で駆動される超音波発振装置48が設けられている。超音波発振装置48は超音波駆動電源49により発振周波数と発振パワーが調整される。発振する超音波の周波数は700KHz〜3MHzのメガヘルツ帯の周波数に設定される。ミスト発生部47には水タンクなどの水供給源50から水が供給される。
このとき、超音波駆動電源49により超音波の発振周波数およびパワーのいずれかまたは両者を調整することにより、発生する水ミストの粒径を制御することができる。一般に、超音波の発振周波数を高くすれば水ミストの粒径は小さくなり、超音波のパワーを大きくすれば水ミストの粒径は小さくなる。粒径の大きさは基板12の種類や大きさ、レジスト11の種類や厚さなどに応じて設定すればよい。
水ミスト噴射ノズル42から噴射した水ミスト51はスチーム噴射ノズル41内のスチーム52と混合してスチーム噴射ノズル41の先端45から基板12上のレジスト11に噴射される。このとき、水ミスト51はスチーム52の熱エネルギと運動エネルギを授受して高い熱エネルギと運動エネルギを有しており、この高い熱エネルギと運動エネルギを有する水ミストがレジスト11にぶつかってそのエネルギによりレジスト11を剥離、除去する。レジスト11の剥離、除去する作用は、水ミストの粒径により異なり、粒径が大きすぎる場合はレジスト11の剥離、除去だけでなく基板12をも吹き飛ばしてしまうことがある。一方、粒径が大きすぎる場合はレジストの除去、剥離に長時間を要してしまう。そこで、本実施例においては、前述したように、超音波の発振周波数およびパワーのいずれかまたは両者を調整して水ミストの粒径を、基板12を吹き飛ばさずにレジスト11を短時間で剥離、除去するように制御する。
以上の説明では、スチーム噴射ノズル41と水ミスト噴射ノズル42を同軸に構成して、その噴射方向を基板12に対して垂直方向に配置した場合について説明したが、噴射方向を図1のスチーム噴射ノズル15の噴射方向と同様に基板12に対して非垂直方向に配置し、非垂直方向を基板の移動方向に対向する方向、基板の移動方向に向かう方向および基板の移動方向に対して横方向のいずれかに設定するようにしてもよい。
本実施例においては、スチーム噴射ノズル41の内壁にらせん状の溝55を形成し、スチーム噴射ノズル41内でスチーム52を螺旋状の溝55に沿ってらせん状に進行させる。この結果、スチーム噴射ノズル41内に噴射した水ミスト51もらせん状に進行し、スチーム52と水ミスト51の混合体56はスチーム噴射ノズル41の先端45かららせん状に噴射する。らせん状に噴射したスチーム52と水ミスト51の混合体56は基板12が向かう際に分散しにくいので、基板12のレジスト11に効率的にぶつかり、レジスト11の剥離効果を大きくすることができる。
なお、水ミスト噴射ノズル42の内壁にらせん状の溝を形成しても同様な効果を得ることができる。
図示しない基板のレジストが形成されている表面側の上方には、スチーム噴射ノズル41Aが配置される。このスチーム噴射ノズル41Aの外周面には、水ミスト供給部42Bが形成されている。この水ミスト供給部42Bは、複数の孔42Aによってスチーム噴射ノズル41A内空間と連通している。
スチーム噴射ノズル41Aは、断面が四角形の通路で構成され、その噴射方向は基板に対して垂直方向になるように配置される。スチーム噴射ノズル41Aは、スチーム配管43によって、図示しないスチーム発生器に連結されている。従って、スチーム噴射ノズル41Aには、高温のスチームがスチーム配管43を通って供給される。水ミスト供給部42Bは、配管46を介して、図示しないミスト発生部に連結している。なお、ミスト発生部としては、上記実施例で用いたように超音波発振装置でもよいが、本実施例においては、超音波発振装置を用いることなく、温純水をそのまま供給してもよい。
このとき、孔42Aの孔径によってミスト粒径を制御することができる。なお、供給するミスト量は、孔42Aの個数によって制御することができる。また、孔42Aの孔径の代わりに、又は孔径とともに、スチーム配管43から供給するスチーム量を変更することによってもミスト粒径を制御することができる。また、孔径やスチーム量とともに、又はこれらの代わりに配管46から供給する温純水の量、又はミスト量によってもミスト粒径を制御することができる。
さらに本実施例のように、スチーム噴射ノズル41Aを断面が四角形の通路で構成することで、制御されたミスト粒径を、粒径を変えることなく噴射させることができる。
なお、本実施例においても、スチーム噴射ノズル41Aの噴射方向を、図1のスチーム噴射ノズル15の噴射方向と同様に基板12に対して非垂直方向に配置し、非垂直方向を基板の移動方向に対向する方向、基板の移動方向に向かう方向、および基板の移動方向に対して横方向のいずれかに設定するようにしてもよい。
また、配管46から供給する温純水とスチーム配管43から供給するスチームとの少なくともいずれかを周期的に供給量を変化させることで、水ミスト径を変化させることができ、異なる径の水ミストを噴射させることができる。
スチーム配管43の外周面には、水ミスト供給部42Bが形成されている。この水ミスト供給部42Bは、複数の孔42Aによってスチーム配管43内空間と連通している。
スチーム噴射ノズル41Aは、水ミスト供給部42Bよりも下流側のスチーム配管43に接続され、スチーム配管43とスチーム噴射ノズル41Aとの連接部には段差を有している。また、スチーム噴射ノズル41Aは、断面が四角形の通路で構成されている。
本実施例によれば、温純水は、複数の孔42Aによってスチーム噴射ノズル41A内空間に導かれるとき、又はスチーム配管43とスチーム噴射ノズル41Aとの段差に一旦溜まった純水が噴射ノズル41Aに導かれるときに水ミスト化される。
従って、孔42Aの孔径によってミスト粒径を制御することができるとともに、供給する純水の量に応じてスチーム配管43とスチーム噴射ノズル41Aとの段差に溜まる純水によってミスト粒径を制御することができる。
本実施例においても、配管46から供給する温純水とスチーム配管43から供給するスチームとの少なくともいずれかを周期的に供給量を変化させることで、水ミスト径を変化させることができ、異なる径の水ミストを噴射させることができる。
12 基板載置台
13 回転機構
14 スチーム
15 スチーム噴射ノズル
16 スチーム配管
17 スチーム発生器
18 噴射口
19 超音波発振装置
20 超音波駆動電源
21 水ジェット
22 水噴射ノズル
23 水配管
24 水供給源
25 噴射口
31 水タンク
32 エネルギ印加手段
33 連結管
34 ヒータ
35 加熱室
36 スチーム噴射口
41 スチーム噴射ノズル
42 水ミスト噴射ノズル
43 スチーム配管
44 スチーム発生器
46 配管
47 ミスト発生部
48 超音波発振装置
49 超音波駆動電源
50 水供給源
51 水ミスト
52 スチーム
55 螺旋状の溝
56 混合体
Claims (7)
- 所定方向に移動する基板上のレジストを剥離するレジスト剥離方法であって、前記基板上の前記レジストにスチームおよび粒径の制御された水ミストを噴射することを特徴とするレジスト剥離方法。
- 前記スチームを噴射させるスチームノズルに、前記水ミストを供給する複数の孔を形成し、前記孔径によって前記水ミストの前記粒径を制御することを特徴とする請求項1に記載のレジスト剥離方法。
- 前記スチームを噴射させるスチームノズルに、前記水ミストを供給する複数の孔を形成し、噴射させる前記スチーム量、又は供給する前記水ミスト量によって前記水ミストの前記粒径を制御することを特徴とする請求項1に記載のレジスト剥離方法。
- 前記粒径の制御された前記水ミストは、純水に700KHz〜3MHzの超音波振動を与えて発生させ、前記超音波振動のパワーおよび周波数の少なくとも一方を変化させて前記粒径を制御することを特徴とする請求項1に記載のレジスト剥離方法。
- 前記スチームおよび前記水ミストを前記基板の表面に対して垂直な方向から印加することを特徴とする請求項1に記載のレジスト剥離方法。
- 基板に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、所定方向に前記基板を移動させる基板移動手段と、前記基板にスチームを噴射するスチーム噴射ノズルと、前記スチーム噴射ノズル内に水ミストを供給する水ミスト供給部とを有し、前記水ミスト供給部と前記スチーム噴射ノズル内空間とを連通する複数の孔を形成したことを特徴とするレジスト剥離装置。
- 前記スチーム噴射ノズルを内径が一定の所定長さの配管で構成し、前記水ミスト供給部を前記配管の外周面に設け、前記配管の外周面から内周面に向かって前記孔を形成したことを特徴とする請求項6に記載のレジスト剥離装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004301366A JP2006114738A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
TW094142111A TW200721288A (en) | 2004-10-15 | 2005-11-30 | Method and apparatus for peeling resist |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004301366A JP2006114738A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006114738A true JP2006114738A (ja) | 2006-04-27 |
JP2006114738A5 JP2006114738A5 (ja) | 2007-11-29 |
Family
ID=36383000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004301366A Ceased JP2006114738A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006114738A (ja) |
TW (1) | TW200721288A (ja) |
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