JP2003071332A - 水供給装置および水供給方法 - Google Patents

水供給装置および水供給方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト膜等の不用物の剥離・除去能力が高
く、効率のよい水蒸気を使用した水供給装置とその方法
とを提供する。 【解決手段】 対象物の洗浄・浄化・加工の処理を行う
ための水供給装置であって、水蒸気体を供給する手段
と、液状水微粒子を含む水ミスト体を供給する手段と
を、備え、これら二つの手段を独立的に制御して、水蒸
気体および前記水ミスト体を対象物に提供するよう、装
置構成される水供給装置とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、製品の製造工程に
おいて水(Ｈ2Ｏ)を供給する装置にかかり、製品表面の
加工処理や洗浄浄化処理に用いられる高純度の水を供給
する装置に関する。より具体的には、半導体ウェハやハ
ードディスク（ＨＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又
はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）などの対象物
表面にリソグラフィ工程で被着したレジスト膜やポリマ
残渣等の不用物を剥離して除去するための水供給装置及
びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、液晶、磁気ディスク、プリ
ント基板などの製造工程では、これらの対象物表面にレ
ジストを塗布し、リソグラフィを用いて対象物表面にパ
ターン形成等の精密加工を施こす。その後この対象物表
面に被着しているレジスト膜ややポリマ残渣等の不用物
を除去する処理が行なわれる。従来からあるレジスト膜
等の不用物を除去技術としては、酸素プラズマによりレ
ジスト膜を灰化除去するプラズマアッシャ方法、有機溶
媒（フェノール系・ハロゲン系など溶媒）で膜体を加熱
除去させる方法、濃硫酸・過酸化水素による加熱溶解方
法などがある。
【０００３】しかしながら、上述のいずれの方法にあっ
ても、レジスト膜等を分解し溶解するための時間やエネ
ルギおよび化学材料が必要であり、レジスト膜等を分解
除去する工程での負担は大きい。プラズマアッシャ方法
は一般的によく用いられているものの、荷電粒子による
チャージアップダメージが大きいという問題点がある。
また、エッチング工程で発生した反応生成物(ポリマ残
渣)を充分に除去しきれないという欠点があるので、こ
れをウェット除去しなければならず、処理工程数が増大
するという問題点がある。そのため、レジスト膜等の不
用物を除去する技術を含む精密表面処理技術の分野にお
いては、化学物質や化学的処理を用いる従来の技術から
脱却し、地球や環境に優しい技術として、自然界に豊富
にある水や水蒸気を用いる方式に大いに注目して、これ
を利用し発展させたいという期待がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】水蒸気を用いて半導体
装置又は液晶表示装置などの表面に残存するレジスト膜
を除去する技術が、特開２００１−１１８８１７号公報
に記載されている。上記公報によれば、水蒸気中の高温
ミストにより対象物表面から残存レジスト膜をリフトオ
フさせこれを除去出来ることが開示されている。しか
し、レジスト膜を完全に剥離して除去させるためには、
多量の水蒸気を発生させる必要があり、電力消費が大き
すぎるという欠点がある。
【０００５】本発明者等は、水蒸気を用いたレジスト膜
の剥離・除去のメカニズムについて鋭意考察を重ねた結
果、レジスト膜の剥離・除去プロセスは次のような２つ
のステップから成り立っていることに気付いた。即ち、
まず気化した水（これを水蒸気体と呼ぶ）がレジスト膜
中に侵潤してレジスト膜と対象物表面との界面に達し、
この界面におけるレジスト膜の接着力を弱め、レジスト
膜を対象物表面から浮き上がらせる（リフトオフ）。つ
いで、所定の噴射圧力をともなった液状水微粒子を含む
霧状の水（これを水ミスト体と呼ぶ）がリフトオフした
レジスト膜に物理的に作用して界面から剥離させる。
【０００６】水蒸気体と水ミスト体とは、このようにレ
ジスト膜の剥離・除去プロセスにおける役割が異なって
いることから、水蒸気体と水ミスト体とを最適に制御し
て発生させることが出来れば、大量の水を必要とせずし
かも消費電力を削減することが出来る。即ち、水蒸気体
はレジスト膜中に侵潤する必要性から、高温にして高エ
ネルギが与えられる必要があるが、必要とされる量はわ
ずかである。したがってわずかな消費電力で水蒸気体を
発生させ得る。
【０００７】一方、水ミスト体はリフトオフしたレジス
ト膜を物理的に剥離させるために用いられるので、必要
とされる量は水蒸気体に対してよりも多いが、高温に熱
する必要はなく、処定の噴出圧力が与えられれば良いだ
けであるから、発生のための消費電力はほとんど必要な
い。この点、上記文献に記載された水蒸気を利用する方
法では、水蒸気を構成する水ミスト体と水蒸気体とがそ
れぞれ最適の条件に制御されることなく混合された状態
で存在していたため、効率の悪いものとなっていた。本
発明は上記知見に基づいてなされたもので、レジスト膜
・ポリマ残渣等の不用物の剥離・除去能力が高く、効率
のよい不用物除去を可能とする水供給装置とその方法と
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による水供給装置
は、上述の課題を解決するために、次のような手段を用
いる。 （１）対象物の洗浄・浄化・加工の処理を行うための水
供給装置であって、水蒸気体を供給する手段と、液状水
微粒子を含む水ミスト体を供給する手段とを、備え、前
記二つの手段を独立的に制御して、前記水蒸気体および
前記水ミスト体を対象物に提供するよう、装置構成され
る水供給装置とした。
【０００９】（２）(１)の水供給装置において、前記対
象物は、半導体デバイスの製造に関連して生じるレジス
ト膜・ポリマ残渣の不用物を含む。 （３）(１)および／または(２)の水供給装置において、
前記水蒸気体または前記水ミスト体は、ガス中にこれら
が含まれて供給される。
【００１０】（４）(２)または(３)の水供給装置におい
て、前記水蒸気体を前記対象物に対して接触および／ま
たは侵潤させる手段と、前記水ミスト体を前記対象物に
対して噴射させる手段、とを備え、前記水蒸気体と前記
水ミスト体との協同作用により前記不用物を除去する水
供給装置とした。
【００１１】（５）(１)〜(４)のいずれかの水供給装置
において、前記水蒸気体および／または前記水ミスト体
を前記対象物に提供するためのノズル手段を備える。 （６）(５)の水供給装置において、前記ノズル手段は、
処理チャンバ内に設置された対象物に対向して配設され
る。
【００１２】（７）(５)または(６)の水供給装置におい
て、前記ノズル手段は、前記水蒸気体を通過させる第１
の流路と、前記水ミスト体を通過させる第２の流路とを
備えた２流体混合噴出ノズルとして構成される。 （８）(５)または(６)の水供給装置において、前記ノズ
ル手段は、前記水蒸気体を通過させる第１の流路と、前
記液体水を通過させる第２の流路とを備えた２流体混合
噴出ノズルとして構成される。この構成により、液体水
を通過させて吐出口に於て前記液体水を噴出することに
より、ガス中に液体水微粒子を含む水ミスト体を発生さ
せる。 （９）(７)または(８)の水供給装置において、前記２流
体混合噴出ノズルは、前記水蒸気体と前記水ミスト体と
を混合させる混合部を備える。
【００１３】（１０）(３)〜(９)のいずれかの水供給装
置において、前記ガスが、空気・窒素・アルゴン・二酸
化炭素・オゾン又はヘリウムのいずれか一種又は二種以
上の組合せからなる。 （１１）(１)〜(１０)のいずれかの水供給装置におい
て、前記水蒸気体は沸点以上に、前記水ミスト体は沸点
以下に温度制御されること。 （１２）(１)〜(１１)のいずれかの水供給装置におい
て、前記液状水微粒子が、オゾン・二酸化炭素・イオン
・酸又はアルカリ物質を含む。 （１３）(１)〜(１２)のいずれかの水供給装置におい
て、前記処理チャンバ内を、大気圧・減圧又は加圧状態
に制御する気圧制御手段を設けた。
【００１４】（１４）対象物の洗浄・浄化・加工等の処
理を行うための水供給方法であって、ガス中に気化した
水を含む水蒸気体を前記対象物表面に接触させ前記水蒸
気体を前記対象物中に侵潤させ、ガス中に液状水微粒子
を含む水ミスト体を前記対象物表面に噴射させ、前記水
蒸気体と前記水ミスト体との協同作用により、前記対象
物から不用物をを除去する水供給方法とした。
【００１５】（１５）(１４)の水供給方法において、前
記不用物の除去は、減圧・常圧または加圧の状態に気圧
制御されるチャンバ内で行なわれる。 （１６）(１４)の水供給方法において、前記水蒸気体は
沸点以上に、前記水ミスト体は沸点以下に温度制御され
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に図１乃至図７を参照して、本
発明による水供給装置及び水供給方法の実施の形態につ
いて詳細に説明する。図７は、本発明で使用される水蒸
気体と水ミスト体との模式構造を示した図である。ここ
での水蒸気体は、図７(ａ)に示すように、空気などのガ
ス中に熱せられ気化した水（気化水(Ｈ2Ｏ分子)）が包
含された状態で存在するのが一般的であるが、ガスは全
く含まずに水蒸気100％として構成することもまた可能
である。そして水ミスト体は、図７(ｂ)に示すように、
ガス中に液状の水微粒子が包含された状態で存在する。
【００１７】ガス中に気化した水を含む水蒸気体を発生
させるには、例えば加熱板上に液体の水を滴下し、これ
を気化して発生させることも出来るし、水蒸気を発生さ
せこれを加熱することによっても発生させることが出来
る。この水蒸気体の温度は大気圧下では１００℃以上、
好ましくは１３０〜１６０℃となるよう制御される。水
ミスト体を発生させるには、例えば、常温の水、又は水
とガスとの混合物をノズルから勢いよく噴射させること
によって発生させることも出来るし、水の噴射口付近に
ガスを吹きつける、いわゆる霧吹きの原理を利用して発
生させることが出来る。また、水ミスト体の温度は大気
圧下では１００℃以下とするとよい。
【００１８】なお後述するように、水蒸気体と水ミスト
体とを処理チャンバ内で対象物に作用させる場合には、
チャンバ内を大気圧・減圧・加圧の状態に制御すること
も出来、その場合には水蒸気体と水ミスト体の温度は、
チャンバ内の圧力によって変化させることが出来る。し
たがって、水蒸気体は沸点以上に、水ミスト体は沸点以
下に温度制御される。また、ガス中に気化した水を含む
水蒸気体においては、気化水は通常空気中に包含されて
いるが、空気に限定されるものではなく、窒素・アルゴ
ン・ヘリウムなどのガスであっても良い。水ミスト体に
おける空気についても同様である。
【００１９】また、オゾン・二酸化炭素・イオン・酸又
はアルカリ物質を含んだ液状水微粒子を含む水ミスト体
のつくり方としては、大きく見て、次の３通りがある。 (１)あらかじめ前記物質を含んだ液体水を用いて、水ミ
スト体をつくることができる。 (２)水に接触・吸収されることにより、前記物質を含む
水になるようなガスを、ノズルから液体水とともに吹き
出させ、水ミスト体を発生させることにより、前記物質
を含んだ水ミスト体をつくることができる。 (３)何も含まない水ミスト体をつくったのちに、水と接
触・吸収させることにより、前記物質を含む水になるよ
うなガスを接触させることにより、前記物質を含んだ水
ミスト体をつくることができる。そして、このような水
ミスト体を使用することにより、レジスト等不用物の除
去工程中における対象物への電荷のチャージアップの防
止・除去の促進が可能になる。
【００２０】図１(ａ)は、本発明の水供給装置に用いら
れるノズル手段の構成の一例を示したものであり、２つ
のノズル１０と１２とがそれぞれ独立に用意されてい
る。また、供給物Ａはノズル１０に供給される水蒸気体
を、供給物Ｂはノズル１２に供給される水ミスト体を示
している。ここで、ノズル１０とノズル１２とは図示し
ない対象物に近接して配置されている。ノズル１０から
噴出する水蒸気体は、対象物表面に到達するとレジスト
膜等の不用物中を浸透（侵潤）して界面においてこれら
不用物と基板との結合力を弱める。また、ノズル１２か
ら噴出する水ミスト体は、所定の圧力を伴なって対象物
表面に噴射され、界面との結合力の弱まったレジスト膜
等の不用物を剥離・除去する。そして、発明者等の研究
実験によれば、水蒸気体はその温度が１００℃を超えて
１２０〜１８０℃であり、一方の水ミスト体はその温度
が１００℃以下であるとき、高い剥離効果が得られるこ
とがわかっており、このような条件に設定制御すること
により、能率の高いレジスト膜等不用物の除去装置が実
現できる。
【００２１】このようにして本発明の水供給装置では、
一方のノズルに水蒸気体を供給する手段を、また他方の
ノズルに水ミスト体を供給する手段を、備えさせ、これ
らの二つの手段を組み合わせて独立的に制御することに
より、前記水蒸気体および前記水ミスト体を適正かつ効
果的に対象物に提供するよう装置構成がなされる。な
お、図１(ａ)において、供給物Ａはノズル１０に供給さ
れる水蒸気体、供給物Ｂはノズル１２に供給される水ミ
スト体として説明してきたが、供給物Ａはノズル１０に
供給される水ミスト体、供給物Ｂはノズル１２に供給さ
れる水蒸気体であっても勿論よい。
【００２２】図１(ｂ)および(ｃ)は、本発明の水供給装
置に用いられるノズル手段の構成の他の例を示したもの
である。この図１(ｂ)のノズル１８、または図１(ｃ)の
ノズル１６は、図１(ａ)における２つのノズル１０と１
２のいずれかに該当するものである。図１(ｃ)のノズル
１６は、水ミスト体c２を供給するにあたり、別のとこ
ろで作った水ミスト体c２そのものを、ノズル１６内を
通して供給していることを示す図である。また、図１
(ｂ)は、ノズル１８内を中心側供給部１８ｂと外側供給
部１８ａとに分離して、ノズル１８内で水ミスト体c１
を生成して供給することのできる構造のノズル装置であ
る。このような構造を用いてノズル内で水ミスト体を作
るには、例えば、液体水と水蒸気とを混合して生成して
もいいし、また、液体水とガス(気体)とを混合して生成
することもできる。よって、ノズル１８においては、そ
れぞれの２種類の物質を、中心供給部１８ｂと外側供給
部１８ａとに分けて供給し、噴出口付近で混合されて水
ミスト体ｃ１が得られるようにすればよい。
【００２３】図２は、本発明による水供給装置に用いら
れるノズル装置の例を断面で示した図である。図２(ａ)
に示すノズル装置では、中央の供給口ｅ１から供給物Ｂ
として高圧状態の液体水が供給される。また、側方の供
給口ｅ２から供給物Ａとして水蒸気が供給される。そし
て、ノズル装置の吐出口近傍付近（図中の点線○印の箇
所）において、水蒸気体Ａと液体水Ｂとが混合され、水
ミスト体Ｃが生成され、噴出口１４から噴出される。図
２(ａ)に示すノズル装置では、1台のノズル装置ではあ
るが、水蒸気体を供給する手段と水ミスト体を供給する
手段の、二つの手段を備えている。ただし、このノズル
装置での水ミスト体Ｃは、既にできているものを別のと
ころから供給してくるのではなく、液体水Ｂの吐出によ
り水ミスト体Ｃを生成する。よってここでは、水蒸気体
Ａと液体水Ｂの供給を制御管理することにより、水蒸気
体を供給する手段と水ミスト体を供給する手段の二つの
手段を独立的に制御することが可能で、また、２つの手
段の様々な組合せも自在である。
【００２４】図２(ｂ)に示すノズル装置では、中央の供
給口ｅ１から供給物Ｂとして水蒸気が供給される。ま
た、側方の供給口ｅ２から供給物Ａとして液体水が供給
される。そして、ノズル装置の吐出口近傍（図中の「ハ」
印の箇所）において、水蒸気体Ｂと液体水Ａとが混合さ
れることにより水ミスト体Ｃが生成され、噴出口１４か
ら噴出される。この図２(ｂ) とこの図２(ａ)とでは、
どちらも水蒸気体と液体水とが、それぞれ異なる供給口
(ｅ１、ｅ２)から供給される構造ではあるが、装置自体
にそれほど大きな違いはない。よって、この図２(ｂ)に
おいても、水蒸気体Ａと液体水Ｂの供給を制御管理する
ことにより、水蒸気体を供給する手段と水ミスト体を供
給する手段の二つの手段を独立的に制御することが可能
となり、また、２つの手段の様々な組合せも自在であ
る。
【００２５】図２(ｃ)はさらに他のノズル構造を示した
ものであり、図２(ａ)や図２(ｂ)のように水蒸気体と液
体水とが混合されることはなく、したがって混合部を設
けることはない。ここでは、水蒸気体と水ミスト体とは
それぞれを直接外部へ放出され、対象物へ噴射させるよ
うな構造としたものである。そして、供給物Ａと供給物
Ｂとしては、水蒸気体と水ミスト体のいずれかがそれぞ
れ供給物として適用され、このノズル装置が構成され
る。
【００２６】図２(ａ)，(ｂ)，(ｃ)に例示されたノズル
装置は、２流体混合噴出ノズルと称されるものである
が、本発明に使用することが出来る２流体混合噴出ノズ
ルの形状はこれに限定されるものではなく、各種の変形
が可能である。いずれにしても、水蒸気体と水ミスト体
との供給量、温度、噴出圧力などをそれぞれ独立して制
御出来るような構成となっていれば良い。
【００２７】さてここで、発明者等が行った研究実験の
中の一実施例を提示する。処理能力４００ｃｃ／分の純
水加熱装置を用いて、４００ｃｃ／分の純水を加熱し
て、水ミスト体（微粒子）と水蒸気体(水蒸気ガス体)の
並存する状態を作りだし、これらをノズル装置を経由さ
せて、レジスト膜の付着している半導体ウェハに噴射し
たとき、望ましいレジスト膜除去の結果が得られた。こ
のときの水蒸気体と水ミスト体との重量比率は２５：７
５であった。図３は、本発明に関連して水蒸気体と水ミ
スト体とを供給する対象物の一例であり、レジスト膜が
付着したウェハの断面で示した図である。レジスト膜３
２，３３，３４はウェハ３０上に密着して堅固な膜層を
形成しており、その厚さｔは通常５００〜８００ｎｍ程
度である。
【００２８】図３に示したレジスト膜が付着したウェハ
は、本発明の水供給装置における対象物の一つの例であ
り、本発明の水供給装置を用いることによって、イオン
打ち込み後のレジスト膜除去が極めて効果的に実行され
る。対象物はこれに限られるものではなく、他の例とし
てはポリマ残渣が挙げられる。このポリマ残渣は、ドラ
イエッチングの際の反応生成物として発生してくるもの
であり、本発明の水供給装置を用いることによって、こ
のポリマ残渣も極めて効果的に除去される。これらレジ
スト膜除去とポリマ残渣除去とは、本発明の水供給装置
を用いることにより両方ともいっぺんに除去処理がなさ
れることも可能であるが、それぞれを別々に処理するこ
とも勿論可能である。
【００２９】本発明による水供給装置においては、水蒸
気体(多くの場合はガス中に気化した水を含む)を供給す
る手段と、Ｈ2 Ｏ微粒子を含む水ミスト体を供給する手
段と、を備え、これら二つの供給手段を独立的に制御さ
れ、水蒸気体および水ミスト体とが対象物に直接提供さ
れるものである。そこで、これらのレジスト膜等の不用
物を除去する工程を実施するにあたっては、水蒸気体を
ウェハに提供する工程と、水ミスト体をウェハに提供す
る工程とを、別々に分けて考えることもできる。そのと
きは、水ガス体はガス体による浸透によってレジスト膜
等を変質させるのに有効であり、また、水ミスト体は水
の微粒子によってレジスト膜等を剥離させるのに有効で
あるとされてもよい。
【００３０】例えば、半導体デバイス製造におけるレジ
スト膜を形成するのはベースポリマ基幹構造であり、空
孔性と水素結合性を有し、高温の水蒸気体によって、こ
のレジスト膜体は軟化や膨張などの物理的変化を起こ
す。また、水蒸気体のレジスト透過性は大きく、膨潤・
分離・凝固などの物性的変化を生じて化学構造的変質を
起こす。こうして、高温水蒸気体により、水和・膨潤し
て柔軟化しているレジスト膜は、ウェハとの接着力が弱
まり、剥離するようになる。また、これら水蒸気体や水
ミスト体とを対象物に提供するにあたってのノズル装置
の噴射力や噴出力は、膨潤レジストとウェハ基板との剥
離に大いに有効となるよう作用する。
【００３１】水ミスト体は、ノズルからの噴射速度で表
面付着粒子に衝突する。水ミスト体の大きさは、その径
が約５〜５０μｍ程度であり、例えば約４０ｍ／秒の噴
射速度とすると、その衝突力は、０．１〜数μｍの粒子
をウェハ基体から剥離させるのに充分である。
【００３２】図４は、本発明による水供給装置を用いて
処理を行ったとき、ウェハに付着していたレジスト膜が
変質してゆく様子を撮影した走査型電子顕微鏡による拡
大写真である。写真（ａ）で見られるように、水蒸気体
が浸透してくるとレジスト膜の軟化や膨張などの変化が
進み、ウェハとレジスト膜との間の端部側から変形や隙
間が生じ、接着力が弱まってくる様子がわかる。そし
て、（ａ）の次の段階にある写真（ｂ）で見られるよう
に、さらなる水蒸気体の浸透によって、レジスト膜体に
は膨潤・分離・凝固などの物性的変化がさらに進行して
大きな亀裂などを生じ、ついには水ミスト体の作用とも
合まってレジスト膜はウェハより剥離することとなる。
【００３３】図５は、本発明による水供給装置を用いて
レジスト膜除去の処理を行ってゆくとき、ウェハ（色の
濃い部分）に被着していたレジスト膜（色の薄い部分）
が、（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）の順にだんだん減
っていき、レジスト膜が剥離して無くなっていく様子を
段階的に示す写真である。図５は本発明の一つの実施例
による写真であるが、ここで、本発明の装置を用いたレ
ジスト膜除去の処理プロセスは、次のような条件を基に
して実施されている。すなわち、水蒸気体の設定温度は
１２０℃、ウェハ設置台は４ｒｐｍで回転、ノズルのギ
ャップ（スペース）は２０ｍｍ、純水のフローレイトは
ノズルあたり１００ｃｃ、である。
【００３４】図６は本発明の水供給装置の一概略構成を
示す図である。処理チャンバ２０内には、回転軸６０に
よって回転する回転テーブル５０上にウェハなどの対象
物４０が載置される。この対象物４０に対向し、所定の
間隔だけ離れてノズル手段３０が配置され、このノズル
手段３０には水蒸気体を供給する流路３２と水ミスト体
を供給する流路３４とが取付けられている。レジスト等
不用物の除去処理に際しては、対象物４０を所定の速さ
で回転させながらノズル手段３０を対象物４０の半径方
向にスキャニングしながら、ノズル手段３０の先端から
水蒸気体と水ミスト体とを噴出させ剥離・除去を行う。
【００３５】なおここまで、本発明の水供給装置に関
し、半導体電子デバイス製造において不用物として発生
するレジスト膜やポリマ残渣の除去について多くを述べ
てきた。しかしながら、本発明の水供給装置の適用範囲
はこれに限られるものではなく、他の電子デバイス等に
おける加工処理や表面精密処理分野をも含むものであ
り、化学的洗浄浄化処理として、基板洗浄・化学機械研
磨(CMP)後洗浄・ドライエッチング処理表面洗浄・微細
回路洗浄・微細回路形成用マスク洗浄などの分野におい
ても、本発明の水供給装置は大いに有効である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、水蒸気
体と水ミスト体との供給条件を独立して制御することが
出来るので、レジスト膜等不用物の剥離・除去能力が高
く、かつ効率の良い水供給装置を実現することが出来
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の水供給装置に用いられるノズル手段の
例を示す構成図である。
【図２】本発明の水供給装置に用いられるノズル装置の
例として、２流体混合噴出ノズル装置の断面構造図であ
る。
【図３】本発明に関連して水蒸気体と水ミスト体とを供
給される対象物の一例であり、レジスト膜が付着したウ
ェハの断面図である。
【図４】本発明による装置で処理を行い、ウェハに付着
していたレジスト膜が変質してゆく様子を撮影した電子
顕微鏡による拡大写真である。
【図５】ウェハに付着していたレジスト膜が剥離して徐
々に無くなっていく様子を示す写真である。
【図６】本発明の水供給装置の一概略構成を示す図であ
る。
【図７】水蒸気体と水ミスト体との模式構造図である。
【符号の説明】
１０、１２、１６、１８ ノズル １４ 噴出口 ｅ１，ｅ２，供給口 ２０ 処理チャンバ ３０ ノズル手段 ３２ 流路 ３４ 流路 ４０ 対象物 Ａ、Ｂ 供給物 Ｃ、ｃ１、ｃ２ 水ミスト体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 直昭 神奈川県相模原市小山１丁目１番10号 ラ ムリサーチ株式会社内 (72)発明者 斎藤 輝夫 神奈川県相模原市小山１丁目１番10号 ラ ムリサーチ株式会社内 (72)発明者 中嶋 州 神奈川県相模原市小山１丁目１番10号 ラ ムリサーチ株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 BB13 BB38 BB82 BB92 4F033 QA09 QB03X QB15Y QD02 QD14 QE09 QK04X QK04Y QK05X QK08X QK18Y QK19X QK22X

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対象物の洗浄・浄化・加工処理を行うた
    めの水供給装置であって、 水蒸気体を供給する手段と、 液状水微粒子を含む水ミスト体を供給する手段とを、備
    え、 前記二つの手段を独立的に制御して、前記水蒸気体およ
    び前記水ミスト体を対象物に提供するよう、装置構成さ
    れることを特徴とする水供給装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の水供給装置において、 前記対象物は、半導体デバイスの製造に関連して生じる
    レジスト膜・ポリマ残渣の不用物を含むことを特徴とす
    る水供給装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の水供給装置に
    おいて、 前記水蒸気体および／または前記水ミスト体は、ガス中
    にこれらが含まれて供給されることを特徴とする水供給
    装置。
  4. 【請求項４】 請求項２または３に記載の水供給装置に
    おいて、 前記水蒸気体を前記対象物に対して接触および／または
    侵潤させる手段と、 前記水ミスト体を前記対象物に対して噴射させる手段、
    とを備え、 前記水蒸気体と前記水ミスト体との協同作用により前記
    不用物を除去する、ことを特徴とする水供給装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の水供
    給装置において、 前記水蒸気体および／または前記水ミスト体を前記対象
    物に提供するためのノズル手段を備えることを特徴とす
    る水供給装置。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の水供給装置において、 前記ノズル手段は、処理チャンバ内に設置された対象物
    に対向して配設されることを特徴とする水供給装置。
  7. 【請求項７】 請求項５または６に記載の水供給装置に
    おいて、 前記ノズル手段は、前記水蒸気体を通過させる第１の流
    路と、前記水ミスト体を通過させる第２の流路とを備え
    た２流体混合噴出ノズルとして構成される、ことを特徴
    とする水供給装置。
  8. 【請求項８】 請求項５または６に記載の水供給装置に
    おいて、 前記ノズル手段は、前記水蒸気体を通過させる第１の流
    路と、液体水を通過させる第２の流路とを備えた２流体
    混合噴出ノズルとして構成される、ことを特徴とする水
    供給装置。
  9. 【請求項９】 請求項７または８に記載の水供給装置に
    おいて、 前記２流体混合噴出ノズルは、前記水蒸気体と前記水ミ
    スト体とを混合させる混合部を備えることを特徴とする
    水供給装置。
  10. 【請求項１０】 請求項３乃至９のいずれかに記載の水
    供給装置において、 前記ガスが、空気・窒素・二酸化炭素・オゾン・アルゴ
    ン又はヘリウムのいずれか一種又は二種以上の組合せか
    らなることを特徴とする水供給装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
    水供給装置において、 前記水蒸気体は沸点以上に、前記水ミスト体は沸点以下
    に温度制御されることを特徴とする水供給装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれかに記載の
    水供給装置において、 前記液状水微粒子が、オゾン・二酸化炭素・イオン・酸
    又はアルカリ物質を含むことを特徴とする水供給装置。
  13. 【請求項１３】 請求項６乃至１２のいずれかに記載の
    水供給装置において、 前記処理チャンバ内を、大気圧・減圧又は加圧状態に制
    御する気圧制御手段を設けたことを特徴とする水供給装
    置。
  14. 【請求項１４】 対象物の洗浄・浄化・加工等の処理を
    行うための水供給方法であって、 ガス中に気化した水を含む水蒸気体を前記対象物表面に
    接触させ前記水蒸気体を前記対象物中に侵潤させ、 ガス中に液状水微粒子を含む水ミスト体を前記対象物表
    面に噴射させ、 前記水蒸気体と前記水ミスト体との協同作用により、前
    記対象物から不用物をを除去することを特徴とする水供
    給方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の水供給方法におい
    て、 前記不用物の除去は、減圧・常圧または加圧の状態に気
    圧制御されるチャンバ内で行なわれることを特徴とする
    水供給方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１４に記載の水供給方法におい
    て、 前記水蒸気体は沸点以上に、前記水ミスト体は沸点以下
    に温度制御されることを特徴とする水供給方法。
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