TWI632438B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種基板處理方法，係用於由在表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板去除該抗蝕劑的基板處理方法，其包括：基板保持步驟，係保持上述基板；與抗蝕劑剝離步驟，係對用於混合複數流體而生成液滴之複數流體噴嘴，供給臭氧氣體與過熱水蒸氣，將含有藉由臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合所生成之臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於用於由在表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板去除該抗蝕劑的基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象之基板，係包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
習知在依單片處理基板之單片式之基板處理裝置中，提案有藉由將具有高氧化力之抗蝕劑去除液供給至基板表面，不需灰化而由基板表面去除抗蝕劑的手法。於進行了高劑量之離子注入的晶圓，有抗蝕劑發生碳化變質(硬化)、於抗蝕劑表面形成硬化層的情形。已提案有例如下述專利文獻1及2所記載之手法，係即使於表面有具有硬化層之抗蝕劑，仍意圖不需灰化而由基板表面加以去除。
專利文獻1記載了意圖破壞抗蝕劑表面之硬化層，而對基板表面供給高溫之硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM)的手法。
又，下述專利文獻2記載了於二流體噴嘴中混合水蒸氣與水以生成水之液滴，將此水之液滴供給至抗蝕劑的手法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-016497號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-288355號公報
專利文獻1記載之手法係使用SPM作為抗蝕劑去除液。然而，SPM等含硫酸液係對環境負擔大。因此，在使用SPM等含硫酸液作為處理液時，有廢液處理之問題。從而，期望使用不含硫酸之處理流體，由基板表面剝離具硬化層之抗蝕劑。
另一方面，於專利文獻2記載之手法，未使用含硫酸液作為處理流體。然而，為了僅藉由液滴之物理力將具有硬化層之抗蝕劑由基板表面去除，必須將來自二流體噴嘴之液滴的吐出壓力設定為極大，此時，有對基板表面造成較大損傷之虞。
於此，本發明之目的係提供一種基板處理方法及基板處理裝置，其可不對基板表面造成較大損傷，使用不含硫酸之處理流體，由基板表面去除在表面具有硬化層之抗蝕劑。
本發明提供一種基板處理方法，係用於由在表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板去除該抗蝕劑的基板處理方法，其包括：基板保持步驟，係保持上述基板；與抗蝕劑剝離步驟，係對用於混合複數流體而生成液滴之複數流體噴嘴，供給臭氧氣體與過熱 水蒸氣，將含有藉由臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合所生成之臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑。
所謂過熱水蒸氣，係指超過水之沸點之溫度的水蒸氣(以下說明書中皆同)。
根據此方法，於複數流體噴嘴中，藉由與臭氧氣體之混合，使過熱水蒸氣被冷卻而結露，生成液滴。藉由於此液滴中溶入臭氧氣體而生成臭氧水之液滴。藉此，由複數流體噴嘴，吐出含有臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，將該混合氣體供給至抗蝕劑。
藉由臭氧水之液滴對硬化層的衝突，硬化層被破壞。藉由過熱水蒸氣之結露所形成的臭氧水之液滴係粒徑較小。因此，可一邊將對基板表面所造成之損傷抑制為較小之下，一邊破壞硬化層。
又，過熱水蒸氣由於具有極高溫，故具有非常高之熱能量。因此，供給至抗蝕劑之過熱水蒸氣具有極高之滲透力。此過熱水蒸氣係通過抗蝕劑表面之硬化層並滲透至硬化層之內側(具有高滲透力)。此時，供給至抗蝕劑之臭氧氣體係與過熱水蒸氣一起滲透至硬化層內側的原抗蝕劑(未硬化之抗蝕劑)。藉由滲透至硬化層內側之臭氧氣體之作用(氧化作用)，切斷原抗蝕劑所含之碳鍵。其結果，可使硬化層內側之原抗蝕劑由基板表面剝離。
又，經由於硬化層中被臭氧水之液滴所破壞的部分，更多量之臭氧氣體被供給至硬化層內側。藉此，由於於硬化層內側供給多量之臭氧氣體，故可更加有效地使硬化層內側之原抗蝕劑由 基板表面剝離。
藉由以上，可並行地進行由臭氧水之液滴所進行之硬化層破壞、與由臭氧氣體所進行之硬化層內側之原抗蝕劑之剝離。藉由由基板表面剝離硬化層內側之原抗蝕劑，可將該原抗蝕劑與硬化層一起沖除，藉此可由基板表面良好地去除在表面具有硬化層之抗蝕劑。此時，可不需完全破壞硬化層，由基板表面去除在表面具有硬化層之抗蝕劑，而由於不需要將硬化層完全破壞，故可抑制對基板造成之損傷。
此外，可提供不對基板表面造成較大損傷，使用不含硫酸之處理流體，由基板表面良好地去除在表面具有硬化層之抗蝕劑的基板處理方法。
本發明之一實施形態中，供給至上述複數流體噴嘴之臭氧氣體為常溫。
根據此方法，藉由與臭氧氣體之混合使過熱水蒸氣被急遽冷卻，藉此促進過熱水蒸氣之結露。
上述方法亦可進一步包括：抗蝕劑殘渣去除步驟，係對上述複數流體噴嘴供給處理液，朝抗蝕劑經剝離之基板之表面由上述複數流體噴嘴吐出上述處理液，藉此由上述基板表面去除抗蝕劑殘渣。
根據此方法，於抗蝕劑剝離步驟後，執行抗蝕劑殘渣去除步驟。於抗蝕劑殘渣去除步驟中，藉由對複數流體噴嘴供給處理液，由複數流體噴嘴朝基板表面吐出處理液。藉由共通之複數流體噴嘴進行抗蝕劑剝離步驟中之臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合氣體之供給、與抗蝕劑殘渣去除步驟中之藥液之液滴之供給。藉此， 於抗蝕劑剝離步驟與抗蝕劑殘渣去除步驟之間不需要替換用於吐出處理流體的噴嘴，因此，可縮短全體之處理時間，可提升處理效率。
上述抗蝕劑殘渣去除步驟亦可包括：處理液液滴吐出步驟，係藉由將上述處理液與過熱水蒸氣供給至上述複數流體噴嘴，將上述處理液之液滴朝上述基板之表面吐出。
根據此方法，於抗蝕劑殘渣去除步驟中，朝基板表面吐出處理液之液滴。藉由處理液與高溫之過熱水蒸氣之混合所生成的處理液之液滴，係具有較處理液之液溫高的溫度。由於將高溫之處理液之液滴供給至基板表面，故可由基板表面有效去除抗蝕劑殘渣。
又，上述處理液亦可含有藥液。
本發明提供一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持於表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板；複數流體噴嘴，係用於混合複數流體並生成液滴，將所生成之上述液滴朝上述基板之表面吐出；臭氧氣體供給單元，係用於對上述複數流體噴嘴供給臭氧氣體；過熱水蒸氣供給單元，係用於對上述複數流體噴嘴供給過熱水蒸氣；與控制裝置，係控制上述臭氧氣體供給單元與上述過熱水蒸氣供給單元；上述控制裝置係執行：對上述複數流體噴嘴供給臭氧氣體與過熱水蒸氣，將含有藉由臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合所生成之臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑的抗蝕劑剝離步驟。
根據此構成，於複數流體噴嘴中，藉由與臭氧氣體之 混合，過熱水蒸氣被冷卻而結露，生成液滴。藉由於此液滴中溶入臭氧氣體而生成臭氧水之液滴。藉此，由複數流體噴嘴，吐出含有臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，將該混合氣體供給至抗蝕劑。
藉由臭氧水之液滴對硬化層的衝突，硬化層被破壞。藉由過熱水蒸氣之結露所形成的臭氧水之液滴係粒徑較小。因此，可一邊將對基板表面所造成之損傷抑制為較小之下，一邊破壞硬化層。
又，過熱水蒸氣由於具有極高溫，故具有非常高之熱能量。因此，供給至抗蝕劑之過熱水蒸氣具有極高之滲透力。此過熱水蒸氣係通過抗蝕劑表面之硬化層並滲透至硬化層之內側(具有高滲透力)。此時，供給至抗蝕劑之臭氧氣體係與過熱水蒸氣一起滲透至硬化層之內側的原抗蝕劑(未硬化之抗蝕劑)。藉由滲透至硬化層內側之臭氧氣體之作用(氧化作用)，切斷原抗蝕劑所含之碳鍵。其結果，可使硬化層內側之原抗蝕劑由基板表面剝離。
又，經由於硬化層中被臭氧水之液滴所破壞的部分，更多量之臭氧氣體被供給至硬化層內側。藉此，由於於硬化層內側供給多量之臭氧氣體，故可更加有效地使硬化層內側之原抗蝕劑由基板表面剝離。
藉由以上，可並行地進行由臭氧水之液滴所進行之硬化層破壞、與由臭氧氣體所進行之硬化層內側之原抗蝕劑之剝離。藉由由基板表面剝離硬化層內側之原抗蝕劑，可將該原抗蝕劑與硬化層一起沖除，藉此可由基板表面良好地去除在表面具有硬化層之抗蝕劑。此時，可不需完全破壞硬化層，由基板表面去除在表面具 有硬化層之抗蝕劑，而由於不需要將硬化層完全破壞，故可抑制對基板造成之損傷。
此外，可提供不對基板表面造成較大損傷，使用不含硫酸之處理流體，由基板表面良好地去除在表面具有硬化層之抗蝕劑的基板處理裝置。
由上述臭氧氣體供給單元供給至上述複數流體噴嘴的臭氧氣體亦可為常溫。
根據此構成，藉由與臭氧氣體之混合使過熱水蒸氣被急遽冷卻，藉此促進過熱水蒸氣之結露。
上述裝置亦可進一步包括用於對上述複數流體噴嘴供給處理液之處理液供給單元；上述控制裝置係進一步包含上述處理液供給單元作為控制對象；上述控制裝置亦可進一步執行：對上述複數流體噴嘴供給上述處理液，朝抗蝕劑經剝離之基板之表面由上述複數流體噴嘴吐出上述處理液，藉此由上述基板表面去除抗蝕劑殘渣的抗蝕劑殘渣去除步驟。
根據此構成，於抗蝕劑剝離步驟後，執行抗蝕劑殘渣去除步驟。於抗蝕劑殘渣去除步驟中，藉由對複數流體噴嘴供給處理液，由複數流體噴嘴朝基板表面吐出處理液。藉由共通之複數流體噴嘴進行抗蝕劑剝離步驟中之臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合氣體之供給、與抗蝕劑殘渣去除步驟中之藥液之液滴之供給。藉此，於抗蝕劑剝離步驟與抗蝕劑殘渣去除步驟之間不需要替換用於吐出處理流體的噴嘴，因此，可縮短全體之處理時間，可提升處理效率。
上述控制裝置亦可執行下述步驟作為上述抗蝕劑殘 渣去除步驟所包括之步驟：處理液液滴吐出步驟，係藉由將上述處理液與過熱水蒸氣供給至上述複數流體噴嘴，將上述處理液之液滴朝上述基板之表面吐出。
根據此構成，於抗蝕劑殘渣去除步驟中，朝基板表面吐出處理液與過熱水蒸氣的混合流體。此混合流體係包含處理液之液滴。又，由於係藉由處理液與高溫之過熱水蒸氣之混合所生成，故處理液之液滴具有較處理液之液溫高的溫度。由於將高溫之處理液之液滴供給至基板表面，故可由基板表面有效去除抗蝕劑殘渣。
上述處理液亦可含有藥液。
本發明之上述內容或其他目的、特徵及效果，將參照隨附圖式藉由下述實施形態之說明而闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制單元、控制裝置
4‧‧‧處理腔室
5‧‧‧旋轉夾具
6‧‧‧第1複數流體噴嘴
7‧‧‧臭氧氣體供給單元
8‧‧‧藥液供給單元
9‧‧‧過熱水蒸氣供給單元
10‧‧‧沖洗液供給單元
11‧‧‧處理杯
11a‧‧‧上端部
12‧‧‧隔壁
13‧‧‧FFU
14‧‧‧排氣管
15‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧旋轉軸
17‧‧‧旋轉基底
17a‧‧‧上表面
18‧‧‧挾持構件
19‧‧‧噴嘴臂
20‧‧‧臂支撐軸
21‧‧‧臂搖動單元
22‧‧‧臭氧氣體配管
23‧‧‧臭氧氣體閥
24‧‧‧臭氧氣體流量調整閥
25‧‧‧藥液配管
26‧‧‧藥液閥
27‧‧‧藥液流量調整閥
28‧‧‧過熱水蒸氣配管
29‧‧‧過熱水蒸氣閥
30‧‧‧臭氧氣體流量調整閥
31‧‧‧沖洗液噴嘴
32‧‧‧沖洗液配管
33‧‧‧沖洗液閥
41‧‧‧外筒
42‧‧‧內筒
43‧‧‧液體流路
44‧‧‧氣體流路
45‧‧‧第1導入口
46‧‧‧第1吐出口
47‧‧‧第2吐出口
48‧‧‧第2導入口
49‧‧‧第3導入口
50‧‧‧第1氣體導入配管
51‧‧‧第2氣體導入配管
61‧‧‧圖案
62‧‧‧抗蝕劑
63‧‧‧硬化層
64‧‧‧原抗蝕劑
76‧‧‧臭氧氣體
77‧‧‧過熱水蒸氣
78‧‧‧臭氧水之液滴
206‧‧‧第2複數流體噴嘴
211‧‧‧上側配管
212‧‧‧下側配管
213‧‧‧第1導入部
214‧‧‧上筒部
215‧‧‧推拔部
216‧‧‧下筒部
217‧‧‧混合室
218‧‧‧直流部
219‧‧‧吐出口
220‧‧‧第2導入部
221‧‧‧第3導入部
222‧‧‧液體導入配管
223‧‧‧第3氣體導入配管
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧搖動軸線
A3‧‧‧中心軸線
C‧‧‧載體
CR‧‧‧基板搬送機器人
D1‧‧‧第1供給區域
D2‧‧‧第2供給區域
IR‧‧‧搬送機器人
LP‧‧‧裝載埠
W‧‧‧基板
圖1為用於說明本發明一實施形態之基板處理裝置之內部配置的圖解性俯視圖。
圖2為用於說明上述基板處理裝置所具備之處理單元之構成例的圖解性剖面圖。
圖3為圖解性表示上述處理單元所具備之第1複數流體噴嘴之構成的剖面圖。
圖4為表示對上述第1複數流體噴嘴供給臭氧氣體與過熱水蒸氣之狀態的圖。
圖5為表示對上述第1複數流體噴嘴供給藥液與過熱水蒸氣之狀態的圖。
圖6為用於說明上述基板處理裝置之主要部分之電氣構成的區 塊圖。
圖7為用於說明藉由上述處理單元所進行之抗蝕劑去除處理之處理例的流程圖。
圖8A及8B為用於說明上述抗蝕劑去除處理之處理例的圖解性圖。
圖9為抗蝕劑剝離步驟中擴大表示基板表面附近之狀態的剖面圖。
圖10為圖解性表示本發明其他實施形態之第2複數流體噴嘴之構成的剖面圖。
圖1為用於說明本發明一實施形態之基板處理裝置1之內部配置的圖解性俯視圖。基板處理裝置1係對半導體晶圓等之圓板狀之基板W，藉由有機溶劑或處理氣體依單片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1係包含：對基板W使用有機溶劑進行處理的複數之處理單元2；裝載埠LP，係載置收容由處理單元2所處理之複數片基板W的載體C；搬送機器人IR及CR，係於裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W；與控制裝置3，係控制基板處理裝置1。搬送機器人IR係於載體C與基板搬送機器人CR之間搬送基板W。基板搬送機器人CR係於搬送機器人IR與處理單元2之間搬送基板W。複數之處理單元2例如具有相同構成。
圖2為用於說明處理單元2之構成例的圖解性剖面圖。圖3為圖解性表示基板處理裝置1所具備之第1複數流體噴嘴6之構成的剖面圖。圖4為表示對第1複數流體噴嘴6供給臭氧氣體與過熱水蒸氣之狀態的圖。圖5為表示對第1複數流體噴嘴6供 給藥液與過熱水蒸氣之狀態的圖。
處理單元2係具備：具有內部空間之箱形之處理腔室4；於處理腔室4內依水平姿勢保持一片基板W，使基板W圍繞通過基板W中心之鉛直之旋轉軸線A1進行旋轉的旋轉夾具(基板保持單元)5；用於混合複數流體並生成液滴之第1複數流體噴嘴6；用於對第1複數流體噴嘴6供給臭氧氣體之臭氧氣體供給單元7；用於對第1複數流體噴嘴6供給作為抗蝕劑殘渣去除用之處理液之藥液的藥液供給單元(處理液供給單元)8；用於對第1複數流體噴嘴6供給過熱水蒸氣(超過水之沸點之溫度的水蒸氣)的過熱水蒸氣供給單元9；用於對由旋轉夾具5所保持之基板W上表面，供給作為處理液一例之沖洗液的沖洗液供給單元10；與包圍旋轉夾具5周圍的筒狀之處理杯11。
處理腔室4係包含：箱狀之隔壁12；由隔壁12上部對隔壁12內(相當於處理腔室4內)吹送清潔空氣的作為送風單元之FFU(fan filter unit，風扇過濾單元)13；與由隔壁12下部將處理腔室4內氣體排出的排氣裝置(未圖示)。
FFU13係配置於隔壁12上方，安裝於隔壁12之頂板。FFU13係由隔壁12之頂板對處理腔室4內吹送清潔空氣。排氣裝置(未圖示)係經由連接於處理杯11內之排氣管14而連接於處理杯11底部，由處理杯11底部吸引處理杯11內部。藉由FFU13及排氣裝置(未圖示)，於處理腔室4內形成下降流(down flow)。
作為旋轉夾具5，係採用於水平方向上挾持基板W並水平保持基板W的挾持式夾具。具體而言，旋轉夾具5係包含：旋轉馬達15；與此旋轉馬達15之驅動軸呈一體化的旋轉軸16；與 於旋轉軸16之上端略水平安裝的圓板狀之旋轉基底17。
於旋轉基底17，包括具有較基板W外徑大之外徑的水平且圓形之上表面17a。於上表面17a，於其周緣部配置著複數個(3個以上，例如6個)之挾持構件18。複數個之挾持構件18係於旋轉基底17之上表面周緣部，在對應基板W外周形狀之圓周上隔著適當間隔而配置。
又，作為旋轉夾具5，並不侷限於挾持式，例如亦可採用對基板W背面進行真空吸附，藉此依水平姿勢保持基板W，再依此狀態圍繞鉛直之旋轉軸線進行旋轉，藉此使旋轉夾具5所保持之基板W旋轉的真空吸附式者(真空夾具)。
第1複數流體噴嘴6係具有作為可變更於基板W表面之處理流體之供給位置(第1供給區域D1(參照圖8A)或第2供給區域D2(參照圖8B)的掃描噴嘴的基本形態。第1複數流體噴嘴6係安裝於在旋轉夾具5上方幾乎水平延伸之噴嘴臂19之前端部。噴嘴臂19係由在旋轉夾具5側方幾乎鉛直延伸之臂支撐軸20所支撐著。於臂支撐軸20係結合著臂搖動單元21。藉由臂搖動單元21之驅動力使臂支撐軸20旋動而使噴嘴臂19搖動，藉此可使第1複數流體噴嘴6移動。臂搖動單元21係藉由使噴嘴臂19圍繞搖動軸線A2進行搖動，而可使第1複數流體噴嘴6沿著通過基板W上表面中央部之圓弧軌跡水平移動。再者，臂搖動單元21係使第1複數流體噴嘴6，在由第1複數流體噴嘴6所吐出之處理流體著液於基板W上表面中央部之中央位置、與由第1複數流體噴嘴6所吐出之處理流體著液於基板W上表面周緣部之周緣位置之間，進行水平移動。中央位置及周緣位置均為處理位置。
臭氧氣體供給單元7係包括：將來自臭氧氣體供給源之常溫(例如約23℃)之臭氧氣體供給至第1複數流體噴嘴6的臭氧氣體配管22；切換由臭氧氣體配管22對第1複數流體噴嘴6之臭氧氣體的供給及供給停止的臭氧氣體閥23；與用於調節臭氧氣體配管22之開度，調整供給至第1複數流體噴嘴6之臭氧氣體之流量的臭氧氣體流量調整閥24。雖未圖示，臭氧氣體流量調整閥24係包含：於內部設有閥座之閥體；開關閥座之閥盤；與使閥盤在開位置與關位置之間移動的致動器。關於其他之流量調整閥亦相同。
藥液供給單元8係包括：將來自藥液供給源之常溫之藥液供給至第1複數流體噴嘴6的藥液配管25；切換由藥液配管25對第1複數流體噴嘴6之藥液的供給及供給停止的藥液閥26；與用於調節藥液配管25之開度，調整供給至第1複數流體噴嘴6之藥液之流量的藥液流量調整閥27。供給至藥液配管25之作為抗蝕劑殘渣去除液的藥液為例如SC1(含有NH4OH與H2O2的混合液)，但藥液並不侷限於SC1，亦可為SC2(HCl與H2O2的混合液)、或HF、TMAH。
過熱水蒸氣供給單元9係包括：將來自過熱水蒸氣供給源之高溫(超過水之沸點之溫度，例如約200℃)之過熱水蒸氣供給至第1複數流體噴嘴6的過熱水蒸氣配管28；切換由過熱水蒸氣配管28對第1複數流體噴嘴6之過熱水蒸氣的供給及供給停止的過熱水蒸氣閥29；與用於調節過熱水蒸氣配管28之開度，調整供給至第1複數流體噴嘴6之過熱水蒸氣之流量的過熱水蒸氣流量調整閥30。
於此實施形態中，如後述般，不僅是抗蝕劑剝離步驟 (圖7之步驟S3)，於抗蝕劑殘渣去除步驟(圖7之步驟S4)中亦對第1複數流體噴嘴6供給過熱水蒸氣。
沖洗液供給單元10係包含沖洗液噴嘴31。沖洗液噴嘴31係依連續流狀態吐出液體的直流噴嘴，於旋轉夾具5上方，將其吐出口朝基板W之上表面中央部固定地配置。於沖洗液噴嘴31，連接著供給來自沖洗液供給源之沖洗液的沖洗液配管32。於沖洗液配管32之中途部，介設著用於切換來自沖洗液噴嘴31之沖洗液之吐出/供給停止的沖洗液閥33。若打開沖洗液閥33，則由沖洗液配管32供給至沖洗液噴嘴31的連續流之沖洗液，由設定在沖洗液噴嘴31下端之吐出口吐出。又，若關閉沖洗液閥33，則使由沖洗液配管32對沖洗液噴嘴31之沖洗液吐出停止。沖洗液為例如去離子水(DIW)，但並不限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10ppm~100ppm左右)的鹽酸水之任一者。
又，沖洗液噴嘴31分別並不一定需要設置為對旋轉夾具5呈固定配置，例如亦可採用安裝在於旋轉夾具5上方可於水平面內搖動的臂，藉由此臂之搖動而使基板W上表面之沖洗液之著液位置進行掃描、所謂的掃描噴嘴形態。
如圖3所示，第1複數流體噴嘴6係將液體、與彼此種類相異之2種氣體混合，而可生成液滴之噴流的3流體噴嘴。第1複數流體噴嘴6係具有幾乎圓柱狀之外形。第1複數流體噴嘴6係包含：構成殼體之外筒41；與嵌入至外筒41內部之內筒42。
外筒41及內筒42係分別同軸配置於共通之中心軸線A3上，彼此連結著。內筒42之內部空間係形成來自流體配管之液 體所流通的直線狀之液體流路43。又，於外筒41及內筒42之間，形成氣體流通之圓筒狀之氣體流路44。
液體流路43係於內筒42上端開口成為第1導入口45。又，液體流路43係於內筒42下端，開口成為於中心軸線A3上具有中心之圓狀之第1吐出口46。導入至液體流路43之液體係由第1吐出口46吐出。
氣體流路44係具有與中心軸線A3共通之中心軸線的圓筒狀間隙，於外筒41及內筒42之上端部被閉塞，於外筒41及內筒42下端，在中心軸線A3上具有中心，開口作為包圍第1吐出口46的環狀之第2吐出口47。氣體流路44之下端部係流路面積小於氣體流路44之長度方向上的中間部、並朝下方變得更小徑。又，於外筒41之中間部，形成分別連通至氣體流路44的第2導入口48及第3導入口49。於此實施形態，第2導入口48及第3導入口49，係朝沿著中心軸線A3之方向齊合，對於外筒41之周方向隔著間隔而設置。
於此實施形態，於液體流路43，係經由第1導入口45導入來自藥液配管25之藥液。於此實施形態，係於液體流路43流通來自藥液配管25之藥液，並由第1吐出口46吐出。
於第2導入口48，係依貫通外筒41之狀態連接著第1氣體導入配管50，使第1氣體導入配管50之內部空間與氣體流路44連通。來自第1氣體導入配管50之氣體，係經由此第2導入口48而導入至氣體流路44。於此實施形態，對第2導入口48導入來自臭氧氣體配管22之臭氧氣體。
於第3導入口49，係依貫通外筒41之狀態連接著第 2氣體導入配管51，使第2氣體導入配管51之內部空間與氣體流路44連通。來自第2氣體導入配管51之氣體，係經由此第3導入口49而導入至氣體流路44。於此實施形態，對第3導入口49導入來自過熱水蒸氣配管28之過熱水蒸氣。
於藥液閥26關閉之下，打開臭氧氣體閥23及過熱水蒸氣閥29。藉此，如圖4所示般，在經由第2導入口48對氣體流路44導入臭氧氣體的同時，經由第3導入口49對氣體流路44導入過熱水蒸氣。然後，臭氧氣體與過熱水蒸氣係在氣體流路44流通的過程中被混合。於氣體流路44，藉由與臭氧氣體之混合，過熱水蒸氣被冷卻而結露，生成液滴。藉由於此液滴中溶入臭氧氣體而生成臭氧水之液滴。此時，凝縮之過熱水蒸氣僅為過熱水蒸氣全體之一部分。藉此，由第1複數流體噴嘴6之第1吐出口46，將含有臭氧水之液滴之臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體依噴霧狀吐出。
又，於臭氧氣體閥23關閉之下，打開藥液閥26及過熱水蒸氣閥29。藉此，如圖5所示般，由第2吐出口47吐出過熱水蒸氣，且由第1吐出口46吐出藥液，於第1複數流體噴嘴6之外部之第1吐出口46附近使臭氧氣體衝突(混合)至藥液。藉此，可於第1複數流體噴嘴6中生成藥液之微小液滴，第1複數流體噴嘴6可將藥液依噴霧狀吐出。藉由常溫之藥液與高溫之過熱水蒸氣的混合所生成之藥液之液滴，係具有較常溫高之溫度。
藉由以上，於第1複數流體噴嘴6中，可吐出反應化學物種相異之液滴。
如圖2所示，處理杯11係配置於較由旋轉夾具5所保持之基板W更靠外方(由旋轉軸線A1遠離之方向)。處理杯11 係包圍旋轉基底17。在依旋轉夾具5使基板W旋轉的狀態，對基板W供給處理液(臭氧水之液滴、或水之液滴、藥液、沖洗液)時，則供給至基板W之處理液被甩除至基板W周圍。在將處理液供給至基板W時，朝上開口之處理杯11之上端部11a係配置於較旋轉基底17更靠上方。從而，排出至基板W周圍之處理液由處理杯11所承接。而且，由處理杯11所承接之處理液係被送至未圖示的回收裝置或廢液裝置。
圖6為用於說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成的區塊圖。
控制裝置3係例如使用微電腦所構成。控制裝置3係具有CPU等演算單元、固定記憶裝置、硬碟驅動器等記憶單元、及輸出入單元。記憶單元係記憶著由演算單元所執行之程式。
控制裝置3係依照事先決定之程序，控制旋轉馬達15、臂搖動單元21等之動作。又，控制裝置3係對臭氧氣體閥23、藥液閥26、過熱水蒸氣閥29、沖洗液閥33等進行開關。進而，控制裝置3係調整臭氧氣體流量調整閥24、藥液流量調整閥27、臭氧氣體流量調整閥30等之開度。
圖7為用於說明藉由處理單元2所進行之抗蝕劑去除處理之處理例的流程圖。圖8A、8B為分別用於說明抗蝕劑剝離步驟S3及抗蝕劑殘渣去除步驟S4的圖解性圖。圖9為擴大表示抗蝕劑剝離步驟S3中之基板W表面附近之狀態的剖面圖。
以下參照圖2~圖7及圖9，說明抗蝕劑去除處理之處理例。並適當參照圖8A、8B。
藉由處理單元2，對基板W施行抗蝕劑去除處理時， 係於處理腔室4內部搬入經高劑量之離子注入處理後的基板W(步驟S1)。搬入之基板W係作為尚未接受為了將抗蝕劑(光阻劑(photoresist))進行灰化之處理者。亦即，於基板W表面形成有圖案61，由感光性樹脂等所構成之抗蝕劑62係形成為被覆圖案61之一部分或全部。圖案61係例如細微且高寬高比的細微圖案。於抗蝕劑62表面，存在有因離子注入處理而變質(硬化)的硬化層63。亦即，基板W表面上之抗蝕劑62，係具有硬化層63、與硬化層內側之未變質(未硬化)之原抗蝕劑64。抗蝕劑62係包含具有碳-碳不飽和鍵等之碳鍵的化合物。作為此種碳鍵，包括碳之單鍵、或碳之雙鍵。
具體而言，控制裝置3係於第1複數流體噴嘴6配置於由旋轉夾具5上方退避之退避位置的狀態，使保持著基板W之基板搬送機器人CR(參照圖1)之手部進入至處理腔室4內部，藉此將基板W依其表面(裝置形成面)朝上之狀態交接至旋轉夾具5。藉此，由旋轉基板5保持基板W(基板保持步驟)。
其後，控制裝置3藉由旋轉馬達15使基板W開始旋轉(步驟S2)。基板W係於事先決定之液處理速度(100~500rpm之範圍內，例如約300rpm)進行加速、上升，其後維持於該液處理速度。
接著，進行將抗蝕劑62由基板W剝離的抗蝕劑剝離步驟(步驟S3)。抗蝕劑剝離步驟S3係在基板W旋轉之下，將含有臭氧水之液滴的臭氧氣體76與過熱水蒸氣77的混合氣體，由第1複數流體噴嘴6朝基板W上表面(表面)依噴霧狀吐出的步驟。
具體而言，控制裝置3係控制臂搖動單元21，藉此使第1複數流體噴嘴6由退避位置移動至上述周緣位置。在第1複 數流體噴嘴6配置於周緣位置後，控制裝置3係在關閉藥液閥26及過熱水蒸氣閥29之下打開臭氧氣體閥23，在臭氧氣體閥23打開經過既定期間後，打開過熱水蒸氣閥29。藉此，對第1複數流體噴嘴6同時供給臭氧氣體76及過熱水蒸氣77，所供給之臭氧氣體76及過熱水蒸氣77係於氣體流路44中混合，生成臭氧水之液滴。藉此，由複數流體噴嘴之第1吐出口46，將含有臭氧水之液滴78的臭氧氣體76與過熱水蒸氣77的混合氣體以噴霧狀吐出。藉此，將此混合氣體吹附至基板W上表面(表面)，於基板W上表面形成圓形之第1供給區域D1。
又，於抗蝕劑剝離步驟S3，控制裝置3係如圖8A所示，控制臂搖動單元21，使第1複數流體噴嘴6於周緣位置與中央位置之間沿著圓弧狀之軌跡水平地來回移動。因此，可使第1供給區域D1於基板W上表面之周緣部與基板W上表面之中央部之間來回移動，使第1供給區域D1掃描基板W上表面全域。藉此，可將由第1複數流體噴嘴6依噴霧狀吐出、含有臭氧水之液滴78的臭氧氣體76與過熱水蒸氣77的混合氣體，供給至基板W上表面全域。
如圖9所示，在將臭氧氣體76與過熱水蒸氣77的混合氣體供給至基板W上表面時，臭氧水之液滴78衝突至硬化層63，於基板W上表面之第1供給區域D1，藉由有機溶劑之液滴之衝突，造成物理力。藉此物理力破壞硬化層63。
臭氧氣體76與過熱水蒸氣77之混合氣體所含有的臭氧水之液滴78，其粒徑較小。藉由於複數流體噴嘴中液體與氣體之混合所生成的液滴，由於藉由碎解液體所形成，故其粒徑較小(例 如約20~200μm)。相對於此，藉由過熱水蒸氣77結露、進而溶入臭氧氣體而生成之臭氧水之液滴78，其粒徑較小(例如約15μm)。因此，此一臭氧水之液滴78相較於藉由液體與氣體混合而生成的液滴，於相同吐出壓力條件下，對基板W上表面所造成之物理力較小。因此，可於抑制圖案61崩壞之下，破壞硬化層63。
又，供給至基板W上表面之過熱水蒸氣77係具有極高溫(例如約200℃)，因此，具有非常高之熱能量。從而，供給至抗蝕劑62之過熱水蒸氣77具有極高之滲透力。此過熱水蒸氣77通過抗蝕劑62表面之硬化層63並滲透至硬化層63內側(具有高滲透力)。此時，供給至抗蝕劑62之臭氧氣體76係與過熱水蒸氣77一起滲透至硬化層63內側的原抗蝕劑64。
臭氧氣體76係具有強氧化力。又，過熱水蒸氣77亦具有既定氧化力。因此，藉由滲透至硬化層63內側之臭氧氣體76與過熱水蒸氣77個別的氧化作用，切斷原抗蝕劑64所含之碳鍵(碳之單鍵及/或碳之雙鏈)。藉此，使原抗蝕劑64由基板W表面剝離。
又，通過硬化層63中藉臭氧水之液滴78所破壞之部分(以下稱為「硬化層63中之破壞部分」)，對於硬化層63內側供給臭氧氣體76與過熱水蒸氣77之多量之混合氣體(含有臭氧水之液滴78)。臭氧氣體、過熱水蒸氣77及臭氧水之液滴78均具有氧化力，故通過硬化層63中之破壞部分進入至硬化層63內側的臭氧氣體76、過熱水蒸氣77及臭氧水之液滴78對原抗蝕劑64產生作用，藉此更進一步促進原抗蝕劑64由基板W表面的剝離。
亦即，於抗蝕劑剝離步驟S3，可並行地進行由臭氧水之液滴78進行之硬化層63之破壞、與由臭氧氣體所進行之硬化 層63內側之原抗蝕劑64之剝離。藉由由基板W表面剝離硬化層63內側之原抗蝕劑64，可將原抗蝕劑64與硬化層63一起沖除，藉此，可將表面具有硬化層63之抗蝕劑62由基板W表面良好去除。此時，不需將硬化層63完全破壞，即可將表面具有硬化層63之抗蝕劑62由基板W表面去除，由於不需將硬化層63完全破壞，故可抑制圖案61之崩壞。
此外，可於抑制圖案崩壞之下(不對基板W表面造成較大損傷)，使用不含硫酸之處理流體(臭氧氣體76與過熱水蒸氣77的混合氣體)，將表面具有硬化層63之抗蝕劑62由基板W表面良好剝離。
在由臭氧氣體76與過熱水蒸氣77的混合氣體開始吐出經過預定之期間後，控制裝置3係關閉臭氧氣體閥23及過熱水蒸氣閥29，使來自第1複數流體噴嘴6之臭氧氣體76與過熱水蒸氣77的混合氣體的吐出停止。藉此，結束抗蝕劑剝離步驟S3。其後，控制裝置3係藉由控制臂搖動單元21，使第1複數流體噴嘴6移動至周緣位置。
結束抗蝕劑剝離步驟S3後，接著控制裝置3執行抗蝕劑殘渣去除步驟(步驟S4，處理液液滴吐出步驟)。具體而言，控制裝置3係依第1複數流體噴嘴6配置於周緣位置的狀態，控制裝置3關閉臭氧氣體閥23及過熱水蒸氣閥29並同時打開藥液閥26，在打開藥液閥26經過既定期間後，打開過熱水蒸氣閥29。藉此，對第1複數流體噴嘴6同時供給藥液(例如SC1)及過熱水蒸氣，所供給之藥液及過熱水蒸氣係於第1複數流體噴嘴6之外部之吐出口(第1吐出口46(參照圖3))附近混合。藉此，形成藥液之微小液滴 之噴流，由第1複數流體噴嘴6朝下向吐出藥液之液滴之噴流(使藥液之液滴依噴霧狀吐出)，於基板W上表面周緣部形成圓形之第2供給區域D2。
又，抗蝕劑殘渣去除步驟S4中，控制裝置3係如圖8B所示，控制臂搖動單元21，使第1複數流體噴嘴6於周緣位置與中央位置之間沿著圓弧狀之軌跡水平地來回移動。因此，可使第2供給區域D2於基板W上表面之周緣部與基板W上表面之中央部之間來回移動，使第2供給區域D2掃描基板W上表面全域。藉此，可將由第1複數流體噴嘴6吐出的藥液之液滴，供給至基板W上表面全域。
又，於抗蝕劑殘渣去除步驟S4中，藉由對第1複數流體噴嘴6供給藥液(例如SC1)及過熱水蒸氣，由第1複數流體噴嘴6朝基板W上表面依噴霧狀吐出藥液之液滴。因此，於基板W上表面之第2供給區域D2，藉由藥液之液滴之衝突造成物理力。因此，可提升基板W上表面之抗蝕劑殘渣去除性能。
又，供給至基板W上表面之藥液之液滴，由於係藉由常溫之藥液與高溫之過熱水蒸氣的混合所生成，故具有較常溫高之溫度。由於將高溫之藥液之液滴供給至基板W表面，故可更有效地將抗蝕劑殘渣由基板W表面去除。藉此，可由基板W上表面全域去除抗蝕劑殘渣。
接著，進行將沖洗液供給至基板W的沖洗步驟(步驟S5)。具體而言，控制裝置3係打開沖洗液閥33，朝基板W上表面中央部由沖洗液噴嘴31吐出沖洗液。由沖洗液噴嘴31吐出之沖洗液係著液於基板W上表面中央部。著液於基板W上表面中央部之 沖洗液係受到因基板W旋轉所造成之離心力，而於基板W上表面上朝基板W周緣部流動。藉此，基板W上之藥液(例如SC1)被沖洗液推擠而流動至外方，被排出至基板W周圍。藉此，於基板W上表面全域沖除藥液及抗蝕劑殘渣。在沖洗液步驟S5開始經過預定之期間後，控制裝置3關閉沖洗液閥33，使來自沖洗液噴嘴31之沖洗液吐出停止。
接著，執行使基板W乾燥的旋轉乾燥步驟(步驟S6)。具體而言，控制裝置3係控制旋轉馬達15，使基板W加速至較自抗蝕劑剝離步驟S3起至沖洗液步驟S5為止之旋轉速度大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，依乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，較大之離心力施加於基板W上之液體，使附著於基板W之液體被甩除至基板W周圍。如此，由基板W去除液體，使基板W乾燥。然後，在基板W之加速經過既定時間後，控制裝置3係控制旋轉馬達15，使藉由旋轉夾具5進行之基板W之旋轉停止(步驟S7)。
接著，由處理腔室4內搬出基板W(步驟S8)。具體而言，控制裝置3係使基板搬送機器人CR之手部進入至處理腔室4內部。然後，控制裝置3使旋轉夾具5上之基板W保持於基板搬送機器人CR之手部。其後，控制裝置3使基板搬送機器人CR之手部由處理腔室4內退避。藉此，由表面去除了抗蝕劑之基板W係由處理腔室4被搬出。
又，於圖7所示之處理例中，在執行抗蝕劑殘渣去除步驟S4之前、或執行抗蝕劑殘渣去除步驟S4後，亦可進行將過氧化氫水(H2O2)供給至基板W上表面(表面)的過氧化氫水供給步驟。
藉由以上，根據此實施形態，於第1複數流體噴嘴6 中，藉由與常溫之臭氧氣體之混合，過熱水蒸氣被急遽冷卻而結露，生成液滴。藉由臭氧氣體溶入至此液滴中而生成臭氧水之液滴。藉此，於抗蝕劑剝離步驟S3中，由第1複數流體噴嘴6吐出含有臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，該混合氣體被供給至抗蝕劑62。
於抗蝕劑剝離步驟S3，係並行地進行由臭氧水之液滴進行之硬化層63之破壞、與由臭氧氣體所進行之硬化層63內側之原抗蝕劑64之剝離。藉由由基板W表面剝離硬化層63內側之原抗蝕劑64，可將原抗蝕劑64與硬化層63一起沖除，藉此，可將表面具有硬化層63之抗蝕劑62由基板W表面良好去除。此時，不需將硬化層63完全破壞，即可將表面具有硬化層63之抗蝕劑62由基板W表面去除，由於不需將硬化層63完全破壞，故可抑制圖案61之崩壞。
此外，可提供可於抑制圖案61崩壞之下(不對基板W表面造成較大損傷)，使用不含硫酸之處理流體(臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體)，將表面具有硬化層63之抗蝕劑62由基板W表面良好去除的基板處理裝置1。
又，於抗蝕劑殘渣去除步驟S4中，藉由對第1複數流體噴嘴6供給藥液(例如SC1)及過熱水蒸氣，由第1複數流體噴嘴6朝基板W上表面以噴霧狀吐出藥液之液滴。藉由共通之複數流體噴嘴進行抗蝕劑剝離步驟S3中之臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合氣體之供給、與抗蝕劑殘渣去除步驟S4中之藥液之液滴之供給。藉此，在由抗蝕劑剝離步驟S3移行至抗蝕劑殘渣去除步驟S4時，不需要替換用於吐出處理流體的噴嘴(第1複數流體噴嘴6)，因此， 可縮短全體之處理時間，可提升處理效率。
圖10為圖解性表示本發明其他實施形態之第2複數流體噴嘴206之構成的剖面圖。
其他實施形態之第2複數流體噴嘴206之相異點在於並非上述實施形態之第1複數流體噴嘴6般之外部混合型的態樣，而採用內部混合型之態樣。
第2複數流體噴嘴206係將液體、與彼此種類相異之2種氣體混合，而可生成液滴之噴流的3流體噴嘴。第2複數流體噴嘴206係包含上側配管211及下側配管212。上側配管211及下側配管212分別同軸配置於共通之中心軸線上，彼此互相連接。
於上側配管211，形成有由上端至下端連通的第1導入部213。下側配管212係包含上筒部214、推拔部215、與具有較上筒部214小徑之下筒部216。上側配管211之下端部係內插上筒部214，其前端到達上述之混合室217內部。
於上筒部214及推拔部215內部，形成有混合室217。於下筒部216內部，在上側配管211之前端之下方，形成有與混合室217連通之直流部218。於下筒部216之下端，形成有與直流部218連通之吐出口219。
又，於上筒部214之中間部，形成有分別連通至混合室217的第2導入部220及第3導入部221。此實施形態中，第2導入部220及第3導入部221係在沿著下側配管212之中心軸線的方向上呈齊合，相對於上筒部214之周方向隔著間隔設置。
此實施形態中，對第1導入部213導入來自過熱水蒸氣配管28(參照圖2)的過熱水蒸氣。由第1導入部213所導入之過 熱水蒸氣被送至混合室217。
於第2導入部220，依貫通了上筒部214之狀態連接著液體導入配管222，使液體導入配管222之內部空間與混合室217連通。來自液體導入配管222之氣體係經由第2導入部220被導入至混合室217。此實施形態中，係於第2導入部220導入來自藥液配管25(參照圖2)之藥液。
於第3導入部221，依貫通了上筒部214之狀態連接著第3氣體導入配管223，使第3氣體導入配管223之內部空間與混合室217連通。來自第3氣體導入配管223之氣體係經由第3導入部221被導入至混合室217。此實施形態中，係於第3導入部221導入來自臭氧氣體配管22(參照圖2)之臭氧氣體。
於藥液閥26(參照圖2)關閉之下，打開臭氧氣體閥23(參照圖2)及過熱水蒸氣閥29(參照圖2)。藉此，經由第3導入部221對混合室217導入臭氧氣體，同時經由第1導入部213對混合室217導入過熱水蒸氣。然後，使臭氧氣體及過熱水蒸氣於混合室217內部混合。於混合室217內部，藉由與臭氧氣體之混合，過熱水蒸氣被冷卻並結露，生成液滴。藉由於此液滴中溶入臭氧氣體而生成臭氧水之液滴。藉此，由第2複數流體噴嘴206之吐出口219，使含有臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體依噴霧狀吐出。
又，於臭氧氣體閥23關閉之下，打開藥液閥26及過熱水蒸氣閥29。藉此，經由第2導入部220對混合室217導入藥液，同時經由第1導入部213對混合室217導入過熱水蒸氣。藉此，可於混合室217內部生成藥液之微小液滴。此外，由第2複數流體噴 嘴206之吐出口219依噴霧狀吐出藥液。
藉由以上，於第2複數流體噴嘴206中，可吐出反應化學物種相異之液滴。
以上說明了此發明之2種實施形態，但本發明亦可依其他形態實施。
例如，說明了供給至複數流體噴嘴6、206之臭氧氣體之溫度為常溫，但該臭氧氣體之溫度亦可不為常溫而為未滿水之沸點。
同樣地，說明了供給至複數流體噴嘴6、206之藥液之溫度為常溫，但該藥液之溫度亦可不為常溫而為未滿該藥液之沸點。
又，關於上述處理例，說明了於抗蝕劑剝離步驟S3中，基板W上表面中第1供給區域D1最初形成處為基板W上表面之周緣部，但亦可於基板W上表面之周緣部以外(例如中央部、中央部與周緣部之間的中間部)最初形成第1供給區域D1。
又，說明了在由抗蝕劑剝離步驟S3移行至抗蝕劑殘渣去除步驟S4時，使複數流體噴嘴6、206回到周緣位置，但亦可使複數流體噴嘴6、206不回到周緣位置。
又，說明了在由抗蝕劑剝離步驟S3移行至抗蝕劑殘渣去除步驟S4時，暫時停止對複數流體噴嘴6、206之過熱水蒸氣之供給，但亦可連續進行對複數流體噴嘴6、206之過熱水蒸氣之供給。亦即，亦可一邊持續進行對複數流體噴嘴6、206之過熱水蒸氣之供給，一邊停止對複數流體噴嘴6、206之臭氧氣體供給且開始對複數流體噴嘴6、206之藥液供給，藉此由抗蝕劑剝離步驟 S3移行至抗蝕劑殘渣去除步驟S4。
又，於抗蝕劑殘渣去除步驟S4中，亦可對複數流體噴嘴6、206不供給過熱水蒸氣，而僅供給藥液。此時，複數流體噴嘴6、206係不吐出藥液液滴，而吐出藥液之連續流。
又，於抗蝕劑剝離步驟S3及/或抗蝕劑殘渣去除步驟S4中，以使第1及/或第2供給區域D1、D2於基板W上表面之中央部與基板W上表面之周緣部移動(半掃描)的情況為例進行了說明，但亦可使其於基板W上表面之一個周緣部、及與該一個周緣部相對於上表面中央部呈相反側之周緣部之間移動(全掃描)。
又，於第1複數流體噴嘴6或第2複數流體噴嘴206中，亦可使臭氧氣體導入位置及過熱水蒸氣導入位置設為與上述說明之情況分別相反。
又，上述各實施形態中，說明了複數流體噴嘴6、206為將液體與彼此種類相異之2種氣體混合的3流體噴嘴，但除此以外，亦可設為能進一步混合其他種類之流體(氣體及/或液體)的噴嘴。亦即，複數流體噴嘴6、206亦可為混合4種以上流體者。
又，上述實施形態中，說明了基板處理裝置1為處理圓板狀基板的裝置的情況，但基板處理裝置1亦可為對液晶顯示裝置用玻璃基板等多角形基板進行處理的裝置。
雖針對本發明之實施形態進行了詳細說明，但此等僅為用於闡明本發明之技術內容的具體例，本發明並不應限定於此等具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
本申請案係與於2016年3月25日向日本專利局提出之日本專利特願2016-61911號對應，該申請案之所有揭示內容均 藉由引用而併入本文中。

Claims (12)

  1. 一種基板處理方法，係用於由在表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板去除該抗蝕劑的基板處理方法，其包括：基板保持步驟，係保持上述基板；與抗蝕劑剝離步驟，係對用於混合複數流體而生成液滴之複數流體噴嘴，供給臭氧氣體與過熱水蒸氣，將含有臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑，其中，上述臭氧水之液滴係藉由使臭氧氣體混合於過熱水蒸氣，利用臭氧氣體冷卻該過熱水蒸氣而生成。
  2. 一種基板處理方法，係用於由在表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板去除該抗蝕劑的基板處理方法，其包括：基板保持步驟，係保持上述基板；與抗蝕劑剝離步驟，係對用於混合複數流體而生成液滴之複數流體噴嘴，不供給其他液體而供給臭氧氣體與過熱水蒸氣，藉由臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合而生成臭氧水之液滴，將含有所生成之臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，供給至上述複數流體噴嘴之臭氧氣體為常溫。
  4. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，進一步包括：抗蝕劑殘渣去除步驟，係對上述複數流體噴嘴供給處理液，朝抗蝕劑經剝離之基板之表面，由上述複數流體噴嘴吐出上述處理液，藉此由上述基板表面去除抗蝕劑殘渣。
  5. 如請求項4之基板處理方法，其中，上述抗蝕劑殘渣去除步驟進一步包括：處理液液滴吐出步驟，係藉由將上述處理液與過熱水蒸氣供給至上述複數流體噴嘴，將上述處理液之液滴朝上述基板之表面吐出。
  6. 如請求項4之基板處理方法，其中，上述處理液係含有藥液。
  7. 一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持於表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板；複數流體噴嘴，係用於混合複數流體並生成液滴，將所生成之上述液滴朝上述基板之表面吐出；臭氧氣體供給單元，係用於對上述複數流體噴嘴供給臭氧氣體；過熱水蒸氣供給單元，係用於對上述複數流體噴嘴供給過熱水蒸氣；與控制裝置，係控制上述臭氧氣體供給單元與上述過熱水蒸氣供給單元；上述控制裝置係執行抗蝕劑剝離步驟，該抗蝕劑剝離步驟係對上述複數流體噴嘴供給臭氧氣體與過熱水蒸氣，將含有臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑，其中，上述臭氧水之液滴係藉由使臭氧氣體混合於過熱水蒸氣，利用臭氧氣體冷卻該過熱水蒸氣而生成。
  8. 一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持於表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板；複數流體噴嘴，係用於混合複數流體並生成液滴，將所生成之上述液滴朝上述基板之表面吐出；臭氧氣體供給單元，係用於對上述複數流體噴嘴供給臭氧氣體；過熱水蒸氣供給單元，係用於對上述複數流體噴嘴供給過熱水蒸氣；與控制裝置，係控制上述臭氧氣體供給單元與上述過熱水蒸氣供給單元；上述控制裝置係執行抗蝕劑剝離步驟，該抗蝕劑剝離步驟係不對上述複數流體噴嘴供給其他液體而供給臭氧氣體與過熱水蒸氣，藉由臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合而生成臭氧水之液滴，將含有所生成之臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑。
  9. 如請求項7或8之基板處理裝置，其中，由上述臭氧氣體供給單元供給至上述複數流體噴嘴的臭氧氣體為常溫。
  10. 如請求項7或8之基板處理裝置，其中，上述裝置進一步包含用於對上述複數流體噴嘴供給處理液之處理液供給單元；上述控制裝置係進一步包含上述處理液供給單元作為控制對象；上述控制裝置係進一步執行：對上述複數流體噴嘴供給上述處理液，朝抗蝕劑經剝離之基板之表面，由上述複數流體噴嘴吐出上述處理液，藉此由上述基板表面去除抗蝕劑殘渣的抗蝕劑殘渣去除步驟。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述控制裝置係執行下述步驟作為上述抗蝕劑殘渣去除步驟所包含之步驟：處理液液滴吐出步驟，係藉由將上述處理液與過熱水蒸氣供給至上述複數流體噴嘴，將上述處理液之液滴朝上述基板之表面吐出。
  12. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述處理液係含有藥液。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI576938B (zh) 2012-08-17 2017-04-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7202632B2 (ja) * 2019-01-24 2023-01-12 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置及び基板処理方法
JP2021048336A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 三菱電機株式会社 処理液生成方法、処理液生成機構、半導体製造装置及び半導体製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010087419A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Shibaura Mechatronics Corp レジスト剥離装置及び剥離方法
US20100304554A1 (en) * 2008-01-11 2010-12-02 Yoshiharu Hidaka Production method for semiconductor device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003077824A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3947705B2 (ja) * 2002-11-21 2007-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP4318950B2 (ja) * 2003-04-22 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理システム
JP2005150460A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd レジスト除去装置およびレジスト除去方法
JP2008115899A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Tokyo Electron Ltd ダイヤフラム弁および基板処理装置
JP2008288355A (ja) 2007-05-17 2008-11-27 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP5127325B2 (ja) 2007-07-03 2013-01-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007266636A (ja) 2007-07-09 2007-10-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US8567420B2 (en) 2008-03-31 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Cleaning apparatus for semiconductor wafer
JP5404093B2 (ja) * 2008-03-31 2014-01-29 株式会社東芝 半導体ウェーハの洗浄方法
JP2010194417A (ja) 2009-02-23 2010-09-09 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ノズル
US8871108B2 (en) * 2013-01-22 2014-10-28 Tel Fsi, Inc. Process for removing carbon material from substrates
JP5757003B1 (ja) 2014-12-12 2015-07-29 アクアサイエンス株式会社 液滴噴射流生成装置及び液滴噴射流生成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100304554A1 (en) * 2008-01-11 2010-12-02 Yoshiharu Hidaka Production method for semiconductor device
JP2010087419A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Shibaura Mechatronics Corp レジスト剥離装置及び剥離方法

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