JP4638402B2 - 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
二流体ノズルから噴射される処理液の液滴をウエハに衝突させることにより、ウエハの表面に付着している異物を、処理液の液滴の運動エネルギーにより、物理的に除去することができる。また、ウエハの上方で二流体ノズルをスキャンさせることにより、ウエハの表面の全域に処理液の液滴を供給することができる(たとえば、下記特許文献1参照)。
したがって、二流体ノズルのスキャン速度を大きくして、ウエハの洗浄時間を短縮するには、たとえば、ウエハの表面全域に処理液の液滴を十分に供給させつつ、十分な洗浄効果が得られるように、より大きな運動エネルギーを処理液の液滴に与えなければならない。
この発明は、かかる背景のもとでなされたものであり、基板へのダメージを抑制しつつ、処理液による処理時間を短縮することができる二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
この発明によれば、ケーシングに形成された環状気体吐出口から気体を吐出させつつ、前記ケーシングに形成され、前記環状気体吐出口の内側および外側にそれぞれ配置された少なくとも2つの液吐出口から処理液を吐出させる。これにより、処理液および気体をケーシング外で混合させて処理液の液滴を形成し、形成された処理液の液滴を処理対象に向けて吐出させることができる。また、前記少なくとも2つの液吐出口を設けることにより、処理液の液滴が処理対象に供給される範囲を拡大させ、単位時間当たりに形成される処理液の液滴の数を増加させることができる。
また、前記少なくとも2つの液吐出口から吐出される処理液は、互いに異なる種類の処理液であってもよいし、同種の処理液であってもよい。さらに、前記液吐出口が3つ以上設けられている場合には、2つ以上の液吐出口から同種の処理液を吐出させ、残りの液吐出口から異なる種類の処理液を吐出させてもよい。
異なる種類の処理液を吐出させることにより、これらの処理液を処理対象の上空また処理対象上で混合させて、混合処理液による処理を処理対象に施すことができる。
前記気体は加熱された状態で吐出されてもよいし、加熱されていない状態で吐出されてもよい。加熱された気体を吐出させることにより、当該気体と混合される処理液の温度の低下を抑制したり、その温度を昇温させたりすることができる。
この発明によれば、前記2つの液吐出口のうちの一方から第1薬液を吐出させ、他方から第2薬液を吐出させる。そして、吐出された第1薬液および第2薬液は、処理対象の上空または処理対象上で液滴の状態で混合される。したがって、処理対象には、殆ど劣化のない活性の高い混合薬液が供給される。これにより、前記混合薬液による薬液処理を処理対象に効率的に施すことができる。
この発明によれば、前記2つの液吐出口のうちの一方から薬液を吐出させ、他方からリンス液を吐出させる。これにより、処理対象に供給される薬液の濃度を容易に調節したり、薬液による処理対象への薬液処理範囲を限定したりすることができる。
硫酸および過酸化水素水の混合液を、たとえば処理対象としての基板に供給することにより、基板上に形成されたレジスト膜を剥離して基板上から除去することができる。
塩酸および過酸化水素水の混合液を、たとえば処理対象としての基板に供給することにより、金属汚染物などの不要物を基板上から除去することができる。
フッ酸および過酸化水素水の混合液を、たとえば処理対象としての基板に供給することにより、金属汚染物などの不要物や酸化膜を基板上から除去することができる。
酢酸およびオゾン水の混合液や硫酸およびオゾン水の混合液を、たとえば処理対象としての基板に供給することにより、レジストなどの有機物を基板上から除去することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための図解図である。この基板処理装置1は、処理対象の基板としての半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)に処理液(薬液または純水その他のリンス液)による処理を施すための枚葉式の処理装置であり、ウエハWを水平に保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持されたウエハWの表面(上面)に処理液の液滴を供給する二流体ノズル3と、スピンチャック2に保持されたウエハWの表面に処理液を供給する処理液ノズル4とを備えている。
すなわち、複数本のチャックピン7は、スピンベース6の上面周縁部において、ウエハWの外周形状に対応する円周上で適当な間隔をあけて配置されており、ウエハWの裏面(下面)周縁部を支持しつつ、ウエハWの周面の異なる位置に当接することにより、互いに協働してウエハWを挟持し、このウエハWをほぼ水平に保持することができるようになっている。
なお、スピンチャック2としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハWの裏面を真空吸着することによりウエハWをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
また、二流体ノズル3には、アーム9を介して二流体ノズル移動機構16が結合されている。この二流体ノズル移動機構16によって、スピンチャック2の外方に設けられた鉛直な揺動軸まわりにアーム9を水平揺動させることができるようになっている。これにより、アーム9の先端に取り付けられた二流体ノズル3を、スピンチャック2に保持されたウエハWの上方に配置したり、スピンチャック2の上方から退避させたりすることができる。
また、処理液ノズル4には、アーム17を介して処理液ノズル移動機構22が結合されている。この処理液ノズル移動機構22によって、スピンチャック2の外方に設けられた鉛直な揺動軸まわりにアーム17を水平揺動させることができるようになっている。これにより、アーム17の先端に取り付けられた処理液ノズル4を、スピンチャック2に保持されたウエハWの上方に配置したり、スピンチャック2の上方から退避させたりすることができる。
二流体ノズル3は、ほぼ円柱状の外形を有しており、ケーシングを構成する外筒23と、外筒23の内部に嵌め込まれた内筒24と、外筒23および内筒24の間に配置された中間筒25とを含む。内筒24、外筒23および中間筒25は、それぞれ共通の中心軸線L1上に同軸配置されており、隣接する筒同士(内筒24と中間筒25、中間筒25と外筒23)は互いに連結されている。
処理対象のウエハWは、図示しない搬送ロボットによって搬送されてきて、搬送ロボットからスピンチャック2へとウエハWが受け渡される(ステップS1)。
その後、制御装置36は、薬液バルブ20を開くとともに、第1DIWバルブ14、第2DIWバルブ15、第3DIWバルブ21、窒素ガスバルブ13を閉じて、回転されているウエハWの表面の回転中心付近に処理液ノズル4から薬液を供給させる(ステップS2)。ウエハWの表面に供給された薬液は、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの表面全域に行き渡る。これにより、ウエハWに表面全域に薬液処理が施される。
具体的には、第1処理液吐出口30から、たとえば30〜150ml/minの流量でDIWが吐出されており、第2処理液吐出口34から、たとえば30〜150ml/minの流量でDIWが吐出されている。また、気体吐出口31からは、たとえば5〜100ml/minの流量で窒素ガスが吐出されている。第1処理液吐出口30および第2処理液吐出口34からのそれぞれのDIWの流量は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
また、制御装置36は、ウエハWへのDIWの液滴の供給とともに、二流体ノズル移動機構16を制御して、ウエハWの上方で二流体ノズル3を所定のスキャン速度で移動させる。具体的には、ウエハWの表面の回転中心に対向する位置と、ウエハWの表面の周縁部に対向する位置との間で二流体ノズル3を往復して移動させたり、ウエハWの表面の周縁部に対向する位置からウエハWの表面の回転中心に対向する位置を通って反対側の周縁部に対向する位置まで二流体ノズル3を往復して移動させる。これにより、ウエハWへのDIWの液滴の供給位置が移動され、ウエハWの表面全域にDIWの液滴が供給される。その結果、ウエハWの表面に付着しているパーティクル等の異物がウエハWの表面全域から物理的に除去される。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置1aの構成を説明するための図解図である。この図5において、図1に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る二流体ノズル3aの構造を示す図である。図6(a)は、二流体ノズル3aの縦断面を示し、図6(b)は、スピンチャック2側から見た二流体ノズル3aの底面を示している。また、図6(b)において、ハッチングが施された範囲は、前述の第1処理液吐出口30、気体吐出口31および第2処理液吐出口34、ならびに後述の中心吐出口44を示している。
この図6に示す第3の実施形態に係る二流体ノズル3aでは、第1処理液流路26に、中心軸線L1と共通の中心軸線を有する中心筒41が配置されており、中心筒41の内部空間は、窒素ガスが流通する直線状の中心流路42となっている。この中心流路42は、中心筒41の上端で中心導入口43として開口しており、中心筒41の下端で、中心軸線L1上に中心を有し、第1処理液吐出口30に取り囲まれた円状の中心吐出口44として開口している。
また、第1処理液吐出口30からのDIWの流量と、第2処理液吐出口34からのDIWの流量とは、第1処理液吐出口30と第2処理液吐出口34との面積比や、気体吐出口31および中心吐出口44から吐出される窒素ガスの流量に応じて設定されるようになっている。これにより、DIWおよび窒素ガスを二流体ノズル3aからバランスよく吐出してDIWの液滴を効率的に形成することができる。
また、この図7において、図2に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。以下では、その同一の参照符号を付した各部についての詳細な説明を省略する。
この発明は、以上の第1〜第4の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の第1の実施形態におけるウエハWの処理の一例では、ウエハWの表面にリンス処理が行われた後に液滴処理が行われる例について説明したが、リンス処理と液滴処理とが同時に行われる期間があってもよい。
また、前述の第2の実施形態では、第1薬液および第2薬液としてそれぞれ硫酸および過酸化水素水を例示したが、硫酸および過酸化水素水の組合せに限らず、アンモニア水および過酸化水素水、塩酸および過酸化水素水、フッ酸および過酸化水素水などを第1薬液および第2薬液として用いてもよい。
塩酸および過酸化水素水を二流体ノズル3,3a,3bから吐出させて、これらの混合液をウエハWの表面に供給することにより、金属汚染物などの不要物をウエハWの表面から除去することができる。
また、前述の第1および第2の実施形態では、ほぼ水平に保持され回転されているウエハWの表面に処理液を供給して当該ウエハWを処理するものを取り上げたが、回転していない状態(非回転状態)のウエハWの表面に処理液を供給してウエハWを処理するものであってもよい。なお、前記非回転状態のウエハWとは、回転も移動もしていない状態(静止状態)のウエハWであってもよいし、回転せずに所定の方向に移動している状態(移動状態)のウエハWであってもよい。
また、前述の第1〜第4の実施形態では、同種の処理液や互いに種類の異なる薬液が二流体ノズル3,3a,3bから吐出される例について説明したが、薬液およびリンス液を二流体ノズル3,3a,3bから吐出させてもよい。
第1処理液吐出口30からリンス液を吐出させ、第2処理液吐出口34から薬液を吐出させた場合には、吐出された薬液が、薬液よりも内側から吐出されたリンス液と瞬時に混ざり合い薄められるので、ウエハWに供給される薬液の濃度を容易に調節することができる。
前記リンス液としては、たとえば、純水、DIW、機能水(炭酸水、水素水、オゾン水など)などを用いることができる。なお、これらのリンス液は、あらかじめ室温以上、たとえば30〜100℃程度に加熱しておいてから用いてもよい、
前記薬液およびリンス液の組合せの具体例としては、硝酸およびDIW、酢酸およびオゾン水、硫酸およびオゾン水などが挙げられる。
酢酸およびオゾン水を二流体ノズル3,3a,3bから吐出させて、これらの混合液をウエハWの表面に供給することにより、レジストなどの有機物をウエハWの表面から除去することができる。
二流体ノズル3,3a,3bからオゾン水を吐出させる場合に、当該オゾン水の吐出とともに、または当該オゾン水に代わって、オゾン水よりも高濃度でオゾンを含むオゾンガスを二流体ノズル3,3a,3bから吐出させることにより、オゾンを高濃度で含む処理液の液滴を形成し、オゾンによる効果、たとえば、ウエハW表面の有機物を良好に除去する効果やウエハW表面に酸化膜を厚く形成する効果等を確実に発揮させることができる。
また、前述の第1〜第4の実施形態では、同一中心上に配置された円環状の液吐出口(第1処理液吐出口30、第2処理液吐出口34)が2つ設けられ、同一中心上に配置された円状または円環状の気体吐出口(気体吐出口31、中心吐出口44、最外郭吐出口47)が1つまたは2つ設けられている例について説明したが、同一中心上に配置された3つ以上の液吐出口を設けてもよいし、同一中心上に配置された3つ以上の気体吐出口を設けてもよい。
2 スピンチャック(基板回転手段)
3,3a,3b 二流体ノズル
10 窒素ガス供給管(気体供給手段)
11 第1DIW供給管(処理液供給手段)
12 第2DIW供給管(処理液供給手段)
16 二流体ノズル移動機構(ノズル移動手段)
23 外筒(ケーシング)
30 第1処理液吐出口(液吐出口)
31 気体吐出口(環状気体吐出口)
34 第2処理液吐出口(液吐出口)
37 硫酸供給管(処理液供給手段)
38 過酸化水素水供給管(処理液供給手段)
45 最外郭筒(ケーシング)
W ウエハ(基板、処理対象)
Claims (7)
- 処理液および気体が導入されるケーシングと、
前記ケーシングに形成され、気体を吐出するための環状気体吐出口と、
前記環状気体吐出口の内側および外側にそれぞれ配置されて前記ケーシングに形成され、処理液を吐出するための少なくとも2つの液吐出口とを含み、
前記ケーシング外で前記処理液と前記気体とを混合させて処理液の液滴を形成し、この処理液の液滴を処理対象に向けて吐出するようになっている、二流体ノズル。 - 前記2つの液吐出口は、同種の処理液を吐出する、請求項1記載の二流体ノズル。
- 前記2つの液吐出口は、互いに異なる種類の処理液を吐出する、請求項1記載の二流体ノズル。
- 前記異なる種類の処理液は、互いに種類の異なる第1薬液および第2薬液を含む、請求項3記載の二流体ノズル。
- 前記異なる種類の処理液は、薬液およびリンス液を含む、請求項3記載の二流体ノズル。
- 処理対象の基板を保持して回転させるための基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転されている基板の主面に、処理液の液滴を供給するための請求項1〜5のいずれか一項に記載の二流体ノズルと、
前記二流体ノズルのケーシングに前記処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記二流体ノズルのケーシングに前記気体を供給するための気体供給手段と、
前記二流体ノズルを基板の主面に沿って移動させるためのノズル移動手段とを含む、基板処理装置。 - 処理対象の基板を保持して回転させるための基板回転工程と、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の二流体ノズルのケーシングに前記処理液を供給する処理液供給工程と、
前記二流体ノズルのケーシングに前記気体を供給する気体供給工程と、
前記基板回転工程で回転されている基板の主面に、前記二流体ノズルから処理液の液滴を供給する液滴供給工程と、
前記液滴供給工程と並行して、前記二流体ノズルを基板の主面に沿って移動させるノズル移動工程とを含む、基板処理方法。
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