TW202316513A - 基板處理方法及基板處理系統 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 159
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 129
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 119
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 113
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 238
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 50
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 41
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本發明之目的在於適當洗淨研磨後之基板表面。
本發明之處理基板之基板處理方法，包含以下步驟：研磨該基板的表面、向研磨後之該基板的表面供給蝕刻液而蝕刻該表面，以及向蝕刻後之該基板的表面供給洗淨液而將附著於該表面之金屬去除。又，本發明之處理基板之基板處理系統，包含：研磨該基板的表面之研磨部、向研磨後之該基板的表面供給蝕刻液而蝕刻該表面之蝕刻液供給部，以及向蝕刻後之該基板的表面供給洗淨液而將附著於該表面之金屬去除之洗淨液供給部。
Description
本發明係關於一種基板處理方法及基板處理系統。
專利文獻1中，揭示一種半導體晶圓之製造方法，包含將由半導體晶塊切片而得之晶圓的至少表面平坦化之步驟，以及透過旋轉蝕刻而蝕刻平坦化後之晶圓的表面之步驟。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-135464號公報
[發明欲解決之課題]
依本發明之技術，係將研磨後之基板表面適當洗淨。
[解決課題之手段]
本發明之一態樣係一種處理基板之基板處理方法，包含以下步驟：研磨該基板的表面之步驟、向研磨後之該基板的表面供給蝕刻液而蝕刻該表面之步驟，以及向蝕刻後之該基板的表面供給洗淨液而將附著於該表面之金屬去除之步驟。
[發明效果]
透過本發明，可將研磨後之基板表面適當洗淨。
半導體元件之製造步驟中，會將透過線鋸等從單晶矽晶塊切出之圓盤狀之矽晶圓(以下僅稱為「晶圓」。)之切斷面平坦化，再進行平滑化而使晶圓之厚度均一化。切斷面之平坦化，例如透過平面研磨或研光進行。切斷面之平滑化，例如透過一邊使晶圓旋轉一邊從該晶圓之切斷面上方供給蝕刻液之旋轉蝕刻進行。
上述之專利文獻1中，將由半導體晶塊切片而得之晶圓的至少表面透過平面研磨或研光而平坦化後，透過旋轉蝕刻而蝕刻該表面。又，專利文獻1中揭示之旋轉蝕刻步驟中，利用混合酸作為蝕刻液。
此處，晶圓之表面之平面研磨，例如係在將晶圓固持於吸盤之狀態下進行。吸盤中含有金屬成分，而有該金屬附著於研磨後之晶圓的表面之情況。
又，晶圓的表面之蝕刻中，從提升處理量之觀點而言，較佳減少蝕刻量。例如，若為了提升處理量而提高蝕刻率，會使蝕刻之均一性(uniformity)惡化，其結果，使製品之性能降低。再者，從減低蝕刻液之消耗量之觀點而言，亦較佳減少蝕刻量。
如上減少蝕刻量之情況，有即使以混合酸之蝕刻液蝕刻晶圓的表面，仍無法完全去除附著於研磨後之晶圓的表面之金屬之情況。並且，若金屬殘留於晶圓的表面，會使製品之性能降低。從而，習知的蝕刻處理仍有改善之餘地。
依本發明之技術，將研磨後之基板表面適當洗淨。以下，參照圖式說明依本實施態樣之作為基板處理系統之晶圓處理系統，以及作為基板處理方法之晶圓處理方法。又，在本說明書及圖示中，對具有實質相同之機能構成之要素標示相同符號而省略重複說明。
如圖1所示，晶圓處理系統1具有將搬出搬入站10及處理站11連接成一體之構成。搬出搬入站10例如在與外部之間將可容納複數之晶圓W之匣盒C搬出及搬入。處理站11具備對晶圓W實施期望之處理之各種處理裝置。
搬出搬入站10中設有匣盒載置台20。圖示之例中，匣盒載置台20可將複數例如2個匣盒C在Y軸方向載置成一列。
處理站11中例如設有3個處理區塊G1~G3。第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3從X軸負方向側(搬出搬入站10側)向正方向側依序排列配置。
第1處理區塊G1中，設有翻轉裝置30、31、厚度測定裝置40、作為液處理裝置之蝕刻裝置50、51，以及晶圓搬運裝置60。蝕刻裝置50相當於本發明之第1液處理裝置，蝕刻裝置51相當於本發明之第2液處理裝置。翻轉裝置30及蝕刻裝置50從X軸負方向側向正方向側依序排列配置。翻轉裝置30、31及厚度測定裝置40例如在鉛直方向從下段開始依序積層設置。蝕刻裝置50、51例如在鉛直方向從下段開始依序積層設置。晶圓搬運裝置60配置於蝕刻裝置50、51之Y軸正方向側。又，翻轉裝置30、31、厚度測定裝置40、蝕刻裝置50、51及晶圓搬運裝置60之數量及配置不限於此。
翻轉裝置30、31使晶圓W之第1面Wa及第2面Wb上下方向翻轉。翻轉裝置30、31係任意之構成。
厚度測定裝置40在一例中具備測定部(未圖示)及計算部(未圖示)。測定部具備在複數點測定蝕刻後之晶圓W之厚度之感測器。計算部從測定部之測定結果(晶圓W之厚度)取得晶圓W之厚度分布。又，計算部可更計算晶圓W之平坦度(TTV：Total Thickness Variation，總厚度變異)。又，此晶圓W之厚度分布及平坦度之計算，亦可由後述之控制裝置150代替該計算部進行。換言之，可在後述之控制裝置150內設置計算部(未圖示)。又，厚度測定裝置40之構成不限於此，可係任意構成。
蝕刻裝置50、51蝕刻經過後述之加工裝置110研磨後之第1面Wa或研磨後之第2面Wb之矽(Si)。又，蝕刻裝置50、51將蝕刻後之第1面Wa或第2面Wb洗淨，並將附著於該第1面Wa或第2面Wb之金屬去除。又，蝕刻裝置50、51之詳細構成將在後續詳述。
晶圓搬運裝置60將晶圓W固持並搬運，其具有例如2個搬運手臂61。各搬運手臂61可向水平方向、鉛直方向，或繞水平軸及鉛直軸移動。並且，晶圓搬運裝置60可對於匣盒載置台20之匣盒C、翻轉裝置30、31、厚度測定裝置40、蝕刻裝置50、51、後述之緩衝裝置70、後述之洗淨裝置80及後述之翻轉裝置90搬運晶圓W。
第2處理區塊G2中設有緩衝裝置70、洗淨裝置80、翻轉裝置90及晶圓搬運裝置100。緩衝裝置70、洗淨裝置80及翻轉裝置90例如在鉛直方向從下段開始依序積層設置。晶圓搬運裝置100配置於緩衝裝置70、洗淨裝置80及翻轉裝置90之Y軸負方向側。又，緩衝裝置70、洗淨裝置80、翻轉裝置90及晶圓搬運裝置100之數量及配置不限於此。
緩衝裝置70暫時固持從第1處理區塊G1傳遞至第2處理區塊G2之處理前之晶圓W。緩衝裝置70係任意之構成。
洗淨裝置80將經過後述之加工裝置110研磨後之第1面Wa或第2面Wb洗淨。例如使刷具抵接於第1面Wa或第2面Wb，而將該第1面Wa或第2面Wb刷擦洗淨。又，第1面Wa或第2面Wb之洗淨亦可利用加壓之洗淨液。又，洗淨裝置80亦可在將晶圓W洗淨時，同時洗淨第1面Wa及第2面Wb。
翻轉裝置90與翻轉裝置30、31同樣使晶圓W之第1面Wa及第2面Wb上下方向翻轉。翻轉裝置90係任意之構成。
晶圓搬運裝置100將晶圓W固持搬運，其具有例如2個搬運手臂101。各搬運手臂101可向水平方向、鉛直方向，或繞水平軸及鉛直軸移動。並且，晶圓搬運裝置100可對於蝕刻裝置50、51、緩衝裝置70、洗淨裝置80、翻轉裝置90及後述之加工裝置110搬運晶圓W。
第3處理區塊G3中設有加工裝置110。又，加工裝置110之數量及配置不限於此。
加工裝置110具有旋轉台111。旋轉台111可透過旋轉機構(未圖示)，以鉛直之旋轉中心線112為中心旋轉。在旋轉台111上吸附固持晶圓W，並設有4個吸盤113。4個吸盤113之中，2個第1吸盤113a係用於第1面Wa之研磨之吸盤，其將第2面Wb吸附固持。該2個第1吸盤113a包夾著旋轉中心線112而配置於點對稱之位置。剩餘的2個第2吸盤113b係用於第2面Wb之研磨之吸盤，其將第1面Wa吸附固持。該2個第2吸盤113b亦包夾著旋轉中心線112而配置於點對稱之位置。亦即，第1吸盤113a與第2吸盤113b在周方向上交互配置。又，吸盤113例如使用多孔吸盤。又，吸盤113之多孔吸盤例如包含鋁等金屬。
4個吸盤113可藉由旋轉台111之旋轉，而移動至傳遞位置A1~A2及加工位置B1~B2。又，4個吸盤113可分別透過旋轉機構(未圖示)而繞鉛直軸旋轉。
第1傳遞位置A1係旋轉台111之X軸負方向側且Y軸正方向側之位置，在研磨第1面Wa時對第1吸盤113a進行晶圓W之傳遞。第2傳遞位置A2係旋轉台111之X軸負方向側且Y軸負方向側之位置，在研磨第2面Wb時對第2吸盤113b進行晶圓W之傳遞。
於傳遞位置A1、A2設有測定研磨後之晶圓W之厚度之厚度測定部120。厚度測定部120在一例中具備測定部(未圖示)及計算部(未圖示)。測定部具備在複數點測定晶圓W之厚度之非接觸式之感測器。計算部122從測定部121之測定結果(晶圓W之厚度)取得晶圓W之厚度分布，更計算晶圓W之平坦度。又，此晶圓W之厚度分布及平坦度之計算，亦可由後述之控制裝置150代替該計算部進行。換言之，可在後述之控制裝置150內設置計算部(未圖示)。又，厚度測定部120亦可設於加工位置B1~B2。
第1加工位置B1係旋轉台111之X軸正方向側且Y軸負方向側之位置，並配置作為研磨部之第1研磨單元130。第2加工位置B2係旋轉台111之X軸正方向側且Y軸正方向側之位置，並配置作為研磨部之第2研磨單元140。
第1研磨單元130研磨固持於第1吸盤113a之晶圓W之第1面Wa。第1研磨單元130具有第1研磨部131，其具備環狀形狀且可旋轉之研磨砥石(未圖示)。又，第1研磨部131可沿著支柱132向鉛直方向移動。
第2研磨單元140研磨固持於第2吸盤113b之晶圓W之第2面Wb。第2研磨單元140具有與第1研磨單元130相同之構成。亦即，第2研磨單元140具有第2研磨部141及支柱142。
以上之晶圓處理系統1中設有控制裝置150。控制裝置150例如係具備CPU及記憶體等之電腦，並具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部中儲存有控制晶圓處理系統1中之晶圓W之處理之程式。又，上述程式可係記錄於電腦可讀取之記錄媒體H，並從該記錄媒體H安裝至控制裝置150者。又，上述記錄媒體H可係暫時性亦可係非暫時性。
接著，說明上述之蝕刻裝置50、51之詳細構成。以下之說明中，說明蝕刻裝置50之構成，而蝕刻裝置51之構成亦相同。
如圖2所示，蝕刻裝置50具有固持晶圓W之作為基板固持部之晶圓固持部200。晶圓固持部200以複數點，在本實施態樣中為3點，固持晶圓W之外緣部。又，晶圓固持部200之構成不限於圖示之例，例如晶圓固持部200可具備從下方吸附固持晶圓W之吸盤(未圖示)。晶圓固持部200可透過旋轉機構201繞鉛直軸旋轉，並可藉此使固持於晶圓固持部200上之晶圓W旋轉。
於晶圓固持部200之周圍設有內側杯體210及外側杯體220。內側杯體210以包圍晶圓固持部200之方式設置，並以後述之方式回收蝕刻液。於內側杯體210連接將回收之蝕刻液排出之排液管線211。又，內側杯體210可透過升降機構212升降。
外側杯體220在內側杯體210之外側以包圍晶圓固持部200之方式設置，並以後述之方式回收清洗液或洗淨液。於外側杯體220連接將回收之清洗液或洗淨液排出之排液管線221。又，外側杯體220在本實施態樣中不會升降，但亦可係可透過升降機構(未圖示)升降之構成。
於晶圓固持部200之上方設有作為蝕刻液供給部之蝕刻液噴嘴230、清洗液噴嘴231，以及作為洗淨液供給部之洗淨液噴嘴232。蝕刻液噴嘴230及清洗液噴嘴231設成一體，並可透過移動機構233向水平方向及鉛直方向移動。又，洗淨液噴嘴232可透過移動機構234向水平方向及鉛直方向移動。又，使該等液體噴嘴移動之移動機構之數量不限於此。例如，可將蝕刻液噴嘴230、清洗液噴嘴231及洗淨液噴嘴232設成一體，而使移動機構為一個。又，可將蝕刻液噴嘴230、清洗液噴嘴231及洗淨液噴嘴232分別設為獨立之個體，而使移動機構為3個。
蝕刻液噴嘴230向固持於晶圓固持部200之晶圓W之第1面Wa或第2面Wb供給蝕刻液，而蝕刻該第1面Wa或第2面Wb。蝕刻液包含氫氟酸(HF)、硝酸(HNO
3)及磷酸(H
3PO
4)。在一例中，蝕刻液E係含有氫氟酸、硝酸、磷酸及水之水溶液。
在本實施態樣中，蝕刻液可再利用於複數之晶圓W之蝕刻。亦即，將使用於一個晶圓W之蝕刻液回收，並再利用於下一個晶圓W之蝕刻。故，於蝕刻裝置50設有蝕刻液循環部240。
於蝕刻液循環部240連接上述排液管線211。又，於蝕刻液循環部240連接供液管線241，供液管線241連接於蝕刻液噴嘴230。於供液管線241設有控制蝕刻液之供給之閥242。又，於供液管線241設有測定蝕刻液之濃度之濃度計243。濃度計243可測定蝕刻液中含有之各成分，例如氫氟酸、硝酸、磷酸等之濃度。
蝕刻液循環部240例如於內部具有儲放蝕刻液之儲槽。於蝕刻液循環部240連接氫氟酸供給源244、硝酸供給源245及磷酸供給源246。氫氟酸供給源244、硝酸供給源245及磷酸供給源246分別於內部儲放氫氟酸、硝酸及磷酸，並向蝕刻液循環部240內部之蝕刻液供給該氫氟酸、硝酸及磷酸。在氫氟酸供給源244、硝酸供給源245、磷酸供給源246及蝕刻液循環部240之間，設有分別控制氫氟酸、硝酸、磷酸之供給之閥247、248、249。
此情況下，由內側杯體210回收之蝕刻液，經由排液管線211向蝕刻液循環部240排出。蝕刻液循環部240中，藉由從氫氟酸供給源244、硝酸供給源245、磷酸供給源246向蝕刻液供給氫氟酸、硝酸、磷酸中的任一者或複數者，而調整該蝕刻液之組成比例。並且，調整了組成比例之蝕刻液，經由供液管線241向蝕刻液噴嘴230供給。如此藉由將蝕刻液再利用，可減低蝕刻液之使用量而減低成本。
清洗液噴嘴231向固持於晶圓固持部200之晶圓W的第1面Wa或第2面Wb供給清洗液，而清洗該第1面Wa或第2面Wb。於清洗液噴嘴231連接供液管線250，供液管線250係連接於清洗液供給源251。清洗液供給源251於內部儲放清洗液。於供液管線250設有控制清洗液之供給之閥252。又，清洗液例如使用純水。
洗淨液噴嘴232向固持於晶圓固持部200之晶圓W之第1面Wa或第2面Wb供給洗淨液，而將附著於該第1面Wa或第2面Wb之金屬去除。洗淨液噴嘴232係使用雙流體噴嘴。
於洗淨液噴嘴232連接供液管線260，供液管線260連接於洗淨液供給源261。洗淨液供給源261於內部儲放洗淨液。於供液管線260設有控制洗淨液之供給之閥262。又，洗淨液使用可從晶圓W之第1面Wa或第2面Wb將金屬去除之液體，例如使用氫氟酸、混和了氫氟酸及過氧化氫之液體(FPM)等。
又，於洗淨液噴嘴232連接供氣管線263，供氣管線263連接於氣體供給源264。氣體供給源264於內部儲放氣體，例如非活性氣體之氮氣。於供氣管線263設有控制氣體之供給之閥265。
洗淨液噴嘴232中，將來自供液管線260之洗淨液與來自供氣管線263之氣體混合，並向晶圓W之第1面Wa或第2面Wb噴射。並且，藉由如此噴射洗淨液，除了化學性地透過洗淨液去除金屬，亦物理性地透過洗淨液之碰撞力去除金屬。
接著，說明利用如上構成之晶圓處理系統1進行之晶圓處理。本實施態樣中，對於透過線鋸等從晶塊切出並經過研光之晶圓W，進行使厚度之面內均一性提升之處理。
首先，將收納複數晶圓W之匣盒C載置於搬出搬入站10之匣盒載置台20。在匣盒C中，晶圓W以第1面Wa朝向上側、第2面Wb朝向下側之狀態收納。接著，透過晶圓搬運裝置60將匣盒C內之晶圓W取出，並搬運至緩衝裝置70。
接著，透過晶圓搬運裝置100將晶圓W搬運至加工裝置110，並傳遞至第1傳遞位置A1之第1吸盤113a。第1吸盤113a中，吸附固持晶圓W之第2面Wb。
接著，使旋轉台111旋轉，而使晶圓W移動至第1加工位置B1。然後，透過第1研磨單元130研磨晶圓W之第1面Wa(圖3之步驟S1)。
接著，使旋轉台111旋轉，而使晶圓W移動至第1傳遞位置A1。第1傳遞位置A1中，可透過洗淨部(未圖示)將研磨後之晶圓W之第1面Wa洗淨。
又，在傳遞位置A1中，透過厚度測定部120測定經過第1研磨單元130研磨後之晶圓W之厚度(圖3之步驟S2)。
此處，如上所述，厚度測定部120中，藉由在複數點測定研磨後之晶圓W之厚度，取得研磨了第1面Wa後之晶圓W之厚度分布，更計算晶圓W之平坦度。計算出之晶圓W之厚度分布及平坦度例如輸出至控制裝置150，並用於接著以第1吸盤113a固持(以第1研磨單元130研磨)之其他晶圓W之研磨。具體而言，基於所取得之晶圓W之厚度分布及平坦度，調整後續之晶圓W之研磨時之研磨砥石的表面與第1吸盤113a的表面之相對斜率，以改善經過第1研磨單元130研磨後之後續晶圓W之厚度分布及平坦度。
接著，透過晶圓搬運裝置100將晶圓W搬運至洗淨裝置80。洗淨裝置80中，洗淨晶圓W之第1面Wa(圖3之步驟S3)。
接著，透過晶圓搬運裝置100將晶圓W搬運至翻轉裝置90。翻轉裝置90中，使晶圓W之第1面Wa及第2面Wb上下方向翻轉(圖3之步驟S4)。亦即，將晶圓W翻轉成第1面Wa朝向下側、第2面Wb朝向上側之狀態。
接著，透過晶圓搬運裝置100將晶圓W搬運至加工裝置110，並傳遞至第2傳遞位置A2之第2吸盤113b。第2吸盤113b中，吸附固持晶圓W之第1面Wa。
接著，使旋轉台111旋轉，而使晶圓W移動至第2加工位置B2。然後，透過第2研磨單元140研磨晶圓W之第2面Wb(圖3之步驟S5)。
接著，使旋轉台111旋轉，而使晶圓W移動至第2傳遞位置A2。第2傳遞位置A2中，可透過洗淨部(未圖示)將研磨後之晶圓W之第2面Wb洗淨。
又，在傳遞位置A2中，透過厚度測定部120測定經過第2研磨單元140研磨後之晶圓W之厚度(圖3之步驟S6)。步驟S6中，進行與步驟S2相同之處理。亦即，在厚度測定部120中，取得第2面Wb之研磨後之晶圓W之厚度分布，更計算晶圓W之平坦度。然後，基於計算出之晶圓W之厚度分布及平坦度，調整在研磨後續之晶圓W時之第2研磨單元140之研磨砥石的表面與第2吸盤113b的表面之相對斜率。
接著，透過晶圓搬運裝置100將晶圓W搬運至洗淨裝置80。洗淨裝置80中，將晶圓W之第2面Wb洗淨(圖3之步驟S7)。
接著，透過晶圓搬運裝置60將晶圓W搬運至蝕刻裝置50。蝕刻裝置50中，如圖4(a)所示，將晶圓W以第2面Wb朝向上側之狀態，將第1面Wa固持於晶圓固持部200。此時，內側杯體210上升，而以包圍晶圓固持部200之周圍之方式配置。接著，使蝕刻液噴嘴230移動至晶圓W之中心部上方。然後，一邊使晶圓W旋轉，一邊使蝕刻液噴嘴230在晶圓W之中心部上方與外周部上方之間移動，並從該蝕刻液噴嘴230向第2面Wb供給蝕刻液E。如此，將蝕刻液E供給至整個第2面Wb，而蝕刻整個該第2面Wb(圖3之步驟S8)。
步驟S8中之第2面Wb之蝕刻量例如係5μm以下。如此蝕刻量較少之情況，可縮短蝕刻耗費之時間，而可提升晶圓處理之處理量。又，可減低使用於蝕刻之蝕刻液之使用量。
又，在步驟S8中使用之蝕刻液E由內側杯體210回收，並經由排液管線211向蝕刻液循環部240排出。然後，蝕刻液E從蝕刻液循環部240經由供液管線241供給至蝕刻液噴嘴230，而再利用於後續晶圓W之蝕刻。
接著，如圖4(b)所示，使洗淨液噴嘴232移動至晶圓W之中心部上方。又，使內側杯體210下降，而使外側杯體220以包圍晶圓固持部200之周圍之方式配置。然後，一邊使晶圓W旋轉，一邊使洗淨液噴嘴232在晶圓W之中心部上方與外周部上方之間移動，並從該洗淨液噴嘴232向第2面Wb供給洗淨液C。如此，將洗淨液C供給至整個第2面Wb，而洗淨整個該第2面Wb(圖3之步驟S9)。又，在步驟S9中使用之洗淨液C由外側杯體220回收，並從排液管線221排出。
此處，在步驟S1中研磨晶圓W之第1面Wa時，將第2面Wb吸附固持於第1吸盤113a。此時，因多孔吸盤亦即第1吸盤113a含有金屬，故金屬可能會附著於第2面Wb。又，在步驟S8中以蝕刻液E蝕刻第2面Wb時，蝕刻量少至5μm以下，故在此蝕刻中可能無法將附著於第2面Wb之金屬完全去除。
故，在步驟S9中，向第2面Wb供給洗淨液C，而將附著於該第2面Wb之金屬去除。具體而言，透過洗淨液C將金屬從第2面Wb剝離而去除。又，洗淨液噴嘴232係雙流體噴嘴，且向第2面Wb噴射洗淨液C，故亦透過此洗淨液C之物理碰撞力將金屬去除。
又，步驟S9中，一邊使洗淨液噴嘴232在晶圓W之中心部上方與外周部上方之間移動，一邊從該洗淨液噴嘴232向第2面Wb供給洗淨液C，故將洗淨液C供給至整個第2面Wb。再者，上述之洗淨液C之物理碰撞力亦遍及整個第2面Wb。從而，可從第2面Wb將金屬去除。
接著，如圖4(c)所示，使清洗液噴嘴231移動至晶圓W之中心部上方。此時，內側杯體210下降，而使外側杯體220以包圍晶圓固持部200之周圍之方式配置。然後，一邊使晶圓W旋轉，一邊從清洗液噴嘴231向第2面Wb之中心部供給清洗液R。如此，透過離心力使清洗液R擴散至外周部，而清洗整個第2面Wb(圖3之步驟S10)。又，在步驟S10中使用之清洗液R由外側杯體220回收，並從排液管線221排出。又，清洗液R之供給較佳亦在步驟S8與步驟S9之間實施。
接著，在停止了來自清洗液噴嘴231之清洗液R之供給之狀態下，使晶圓W繼續旋轉。如此，將第2面Wb乾燥。
接著，透過晶圓搬運裝置60將晶圓W搬運至翻轉裝置31。翻轉裝置31中，使晶圓W之第1面Wa及第2面Wb上下方向翻轉(圖3之步驟S11)。亦即，將晶圓W翻轉成第1面Wa朝向上側、第2面Wb朝向下側之狀態。
接著，透過晶圓搬運裝置60將晶圓W搬運至蝕刻裝置51。蝕刻裝置51中，在晶圓W以第1面Wa朝向上側之狀態下，將第2面Wb固持於晶圓固持部200。然後，一邊使晶圓W旋轉，一邊使蝕刻液噴嘴230在晶圓W之中心部上方與外周部上方之間移動，並從該蝕刻液噴嘴230向第1面Wa供給蝕刻液E。如此，將蝕刻液E供給至整個第1面Wa，而蝕刻整個該第1面Wa(圖3之步驟S12)。又，此第1面Wa之蝕刻，與上述步驟S8中之第2面Wb之蝕刻相同，其蝕刻量亦為例如5μm以下。
接著，蝕刻裝置51中，一邊使晶圓W旋轉，一邊使洗淨液噴嘴232在晶圓W之中心部上方與外周部上方之間移動，並從該洗淨液噴嘴232向第1面Wa供給洗淨液C。如此，將第1面Wa洗淨，而將附著於該第1面Wa之金屬去除(圖3之步驟S13)。又，此第1面Wa之洗淨與上述步驟S9中之第2面Wb之洗淨相同。
接著，蝕刻裝置51中，一邊使晶圓W旋轉，一邊從清洗液噴嘴231向第1面Wa之中心部供給清洗液R，而清洗該第1面Wa(圖3之步驟S14)。又，此第1面Wa之清洗與上述步驟S10中之第2面Wb之清洗相同。又，清洗液R之供給較佳亦在步驟S12與步驟S13之間實施。
接著，透過晶圓搬運裝置60將晶圓W搬運至厚度測定裝置40。厚度測定裝置40中，測定經過蝕刻裝置51蝕刻後之晶圓W之厚度分布(圖3之步驟S15)。
步驟S15中，如上所述在複數點測定晶圓W之厚度，藉此取得蝕刻後之晶圓W之厚度分布。取得之晶圓W之厚度分布例如輸出至控制裝置150。控制裝置150中，基於晶圓W之厚度分布，調整對於接著蝕刻之晶圓W使用之蝕刻液E之組成比例(圖3之步驟S16)。又，此蝕刻液E之組成比例之調整方法將在後續詳述。
另一方面，以厚度測定裝置40測定過厚度分布之晶圓W，透過晶圓搬運裝置60將晶圓W搬運至匣盒載置台20之匣盒C。如此，結束晶圓處理系統1中之一系列晶圓處理。又，亦可對於在晶圓處理系統1實施了期望之處理之晶圓W，在晶圓處理系統1之外部進行拋光。
透過以上實施態樣，在步驟S9、S13中，利用洗淨液C將晶圓W之表面洗淨，故可將附著於該晶圓W的表面之金屬去除。並且，洗淨液C係從雙流體噴嘴亦即洗淨液噴嘴232向晶圓W之表面噴射，故除了洗淨液C之化學性金屬去除能力，亦發揮洗淨液C之碰撞力之物理性金屬去除能力，而可有效去除金屬。其結果，可維持晶圓W之製品性能。
又，洗淨液C之化學性金屬去除能力充分時，洗淨液噴嘴232亦可利用一般的噴嘴，而非雙流體噴嘴。此情況下，從洗淨液噴嘴232向晶圓W之中心部供給洗淨液C，透過離心力使洗淨液C擴散至外周部。本變形例中，相較於上述實施態樣，金屬之去除能力較差，但洗淨液噴嘴232較為便宜而可減低成本。
又，洗淨液C之物理性金屬去除能力充分時，洗淨液C亦可使用例如純水，而非氫氟酸、FPM等。本變形例中，相較於上述實施態樣，金屬之去除能力較差，但洗淨液C較為便宜而可減低成本。
接著，說明上述步驟S16中之蝕刻液E之組成比例之調整方法。
本實施態樣中，在進行步驟S8、S12中之晶圓W之蝕刻時，蝕刻液E對於複數之晶圓W再利用。此情況下，經過本案發明人研究，蝕刻中因晶圓W(矽)與蝕刻液E(混合酸)之反應而使蝕刻液E之組成比例變化。並且，經過本案發明人對於蝕刻液E之經時變化之研究，得到圖5所示之結果。在圖5中，虛線表示利用初始狀態之蝕刻液E時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。實線表示利用蝕刻了預先決定之片數之晶圓W後之蝕刻液E時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。如圖5所示，將蝕刻液E重複再利用時，蝕刻量整體而言減少。又，晶圓W之中心部之蝕刻量少於外周部之蝕刻量，而使晶圓徑方向之蝕刻剖面變化。其結果，會使蝕刻之製程性能不穩定。
將蝕刻液E重複再利用時，會消耗該蝕刻液E中之氫氟酸。並且，因氫氟酸之濃度減少，使該蝕刻液E因再利用而減少蝕刻量。故，本案發明人嘗試於蝕刻液E追加氫氟酸，並得到圖6所示之結果。在圖6中，虛線表示未對再利用之蝕刻液E追加氫氟酸，而利用該蝕刻液E蝕刻晶圓W時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。實線表示對再利用之蝕刻液E追加氫氟酸，並利用該蝕刻液E蝕刻晶圓W時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。如圖6所示，若在蝕刻液E中追加氫氟酸，會增加晶圓W整體之蝕刻量。但，未改善蝕刻剖面，晶圓W之中心部之蝕刻量仍少於外周部之蝕刻量。
又，本案發明人嘗試於蝕刻液E追加氫氟酸及硝酸，並得到圖7所示之結果。在圖7中，虛線表示未對再利用之蝕刻液E追加氫氟酸及硝酸之任一者，並利用該蝕刻液E蝕刻晶圓W時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。實線表示對再利用之蝕刻液E追加氫氟酸及硝酸，並利用該蝕刻液E蝕刻晶圓W時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。如圖7所示，若在蝕刻液E中追加氫氟酸及硝酸，會增加晶圓W之整體之蝕刻量。但，依然未改善蝕刻剖面，晶圓W之中心部之蝕刻量仍少於外周部之蝕刻量。
又，欲增加整體蝕刻量，較佳除了氫氟酸亦追加硝酸。晶圓W之蝕刻中，氫氟酸及硝酸產生化學性之貢獻，而重複以氫氟酸蝕刻並以硝酸氧化之過程。故，將蝕刻液E重複再利用時，同時消耗蝕刻液E中之氫氟酸及硝酸。但，硝酸之濃度大於氫氟酸之濃度，故雖硝酸之濃度減少，但氫氟酸之濃度減少對於蝕刻之影響較大。故，於蝕刻液E追加氫氟酸可對於蝕刻量之增加產生直接貢獻。但，從長期之觀點而言，為維持蝕刻液E中之氫氟酸與硝酸之濃度平衡，較佳除了氫氟酸亦追加硝酸。
此處，蝕刻液E中之磷酸不對晶圓W之蝕刻產生化學性之貢獻，而不會在該蝕刻中消耗。但，蝕刻晶圓W時作為副生成物生成水。故，磷酸之濃度相對降低。並且，若磷酸之濃度降低，會使蝕刻液E之黏度降低，故在蝕刻中，旋轉中之晶圓W之中心部之蝕刻液E容易向外周部擴散。更具體而言，蝕刻液E之黏度小於晶圓W之旋轉造成之離心力時，蝕刻液E容易向外周部擴散。故，晶圓W之中心部之蝕刻量少於外周部之蝕刻量。
故，本案發明人嘗試於蝕刻液E追加氫氟酸、硝酸及磷酸，並得到圖8所示之結果。在圖8中，虛線表示未對再利用之蝕刻液E追加氫氟酸、硝酸及磷酸之任一者，並利用該蝕刻液E蝕刻晶圓W時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。實線表示對再利用之蝕刻液E追加氫氟酸、硝酸及磷酸，並利用該蝕刻液E蝕刻晶圓W時之晶圓W之蝕刻量之徑方向分布。如圖8所示，若在蝕刻液E中追加氫氟酸、硝酸及磷酸，會增加晶圓W之整體之蝕刻量。又，增加晶圓W之中心部之蝕刻量，而亦改善蝕刻剖面。
又，若僅在蝕刻液E中追加磷酸，氫氟酸之濃度相對降低，故整體之蝕刻量減少。故，在追加磷酸以改善蝕刻剖面時，較佳亦追加氫氟酸。
又，為改善蝕刻剖面而在蝕刻液E中追加之成分，不限於磷酸。只要係不對於晶圓W之蝕刻產生貢獻，且提升蝕刻液E之黏度者，則可在蝕刻液E中追加。
如上所述，經過本案發明人之戮力研究，得到以下發現。
・欲增加整體蝕刻量時，在蝕刻液中追加氫氟酸。
・欲增加整體蝕刻量時，較佳更追加硝酸。
・欲改善蝕刻剖面時，在蝕刻液中追加磷酸。
・欲改善蝕刻剖面時，較佳更追加氫氟酸。
基於上述發現，在步驟S16中調整蝕刻液E之組成比例時，進行以下(1)~(3)之控制。
(1)在步驟S15中測定之晶圓W之厚度分布中，若晶圓W之厚度整體而言較大(蝕刻量較小)，則在蝕刻液E中追加氫氟酸。此時，較佳更追加硝酸。又，所謂晶圓W之厚度整體而言較大，例如係在步驟S15中測定之晶圓W之厚度整體而言大於蝕刻後之晶圓W之目標厚度之情況。
(2)在步驟S15中測定之晶圓W之厚度分布中，若晶圓W之中心部之厚度大於外周部之厚度(晶圓W之中心部之蝕刻量小於外周部之蝕刻量)，則在蝕刻液E中追加磷酸。此時，較佳更追加氫氟酸。
(3)在步驟S15中測定之晶圓W之厚度分布中，若晶圓W之厚度整體而言較大，並且，晶圓W之中心部之厚度大於外周部之厚度，則在蝕刻液E中追加氫氟酸及磷酸。此時，較佳更追加硝酸。
又，在上述(1)~(3)中向蝕刻液E追加之氫氟酸、硝酸、磷酸之追加量之決定方法係任意方式。例如，以預先決定之量追加氫氟酸、硝酸、磷酸，並測定使用此蝕刻液E後之晶圓W之厚度分布，再決定該氫氟酸、硝酸、磷酸之追加量。或者，例如，亦可基於以濃度計243測定之測定結果，決定氫氟酸、硝酸、磷酸之追加量。
並且，進行上述(1)~(3)而調整了組成比例之蝕刻液E，從蝕刻液循環部240經由供液管線241供給至蝕刻液噴嘴230，而再利用於後續之蝕刻。
又，如此透過上述(1)~(3)對於蝕刻液E之組成比例之調整，可對於每個晶圓W進行，亦可對於複數例如每一批量(25片)進行。
透過以上實施態樣，可基於在步驟S15中測定之蝕刻後之晶圓W之厚度分布，在步驟S16中對於蝕刻液E選擇追加氫氟酸、硝酸、磷酸之任一者或複數者，而適當調整該蝕刻液E之組成比例。從而，在對複數之晶圓W進行蝕刻時，即使將蝕刻液E再利用，亦可利用調整了組成比例之蝕刻液E對晶圓W進行面內均勻之蝕刻，而可適當控制蝕刻後之晶圓W的表面形狀。
應了解本發明之實施態樣之全部內容皆為例示而非用於限制。上述之實施態樣可不脫離所附之申請專利範圍及其主旨，而以各種形態省略、置換、變更。
1:晶圓處理系統
10:搬出搬入站
11:處理站
20:匣盒載置台
30,31:翻轉裝置
40:厚度測定裝置
50:蝕刻裝置
51:蝕刻裝置
60:晶圓搬運裝置
61:搬運手臂
70:緩衝裝置
80:洗淨裝置
90:翻轉裝置
100:晶圓搬運裝置
101:搬運手臂
110:加工裝置
111:旋轉台
112:旋轉中心線
113:吸盤
113a:第1吸盤
113b:第2吸盤
130:第1研磨單元
131:第1研磨部
132:支柱
140:第2研磨單元
141:第2研磨部
142:支柱
150:控制裝置
200:晶圓固持部
201:旋轉機構
210:內側杯體
211:排液管線
212:升降機構
220:外側杯體
221:排液管線
230:蝕刻液噴嘴
231:清洗液噴嘴
232:洗淨液噴嘴
233:移動機構
234:移動機構
240:蝕刻液循環部
241:供液管線
242:閥
243:濃度計
244:氫氟酸供給源
245:硝酸供給源
246:磷酸供給源
247,248,249:閥
250:供液管線
251:清洗液供給源
252:閥
260:供液管線
261:洗淨液供給源
262:閥
263:供氣管線
264:氣體供給源
265:閥
A1:第1傳遞位置
A2:第2傳遞位置
B1:第1加工位置
B2:第2加工位置
W:晶圓
C:匣盒
G1:第1處理區塊
G2:第2處理區塊
G3:第3處理區塊
S1~S16:步驟
圖1係表示依本實施態樣之晶圓處理系統之構成概略之俯視圖。
圖2係表示蝕刻裝置之構成概略之側視圖。
圖3係表示晶圓處理之主要步驟之流程圖。
圖4(a)~(c)係表示蝕刻處理之主要步驟之示意圖。
圖5係說明再利用之蝕刻液中未追加成分之情況下之蝕刻量的變化之圖表。
圖6係說明於再利用之蝕刻液中追加氫氟酸之情況下之蝕刻量的變化之圖表。
圖7係說明於再利用之蝕刻液中追加氫氟酸及硝酸之情況下之蝕刻量的變化之圖表。
圖8係說明於再利用之蝕刻液中追加氫氟酸、硝酸及磷酸之情況下之蝕刻量的變化之圖表。
S1~S16:步驟
Claims (18)
- 一種基板處理方法，其係處理基板，並包含以下步驟： 研磨步驟，研磨該基板的表面； 蝕刻步驟，向研磨後之該基板的表面供給蝕刻液，而蝕刻該表面；以及， 金屬去除步驟，向蝕刻後之該基板的表面供給洗淨液，而將附著於該表面之金屬去除。
- 如請求項1所述之基板處理方法，其中， 該洗淨液含有氫氟酸。
- 如請求項2所述之基板處理方法，其中， 該洗淨液，係將氫氟酸與過氧化氫混合之液體。
- 如請求項1~3中任一項所述之基板處理方法，其中， 在將該金屬去除時，該洗淨液在雙流體噴嘴中與氣體混合，並向該基板的表面噴射。
- 如請求項4所述之基板處理方法，其中， 在將該金屬去除時，一邊使該基板旋轉，一邊使該雙流體噴嘴在該基板之中心部與外周部之間移動，並從該雙流體噴嘴噴射該洗淨液。
- 如請求項1~5中任一項所述之基板處理方法，其中， 該蝕刻液含有氫氟酸、硝酸及磷酸。
- 如請求項1~6中任一項所述之基板處理方法，其中， 在該蝕刻中，該基板之表面之蝕刻量係5μm以下。
- 如請求項1~7中任一項所述之基板處理方法，其中， 該研磨步驟，包含研磨該基板之第1面及第2面之步驟； 該蝕刻步驟，包含蝕刻該基板之第1面及第2面之步驟； 該金屬去除步驟，包含將附著於該基板之第1面及第2面之金屬去除之步驟。
- 如請求項8所述之基板處理方法，更包含以下步驟： 測定步驟，在複數點測定蝕刻了該基板之第1面及第2面後之該基板的厚度。
- 一種基板處理系統，其係處理基板，並包含： 研磨部，研磨該基板的表面； 蝕刻液供給部，向研磨後之該基板的表面供給蝕刻液，而蝕刻該表面；以及， 洗淨液供給部，向蝕刻後之該基板的表面供給洗淨液，而將附著於該表面之金屬去除。
- 如請求項10所述之基板處理系統，其中， 該洗淨液含有氫氟酸。
- 如請求項11所述之基板處理系統，其中， 該洗淨液，係將氫氟酸與過氧化氫混合之液體。
- 如請求項10~12中任一項所述之基板處理系統，其中， 該洗淨液供給部包含雙流體噴嘴，其將該洗淨液與氣體混合並噴射。
- 如請求項13所述之基板處理系統，更包含： 液處理裝置，包含該洗淨液供給部；以及， 控制裝置； 該液處理裝置，包含： 基板固持部，固持該基板； 旋轉機構，使該基板固持部旋轉；以及， 移動機構，使該洗淨液供給部向水平方向移動； 該控制裝置，進行以下控制： 在將該金屬去除時，一邊該基板旋轉，一邊使該洗淨液供給部在該基板之中心部與外周部之間移動，並從該洗淨液供給部噴射該洗淨液。
- 如請求項10~14中任一項所述之基板處理系統，其中， 該蝕刻液，含有氫氟酸、硝酸及磷酸。
- 如請求項10~15中任一項所述之基板處理系統，其中， 更包含控制裝置； 該控制裝置進行以下控制： 在該蝕刻中，使該基板之表面之蝕刻量在5μm以下。
- 如請求項10~16中任一項所述之基板處理系統，更包含： 翻轉裝置，翻轉該基板；以及， 複數之液處理裝置，包含該蝕刻液供給部及該洗淨液供給部； 該複數之液處理裝置包含： 第1液處理裝置，蝕刻該基板之第1面； 第2液處理裝置，在以該第1液處理裝置蝕刻了該基板之第1面，並且該翻轉裝置將該基板翻轉後，蝕刻該基板之第2面。
- 如請求項17所述之基板處理系統，更包含： 厚度測定裝置，測定該基板之厚度； 該厚度測定裝置，在複數點測定以該第2液處理裝置蝕刻了該基板之第2面後之該基板之厚度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-138891 | 2021-08-27 | ||
| JP2021138891 | 2021-08-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202316513A true TW202316513A (zh) | 2023-04-16 |
Family
ID=85321994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111130531A TW202316513A (zh) | 2021-08-27 | 2022-08-15 | 基板處理方法及基板處理系統 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20240046268A (zh) |
| CN (1) | CN117836908A (zh) |
| TW (1) | TW202316513A (zh) |
| WO (1) | WO2023026909A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11135464A (ja) | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP2005203507A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Siltronic Japan Corp | 半導体ウェーハの加工方法および半導体ウェーハ処理装置 |
| JP4638402B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2011-02-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2013084869A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-09 | Globalwafers Japan Co Ltd | シリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法 |
| JP7329391B2 (ja) * | 2019-08-23 | 2023-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
-
2022
- 2022-08-15 TW TW111130531A patent/TW202316513A/zh unknown
- 2022-08-17 KR KR1020247009528A patent/KR20240046268A/ko unknown
- 2022-08-17 WO PCT/JP2022/031022 patent/WO2023026909A1/ja active Application Filing
- 2022-08-17 CN CN202280056923.1A patent/CN117836908A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20240046268A (ko) | 2024-04-08 |
| CN117836908A (zh) | 2024-04-05 |
| WO2023026909A1 (ja) | 2023-03-02 |
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