JP5148465B2 - 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 - Google Patents

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Description

本発明は、被処理体に洗浄液を供給して処理する液処理方法と、このような液処理方法を実施する液処理装置と、液処理装置にこのような液処理方法を実施させる記憶媒体に関する。
従来から、被処理体である基板を内部で処理するチャンバーと、チャンバーの上流側に接続された処理液供給管（洗浄液供給管）と、処理液供給管に薬液を供給するために接続された薬液供給管と、処理液供給管にリンス液を供給するために接続されたリンス液供給管と、処理液供給管の上流側端部と薬液供給管およびリンス液供給管とを互いに接続する多連バルブと、を備えた基板処理ユニット（液処理装置）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
そして、このような基板処理ユニットを利用した基板処理方法としては、薬液供給管から処理液供給管に薬液を供給して基板を処理した後、リンス液供給管から処理液供給管にリンス液を供給して基板を処理する方法が用いられる。
特開２００７−３１７９２７号公報
しかしながら、従来の基板処理ユニットにおいて、薬液供給管から処理液供給管に薬液を供給する際には多連バルブ内に薬液が付着してしまう（特に、高濃度の薬液を用いた場合や、リンス液よりも多連バルブと親和性の強い薬液を用いた場合には顕著になる）。このため、リンス液を基板に供給する際に、多連バルブ内の薬液がリンス液に混じって基板へ供給されてしまう。この結果、このような薬液によって基板がオーバーエッチングされることなどがある。また、処理液供給管と多連バルブ内の薬液を追い出すためにリンス液を供給する時間を長くする必要があり、基板を処理するスループットが低下してしまうこともある。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、短時間で多連バルブ内をリンス液で確実に洗い流すことができ、ひいては、オーバーエッチングすることなく高いスループットで被処理体を処理することができる液処理方法と、このような液処理方法を実施する液処理装置と、液処理装置にこのような液処理方法を実施させる記憶媒体を提供することを目的とする。
本発明による液処理方法は、
薬液供給管に設けられた薬液供給バルブ、リンス液供給管に設けられたリンス液供給バルブおよび排出路に設けられた排出バルブを有する多連バルブと、該多連バルブに連結され該多連バルブを経た薬液およびリンス液を被処理体に向かって案内する洗浄液供給管を介して、該被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する液処理方法であって、
前記薬液供給バルブを開状態にして、薬液供給部から供給される薬液を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、前記リンス液供給バルブと排出バルブの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液の一部を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給するとともに、該リンス液の残部を前記多連バルブ内で前記排出路に向かって流すバルブリンス工程と、
を備えている。
本発明による液処理装置は、
薬液供給管に設けられた薬液供給バルブ、リンス液供給管に設けられたリンス液供給バルブ、および、排出路に設けられた排出バルブを有する多連バルブと、
被処理体を処理するための薬液を供給する薬液供給部と、
前記被処理体を処理するためのリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記多連バルブに連結され、該多連バルブを経た薬液およびリンス液を、前記被処理体に向かって案内する洗浄液供給管と、
前記多連バルブを制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置が、
前記薬液供給バルブを開状態にして、前記薬液供給部から供給される薬液を前記被処理体に供給させ、
その後、前記リンス液供給バルブと前記排出バルブの両方を開状態にして、前記リンス液供給部から供給されるリンス液を前記被処理体に供給させるとともに、該リンス液を前記多連バルブ内で前記排出路に向かって流させる。
本発明による記憶媒体は、
薬液供給管に設けられた薬液供給バルブ、リンス液供給管に設けられたリンス液供給バルブおよび排出路に設けられた排出バルブを有する多連バルブと、該多連バルブに連結され該多連バルブを経た薬液およびリンス液を被処理体に向かって案内する洗浄液供給管を含む液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記液処理方法が、
前記薬液供給バルブを開状態にして、薬液供給部から供給される薬液を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、前記リンス液供給バルブと排出バルブの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液の一部を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給するとともに、該リンス液の残部を前記多連バルブ内で前記排出路に向かって流すバルブリンス工程と、
を有している。
本発明によれば、リンス液供給バルブと排出バルブの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液の一部を被処理体に供給するとともに、当該リンス液の残部を多連バルブ内で排出路に向かって流すので、短時間で多連バルブ内をリンス液で確実に洗い流すことができ、ひいては、オーバーエッチングすることなく高いスループットで被処理体を処理することができる。
発明を実施するための形態
第１の実施の形態
以下、本発明に係る液処理方法、液処理装置および記憶媒体の第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図４は本発明の第１の実施の形態を示す図である。
図１に示すように、液処理装置は、被処理体である半導体ウエハＷ（以下、ウエハＷと呼ぶ）を保持部３１で保持する中空形状からなる保持プレート３０と、保持プレート３０に固定連結され中空形状からなる回転軸３５と、回転軸３５を所定の回転方向に回転駆動する回転駆動部６０と、を備えている。
このうち、回転駆動部６０は、図１に示すように、回転軸３５の周縁外方に配置されたプーリ６３と、このプーリ６３に駆動ベルト６２を介して駆動力を付与するモータ６１とを有している。また、回転軸３５の周縁外方にはベアリング６６が配置されている。
また、図１に示すように、保持プレート３０の中空内には、搬入出時にウエハＷを昇降させるリフトピン４１を有するリフトピンプレート４０が配置されている。また、回転軸３５の中空内には、リフトピンプレート４０に固定連結されたリフト軸４５が上下方向に延在している。なお、図１では、一つのリフトピン４１しか示されていないが、複数（例えば３つ）のリフトピン４１が周方向に等間隔で配置されている。
また、図１に示すように、リフト軸４５とリフトピンプレート４０内には、保持プレート３０に保持されたウエハＷの下面（保持部３１側の面）側に洗浄液Ｃ，Ｒ（図２参照）を供給するための洗浄液供給管５（薬液Ｃを供給するときには薬液供給管を構成する）が上下方向に延在している。また、図１に示すように、リフト軸４５とリフトピンプレート４０内には、保持プレート３０に保持されたウエハＷの対向する面（下面）にＮ２やＡｒなどからなる不活性ガスや空気（図２（ｅ）（ｈ）では不活性ガスであるＮ２を示している）を供給するためのガス供給管２５が延在している。なお、このガス供給管２５には、当該ガス供給管２５にガスを供給するガス供給部２０が連結されている。ここで、ウエハＷに供給されるガスは、不活性ガスからなることが好ましい。
ところで、本願で洗浄液Ｃ，Ｒとは、薬液Ｃやリンス液Ｒのことを意味している。そして、薬液Ｃとしては、例えば、濃厚フッ酸、希フッ酸、アンモニア過水(ＳＣ１)、塩酸過水(ＳＣ２)、有機溶剤などを用いることができる。他方、リンス液Ｒとしては、例えば、純水（ＤＩＷ）などを用いることができる。
また、図１に示すように、洗浄液供給管５には、多連バルブ１０を介して薬液Ｃを供給する薬液供給部１６と、同様に多連バルブ１０を介してリンス液Ｒを供給するリンス液供給部１７が連結されている。より具体的には、薬液供給部１６には薬液供給管１ａが連結され、この薬液供給管１ａには多連バルブ１０を介して洗浄液供給管５が連結されている。また、同様に、リンス液供給部１７にはリンス液供給管２ａが連結され、このリンス液供給管２ａには多連バルブ１０を介して洗浄液供給管５が連結されている。なお、本実施の形態では、薬液供給部１６、薬液供給管１ａ、薬液供給バルブ１１ａ（後述する）および洗浄液供給管５によって、薬液供給機構が構成され、リンス液供給部１７、リンス液供給管２ａ、リンス液供給バルブ１２ａ（後述する）および洗浄液供給管５によって、リンス液供給機構が構成されている。
また、図１に示すように、多連バルブ１０には、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内の薬液Ｃを排出するための薬液排出管１ｂと、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内のリンス液Ｒを排出するためのリンス液排出管２ｂが連結されている。このように排出された薬液Ｃやリンス液Ｒは、排液として処理されてもよいし、薬液供給部１６やリンス液供給部１７に戻されて再利用されてもよい。なお、本実施の形態では、排出された薬液Ｃは薬液供給部１６に戻されて再利用され、排出されたリンス液Ｒは排液として処理される態様を用いて説明する。
なお、本願で多連バルブ１０とは、複数のバルブを有し、各バルブが独立して開閉自在となっているものを意味している。そして、本実施の形態では、多連バルブ１０は、薬液供給管１ａと洗浄液供給管５との間に設けられて開閉自在となった薬液供給バルブ１１ａと、リンス液供給管２ａと洗浄液供給管５との間に設けられて開閉自在となったリンス液供給バルブ１２ａと、洗浄液供給管５と薬液排出管１ｂとの間に設けられて開閉自在となった薬液排出バルブ１１ｂと、洗浄液供給管５とリンス液排出管２ｂとの間に設けられて開閉自在となったリンス液排出バルブ１２ｂと、を有している。ここで、薬液排出バルブ１１ｂとリンス液排出バルブ１２ｂによって排出バルブが構成されている。
また、図１に示すように、リフト軸４５には、リフトピンプレート４０およびリフト軸４５を昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材７０が設けられている。
ところで、本実施の形態では、薬液供給管１ａと洗浄液供給管５によって薬液供給路が構成され、リンス液供給管２ａと洗浄液供給管５によってリンス液供給路が構成され、薬液排出管１ｂによって薬液排出路が構成され、リンス液排出管２ｂによってリンス液排出路が構成されている。また、このような薬液排出路（薬液排出管１ｂ）とリンス液排出路（リンス液排出管２ｂ）によって排出路が構成されている。
なお、排出路の構成は、上述のような態様に限られることなく、例えば、図３（ａ）に示すように、薬液Ｃとリンス液Ｒの両方を排出する排出管３によって排出路が構成されていてもよい。また、図３（ｂ）に示すように、薬液Ｃとリンス液Ｒの両方を排出する排出管３と、当該排出管３に分岐バルブ１３ｂを介して連結されて薬液Ｃを排出する薬液排出管１ｂと、排出管３に分岐バルブ１３ｂを介して連結されてリンス液Ｒを排出するリンス液排出管２ｂとから排出路が構成されていてもよい。このような図３（ａ）（ｂ）に示す態様では、排出バルブ１３ａが、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂの代わりに設けられることとなる。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用効果について述べる。
まず、昇降部材７０によって、リフトピンプレート４０が上方位置（ウエハ搬送ロボット（図示せず）がウエハＷを受け渡す位置）に位置づけられる（第一上方位置づけ工程）。より具体的には、昇降部材７０によってリフト軸４５が上方位置に位置づけられ、このことによって、リフト軸４５に固定連結されたリフトピンプレート４０が上方位置に位置づけられる。
次に、ウエハ搬送ロボット（図示せず）によって、リフトピンプレート４０のリフトピン４１上にウエハＷが載置され（搬入工程）、当該リフトピン４１によってウエハＷの下面が支持される（第一支持工程）。
次に、昇降部材７０によって、リフトピンプレート４０が下方位置（ウエハＷを洗浄液Ｃ，Ｒによって処理する位置）に位置づけられる（下方位置づけ工程）。より具体的には、昇降部材７０によってリフト軸４５が下方位置に位置づけられ、このことによって、リフト軸４５に固定連結されたリフトピンプレート４０が下方位置に位置づけられる。
このようにリフトピンプレート４０が下方位置に位置づけられる途中で、保持プレート３０の保持部３１によって、ウエハＷが保持される（保持工程）（図１参照）。
次に、回転駆動部６０によって回転軸３５が回転駆動されることによって、保持プレート３０で保持されたウエハＷが回転される（回転工程）（図１参照）。なお、このように保持プレート３０に保持されたウエハＷが回転している間に、以下の工程が行われる。
まず、薬液供給部１６によってウエハＷの下面（保持部３１側の面）に薬液Ｃが供給される（薬液供給工程）（図２（ａ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０の薬液供給バルブ１１ａを開状態とし、リンス液供給バルブ１２ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、薬液供給部１６から薬液Ｃが供給される。このため、薬液供給部１６から供給された薬液Ｃは、薬液供給管１ａ、多連バルブ１０および洗浄液供給管５を順次経て、ウエハＷの下面に供給されることとなる。
なお、ウエハＷの下面に供給された薬液Ｃは、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの下面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このことによって、ウエハＷの下面が薬液Ｃによって処理されることとなるが、このとき、当該薬液Ｃが飛び散って、ウエハＷの下面側に位置するリフトピンプレート４０（リフトピン４１を含む）および保持プレート３０に付着する。
次に、薬液供給工程で供給された薬液Ｃが排出される（薬液排出工程）（図２（ｂ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０の薬液排出バルブ１１ｂを開状態とし、かつ、薬液供給バルブ１１ａ、リンス液供給バルブ１２ａおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とすることで、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内の薬液Ｃが薬液排出管１ｂに排出される。なお、本実施の形態では、このようにして排出された薬液Ｃは薬液供給部１６に戻されて再利用される。
次に、リンス液供給部１７によってウエハＷの下面にリンス液Ｒが供給される（プレリンス液供給工程）（図２（ｃ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａを開状態とし、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給される。このため、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒは、リンス液供給管２ａ、多連バルブ１０および洗浄液供給管５を順次経て、ウエハＷの下面に供給されることとなる。
このようにウエハＷの下面に供給されたリンス液Ｒは、やはり、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの下面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このことによって、ウエハＷの下面の薬液Ｃによる反応を迅速に止めることができる。すなわち、本実施の形態では、大量のリンス液ＲをウエハＷの下面に一気に供給するプレリンス液供給工程が、ウエハＷの下面に供給するリンス液Ｒの量が少なくなってしまうバルブリンス工程（後述）の前に行われるので、ウエハＷの下面と薬液Ｃとの反応を迅速に止めることができる。
次に、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａとリンス液排出バルブ１２ｂの両方を開状態とし、薬液供給バルブ１１ａおよび薬液排出バルブ１１ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給される（図２（ｄ）参照）。このため、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒの一部がウエハＷの下面に供給され、他方、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒの残部が多連バルブ１０内でリンス液排出管２ｂに向かって流れることとなる（バルブリンス工程）。
このように、本実施の形態によれば、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒが、多連バルブ１０内をリンス液排出管２ｂに向かって流れるので、多連バルブ１０内をリンス液Ｒで洗い流すことができる。このため、リンス液供給部１７からリンス液Ｒを供給する時間を長くすることなく、多連バルブ１０内に付着した薬液Ｃを確実に除去することができ、ひいては、オーバーエッチングすることなく高いスループットでウエハＷを処理することができる。
すなわち、従来技術のように、バルブリンス工程を行わない場合には、多連バルブ１０内に付着した薬液Ｃを除去するために、リンス液供給部１７からリンス液Ｒを供給する時間（プレリンス工程と後述する仕上げリンス液供給工程の時間）を長くする必要があり、ウエハＷを処理するスループットが低下してしまっている。これに対して、本実施の形態によれば、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒを、多連バルブ１０内でリンス液排出管２ｂに向かって流すことができるので、短時間で多連バルブ１０内をリンス液Ｒで確実に洗い流すことができ、ひいては、オーバーエッチングすることなく高いスループットでウエハＷを処理することができる。
なお、バルブリンス工程で、リンス液供給バルブ１２ａを開状態として、ウエハＷの下面にリンス液Ｒを供給し続けるのは、ウエハＷの下面から薬液Ｃが完全に除去されていない段階で当該下面が乾燥することを防止するためである。
上述のようにバルブリンス工程が終了すると、ガス供給部２０によってウエハＷの下面にガス（例えばＮ２）が供給され、かつ、リンス液供給部１７によってウエハＷの下面にリンス液Ｒが供給される。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａを開状態とし、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給され、かつ、ガス供給部２０によってガスが供給される。このことによって、リンス液滴が生成され、当該リンス液滴がウエハＷの下面に供給される（リンス液滴供給工程）（図２（ｅ）参照）。
このように、ウエハＷの保持部３１側の面にリンス液Ｒとガスが同時に供給されるので、ガスがガス供給管２５の上端部から周縁外方に広がろうとする力によって、洗浄液供給管５の上端部から供給されるリンス液Ｒの進む方向が乱されて、当該リンス液Ｒが全方向に液滴となって広がる（図１および図２（ｅ）参照）。
このため、洗浄液供給管５から供給されるリンス液Ｒは、ウエハＷ、リフトピンプレート４０および保持プレート３０上に飛び散り、これらリフトピンプレート４０（リフトピン４１を含む）および保持プレート３０に衝突する。そして、リフトピンプレート４０に付着したリンス液Ｒは、保持プレート３０およびウエハＷが回転することによって発生する旋回流によって保持プレート３０に向かって流され、また、保持プレート３０上のリンス液Ｒは、保持プレート３０に加わる遠心力によって周縁外方に向かって流される。このため、リフトピンプレート４０（リフトピン４１を含む）および保持プレート３０が、リンス液Ｒによって満遍なく洗い流されることとなる。
この結果、後述する第二支持工程でリフトピン４１がウエハＷの下面に当接する際に、リフトピン４１に付着した薬液ＣがウエハＷの下面に付着することを防止することができる。また、保持プレート３０に付着した薬液Ｃが、当該保持プレート３０が回転されることによって、乾燥処理が施されたウエハＷ（後述する乾燥工程を経た後のウエハＷ）に付着したり、リフトピンプレート４０や保持プレート３０に付着した薬液Ｃが次回以降に処理されるウエハＷに悪影響（ウエハＷが汚染されること）を及ぼすことも防止することができる。
上述のようにリンス液滴供給工程が行われると、次に、リンス液供給部１７によってウエハＷの下面にリンス液Ｒが供給される（仕上げリンス液供給工程）（図２（ｆ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａを開状態とし、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給される。このため、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒは、リンス液供給管２ａ、多連バルブ１０および洗浄液供給管５を順次経て、ウエハＷの下面に供給されることとなる。
このようにウエハＷの下面に供給されたリンス液Ｒは、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの下面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このように、バルブリンス工程およびリンス液滴供給工程においてウエハＷの下面に供給される量よりも多い量のリンス液Ｒを、ウエハＷの下面に一気に供給することによって、ウエハＷの下面に付着した薬液Ｃを確実に洗い流すことができる。
ところで、本実施の形態では、バルブリンス工程を行った後に、リンス液滴供給工程および仕上げリンス液供給工程を行っているので、リフトピンプレート４０、保持プレート３０およびウエハＷの下面を効率よくリンス液Ｒで洗浄することができる。すなわち、多連バルブ１０内の薬液Ｃを確実に洗い流した後で、リフトピンプレート４０および保持プレート３０をリンス液Ｒで洗浄し（リンス液滴供給工程）、かつ、ウエハＷの下面を洗浄する（仕上げリンス液供給工程）ので、純度の高いリンス液Ｒでリフトピンプレート４０、保持プレート３０およびウエハＷの下面を洗浄することができる。この結果、リフトピンプレート４０、保持プレート３０およびウエハＷの下面を効率よくリンス液Ｒで洗浄することができる。
上述のように仕上げリンス液供給工程が行われると、仕上げリンス液供給工程で供給されたリンス液Ｒが排出される（リンス液排出工程）（図２（ｇ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液排出バルブ１２ｂを開状態とし、かつ、薬液供給バルブ１１ａ、リンス液供給バルブ１２ａおよび薬液排出バルブ１１ｂを閉状態とすることで、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内のリンス液Ｒがリンス液排出管２ｂに排出される。なお、本実施の形態では、このようにして排出されたリンス液Ｒは排液として処理される。
次に、ガス供給部２０によってウエハＷの下面にガスが供給される（乾燥工程）（図２（ｈ）参照）。そして、所定時間だけガスが供給されると、ガスの供給が停止され、かつ、回転駆動部６０による回転軸３５の回転も停止される。
次に、昇降部材７０によって、リフトピンプレート４０が上方に移動され、リフトピンプレート４０のリフトピン４１によってウエハＷが支持されて持ち上げられる（第二支持工程）。その後、リフトピンプレート４０が上方位置（ウエハ搬送ロボット（図示せず）にウエハＷを受け渡す位置）に位置づけられる（第二上方位置づけ工程）。次に、リフトピン４１上のウエハＷが、ウエハ搬送ロボット（図示せず）によって搬出される（搬出工程）。
ところで、本実施の形態においては、上述した液処理方法の各工程（第一上方位置づけ工程から第二上方位置づけ工程まで）を実行させるためのコンピュータプログラムが記憶媒体５２に格納されている（図１参照）。そして、液処理装置は、記憶媒体５２を受け付けるコンピュータ５５と、当該コンピュータ５５からの信号を受けて、液処理装置自身（少なくとも、回転駆動部６０、多連バルブ１０およびガス供給部２０）を制御する制御装置５０とを備えている。このため、上述した記憶媒体５２をコンピュータ５５に挿入する（または取り付ける）ことで、制御装置５０によって、上述した一連の液処理方法を液処理装置に実行させることができる。なお、本願において記憶媒体５２とは、ＣＤ，ＤＶＤ，ＭＤ，ハードディスク、ＲＡＭなどを意味している。
なお、上記では、一端（図１の左側）から他端（図１の右側）に向かって順に、薬液供給バルブ１１ａ、リンス液供給バルブ１２ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを有する多連バルブ１０を用いて説明したが、これに限られることなく、例えば図４に示すように、一端（図４の左側）から他端（図４の右側）に向かって順に、リンス液供給バルブ１２ａ、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを有する多連バルブ１０を用いてもよい。
このような多連バルブ１０によれば、バルブリンス工程において、一端に位置するリンス液供給バルブ１２ａから多連バルブ１０内に流入したリンス液Ｒを、他端に位置するリンス液排出バルブ１２ｂで排出することができ、多連バルブ１０内をより効率よくリンス液Ｒで洗い流すことができ、ひいては、より高いスループットでウエハＷを処理することができるので好ましい。
また、本実施の形態では、リフト軸４５およびリフトピンプレート４０内で洗浄液供給管５とガス供給管２５が並列に設けられ、ガスがガス供給管２５の上端部から周縁外方に広がろうとする力によって、洗浄液供給管５の上端部から供給されるリンス液Ｒの進む方向が乱されて、当該リンス液Ｒが全方向に液滴となって広がる態様を用いて説明した。
しかしながら、これに限られることなく、例えば、リフト軸４５内またはリフトピンプレート４０内で、洗浄液供給管５とガス供給管２５とが一体となる態様を用いてもよい。この場合には、洗浄液供給管５とガス供給管２５とが一体となった部分でリンス液とガスが混合されて、洗浄液供給管５（またはガス供給管２５）の上端部から周縁外方に広がろうとするガスの力によって、洗浄液供給管５（またはガス供給管２５）の上端部から供給されるリンス液Ｒの進む方向が乱されて、当該リンス液Ｒが全方向に液滴となって広がることとなる。
第２の実施の形態
次に、図５および図６により、本発明の第２の実施の形態について説明する。図５および図６に示す第２の実施の形態は、ウエハＷの下面に洗浄液が供給される代わりに、洗浄液供給部８５によって、ウエハＷの上面に洗浄液が供給されるものであり、その他の構成は図１乃至図４に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、第２の実施の形態では、チャンバー８０が設けられており、処理されるウエハＷは、当該チャンバー８０内で保持部３１’によってその下面が保持される。
図５および図６に示す第２の実施の形態において、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
以下、本実施の形態の作用効果について述べる。なお、本実施の形態の作用効果は、第１の実施の形態の作用効果と重複する部分が多いため、簡単に説明する。
まず、回転軸３５’が昇降部材７０によって上方に移動され、保持部３１’が上方位置に位置づけられる（第一上方位置づけ工程）。その後、ウエハ搬送ロボット（図示せず）によって、ウエハＷがチャンバー８０内の保持部３１’上に載置され、当該保持部３１’によってウエハＷの下面が保持される（保持工程）（図５参照）。次に、回転軸３５’が昇降部材７０によって下方に移動され、保持部３１’が下方位置に位置づけられる。
次に、回転駆動部６０によって回転軸３５’が回転駆動されることによって、保持部３１’で保持されたウエハＷが回転される（回転工程）（図５参照）。
次に、薬液供給部１６によってウエハＷの上面（保持部３１と反対側の面）に薬液Ｃが供給される（薬液供給工程）（図６（ａ）参照）。なお、ウエハＷの上面に供給された薬液Ｃは、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの上面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このことによって、ウエハＷの上面が薬液Ｃによって処理されることとなる。
次に、薬液供給工程で供給された薬液Ｃが排出される（薬液排出工程）（図６（ｂ）参照）。
次に、リンス液供給部１７によってウエハＷの上面にリンス液Ｒが供給される（プレリンス液供給工程）（図６（ｃ）参照）。このようにウエハＷの上面に供給されたリンス液Ｒは、やはり、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの上面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このことによって、ウエハＷの上面の薬液Ｃによる反応を迅速に止めることができる。
次に、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａとリンス液排出バルブ１２ｂの両方を開状態とし、薬液供給バルブ１１ａおよび薬液排出バルブ１１ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給される。このため、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒの一部がウエハＷの上面に供給され、他方、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒの残部が多連バルブ１０内でリンス液排出管２ｂに向かって流れることとなる（バルブリンス工程）（図６（ｄ）参照）。
このように、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒが、多連バルブ１０内をリンス液排出管２ｂに向かって流れるので、多連バルブ１０内をリンス液Ｒで洗い流すことができる。このため、リンス液供給部１７からリンス液Ｒを供給する時間を長くすることなく、多連バルブ１０内に付着した薬液Ｃを確実に除去することができ、ひいては、高いスループットでウエハＷを処理することができる。
上述のようにバルブリンス工程が終了すると、次に、リンス液供給部１７によってウエハＷの上面にリンス液Ｒが供給される（仕上げリンス液供給工程）（図６（ｅ）参照）。このようにウエハＷの上面に供給されたリンス液Ｒは、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの上面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このように、バルブリンス工程で供給されるよりも多い流量のリンス液ＲをウエハＷの上面に一気に供給することによって、ウエハＷの上面に付着した薬液Ｃを確実に洗い流すことができる。
そして、所定時間だけリンス液Ｒが供給されると、リンス液Ｒの供給が停止され、その後、仕上げリンス液供給工程で供給されたリンス液Ｒが排出される（リンス液排出工程）（図６（ｆ）参照）。その後、回転駆動部６０によって回転軸３５’が所定の時間の間だけ回転されてウエハＷが乾燥された後、当該回転軸３５’の回転が停止される。
このように回転軸３５’の回転が停止されると、回転軸３５’が昇降部材７０によって上方に移動され、保持部３１’が上方位置に位置づけられる（第二上方位置づけ工程）。その後、保持部３１’上のウエハＷが、ウエハ搬送ロボット（図示せず）によって搬出される（搬出工程）。
ところで、本実施の形態においても、上述した液処理方法の各工程（第一上方位置づけ工程から第二上方位置づけ工程まで）を実行させるためのコンピュータプログラムが記憶媒体５２に格納されている（図５参照）。そして、液処理装置は、記憶媒体５２を受け付けるコンピュータ５５と、当該コンピュータ５５からの信号を受けて、液処理装置自身（少なくとも、回転駆動部６０および多連バルブ１０）を制御する制御装置５０とを備えている。このため、上述した記憶媒体５２をコンピュータ５５に挿入する（または取り付ける）ことで、制御装置５０によって、上述した一連の液処理方法を液処理装置に実行させることができる。
なお、本実施の形態でも、一端から他端に向かって順に、リンス液供給バルブ１２ａ、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを有する多連バルブ１０を用いてもよい（図４参照）。
本発明の第１の実施の形態による液処理装置の構成を示す概略図。 本発明の第１の実施の形態による液処理方法の態様を示す概略図。 本発明の第１の実施の形態の変形例による液処理方法の態様を示す概略図。 本発明の第１の実施の形態の別の変形例による液処理装置の構成を示す概略図。 本発明の第２の実施の形態による液処理装置の構成を示す概略図。 本発明の第２の実施の形態による液処理方法の態様を示す概略図。
符号の説明
１ａ 薬液供給管
１ｂ 薬液排出管
２ａ リンス液供給管
２ｂ リンス液排出管
５ 洗浄液供給管
１０ 多連バルブ
１１ａ 薬液供給バルブ
１１ｂ 薬液排出バルブ
１２ａ リンス液供給バルブ
１２ｂ リンス液排出バルブ
１６ 薬液供給部
１７ リンス液供給部
２０ 不活性ガス供給部
３０ 保持プレート
３１ 保持部
４０ リフトピンプレート
４１ リフトピン
５０ 制御装置
５２ 記憶媒体
６０ 回転駆動部
Ｃ 薬液
Ｒ リンス液
Ｗ ウエハ（被処理体）

Claims (9)

  1. 薬液供給管に設けられた薬液供給バルブ、リンス液供給管に設けられたリンス液供給バルブおよび排出路に設けられた排出バルブを有する多連バルブと、該多連バルブに連結され該多連バルブを経た薬液およびリンス液を被処理体に向かって案内する洗浄液供給管を介して、該被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する液処理方法であって、
    前記薬液供給バルブを開状態にして、薬液供給部から供給される薬液を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給する薬液供給工程と、
    前記薬液供給工程の後で行われ、前記リンス液供給バルブと排出バルブの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液の一部を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給することで当該被処理体が乾燥することを防止するとともに、該リンス液の残部を前記多連バルブ内で前記排出路に向かって流すバルブリンス工程と、
    を備えたことを特徴とする液処理方法。
  2. 前記バルブリンス工程の後で行われ、前記リンス液供給バルブを開状態にするとともに前記排出バルブを閉状態にして、前記リンス液供給部から供給されるリンス液を前記被処理体に供給する仕上げリンス液供給工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の液処理方法。
  3. 前記薬液供給工程の後で行われ、前記排出バルブを開状態にして、前記洗浄液供給管内の薬液を排出する薬液排出工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の液処理方法。
  4. 前記バルブリンス工程の前に行われ、前記リンス液供給バルブを開状態にして、前記リンス液供給部から供給されるリンス液を前記被処理体に供給するプレリンス液供給工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液処理方法。
  5. 前記仕上げリンス液供給工程の後で行われ、前記排出バルブを開状態にして、前記洗浄液供給管内のリンス液を排出するリンス液排出工程をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の液処理方法。
  6. 薬液供給管に設けられた薬液供給バルブ、リンス液供給管に設けられたリンス液供給バルブ、および、排出路に設けられた排出バルブを有する多連バルブと、
    被処理体を処理するための薬液を供給する薬液供給部と、
    前記被処理体を処理するためのリンス液を供給するリンス液供給部と、
    前記多連バルブに連結され、該多連バルブを経た薬液およびリンス液を、前記被処理体に向かって案内する洗浄液供給管と、
    前記多連バルブを制御する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、
    前記薬液供給バルブを開状態にして、前記薬液供給部から供給される薬液を前記被処理体に供給させ、
    その後、前記リンス液供給バルブと前記排出バルブの両方を開状態にして、前記リンス液供給部から供給されるリンス液を前記被処理体に供給させることで当該被処理体が乾燥することを防止するとともに、該リンス液を前記多連バルブ内で前記排出路に向かって流させることを特徴とする液処理装置。
  7. 前記制御装置は、前記リンス液供給バルブと前記排出バルブの両方を開状態にした後で、前記リンス液供給バルブを開状態にするとともに前記排出バルブを閉状態にして、前記リンス液供給部から供給されるリンス液を前記被処理体に供給させることを特徴とする請求項６に記載の液処理装置。
  8. 前記制御装置は、前記リンス液供給バルブと前記排出バルブの両方を開状態にする前に、前記リンス液供給バルブのみを開状態にして、前記リンス液供給部から供給されるリンス液を前記被処理体に供給させることを特徴とする請求項６または７のいずれか１項に記載の液処理装置。
  9. 薬液供給管に設けられた薬液供給バルブ、リンス液供給管に設けられたリンス液供給バルブおよび排出路に設けられた排出バルブを有する多連バルブと、該多連バルブに連結され該多連バルブを経た薬液およびリンス液を被処理体に向かって案内する洗浄液供給管を含む液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
    前記液処理方法は、
    前記薬液供給バルブを開状態にして、薬液供給部から供給される薬液を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給する薬液供給工程と、
    前記薬液供給工程の後で行われ、前記リンス液供給バルブと排出バルブの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液の一部を前記洗浄液供給管を介して前記被処理体に供給することで当該被処理体が乾燥することを防止するとともに、該リンス液の残部を前記多連バルブ内で前記排出路に向かって流すバルブリンス工程と、
    を有する方法であることを特徴とする記憶媒体。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5203435B2 (ja) * 2010-09-17 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置
JP5762925B2 (ja) * 2010-12-28 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP6090144B2 (ja) * 2013-12-13 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 切替弁、液処理装置
JP6320945B2 (ja) * 2015-01-30 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7461288B2 (ja) 2020-12-28 2024-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、洗浄ユニット、および、多連弁洗浄方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
JP3495208B2 (ja) * 1996-11-05 2004-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
JPH1126420A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Tokyo Electron Ltd 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JP3739220B2 (ja) * 1998-11-19 2006-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法及びその装置
DE10024969A1 (de) * 2000-05-22 2001-12-06 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren für die Bestimmung von Substrat- und Produktkonzentrationen in einem Medium
WO2002074703A1 (fr) * 2001-03-12 2002-09-26 Ebara Corporation Procede et dispositif de traitement de fluides
TWI226077B (en) * 2001-07-05 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2003086561A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100897431B1 (ko) * 2001-11-27 2009-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리장치 및 액처리방법
JP3958594B2 (ja) * 2002-01-30 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004267965A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び処理液切替方法
CN1942606B (zh) * 2004-04-15 2011-12-14 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
JP4849958B2 (ja) * 2006-05-26 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理ユニットおよび基板処理方法
JP4638402B2 (ja) * 2006-10-30 2011-02-23 大日本スクリーン製造株式会社 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP2008124503A (ja) * 2008-02-01 2008-05-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

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