JP2003086561A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2003086561A
JP2003086561A JP2001271728A JP2001271728A JP2003086561A JP 2003086561 A JP2003086561 A JP 2003086561A JP 2001271728 A JP2001271728 A JP 2001271728A JP 2001271728 A JP2001271728 A JP 2001271728A JP 2003086561 A JP2003086561 A JP 2003086561A
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Japan
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pure water
supply pipe
chemical
control valve
water supply
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JP2001271728A
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Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薬液処理後に純水または別の薬液を用いた処
理を行う際に、純水または別の薬液中に薬液が混入する
ことを防止できる装置を提供する。 【解決手段】 基板Wが浸漬処理される処理槽10と、
処理槽の液体供給口12に接続された液体供給管18
と、液体供給管に接続され薬液と純水とが混合されるミ
キシングブロック20と、ミキシングブロックにそれぞ
れ接続された純水供給管24および薬液供給管28とを
備え、薬液供給管28の、開閉制御弁26とミキシング
ブロック20との間に、開閉制御弁62が介挿されたパ
ージ用純水供給管64を連通接続し、開閉制御弁26を
閉じた後に開閉制御弁62を所定時間だけ開くように制
御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を処理
液により処理する基板処理装置、特に、薬液による処理
と純水によるリンス処理とを1つの処理部内において行
う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいて、例えば基板の表面に付着したパーティクルや有
機物を基板表面から除去する場合には、アンモニア水と
過酸化水素と純水とを混合した薬液を用いて基板を洗浄
し、その洗浄後に、基板の表面上に残存している薬液や
分解生成物、反応生成物等の不要物を純水によりリンス
処理して除去するようにしている。そして、ワンバス方
式の装置では、1つの処理槽内へ薬液および純水を順次
供給して処理槽の内部を薬液および純水で順番に満た
し、薬液による洗浄等の処理および純水によるリンス処
理が1つの処理槽内において行われる。
【0003】図4に、従来の基板処理装置の概略構成の
1例を模式的に示す。この基板処理装置は、下部に液体
供給口12を有し内部に基板Wが搬入されて収容される
処理槽10を備えている。処理槽10の上部には、溢流
液受け部14が設けられており、処理槽10の上端部か
ら溢れ出た液体が溢流液受け部14内へ流入し、溢流液
受け部14内に流入した液体が排液管16を通って排出
されるようになっている。
【0004】処理槽10の下部の液体供給口12には、
液体供給管18が連通して接続されている。液体供給管
18は、ミキシングブロック20の流出口に接続されて
おり、ミキシングブロック20の流入口には、開閉制御
弁72が介挿された純水供給管74が接続されている。
また、ミキシングブロック20には、開閉制御弁76が
介挿された薬液供給管78が連通して接続されている。
なお、図では、1つの薬液供給管78についてだけ配管
構成を示しているが、ミキシングブロック20には、複
数種類の薬液、例えばアンモニア水、過酸化水素水、フ
ッ酸、塩酸、オゾン水等の薬液を供給する複数の薬液供
給管が必要に応じて接続される。そして、ミキシングブ
ロック20と純水供給管74および薬液供給管78にそ
れぞれ介挿された複数の開閉制御弁72、76とにより
ミキシングバルブ(ブロックバルブ)80が構成されて
いる。また、ミキシングブロック20には、圧力トラン
スデューサ82が取り付けられており、圧力トランスデ
ューサ82は、ミキシングブロック20を通過する純水
の圧力を電気信号に変換して出力する。
【0005】純水供給管74は、純水供給源に接続され
ており、純水供給管74にはレギュレータ(流量調整
弁)84が介挿され、その下流側に流量計86が介挿さ
れている。また、薬液供給管78は、薬液38が貯留さ
れ密閉された薬液タンク40に接続され、薬液供給管7
8の先端部が薬液タンク40内の薬液38中に差し入れ
られている。薬液タンク40には、開閉制御弁42が介
挿された薬液補充管44が接続されている。また、薬液
タンク40には、レギュレータ46が介挿され不活性ガ
ス、例えば窒素ガスの供給源に接続された窒素ガス供給
管48が連通している。窒素ガス供給管48に介挿され
たレギュレータ46は、圧縮空気源に接続されたエアー
供給管50に介挿された電空レギュレータ52を制御す
ることにより調節され、窒素ガス供給管48を通して薬
液タンク40内の上部空間に供給される窒素ガスによ
り、薬液タンク40内の薬液38の液面が一定圧力で加
圧されるようになっている。また、薬液供給管78に
は、薬液タンク40と開閉制御弁76との間に、フィル
タ88、流量計90、トランスデューサ92およびニー
ドル弁94が薬液の流れ方向において順番にそれぞれ介
挿されている。
【0006】上記したように構成された基板処理装置に
おいて、例えば、純水供給管74からミキシングブロッ
ク20および液体供給管18を通って処理槽10内へ純
水が供給され、処理槽10の内部が純水で満たされ、処
理槽10の上端部から純水が溢れ出て溢流液受け部14
へ流入し、処理槽10内の純水中に基板Wが浸漬させら
れている状態から、基板Wを薬液処理するときは、純水
供給管74に介挿された開閉制御弁72を開いたまま
で、薬液供給管78に介挿された開閉制御弁76を開
く。これにより、ミキシングブロック20において、純
水供給管74を通って供給される純水に薬液供給管78
を通って供給される薬液が混合され、所定濃度に調整さ
れた薬液が液体供給管18を通って処理槽10の下部の
液体供給口12へ供給される。そして、処理槽10内へ
流入する薬液により処理槽10の上端部から純水が押し
出されて、処理槽10の内部が薬液で徐々に置換され、
やがて、処理槽10の内部は、所定濃度に調整された薬
液で満たされ、処理槽10の上端部から薬液が溢れ出る
状態となる。
【0007】基板Wの薬液処理は、処理槽10内へ薬液
が供給され基板Wが薬液と接触した時点から始まり、処
理槽10の内部が所定濃度の薬液で満たされた状態とな
って進行する。そして、所定の処理時間が経過すると、
純水供給管74に介挿された開閉制御弁72は開いたま
まで、薬液供給管78に介挿された開閉制御弁76が閉
じられる。これにより、純水供給管74からミキシング
ブロック20および液体供給管18を通って処理槽10
内へ純水だけが供給され、処理槽10の下部の液体供給
口12から処理槽10内へ流入する純水により処理槽1
0の上端部から薬液が押し出されて、処理槽10の内部
が純水で徐々に置換される。やがて、処理槽10の内部
が純水で満たされ、処理槽10の上端部から純水が溢れ
出る状態となる。この状態で、処理槽10内の純水中に
基板Wが浸漬させられて、基板Wがリンス処理される。
所定時間だけリンス処理が行われると、処理槽10内へ
の純水の供給が停止され、基板Wが処理槽10内から搬
出される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の基板処
理装置では、薬液処理に引き続いてリンス処理するため
に、薬液供給管78に介挿された開閉制御弁76を閉じ
ても、開閉制御弁76からミキシングブロック20まで
の区間には薬液が残留することになる。この薬液供給管
78内の、開閉制御弁76より下流側に残留した薬液
は、純水供給管74からミキシングブロック20を通過
して処理槽10内へ流入する純水中に徐々に混入するこ
とになる。この結果、清浄なリンス処理を行うことがで
きない可能性があり、あるいは、処理槽10の内部が完
全に純水で満たされるようになるまでの時間が多くかか
り、スループットが低下することになる。特に、開閉制
御弁76とミキシングブロック20との間に、例えばフ
ィルタを設置したりすると、フィルタの内部やフィルタ
と開閉制御弁76との間の管内に残留している薬液が、
ミキシングブロック20の方へ徐々に拡散していって純
水中に混入することになり、このため、清浄なリンス処
理を行うことができなくなり、あるいはスループットが
大きく低下することになる。このような問題は、薬液処
理に引き続き別の種類の薬液を用いて基板の処理を行う
場合にも生じる。
【0009】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、薬液処理後に純水または別の薬液を
用いた処理を行う際に、純水または別の薬液中に薬液が
混入することを防止することができる基板処理装置を提
供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板処理装置において、処理液により基板の処理を行う
処理部と、前記処理部に処理液を供給する処理液供給手
段と、前記処理液供給手段に接続された処理液供給管
と、前記処理液供給管に接続され、薬液および純水を混
合させて処理液を生成させる混合部と、前記混合部に接
続された第1純水供給管と、前記混合部に接続され、薬
液供給用開閉弁が介挿された薬液供給管と、前記混合部
と前記薬液供給用開閉弁の間の前記薬液供給管に接続さ
れ、純水供給用開閉弁が介挿された第2純水供給管とを
備え、前記薬液供給用開閉弁を開閉した後、前記純水供
給用開閉弁を所定時間開くように制御することを特徴と
する。
【0011】請求項2に係る発明は、請求項1記載の基
板処理装置において、前記第1純水供給管の下流位置に
純水用フィルタを介挿し、その純水用フィルタを通過し
た純水がそのまま前記第1純水供給管から前記混合部へ
流入することを特徴とする。
【0012】請求項3に係る発明は、請求項1または請
求項2記載の基板処理装置において、前記薬液供給管の
下流位置に薬液用フィルタを介挿し、その薬液用フィル
タを通過した薬液がそのまま前記薬液供給管から前記混
合部へ流入するとともに、前記第2純水供給管から前記
薬液供給管内へ流された純水が前記薬液用フィルタを通
過して前記薬液供給管から前記混合部へ流入することを
特徴とする。
【0013】請求項4に係る発明は、請求項1ないし請
求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、前記
第2純水供給管が、前記第1純水供給管から分岐して設
けられたことを特徴とする。
【0014】請求項1に係る発明の基板処理装置におい
ては、薬液処理後に純水を用いたリンス処理または別の
種類の薬液を用いた処理を行う際、制御手段により、薬
液供給管に介挿された薬液供給用開閉弁が閉じられた後
にパージ用の純水供給用開閉弁が所定時間だけ開くよう
に制御される。この動作により、第2純水供給管から薬
液供給管の、薬液供給用開閉弁と混合部との間へ純水が
供給され、薬液供給管内に残留している薬液が純水によ
って混合部の方へ押し流される。このため、薬液供給管
の、薬液供給用開閉弁より下流側に残留した薬液が、第
1純水供給管から混合部を通過して処理部内へ流入する
純水中に徐々に混入したり、混合部で別の薬液中に徐々
に混入したりする、といったことが防止される。
【0015】請求項2に係る発明の基板処理装置では、
第1純水供給管の下流位置に介挿された純水用フィルタ
によってパーティクルが除去された純水が、混合部へ流
入し、混合部から液体供給管を通って処理部内へ供給さ
れる。したがって、基板のパーティクル汚染が防止され
る。これについて、より詳しく説明する。
【0016】図4に示したように、従来の基板処理装置
には、純水供給管74にフィルタが設けられていなかっ
た。ところが、純水供給管74には、開閉制御弁72、
レギュレータ84、流量計86などが介挿されている。
そして、開閉制御弁72は、純水を流したり止めたりす
る際に、レギュレータ84は、純水の流量を調整する際
に、流量計86は、純水の流量を測定する際に、それぞ
れ部品の機械的な動きがあり、その際にパーティクルが
発生する可能性がある。また、圧力トランスデューサ8
2が純水供給管74に介挿されている場合には、圧力ト
ランスデューサ82は、通常、配管にねじ込み式で取着
されるため、シールテープによるパーティクルの発生の
可能性がある。これらによるパーティクルの発生は、従
来、ほとんど問題とならなかったが、デバイスの高密度
化などに伴い、将来的には、それらのパーティクルによ
る汚染が問題となってくる。請求項2に係る発明の装置
では、第1純水供給管の下流位置に純水用フィルタが介
挿されていることにより、純水が混合部へ流入する前に
純水中からパーティクルが除去されるので、基板のパー
ティクル汚染が防止される。
【0017】請求項3に係る発明の基板処理装置では、
薬液供給管の下流位置に介挿された薬液用フィルタによ
ってパーティクルが除去された薬液が、混合部へ流入
し、純水と混合されて混合部から処理液供給管を通って
処理部内へ供給される。したがって、基板のパーティク
ル汚染が防止される。これについて、より詳しく説明す
る。
【0018】図4に示したように、従来の基板処理装置
では、薬液供給管78の、薬液タンク40の出口付近に
フィルタ88が設置されており、装置外部から薬液タン
ク40内へ持ち込まれたゴミなどをフィルタ88によっ
て除去するようにしている。ところが、フィルタ88の
下流側には、開閉制御弁76、流量計90、圧力トラン
スデューサ92、ニードル弁94などが介挿されてい
る。そして、開閉制御弁76は、薬液を流したり止めた
りする際に、流量計90は、薬液の流量を測定する際
に、ニードル弁94は、薬液の流量を調節する際に、そ
れぞれ部品の機械的な動きがあり、その際にパーティク
ルが発生する可能性があり、また、圧力トランスデュー
サ92は、通常、配管にねじ込み式で取着されるため、
シールテープによるパーティクルの発生の可能性があ
る。これらによるパーティクルの発生は、従来、ほとん
ど問題とならなかったが、デバイスの高密度化などに伴
い、将来的には、それらのパーティクルによる汚染が問
題となってくる。請求項3に係る発明の装置では、薬液
供給管の下流位置に薬液用フィルタが介挿されているこ
とにより、薬液が混合部へ流入する前に薬液中からパー
ティクルが除去されるので、基板のパーティクル汚染が
防止される。
【0019】また、第2純水供給管から薬液供給管内へ
流された純水は、薬液用フィルタを通過して混合部へ流
入するので、薬液用フィルタの内部やフィルタと薬液供
給用開閉弁との間に残留している薬液は、純水によって
混合部の方へ押し流される。
【0020】請求項4に係る発明の基板処理装置では、
第2純水供給管からのパージ用の純水は、第1純水供給
管の途中から第2純水供給管内へ流入し、第2純水供給
管から薬液供給管内の、薬液供給用開閉弁より下流側の
位置へ流入する。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図1ないし図3を参照しながら説明する。
【0022】図1は、この発明の実施形態の1例を示
し、基板処理装置の概略構成を示す模式図である。図1
において、図4で使用した符号と同一符号を付した各構
成要素は、図4に関して説明したものと同一機能を有す
るものであり、ここでは、それらについての重複する説
明を省略する。
【0023】この基板処理装置では、ミキシングブロッ
ク20の流入口に連通して接続され開閉制御弁22が介
挿された純水供給管(第1純水供給管)24の、ミキシ
ングブロック20と開閉制御弁22との間に、フィルタ
30が介挿されている。フィルタ30は、パーティクル
除去機能と共に金属汚染除去機能を有するものを使用す
ることが好ましい。また、純水供給管24の、開閉制御
弁22とフィルタ30との間に圧力トランスデューサ3
2が取着されている。純水供給管24の、開閉制御弁2
2と純水供給源との間には、従来の装置と同様に、レギ
ュレータ34および流量計36がそれぞれ介挿されてい
る。
【0024】また、開閉制御弁26が介挿された薬液供
給管28の、ミキシングブロック20と開閉制御弁26
との間に、フィルタ54が介挿されている。フィルタ5
4は、パーティクル除去機能と共に金属汚染除去機能を
有するものを使用することが好ましい。また、薬液供給
管28の、開閉制御弁26と薬液タンク40との間に
は、従来の装置と同様に、流量計56、圧力トランスデ
ューサ58およびニードル弁60がそれぞれ介挿されて
いる。さらに、この装置では、純水供給源に接続され開
閉制御弁62が介挿されたパージ用純水供給管(第2純
水供給管)64が、薬液供給管28の、開閉制御弁26
とフィルタ54との間に連通して接続されている。薬液
供給管28に介挿された開閉制御弁26とパージ用純水
供給管64に介挿された開閉制御弁62とは、それらを
ブロックバルブ66として、デッドスペースを極小化す
ることが好ましい。
【0025】純水供給管24に介挿された開閉制御弁2
2、薬液供給管28に介挿された開閉制御弁(薬液供給
用開閉制御弁)26、および、パージ用純水供給管64
に介挿された開閉制御弁(純水供給用開閉制御弁)62
の各開閉動作は、図示していないコントローラによって
それぞれ制御される。基板の一連の処理操作における各
開閉制御弁22、26、62の制御動作の1例につい
て、図2に示すタイムチャートに基づき説明する。
【0026】純水供給管24からミキシングブロック2
0および液体供給管18を通って処理槽10内へ純水が
供給され、処理槽10の内部に満たされた純水中に基板
Wが浸漬させられている状態から、基板Wを薬液処理す
るときは、純水供給管24に介挿された開閉制御弁22
を開いたままで、薬液供給管28に介挿された開閉制御
弁26を開く(T時)。このとき、パージ用純水供給
管64に介挿された開閉制御弁62は閉じられている。
開閉制御弁26が開かれることにより、ミキシングブロ
ック20において、純水供給管24を通って供給される
純水に薬液供給管28を通って供給される薬液が混合さ
れ、所定濃度に調整された薬液が液体供給管18を通っ
て処理槽10の下部の液体供給口12へ供給される。そ
して、処理槽10の内部が薬液で置換され、処理槽10
の内部に満たされた所定濃度の薬液中に基板Wが浸漬さ
せられることにより、基板Wの薬液処理が行われる。
【0027】薬液処理を開始してから所定時間が経過す
ると、純水供給管24に介挿された開閉制御弁22を開
いたままで、薬液供給管28に介挿された開閉制御弁2
6を閉じ、それと同時に、パージ用純水供給管64に介
挿された開閉制御弁62を開く(T時)。これによ
り、純水供給管24からミキシングブロック20および
液体供給管18を通って処理槽10内へ純水だけが供給
され、処理槽10の内部が純水で置換される。また、パ
ージ用純水供給管64から薬液供給管28の、開閉制御
弁26とフィルタ54との間へ純水が供給され、その純
水は、フィルタ54を通過してミキシングブロック20
へ流入する。この純水の流れにより、フィルタ54の内
部やフィルタ54と開閉制御弁26との間に残留してい
る薬液がミキシングブロック20の方へ押し流される。
【0028】パージ用純水供給管64に介挿された開閉
制御弁62を開いてから所定時間が経過し、フィルタ5
4の内部やフィルタ54と開閉制御弁26との間の管内
から薬液が完全に洗い流されると、純水供給管24に介
挿された開閉制御弁22を開いたままで、パージ用純水
供給管64に介挿された開閉制御弁62を閉じる(T
時)。そして、処理槽10の内部に満たされた純水中に
基板Wが浸漬させられることにより、基板Wがリンス処
理される。所定時間だけリンス処理が行われると、純水
供給管24に介挿された開閉制御弁22を開じ(T
時)、処理槽10内への純水の供給が停止される。
【0029】なお、上記した実施形態では、純水供給管
24とパージ用純水供給管64とを別々に純水供給源に
接続するようにしているが、図3に示すように、純水供
給管24をフィルタ30の下流側において分岐させ、そ
の分岐した管をパージ用純水供給管68として、薬液供
給管28の、開閉制御弁26とフィルタ54との間に連
通接続し、そのパージ用純水供給管68に開閉制御弁7
0を介挿するようにしてもよい。
【0030】また、薬液供給管28に介挿された開閉制
御弁26と、パージ用純水供給管68に介挿された開閉
制御弁70とをブロックバルブ66として、デッドスペ
ースを極小化してもよい(図3の一点鎖線参照)。
【0031】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板処理装置を使
用すると、薬液処理後に純水または別の薬液を用いた処
理を行う際に、純水または別の薬液中に薬液が混入する
ことを防止することができる。
【0032】請求項2に係る発明の基板処理装置では、
処理部内へ供給される純水中からパーティクルが除去さ
れるので、基板のパーティクル汚染を防止することがで
きる。
【0033】請求項3に係る発明の基板処理装置では、
混合部へ流入し純水に混合されて処理槽内へ供給される
薬液中からパーティクルが除去されるので、基板のパー
ティクル汚染を防止することができる。
【0034】請求項4に係る発明の基板処理装置では、
第2純水供給管の配管長さを短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施形態の1例を示し、基板処理装
置の概略構成を示す模式図である。
【図2】基板の一連の処理操作における各開閉制御弁の
制御動作の1例について説明するためのタイムチャート
である。
【図3】この発明の別の実施形態を示し、基板処理装置
の概略構成の一部を示す模式図である。
【図4】従来の基板処理装置の概略構成の1例を示す模
式図である。
【符号の説明】
10 処理槽 12 処理槽の液体供給口 14 溢流液受け部 16 排液管 18 液体供給管 20 ミキシングブロック 22、26、62、70 開閉制御弁 24 純水供給管 28 薬液供給管 30、54 フィルタ 32、58 圧力トランスデューサ 34 レギュレータ 36、56 流量計 38 薬液 40 薬液タンク 60 ニードル弁 64、68 パージ用純水供給管 66 ブロックバルブ W 基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液により基板の処理を行う処理部
    と、 前記処理部に処理液を供給する処理液供給手段と、 前記処理液供給手段に接続された処理液供給管と、 前記処理液供給管に接続され、薬液および純水を混合さ
    せて処理液を生成させる混合部と、 前記混合部に接続された第1純水供給管と、 前記混合部に接続され、薬液供給用開閉弁が介挿された
    薬液供給管と、 前記混合部と前記薬液供給用開閉弁の間の前記薬液供給
    管に接続され、純水供給用開閉弁が介挿された第2純水
    供給管とを備え、 前記薬液供給用開閉弁を開閉した後、前記純水供給用開
    閉弁を所定時間開くように制御することを特徴とする基
    板処理装置
  2. 【請求項2】 前記第1純水供給管の下流位置に純水用
    フィルタを介挿し、その純水用フィルタを通過した純水
    がそのまま前記第1純水供給管から前記混合部へ流入す
    る請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記薬液供給管の下流位置に薬液用フィ
    ルタを介挿し、その薬液用フィルタを通過した薬液がそ
    のまま前記薬液供給管から前記混合部へ流入するととも
    に、前記第2純水供給管から前記薬液供給管内へ流され
    た純水が前記薬液用フィルタを通過して前記薬液供給管
    から前記混合部へ流入する請求項1または請求項2記載
    の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 前記第2純水供給管が、前記第1純水供
    給管から分岐して設けられた請求項1ないし請求項3の
    いずれかに記載の基板処理装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008251978A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010050392A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体
JP2010135681A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
JP2014039064A (ja) * 2013-11-01 2014-02-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621733U (ja) * 1991-12-26 1994-03-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置の薬液ミキシング装置
JPH11253773A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Tokico Ltd 薬液調合装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621733U (ja) * 1991-12-26 1994-03-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置の薬液ミキシング装置
JPH11253773A (ja) * 1998-03-12 1999-09-21 Tokico Ltd 薬液調合装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008251978A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010050392A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体
JP2010135681A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
JP2014039064A (ja) * 2013-11-01 2014-02-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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